JPH04158421A - Ic memory card - Google Patents
Ic memory cardInfo
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- JPH04158421A JPH04158421A JP2284837A JP28483790A JPH04158421A JP H04158421 A JPH04158421 A JP H04158421A JP 2284837 A JP2284837 A JP 2284837A JP 28483790 A JP28483790 A JP 28483790A JP H04158421 A JPH04158421 A JP H04158421A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣメモリカードに関し、特にバッテリバック
アップ機能を有するＩＣメモリカードに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an IC memory card, and particularly to an IC memory card having a battery backup function.
従来、この種のＩＣメモリカードは、外部電源がオフに
なると、チップセレクト信号を制御し、内部の半導体メ
モリを非活性にした状態でカード内臓の電池によりデー
タ保持を行っている。この状態をバッテリバックアップ
状態と称している。Conventionally, this type of IC memory card controls a chip select signal when an external power source is turned off, and retains data using a battery built into the card while the internal semiconductor memory is inactivated. This state is called a battery backup state.
第３図はかかる従来の一例を示すＩＣメモリカードの回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an IC memory card showing an example of such a conventional device.
第３図に示すように、従来のＩＣメモリカードは、ＣＭ
ＯＳスタティックＲＡＭ等からなる半導体メモリ（ＲＡ
Ｍ）１とバッテリバックアップ回路２Ａとを有し、半導
体メモリ１はＣＭＯＳスタティックＲＡＭ等から構成さ
れ、またバッテリバックアップ回路２ＡはＮＰＮ型バイ
ポーラトランジスタＱ１およびＰＮＰ型バイポーラトラ
ンジスタＱ２．Ｑ３と、ツェナー電圧３．９ｖのツェナ
ーダイオードＤ１と、ダイオードＤ２と、抵抗器Ｒ１〜
Ｒ５と、電圧３Ｖのリチウム電池等のＩＣメモリカード
の内部電池ＢＡＴとから構成されている。かかるＩＣメ
モリカードの半導体メモリ（ＲＡＭ）１の端子Ａ。−、
−Ａ、はアドレス端子、ＶＣＣ’は内部電源端子、Ｔ［
はライトイネーブル端子、Ｃ８はチップセレクト端子で
ある。尚、ＶＣＣはＩＣメモリカードに対しシステム側
から供給される外部電源である。As shown in Figure 3, the conventional IC memory card has CM
Semiconductor memory (RA) consisting of OS static RAM, etc.
M) 1 and a battery backup circuit 2A, the semiconductor memory 1 is composed of a CMOS static RAM, etc., and the battery backup circuit 2A includes an NPN bipolar transistor Q1 and a PNP bipolar transistor Q2. Q3, Zener diode D1 with Zener voltage 3.9V, diode D2, and resistor R1~
R5, and an internal battery BAT of the IC memory card, such as a lithium battery with a voltage of 3V. Terminal A of semiconductor memory (RAM) 1 of such an IC memory card. -,
-A is an address terminal, VCC' is an internal power supply terminal, T[
is a write enable terminal, and C8 is a chip select terminal. Note that VCC is an external power supply supplied to the IC memory card from the system side.
次に、上述したバッテリバックアップ回路２Ａの動作に
ついて説明する。Next, the operation of the battery backup circuit 2A described above will be explained.
外部電源■。Ｃがオフ（３，９Ｖ以下になる）になると
、ツェナーダイオードＤ、がオフし、ＮＰＮ型バイポー
ラトランジスタＱｌのベースのレベルがＯボルトに低下
するため、このトランジスタＱＩがオフとなる。このト
ランジスタＱｓがオフとなることにより、ＰＮＰ型バイ
ポーラトランジスタＱ２．ＱＢもオフになる。従って、
抵抗器Ｒ２によってチップセレクト端子Ｃ８が０ボルト
となり、半導体メモリ（ＲＡＭ）１を非活性状態にする
とともに、内部電池ＢＡＴの電源（３■）が半導体メモ
リ（ＲＡＭ）１に供給され、そのデータを保持する。こ
こで、トランジスタＱ１の役割は外部からのチップセレ
クト信号を遮断し、強制的にチップセレクト信号を非活
性状態にするために設けている。このチップセレクト信
号を非活性にする理由は、内部電池ＢＡＴでデータを保
持する時間を最大にするため（消費電力を最小にするた
め）である、また、トランジスタＱ２の役割は、バッテ
リバックアップ時に内部電池ＢＡＴから外部電源端子Ｖ
ｃｃへの電流の流れ込みを防止するためである。すなわ
ち、トランジスタＱ２がないと、ＶＣＣはバッテリバッ
クアップ時に内部電池ＢＡＴより電圧が低くなるため、
電流がＶＣＣ’からＶＣＣへ流れてしまい、電力が消費
されてしまう、また、このトランジスタＱ２はＩＣメモ
リカードの挿抜等により発生する静電気等での影響をな
くし、内部電池ＢＡＴの電位レベルを安定化させるため
に必要であり、特にＶＣＣの電圧降下による外部電源端
子ＶＣＣからのデータ破壊を抑制している。External power supply■. When C is turned off (below 3.9 V), the Zener diode D is turned off, and the level of the base of the NPN bipolar transistor Ql is reduced to O volts, so this transistor QI is turned off. By turning off this transistor Qs, the PNP bipolar transistor Q2. The QB is also off. Therefore,
The resistor R2 brings the chip select terminal C8 to 0 volts, making the semiconductor memory (RAM) 1 inactive, and the power (3■) of the internal battery BAT is supplied to the semiconductor memory (RAM) 1 to store the data. Hold. Here, the role of the transistor Q1 is to cut off the chip select signal from the outside and forcibly deactivate the chip select signal. The reason for inactivating this chip select signal is to maximize the time that data is retained in the internal battery BAT (to minimize power consumption), and the role of transistor Q2 is to From battery BAT to external power supply terminal V
This is to prevent current from flowing into the cc. In other words, without transistor Q2, VCC would have a lower voltage than internal battery BAT during battery backup, so
Current flows from VCC' to VCC, which consumes power.Also, this transistor Q2 eliminates the effects of static electricity, etc. that occur when inserting and removing an IC memory card, and stabilizes the potential level of the internal battery BAT. In particular, it suppresses data destruction from the external power supply terminal VCC due to a voltage drop in VCC.
上述した従来のＩＣメモリカードは、挿抜等により誘発
される静電気等からの影響に対し、ＧＮＤ端子に対して
は何ら制御を行っていない。そのため、ＧＮＤ端子に特
に電圧上昇が発生した場合には、半導体メモリＲＡＭ、
−ＲＡＭ、のデータ保持内容が破壊されてしまう危険性
が起りうるという欠点がある。The conventional IC memory card described above does not perform any control on the GND terminal against the influence of static electricity and the like induced by insertion and removal. Therefore, if a voltage rise occurs particularly at the GND terminal, the semiconductor memory RAM,
- There is a disadvantage that there is a risk that the data held in the RAM may be destroyed.
本発明の目的は、かかる半導体メモリのデータの保持内
容の破壊を防止しうるＩＣメモリカードを提供すること
にある。An object of the present invention is to provide an IC memory card that can prevent the data held in such a semiconductor memory from being destroyed.
本発明のＩＣメモリカードは、半導体メモリと、外部接
地端子および前記半導体メモリの接地端子間に逆流防止
素子を接続したバッテリーバックアップ回路とを有して
構成される。The IC memory card of the present invention includes a semiconductor memory and a battery backup circuit in which a backflow prevention element is connected between an external ground terminal and a ground terminal of the semiconductor memory.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の第一の実施例を示すＩＣメモリカード
の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an IC memory card showing a first embodiment of the present invention.
第１図に示すように、本実施例はＲＡＭＩとバッテリバ
ックアップ回路２とを有し、前述した従来例のバッテリ
バックアップ回１２Ａに加え、外部電源■。Ｃ側と同様
に外部接地ＧＮＤ側にもＰＮＰ型バイポーラトランジス
タＱ４からなる逆流防止用回路３を設け、この逆流防止
用回路３を介して内部接地ＧＮＤ’と接続したことにあ
る。As shown in FIG. 1, this embodiment has a RAMI and a battery backup circuit 2, and in addition to the battery backup circuit 12A of the conventional example described above, an external power supply (2) is provided. Similar to the C side, a backflow prevention circuit 3 made of a PNP bipolar transistor Q4 is provided on the external ground GND side, and is connected to the internal ground GND' via this backflow prevention circuit 3.
この様なバッテリバックアップ回路２を構成することに
より、外部電源Ｖｃｃがオフ（３，９ボルト以下になる
）になっても、ＶＣＣとＶｃｃ′、およびＧＮＤとＧＮ
Ｄ’が同時に遮断される。従って、ＩＣメモリカードの
挿抜等で静電気等が誘発されても、その影響をカード内
部に伝えず、半導体メモリ（ＲＡＭ）１のデータ保持内
容の破壊を防止することができる。By configuring the battery backup circuit 2 like this, even if the external power supply Vcc is turned off (below 3.9 volts), VCC and Vcc', and GND and GN
D' is blocked at the same time. Therefore, even if static electricity or the like is induced when the IC memory card is inserted or removed, the effect is not transmitted to the inside of the card, and the data held in the semiconductor memory (RAM) 1 can be prevented from being destroyed.
第２図は本発明の第二の実施例を示すＩＣメモリカード
の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of an IC memory card showing a second embodiment of the present invention.
第２図に示すように、本実施例は前述した第一の実施例
の逆流防止用回路３を構成するＮＰＮ型バイポーラトラ
ンジスタＱ４の代りにＰチャネル型ＭＯ３）ランジスタ
Ｑ６とＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＱ５およびＣＭ
ＯＳインバータＩＮＶと抵抗器Ｒ６を使用したことにあ
る。尚、ＩＣメモリカードの回路動作については、第一
の実施例と同様であるので説明を省略する。As shown in FIG. 2, in this embodiment, instead of the NPN bipolar transistor Q4 constituting the reverse current prevention circuit 3 of the first embodiment, a P-channel type MO transistor Q6 and an N-channel MOS transistor Q5 are used. and commercials
This is because the OS inverter INV and resistor R6 are used. Note that the circuit operation of the IC memory card is the same as that in the first embodiment, so a description thereof will be omitted.
以上説明したように、本発明のＩＣメモリカードは、外
部電源から内部半導体メモリへの供給が止まるとともに
外部接地ＧＮＤの供給も止まるので、カード挿抜等で誘
発される静電気等の影響を防止し且つ内部電池の電圧を
常に安定化させデータ保持内容を破壊する危険性を防止
できるという効果がある。特に、本発明によるデータ破
壊の危険度は、従来例の場合と比較して５０％以下にな
るが、電源電圧ＶＣＣのみならずＧＮＤ供給線も遮断す
るため、実際の使用上では全く問題なくなる。As explained above, in the IC memory card of the present invention, the supply from the external power supply to the internal semiconductor memory is stopped and the supply of external ground GND is also stopped, so that the effects of static electricity etc. induced by card insertion and removal can be prevented. This has the effect of constantly stabilizing the voltage of the internal battery and preventing the risk of destroying the stored data. In particular, the risk of data destruction according to the present invention is 50% or less compared to the conventional example, but since not only the power supply voltage VCC but also the GND supply line is cut off, there is no problem in actual use.
第１図および第２図はそれぞれ本発明の第一および第二
の実施例を示すＩＣメモリカードの回路図、第３図は従
来の一例を示すＩＣメモリカードの回路図である。
１・・・半導体メモリ（ＲＡＭ）、２・・・バッテリバ
ックアップ回路、３・・・逆流防止用回路、Ｑｌ・・・
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ、Ｃ２＊ Ｑｓ ＋Ｑ
４・・・ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ、Ｑ、・・・
Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ、Ｃ６・・・Ｐチャネ
ル型ＭＯ３）ランジスタ、ＤＩ・・・ツェナーダイオー
ド、Ｄ２・・・ダイオード、Ｒ，〜Ｒ６・・・抵抗器、
ＢＡＴ・・・内部電池、Ａｏ〜Ａ、・・・アドレス端子
、Ｖｃｃ・・・外部電源、ＶＣＣ’・・・内部電源端子
、ＷＥ−・・・ライトイネーブル端子、Ｃ８・・・チッ
１イネールブ端子、ＧＮＤ・・・外部接地、ＧＮＤ’・
・・内部接地、ＩＮＶ・・・ＣＭＯＳインバータ。1 and 2 are circuit diagrams of IC memory cards showing first and second embodiments of the present invention, respectively, and FIG. 3 is a circuit diagram of an IC memory card showing a conventional example. 1... Semiconductor memory (RAM), 2... Battery backup circuit, 3... Backflow prevention circuit, Ql...
NPN type bipolar transistor, C2* Qs +Q
4...PNP type bipolar transistor, Q,...
N-channel type MOS transistor, C6... P-channel type MO3) transistor, DI... Zener diode, D2... diode, R, ~R6... resistor,
BAT...internal battery, Ao~A,...address terminal, Vcc...external power supply, VCC'...internal power supply terminal, WE-...write enable terminal, C8...chip enable terminal , GND...external ground, GND'・
...Internal grounding, INV...CMOS inverter.
Claims (1)
モリの接地端子間に逆流防止素子を接続したバッテリー
バックアップ回路とを有することを特徴とするＩＣメモ
リカード。 ２、請求項１記載の逆流防止素子は、バイポーラトラン
ジスタで形成したことを特徴とするＩＣメモリカード。 ３、請求項１記載の逆流防止素子は、ＣＭＯＳトランス
ファーゲートで形成したことを特徴とするＩＣメモリカ
ード。Claims: 1. An IC memory card comprising a semiconductor memory and a battery backup circuit in which a backflow prevention element is connected between an external ground terminal and a ground terminal of the semiconductor memory. 2. An IC memory card, wherein the backflow prevention element according to claim 1 is formed of a bipolar transistor. 3. An IC memory card, wherein the backflow prevention element according to claim 1 is formed of a CMOS transfer gate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284837A JPH04158421A (en) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | Ic memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284837A JPH04158421A (en) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | Ic memory card |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158421A true JPH04158421A (en) | 1992-06-01 |
Family
ID=17683658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2284837A Pending JPH04158421A (en) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | Ic memory card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158421A (en) |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP2284837A patent/JPH04158421A/en active Pending
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