JPH04167583A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH04167583A JPH04167583A JP29604190A JP29604190A JPH04167583A JP H04167583 A JPH04167583 A JP H04167583A JP 29604190 A JP29604190 A JP 29604190A JP 29604190 A JP29604190 A JP 29604190A JP H04167583 A JPH04167583 A JP H04167583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- support
- fixing nut
- pipe
- yag laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 5
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 abstract 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信用光源、計測器の安定化光源などに使用
される半導体レーザモジュールに関する。
される半導体レーザモジュールに関する。
第2図に従来用いられている半導体レーザモジュールの
構造断面図を示す。
構造断面図を示す。
近年、半導体レージモジュールは高速変調、冷却可能で
あることの要求が強いため、パッケージには高周波特性
に優れ、冷却構造、パネル実装が容易なフラットリード
型セラミックパッケージを使用する必要がある。このた
めパッケージ1のフレームにはセラミックと熱膨張係数
がほぼ等しいコバールを使用している。コバールそのも
のは長期的に見ると錆等が発生するので耐候性を考慮し
て総て金メツキを施す必要がある。又、モジュールの光
学系の長期安定度を確保するために、ファイバ端末18
の固定はYAGレーザビーム溶接を行っている。ここで
長期信頼度を確保するために溶接は同種金属である必要
があり、従ってファイバ端末18をパッケージ1に溶接
するためのサポート16の材料もコバールの金メツキ品
を使用している。
あることの要求が強いため、パッケージには高周波特性
に優れ、冷却構造、パネル実装が容易なフラットリード
型セラミックパッケージを使用する必要がある。このた
めパッケージ1のフレームにはセラミックと熱膨張係数
がほぼ等しいコバールを使用している。コバールそのも
のは長期的に見ると錆等が発生するので耐候性を考慮し
て総て金メツキを施す必要がある。又、モジュールの光
学系の長期安定度を確保するために、ファイバ端末18
の固定はYAGレーザビーム溶接を行っている。ここで
長期信頼度を確保するために溶接は同種金属である必要
があり、従ってファイバ端末18をパッケージ1に溶接
するためのサポート16の材料もコバールの金メツキ品
を使用している。
パッケージ1内には半導体レーザ2及びモニタ用PIN
フォトダイオード4を搭載したキャリア9と、半導体レ
ーザ光をコリメートするための収束性ロッドレンズ3が
実装しである。コリメートされた半導体レーザ2の出力
光は無反射コーティングされた封止用窓ガラス7を通し
てバイブ15からパッケージ1の外部に取出され、ファ
イバ端末18の光ファイバに結合される。ここでファイ
バ端末18はサポート16と固着されており、サポート
16とバイブ15は溶接部10にてYAGレーザビーム
溶接で固定されている。
フォトダイオード4を搭載したキャリア9と、半導体レ
ーザ光をコリメートするための収束性ロッドレンズ3が
実装しである。コリメートされた半導体レーザ2の出力
光は無反射コーティングされた封止用窓ガラス7を通し
てバイブ15からパッケージ1の外部に取出され、ファ
イバ端末18の光ファイバに結合される。ここでファイ
バ端末18はサポート16と固着されており、サポート
16とバイブ15は溶接部10にてYAGレーザビーム
溶接で固定されている。
上述した従来の半導体レージモジュールは、金メツキさ
れた部材同士をYAGレーザビーム溶接するため、金の
メツキ状態を非常に厳しく管理する必要があった。とこ
ろが金メツキの品質管理は現在非常に難しく、このため
YAGレーザビーム溶接の溶接状態が安定せず、製品歩
留りの悪化等の問題となっていた。YAGレーザビーム
溶接の観点から考えると、溶接用の部材には不純物が混
入すると溶接部の強度劣化、クラックが発生し易くなる
ため、溶接部材には不純物の混入を最大限避ける必要が
ある。しかしながら、金メツキにおいて不純物の除去は
非常に難しく、更にYAGレーザビーム溶接の条件に影
響するメッキ厚などの制御も難しいのが現状である。パ
ッケージ作製上、フレームはセラミックと熱膨張係数が
ほぼ等しいコバールを使用する必要があるので金メツキ
は避けられず、従って従来の例では安定な溶接状態を維
持し、長期的信頼性のある半導体レージモジュールを得
るのが困難であった。
れた部材同士をYAGレーザビーム溶接するため、金の
メツキ状態を非常に厳しく管理する必要があった。とこ
ろが金メツキの品質管理は現在非常に難しく、このため
YAGレーザビーム溶接の溶接状態が安定せず、製品歩
留りの悪化等の問題となっていた。YAGレーザビーム
溶接の観点から考えると、溶接用の部材には不純物が混
入すると溶接部の強度劣化、クラックが発生し易くなる
ため、溶接部材には不純物の混入を最大限避ける必要が
ある。しかしながら、金メツキにおいて不純物の除去は
非常に難しく、更にYAGレーザビーム溶接の条件に影
響するメッキ厚などの制御も難しいのが現状である。パ
ッケージ作製上、フレームはセラミックと熱膨張係数が
ほぼ等しいコバールを使用する必要があるので金メツキ
は避けられず、従って従来の例では安定な溶接状態を維
持し、長期的信頼性のある半導体レージモジュールを得
るのが困難であった。
また、YAGレーザビーム溶接工法を用いた場合、−度
溶接してしまうと再生が不可能になり、付加価値の付い
た部材を廃棄することになるため、製造工程上大きな問
題があった。
溶接してしまうと再生が不可能になり、付加価値の付い
た部材を廃棄することになるため、製造工程上大きな問
題があった。
本発明の目的は上記問題点を解決し、YAGレーザビー
ム溶接状態不良に伴う製造歩留りの悪化を防止し、かつ
光フアイバ固定後の製造トラブルがあったとしても再生
が可能な構造にすることにより、信頼性に優れ、かつ安
価な半導体レーザモジュールを提供することにある。
ム溶接状態不良に伴う製造歩留りの悪化を防止し、かつ
光フアイバ固定後の製造トラブルがあったとしても再生
が可能な構造にすることにより、信頼性に優れ、かつ安
価な半導体レーザモジュールを提供することにある。
本発明は少なくとも半導体レーザと該半導体レーザの光
出力をコリメートするためのレンズを内部に含むパッケ
ージと光出力を取出す光ファイバとを含む半導体レーザ
モジュールにおいて、前記パッケージに一体化されたフ
ァイバ端末固着用のバイブと、前記光ファイバのファイ
バ端末部をYAGレーザビーム溶接により固着したサポ
ートとが、貫通穴を側面に設けたファイバ端末固定ナツ
トを用いて機械的に締結固定されている。
出力をコリメートするためのレンズを内部に含むパッケ
ージと光出力を取出す光ファイバとを含む半導体レーザ
モジュールにおいて、前記パッケージに一体化されたフ
ァイバ端末固着用のバイブと、前記光ファイバのファイ
バ端末部をYAGレーザビーム溶接により固着したサポ
ートとが、貫通穴を側面に設けたファイバ端末固定ナツ
トを用いて機械的に締結固定されている。
また前記バイブと前記サポートとの接合部が前記貫通穴
を介してYAGレーザビーム溶接されていてもよい。
を介してYAGレーザビーム溶接されていてもよい。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の構造を示す断面図である。
本実施例おいては、パイプ部以外の構成、即ち半導体レ
ーザ2及びモニタ用フォトダイオード4を搭載したキャ
リア9と、半導体レーザ光をコリメートするためのコリ
メート用レンズ3及びバイブ5の先端に取付けられた封
止用窓ガラス7を実装するセラミックパッケージ1の構
成は、第2図に示した従来例と同様である。
ーザ2及びモニタ用フォトダイオード4を搭載したキャ
リア9と、半導体レーザ光をコリメートするためのコリ
メート用レンズ3及びバイブ5の先端に取付けられた封
止用窓ガラス7を実装するセラミックパッケージ1の構
成は、第2図に示した従来例と同様である。
ここでバイブ5は外側にねじが切ってあり、内側にねじ
が切っているファイバ端末固定ナツト11とねじ止め出
来るような構造となっている。
が切っているファイバ端末固定ナツト11とねじ止め出
来るような構造となっている。
ファイバ端末固定ナツト11はサポート6とバイブ5が
YAGレーザビーム溶接が出来るように、外周に貫通穴
20が3箇所等配列にあけられている。この貫通穴20
はファイバ端末固定ナツト11を締付けた時に丁度サポ
ート6とバイμ5の接合面の端面が現われるような位置
に設けてある。ファイバ端末固定ナツト11をねじ込む
ことによりサポート6とパイプ5を固定する構造となっ
ている。ここでサポート6にYAGレーザビーム溶接で
固定されたファイバ端末8はファイバ端末固定ナツト1
1で機械的に固定され、更にYAGレーザビーム溶接で
固定されることになり、固定強度の安定性は著しく向上
する。又、YAGレーザビーム溶接はモジュールの温度
特性試験等を終了した後に行うことにより、温度特性試
験迄の工程で不良が発生したとしても、光学系は再生す
ることが可能である。
YAGレーザビーム溶接が出来るように、外周に貫通穴
20が3箇所等配列にあけられている。この貫通穴20
はファイバ端末固定ナツト11を締付けた時に丁度サポ
ート6とバイμ5の接合面の端面が現われるような位置
に設けてある。ファイバ端末固定ナツト11をねじ込む
ことによりサポート6とパイプ5を固定する構造となっ
ている。ここでサポート6にYAGレーザビーム溶接で
固定されたファイバ端末8はファイバ端末固定ナツト1
1で機械的に固定され、更にYAGレーザビーム溶接で
固定されることになり、固定強度の安定性は著しく向上
する。又、YAGレーザビーム溶接はモジュールの温度
特性試験等を終了した後に行うことにより、温度特性試
験迄の工程で不良が発生したとしても、光学系は再生す
ることが可能である。
次に、本モジュールの製作工程について説明する。
まずモニタ用PINフォトダイオード4及び半導体レー
ザ2が搭載されたキャリア9に、コリメート用レンズ3
を固定する。ここでレンズとしては収束性ロッドレンズ
を使用しており、このとき半導体レーザ2からの出力光
は所望の距離に集光されるように焦点を調整する。次に
半導体レーザビームの高さ、角度を調整した後、キャリ
ア9をパッケージ1の底面に固定する。次にファイバ端
末8とサポート6を固定する前に光軸調整を行い、サポ
ート6と取り付は用のパイプ5が密着する状態で最適結
合が取れるように光軸方向の位置を定める。その後サポ
ート6とファイバ端末8をYAGレーザビーム溶接で固
定する。再度光軸調整を行った後、ファイバ端末固定ナ
ツト11をねし止めすることによりファイバ端末8の固
定を終了する。その後、基本静特性及び温度サイクル試
験等を行い、良品として残ったものに対して最終的にサ
ポート6とパイプ5の接触部を貫通穴20を通してYA
Gレーザによって隅肉溶接し、モジュール化を完了する
。
ザ2が搭載されたキャリア9に、コリメート用レンズ3
を固定する。ここでレンズとしては収束性ロッドレンズ
を使用しており、このとき半導体レーザ2からの出力光
は所望の距離に集光されるように焦点を調整する。次に
半導体レーザビームの高さ、角度を調整した後、キャリ
ア9をパッケージ1の底面に固定する。次にファイバ端
末8とサポート6を固定する前に光軸調整を行い、サポ
ート6と取り付は用のパイプ5が密着する状態で最適結
合が取れるように光軸方向の位置を定める。その後サポ
ート6とファイバ端末8をYAGレーザビーム溶接で固
定する。再度光軸調整を行った後、ファイバ端末固定ナ
ツト11をねし止めすることによりファイバ端末8の固
定を終了する。その後、基本静特性及び温度サイクル試
験等を行い、良品として残ったものに対して最終的にサ
ポート6とパイプ5の接触部を貫通穴20を通してYA
Gレーザによって隅肉溶接し、モジュール化を完了する
。
ここでキャリア9の下に電子冷却素子を挿入することに
より、冷却型の半導体レーザモジュールを容易に得るこ
とも出来る。またファイバ端末固定ナツト11は機械的
に固定であるため振動、熱履歴などにより緩む懸念があ
るが、これは最終的にパイプ5とファイバ端末固定ナツ
ト11をYAGレーザで貫通溶接することにより回避出
来る。
より、冷却型の半導体レーザモジュールを容易に得るこ
とも出来る。またファイバ端末固定ナツト11は機械的
に固定であるため振動、熱履歴などにより緩む懸念があ
るが、これは最終的にパイプ5とファイバ端末固定ナツ
ト11をYAGレーザで貫通溶接することにより回避出
来る。
又、半導体レーザ2の種類としてはなんら制限がなく、
短波長、長波長、ファブリペロ型、分布帰還型のどれで
も問題はない。
短波長、長波長、ファブリペロ型、分布帰還型のどれで
も問題はない。
以上説明したように本発明は、ファイバ端末の固定に機
械的固定と、YAGレーザビーム溶接による固定と言う
2種類の固定法を施しているため、YAGレーザビーム
溶接部の状態にあまり左右されず光学系の安定度は格段
に優れ、従って、長期的に信頼性の高い半導体レーザモ
ジュールを得ることが出来る。更に、光軸調整後の工程
ミスなどにより不良となった場合でもファイバ端末固定
ナツトはねじ込み式なので、容易に取外しが可能であり
、高価な半導体レーザが含まれるパッケージは再生が可
能である。このため、安価な半導体レーザモジュールを
得ることが出来る。
械的固定と、YAGレーザビーム溶接による固定と言う
2種類の固定法を施しているため、YAGレーザビーム
溶接部の状態にあまり左右されず光学系の安定度は格段
に優れ、従って、長期的に信頼性の高い半導体レーザモ
ジュールを得ることが出来る。更に、光軸調整後の工程
ミスなどにより不良となった場合でもファイバ端末固定
ナツトはねじ込み式なので、容易に取外しが可能であり
、高価な半導体レーザが含まれるパッケージは再生が可
能である。このため、安価な半導体レーザモジュールを
得ることが出来る。
第1図は本発明の一実施例の構造を示す断面図、第2図
は従来の半導体レーザモジュールの構造を示す断面図で
ある。 1・・・セラミックパッケージ、2・・・半導体レーザ
、3・・・コリメート用レンズ、5・・・パイプ、6・
・・サポート、8・・・ファイバ端末、11・・・ファ
イバ端末固定ナツト。
は従来の半導体レーザモジュールの構造を示す断面図で
ある。 1・・・セラミックパッケージ、2・・・半導体レーザ
、3・・・コリメート用レンズ、5・・・パイプ、6・
・・サポート、8・・・ファイバ端末、11・・・ファ
イバ端末固定ナツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも半導体レーザと該半導体レーザの光出力
をコリメートするためのレンズを内部に含むパッケージ
と光出力を取出す光ファイバとを含む半導体レーザモジ
ュールにおいて、前記パッケージに一体化されたファイ
バ端末固着用のパイプと、前記光ファイバのファイバ端
末部をYAGレーザビーム溶接により固着したサポート
とが、貫通穴を側面に設けたファイバ端末固定ナットを
用いて機械的に締結固定されていることを特徴とする半
導体レーザモジュール。 2、前記パイプと前記サポートとの接合部が前記貫通穴
を介してYAGレーザビーム溶接されていることを特徴
とする請求項1記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29604190A JPH04167583A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29604190A JPH04167583A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04167583A true JPH04167583A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17828339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29604190A Pending JPH04167583A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04167583A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0808521A1 (en) * | 1995-02-10 | 1997-11-26 | Opto Power Corporation | Laser package with reversed laser diode |
US8544768B2 (en) | 2009-11-10 | 2013-10-01 | Stoneage, Inc. | Self regulating fluid bearing high pressure rotary nozzle with balanced thrust force |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29604190A patent/JPH04167583A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0808521A1 (en) * | 1995-02-10 | 1997-11-26 | Opto Power Corporation | Laser package with reversed laser diode |
EP0808521A4 (en) * | 1995-02-10 | 1998-05-06 | Opto Power Corp | LASER PACKAGE WITH REVERSE CURRENT LASER DIODE |
US8544768B2 (en) | 2009-11-10 | 2013-10-01 | Stoneage, Inc. | Self regulating fluid bearing high pressure rotary nozzle with balanced thrust force |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5068865A (en) | Semiconductor laser module | |
US5195155A (en) | Optical coupling apparatus and manufacturing method of the same, and lens holder | |
CA1085663A (en) | Package for optical devices including optical fiber- to-metal hermetic seal | |
US5386488A (en) | Optical module and manufacturing method therefor | |
US4548466A (en) | Optical fibre coupling assemblies | |
US5673350A (en) | Laser module with focusing lens and fixing method of the focusing lens | |
US5033052A (en) | Optical semiconductor device and production method thereof | |
US20030180014A1 (en) | Method of fabricating an optical module including a lens attached to a platform of the optical module | |
JPH02139506A (ja) | 光モジュール | |
GB2131971A (en) | Positioning an optical fibre relative to an opto-electronic device | |
US5854869A (en) | Stress reduced laser module | |
JPH04167583A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPH1172661A (ja) | レーザ・モジュールの熱応力の低減 | |
JPH085876A (ja) | 光伝送用モジュール及びそれに用いられるレンズホルダ部材 | |
JP2001215372A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
JPH07140361A (ja) | 光伝送用モジュール及びそれに用いられるレンズホルダー受け | |
JPH0325406A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP3323313B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP2804238B2 (ja) | 光半導体モジュールの製造方法 | |
JPS6365411A (ja) | レンズ固定方法 | |
JPH03100506A (ja) | 光結合装置及び光部品 | |
JPH0747870Y2 (ja) | 光学窓付き気密容器 | |
JP3190400B2 (ja) | 光ファイバ固定装置 | |
JPH0736328Y2 (ja) | 光結合器 | |
US6880984B2 (en) | Laser platform |