JPH04162545A - レジストパターンの形状観察法 - Google Patents
レジストパターンの形状観察法Info
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- JPH04162545A JPH04162545A JP28572590A JP28572590A JPH04162545A JP H04162545 A JPH04162545 A JP H04162545A JP 28572590 A JP28572590 A JP 28572590A JP 28572590 A JP28572590 A JP 28572590A JP H04162545 A JPH04162545 A JP H04162545A
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- resist
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
レジストパターンの形状観察法に係り、特に半導体製造
に用いるレジストパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡
）観察する際のレジストパターン形状観察法に関し、 ＳＥＭ観察においてレジストパターンの変形ヲ抑えた高
精度のレジストパターン形状観察法を提供することを目
的とし、 基板上に形成されたレジストパターン形状を、電子線を
使用しながら観察する際に、前記レジストパターンの被
観察部分に予め熱伝導率の高い物質をイオン注入するこ
とを構成とする。
に用いるレジストパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡
）観察する際のレジストパターン形状観察法に関し、 ＳＥＭ観察においてレジストパターンの変形ヲ抑えた高
精度のレジストパターン形状観察法を提供することを目
的とし、 基板上に形成されたレジストパターン形状を、電子線を
使用しながら観察する際に、前記レジストパターンの被
観察部分に予め熱伝導率の高い物質をイオン注入するこ
とを構成とする。
本発明はレジストパターンの形状観察法に係り、特に半
導体製造に用いるレジストパターンをＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）観察する際のレジストパターン形状観察法に
関するものである。
導体製造に用いるレジストパターンをＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）観察する際のレジストパターン形状観察法に
関するものである。
ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）は、高い解像性で多面的な
観察ができることからパターンの観察方法として非常に
多く用いられている。しかしながら半導体製造に欠かせ
ないレジストパターンをＳＥＭで観察した際、電子ビー
ムの照射によりレジストパターンに変形が生じる。半導
体の高密度化にともない微細なレジストパターンの評価
は極めて重要である。このことから変形のない正確な評
価をＳＥＭで行う必要がある。
観察ができることからパターンの観察方法として非常に
多く用いられている。しかしながら半導体製造に欠かせ
ないレジストパターンをＳＥＭで観察した際、電子ビー
ムの照射によりレジストパターンに変形が生じる。半導
体の高密度化にともない微細なレジストパターンの評価
は極めて重要である。このことから変形のない正確な評
価をＳＥＭで行う必要がある。
上記ＳＥＭ観察により生じるレジストパターン（以下単
にパターンと記す）の変形のためにパターンを撮影する
場合は既に観察したパターンを撮影のパターンとしない
ようにしている。すなわち観察用のパターンと撮影用の
パターンを分けて行っている。
にパターンと記す）の変形のためにパターンを撮影する
場合は既に観察したパターンを撮影のパターンとしない
ようにしている。すなわち観察用のパターンと撮影用の
パターンを分けて行っている。
撮影用のパターンを分けて行ってもＳＥＭでパターン撮
影中において電子ビーム照射があるため、パターンの変
形は避は難い、このパターンの変形はビーム照射時の熱
の発生が主な原因であることが分かっている。レジスト
の伝導率は半導体基板に比べて２桁程低く、電子ビーム
照射により生じた熱は基板から放熱される割合が大きい
と考えられる。このため熱伝導率の違う基板との間にパ
ターンの変形に違いが見出された。これらのことはパタ
ーンを評価する上で大きな支障をきたすことになる。
影中において電子ビーム照射があるため、パターンの変
形は避は難い、このパターンの変形はビーム照射時の熱
の発生が主な原因であることが分かっている。レジスト
の伝導率は半導体基板に比べて２桁程低く、電子ビーム
照射により生じた熱は基板から放熱される割合が大きい
と考えられる。このため熱伝導率の違う基板との間にパ
ターンの変形に違いが見出された。これらのことはパタ
ーンを評価する上で大きな支障をきたすことになる。
半導体基板の代表的な材料であるシリコン（Ｓｉ）と石
英（ＳｉＯ□）は、熱伝導率が大きく異なる。
英（ＳｉＯ□）は、熱伝導率が大きく異なる。
第１表はシリコンと石英の基板上にパターン撮影中した
ポジ型ＰＭＭＡレジストをＳＥＭで５００００倍で撮影
した結果の断面写真からの寸法である。また第２図に観
察測定箇所を示す。実験では撮影中の照射量が増えるに
したがってシリコン基板、石英基板上のＰＭＭＡレジス
トともに膜厚は減少し、開口幅が広がる傾向を示してい
る。これは、照射量が増えるに従い発熱量が増えるため
である。しかし、熱伝導率の高いシリコンにおいては石
英に比べその傾向は小さいことが分かる。
ポジ型ＰＭＭＡレジストをＳＥＭで５００００倍で撮影
した結果の断面写真からの寸法である。また第２図に観
察測定箇所を示す。実験では撮影中の照射量が増えるに
したがってシリコン基板、石英基板上のＰＭＭＡレジス
トともに膜厚は減少し、開口幅が広がる傾向を示してい
る。これは、照射量が増えるに従い発熱量が増えるため
である。しかし、熱伝導率の高いシリコンにおいては石
英に比べその傾向は小さいことが分かる。
以下余白
本発明はＳＥＭ観察においてレジストパターンの変形を
抑えた高精度のレジストパターン形状観察法を提供する
ことを目的とする。
抑えた高精度のレジストパターン形状観察法を提供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題は、本発明によれば基板上に形成されたレジス
トパターン形状を電子線を使用しながら観察する際に、
前記レジストパターンの被観察部分に予め熱伝導率の高
い物質をイオン注入することを特徴とするレジストパタ
ーンの形状観察法によって解決される。
トパターン形状を電子線を使用しながら観察する際に、
前記レジストパターンの被観察部分に予め熱伝導率の高
い物質をイオン注入することを特徴とするレジストパタ
ーンの形状観察法によって解決される。
熱伝導率の高い物質として本発明では、銀、銅、金ある
いはアルミニウムが好ましく用いられる。
いはアルミニウムが好ましく用いられる。
本発明によれば熱伝導率の高い物質をレジストパターン
にイオン注入するとイオン注入部のレジストの熱伝導性
が向上し放熱性がよくなると共に、不導体から導電体に
変わりＳＥＭの観察中に生じるチャージアップが改善さ
れる。
にイオン注入するとイオン注入部のレジストの熱伝導性
が向上し放熱性がよくなると共に、不導体から導電体に
変わりＳＥＭの観察中に生じるチャージアップが改善さ
れる。
〔実施例］
以下本発明の実施例を図面にもとすいて説明する。
第１図は本発明の詳細な説明するための平面図であり、
特に第１図（ａ）は、レジスト（ＰＭ？ＩＡ）内にＡｇ
”イオンを注入している図であり、第１図（ｂ）はのＡ
ｇ″″イオン注入後のレジストＳＥＭ観察している図で
ある。
特に第１図（ａ）は、レジスト（ＰＭ？ＩＡ）内にＡｇ
”イオンを注入している図であり、第１図（ｂ）はのＡ
ｇ″″イオン注入後のレジストＳＥＭ観察している図で
ある。
まず本実施例では第１図（ａ）に示すようにＳｉｎｇ基
板Ｉ基板式上−ニングされた膜厚ＩＩｍのＰＭＭＡレジ
スト２断面及び基板に対して垂直にＡｇ・イオン（熱伝
導率４２８Ｗ−ｍ−’ −Ｋ−’）照射をドーズ量１×
１０ＩＳイオン／ｄで注入した。
板Ｉ基板式上−ニングされた膜厚ＩＩｍのＰＭＭＡレジ
スト２断面及び基板に対して垂直にＡｇ・イオン（熱伝
導率４２８Ｗ−ｍ−’ −Ｋ−’）照射をドーズ量１×
１０ＩＳイオン／ｄで注入した。
その後、第１図（ｂ）に示すようにＡｇ”イオン注入方
向と同方向からＳＥＭ観察を行った。
向と同方向からＳＥＭ観察を行った。
ＳＥＭの撮影条件は５００００倍とした。
このようにＡｇ＋イオン注入した本試料は、ＳＥＭの照
射量を１．５８Ｘ１０−’、１．５８Ｘ１０ （ｃ ／
ａｉ）としても膜厚および開口幅ともに変化は見られな
かった。
射量を１．５８Ｘ１０−’、１．５８Ｘ１０ （ｃ ／
ａｉ）としても膜厚および開口幅ともに変化は見られな
かった。
さらに基板ｌ、およびレジスト２自身の表面がＡｇ”イ
オンにより不導体から導電体に観察中生じるチャージア
ップによるボケがなくなり、鮮明な画像が得られた。
オンにより不導体から導電体に観察中生じるチャージア
ップによるボケがなくなり、鮮明な画像が得られた。
第２表に熱伝導率の高い物質とその熱伝導率を示す。
第２表
上記実施例ではＡｇ＋イオンをイオン注入してＳＥＭに
おけるパターン形状を観察したが上記第２表に示したＣ
ｕ、ＡｕあるいはＡ２等のイオンをイオン注入しても同
様の結果を得ることができた。
おけるパターン形状を観察したが上記第２表に示したＣ
ｕ、ＡｕあるいはＡ２等のイオンをイオン注入しても同
様の結果を得ることができた。
以上説明した様に本発明によれば、高密度集積回路製造
に必要な微細なレジストパターン評価をより高精度に行
うことができる。
に必要な微細なレジストパターン評価をより高精度に行
うことができる。
第１図は、本発明の詳細な説明するための平面図であり
、特に第１図（ａ）はレジスト（ＰＭＭＡ）内にＡｇ”
イオンを注入している図であり、第１図（ｂ）はＡｇ４
イオン注入後のレジストＳＥＭ観察している図であり、 第２図はレジストパターンの観察測定箇所を示す模式図
である。 １・・・Ｓｉｎ、基板、 ２・・・ＰＭＭ＾レジスト。
、特に第１図（ａ）はレジスト（ＰＭＭＡ）内にＡｇ”
イオンを注入している図であり、第１図（ｂ）はＡｇ４
イオン注入後のレジストＳＥＭ観察している図であり、 第２図はレジストパターンの観察測定箇所を示す模式図
である。 １・・・Ｓｉｎ、基板、 ２・・・ＰＭＭ＾レジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成されたレジストパターン形状を、電子
線を使用しながら観察する際に、前記レジストパターン
の被観察部分に予め熱伝導率の高い物質をイオン注入す
ることを特徴とするレジストパターンの形状観察法。 ２、前記熱伝導率の高い物質が銀、銅、金あるいはアル
ミニウムであることを特徴とする請求項１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28572590A JPH04162545A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | レジストパターンの形状観察法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28572590A JPH04162545A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | レジストパターンの形状観察法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162545A true JPH04162545A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17695229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28572590A Pending JPH04162545A (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | レジストパターンの形状観察法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268315B1 (ko) * | 1998-02-18 | 2000-11-01 | 김규현 | 반도체 소자 제조 방법 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP28572590A patent/JPH04162545A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268315B1 (ko) * | 1998-02-18 | 2000-11-01 | 김규현 | 반도체 소자 제조 방법 |
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