JPH04155848A - Resist treater - Google Patents

Resist treater

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JPH04155848A
JPH04155848A JP28079990A JP28079990A JPH04155848A JP H04155848 A JPH04155848 A JP H04155848A JP 28079990 A JP28079990 A JP 28079990A JP 28079990 A JP28079990 A JP 28079990A JP H04155848 A JPH04155848 A JP H04155848A
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JP
Japan
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wafer
tweezers
semiconductor wafer
resist
drive
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Application number
JP28079990A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Sakamoto
泰大 坂本
Masami Akumoto
正巳 飽本
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase the transfer speed of a material to be treated and to make it possible to contrive the improvement of a throughput by a method wherein a resist treater is provided with a plurality of treating units and a transfer mechanism for carrying-in or carrying-out the material to be treated in or from these units and a servo motor is used for the drive part of the transfer mechanism. CONSTITUTION:In a drive part of a transfer unit 12, an AC servo motor 12c is used for a drive source of an X drive part 12b which moves a wafer tweezers 12a in a direction X. When the tweezers 12a is inserted under the lower part of a semiconductor wafer 10, a stage pin 16a is made to descend and the wafer 10 on the pin 16a is delivered to the tweezers 12a. After this, the wafer 10 is transferred in order to prescribed treating units 11a to 11f and a prescribed treatment is performed. When the length in the direction X of a treatment part 2 is long, the transfer distance of the wafer 10 using the tweezers 12a becomes longer. As the motor 12c is used for the drive source of the drive part 12b, a large acceleration/deceleration torque can be generated and a high- speed response is possible. A throughput is improved as the whole resist treater 1.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、レジスト処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a resist processing apparatus.

(従来の技術) 一般に、半導体デバイスの製造工程においては、半導体
デバイスの微細な回路パターンを、フォトレジストを用
いたフォトリソグラフィーによって形成する。
(Prior Art) Generally, in the manufacturing process of a semiconductor device, a fine circuit pattern of the semiconductor device is formed by photolithography using a photoresist.

−そこで、このようなフォトリソグラフィーの各工程、
例えばレジスト塗布工程、現像工程、べ一キング工程、
クーリング工程等を実施する幾つかの処理ユニットと、
これらの処理ユニットへ被処理体(例えば半導体ウェハ
)を搬入・搬出する搬送機構とを組合わせて構成された
レジスト処理装置か従来から使用されている。
- Therefore, each step of such photolithography,
For example, resist coating process, developing process, baking process,
Several processing units that carry out cooling processes etc.
Conventionally, resist processing apparatuses have been used which are constructed by combining a transport mechanism for carrying objects to be processed (for example, semiconductor wafers) into and out of these processing units.

このようなレジスト処理装置では、従来半導体ウェハ等
を搬送する搬送機構の駆動源として、例えば制御の容易
なステッピングモータを使用している。
Such a resist processing apparatus conventionally uses, for example, an easily controllable stepping motor as a drive source for a transport mechanism that transports a semiconductor wafer or the like.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、近年半導体ウェハは直径が例えば8イン
チ等と大口径化される傾向にあり、これに対応して、レ
ジスト処理装置においては各レジスト処理ユニットも大
形化される傾向にある。
(Problem to be solved by the invention) However, in recent years, semiconductor wafers have tended to have larger diameters, such as 8 inches, and in response to this, each resist processing unit in resist processing equipment has also become larger. There is a tendency to

このため、複数のレジスト処理ユニットを配列したレジ
スト処理装置では、装置全体か大形化し、半導体ウェハ
等を搬入・搬出する搬送機構による搬送距離も長くなる
。このため、搬送に要する時間が長くなり、各処理ユニ
ットにおけるスルーブット(半導体ウェハの大小によっ
てもこのスルーブツトはほとんと変化しない)と、搬送
時間とのバランスか崩れ、レジスト処理装置全体として
スループットか低下するという問題かあった。
For this reason, in a resist processing apparatus in which a plurality of resist processing units are arranged, the overall size of the apparatus becomes large, and the transport distance by the transport mechanism for loading and unloading semiconductor wafers and the like becomes long. As a result, the time required for transportation increases, and the balance between the throughput of each processing unit (this throughput hardly changes depending on the size of the semiconductor wafer) and the transportation time is lost, and the throughput of the resist processing apparatus as a whole decreases. There was a problem.

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて被処理体の搬送速度を高め、スループッ
トの向上を図ることのできるレジスト処理装置を提供し
ようとするものである。
The present invention has been made in response to such conventional circumstances, and it is an object of the present invention to provide a resist processing apparatus that can increase the conveyance speed of objects to be processed and improve throughput compared to the prior art.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち、本発明のレジスト処理装置は、複数の処理ユ
ニットと、これらの処理ユニットに被処理体を搬入・搬
出する搬送機構とを備えたレジスト処理装置において、
前記搬送機構の駆動部の少なくとも一部にサーボモータ
を使用したことを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the resist processing apparatus of the present invention includes a plurality of processing units and a transport mechanism for carrying objects to be processed into and out of these processing units. In the processing device,
The present invention is characterized in that a servo motor is used for at least a part of the drive unit of the transport mechanism.

(作 用) 上記構成の本発明のレジスト処理装置では、被処理体を
搬入・搬出する搬送機構の駆動部の少なくとも一部に、
大きな加減速トルクを発生することかでき、高速応答か
可能なサーボモータを使用しているので、従来に較べて
被処理体の搬送速度を高めることかできる。これにより
、例えば8インチ径の半導体ウェハ等大形の被処理体の
処理を行うレジスト処理装置で搬送距離か長い場合であ
っても、搬送時間を短縮することかできるので、各処理
ユニットにおけるスループットと、搬送時間とのバラン
スをとることか可能となり、レジスト処理装置全体とし
てのスループットを向上させることかできる。
(Function) In the resist processing apparatus of the present invention having the above-mentioned configuration, at least a part of the drive section of the conveyance mechanism that carries in and carries out the object to be processed includes:
Since a servo motor capable of generating large acceleration/deceleration torque and high-speed response is used, the conveyance speed of the object to be processed can be increased compared to the conventional method. As a result, even if the transfer distance is long in a resist processing apparatus that processes large objects such as 8-inch diameter semiconductor wafers, the transfer time can be shortened, increasing the throughput in each processing unit. It becomes possible to balance the amount of time and the transportation time, and the throughput of the resist processing apparatus as a whole can be improved.

(実施例) 以下、本発明を8インチ径の半導体ウニ11のレジスト
処理を行うレジスト処理装置に適用した一実施例を図面
を参照して説明する。
(Example) Hereinafter, an example in which the present invention is applied to a resist processing apparatus for performing resist processing on a semiconductor sea urchin 11 having a diameter of 8 inches will be described with reference to the drawings.

第1図に示すように、レジスト処理装置1は、それぞれ
別体に構成された処理部2およびローダ一部3を、水平
方向(図示X方向)に配列し、これらを接続して構成さ
れている。
As shown in FIG. 1, the resist processing apparatus 1 is constructed by arranging a processing section 2 and a loader section 3, which are each configured separately, in the horizontal direction (X direction in the figure) and connecting them. There is.

上記処理部2は、被処理体例えば半導体ウェハ10にフ
ォトリソグラフィーのための一連のレジスト処理を施す
各処理ユニット11a〜llfと、半導体ウェハ10を
これらの処理ユニットlla〜llfに搬送するための
搬送ユニット12を組み合せて構成されている。
The processing unit 2 includes processing units 11a to llf that perform a series of resist processing for photolithography on an object to be processed, such as a semiconductor wafer 10, and a transport unit that transports the semiconductor wafer 10 to these processing units lla to llf. It is constructed by combining units 12.

この実施例の場合は、搬送ユニット12か筐体の中央部
を走行する如く設けられており、この搬送ユニット12
によって分断された一方(第1図の下方)には、レジス
ト塗布処理ユニットlla、現像処理ユニット11bか
並列して設けられ、他方(第1図の上方)には、ローダ
一部3側から複数の処理部例えばポストベーク処理ユニ
ット11C1lld、および2段積みする如く構成され
たポストエクスポージャーベークユニットlleと冷却
温調処理ユニットllfが設けられている。
In this embodiment, the transport unit 12 is provided so as to run in the center of the housing.
On one side (lower part of FIG. 1), a resist coating processing unit lla and a developing processing unit 11b are installed in parallel, and on the other side (upper part of FIG. A processing section such as a post-bake processing unit 11C1lld, and a post-exposure bake unit lle and a cooling temperature control processing unit llf configured to be stacked in two stages are provided.

これらの各処理ユニットlla〜llfは、それぞれ8
インチ径の半導体ウェハの処理を実施できるよう構成さ
れており、したがって、例えば4インチあるいは6イン
チ径の半導体ウェハの処理を行う装置に較べて処理部2
のX方向長さは長く設定されている。
Each of these processing units lla to llf has 8
It is configured to be able to process semiconductor wafers with a diameter of 4 inches, and therefore the processing section 2 is larger than that of an apparatus that processes semiconductor wafers with a diameter of 4 inches or 6 inches.
The length in the X direction is set to be long.

また、本実施例では、ポストヘーク処理ユニッ)11c
、lldとポストエクスポージャーベークユニットll
eの3つの加熱処理ユニット(ホットプレート)か設け
られているか、これらの加熱機構例えば抵抗加熱ヒータ
も、例えば4インチあるいは6インチ径の半導体ウェハ
の処理を行う装置の場合の容量(例えば750 W)に
較べて大容量(それぞれ例えば1500W )に設定さ
れている。
In addition, in this embodiment, the post-hake processing unit) 11c
, lld and post-exposure bake unit ll
If three heating processing units (hot plates) are provided, and their heating mechanisms, such as resistance heaters, are equipped with ) is set to have a large capacity (for example, 1500 W each).

このため、電源投入時(ヒータか低温で電気抵抗が小さ
い)に過大電流が流れないよう、徐々にヒータに供給す
る電力を増やし、定常電力に設定するよう構成されてい
る。
Therefore, in order to prevent excessive current from flowing when the power is turned on (when the heater is at low temperature and has low electrical resistance), the power supplied to the heater is gradually increased and set to steady power.

すなわち、例えば第3図に示すように、ヒータに電力を
供給する制御器100と、各処理ユニット11 C% 
 11 d、 11 eのヒータとの間にそれぞれスイ
ッチSWI、SW2、SW3を介挿し、これらを第4図
に示すように時間間隔を設けて順次オンあるいは各ヒー
タに流れる電流を測定して定常電流値に近い所定値Is
に低下するのを待って順次オンとする。あるいは、第5
図に示すように制御器100と各処理ユニッl−11c
、lld、11eの間に電力可変機構101を介挿し、
第6図に示すように所定の時間間隔を設けて順次ステッ
プ状に、あるいは電流を測定して電流か所定値に低下す
るのを待って順次ステップ状に供給電力を増加させて定
常電力に設定するよう構成されている。
That is, for example, as shown in FIG. 3, a controller 100 that supplies power to the heater and each processing unit 11C%
Switches SWI, SW2, and SW3 are inserted between the heaters 11d and 11e, respectively, and these are turned on sequentially at time intervals as shown in Figure 4, or the current flowing through each heater is measured to determine the steady current. A predetermined value Is close to the value
Wait for the voltage to drop to , then turn it on one after another. Or the fifth
As shown in the figure, the controller 100 and each processing unit l-11c
, lld, and 11e, a power variable mechanism 101 is inserted,
As shown in Figure 6, the supplied power is increased in steps at predetermined time intervals, or by measuring the current and waiting for the current to drop to a predetermined value, and then increasing the supplied power in steps to set steady power. is configured to do so.

このように構成すれば、電源投入時に過大電流が流れ、
電気的なトラブルが発生することを防止することができ
る。
With this configuration, excessive current will flow when the power is turned on,
It is possible to prevent electrical troubles from occurring.

また、上記搬送ユニット12には、第2図にも示すよう
に、半導体ウエノ\10を支持して搬送するためのウェ
ハピンセット12aか上下に重なる如く複数例えば2つ
設けられている。これらのウェハピンセット12aは、
例えば円弧状に形成され、半導体ウェハ10の裏面周縁
部を支持するよう構成されており、x、y、z、θ方向
に移動自在に構成されている。
Further, as shown in FIG. 2, the transport unit 12 is provided with a plurality of, for example, two wafer tweezers 12a, which are vertically overlapped, for supporting and transporting the semiconductor wafer 10. These wafer tweezers 12a are
For example, it is formed in an arc shape, is configured to support the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 10, and is configured to be movable in the x, y, z, and θ directions.

この搬送ユニット12の駆動部のうち、ウェハピンセッ
ト12aをX方向に移動させるX駆動部12bの駆動源
には、デインタル制御によって制御されるサーボモータ
例えばACCサーモータ12cか用いられている。なお
、X駆動部12bは、例えばホールネジによる駆動機構
あるいはベルトによる駆動機構等から構成されている。
Among the drive units of this transport unit 12, a servo motor controlled by digital control, such as an ACC thermomotor 12c, is used as a drive source for an X drive unit 12b that moves the wafer tweezers 12a in the X direction. Note that the X drive section 12b is composed of, for example, a drive mechanism using a hole screw or a drive mechanism using a belt.

なお、その他の駆動部、Y駆動部、Z駆動部、θ駆動部
には駆動源としてステッピングモータか使用されている
か、ステッピングモータの場合、回転かステップ状であ
るため振動か発生し易く、特に低速での駆動時に、この
振動による影響か無視てきなくなるので、これらの駆動
部にもACサーボモータを使用すれば、低速の駆動にお
いても滑らかな駆動力を得ることかでき、振動の発生を
抑制することができる。
Please note that the other drive units, Y drive unit, Z drive unit, and θ drive unit, use a stepping motor as a drive source. In the case of a stepping motor, vibration is likely to occur because it rotates or has a step shape. The effect of this vibration cannot be ignored when driving at low speeds, so if AC servo motors are used for these drive parts, smooth driving force can be obtained even at low speeds, suppressing the occurrence of vibrations. can do.

一方、ローダ一部3には、半導体ウェハ10か複数枚例
えば25枚収容可能に構成されたウエノ\カセット(搬
送用治具)13を載置して、上下方向(Z方向)に移動
させるように構成された複数例えば4つのカセット載置
部14か設けられている。
On the other hand, on the loader part 3, a wafer cassette (transport jig) 13 configured to accommodate 10 or a plurality of semiconductor wafers, for example 25, is placed and moved in the vertical direction (Z direction). A plurality of cassette mounting sections 14, for example four, configured as shown in FIG.

また、このローダ一部3には、X、Y、θ方向に移動自
在とされたウェハピンセット15aにより、上記ウェハ
カセット13に半導体ウェハ10を搬入・搬出するため
の搬送機構15が設けられている。
The loader part 3 is also provided with a transport mechanism 15 for loading and unloading the semiconductor wafers 10 into and out of the wafer cassette 13 using wafer tweezers 15a that are movable in the X, Y, and θ directions. .

さらに、この実施例ては、ローダ一部3に、搬送機構1
5と搬送ユニット12との間における半導体ウェハ10
の受は渡しを行うウェハ受は渡し機構16として、図示
しない駆動機構例えばステッピングモータあるいはAC
サーボモータとボールネジによって上下動可能に構成さ
れ、その上部に半導体ウェハ10を支持可能に構成され
た2本のステージピン16aが設けられている。なお、
これらのステージピン16aは、図示しない駆動機構例
えばエアシリンダによりその間隔を変更可能に構成され
ている。
Further, in this embodiment, the loader part 3 is provided with a transport mechanism 1.
5 and the semiconductor wafer 10 between the transport unit 12
The wafer receiver uses a drive mechanism (not shown), such as a stepping motor or an AC
It is configured to be movable up and down by a servo motor and a ball screw, and two stage pins 16a configured to be able to support the semiconductor wafer 10 are provided above the stage pins 16a. In addition,
These stage pins 16a are configured such that their intervals can be changed by a drive mechanism (not shown), such as an air cylinder.

また、これらのステージピン16aの上部位置には、半
導体ウェハ10の位置合せを行うための2本のセンタリ
ングガイド17が設けられている。
Further, two centering guides 17 for aligning the semiconductor wafer 10 are provided above the stage pins 16a.

このセンタリングガイド17は、半導体ウェハ10の外
形に合せて内側が円弧状に形成されており、図示しない
駆動機構例えばエアシリンダにより開閉制御して半導体
ウェハ10を挟持することにより位置合せする如く構成
されている。そして、開状態でこれらのセンタリングガ
イド17の間に半導体ウェハ10を搬入し、これらのセ
ンタリングガイド17を閉じる(間隔を狭める方向に移
動させる)ことにより、ステージビン16aの所定位置
に半導体ウェハ10を位置決めすることができるよう構
成されている。
The centering guide 17 has an arcuate inner side formed to match the outer shape of the semiconductor wafer 10, and is configured to be opened and closed by a drive mechanism (not shown), such as an air cylinder, to thereby align the semiconductor wafer 10 by holding it there. ing. Then, the semiconductor wafer 10 is carried in between these centering guides 17 in an open state, and the semiconductor wafer 10 is placed in a predetermined position in the stage bin 16a by closing these centering guides 17 (moving in a direction to narrow the gap). It is configured so that it can be positioned.

次に、上記構成のレジスト処理装置1の動作について説
明する。
Next, the operation of the resist processing apparatus 1 having the above configuration will be explained.

まず、ロボット搬送例えばハンドリングアーム等で半導
体ウェハ10が収容されたウェハカセット13を、カセ
ット載置部14の載置台に載置する。
First, the wafer cassette 13 containing the semiconductor wafers 10 is placed on the mounting table of the cassette mounting section 14 using a robot, for example, a handling arm.

そして、搬送機構15のウェハピンセット15aを、例
えばウェハカセット13と対応させ、対応したウェハカ
セット13内の半導体ウェハ1゜の下部に挿入し、この
後、カセット載置部14によって、上記ウェハカセット
13を所定ストローり降下させて、ウェハピンセット1
5a上に半導体ウェハ10を支持する。なお、ウエノ\
ピンセット15aは、例えば真空チャックにより半導体
ウェハ10の裏面を吸着保持する。
Then, the wafer tweezers 15a of the transport mechanism 15 are made to correspond to, for example, the wafer cassette 13, and inserted into the lower part of the semiconductor wafer 1° in the corresponding wafer cassette 13. After that, the wafer tweezers 15a are inserted into the lower part of the semiconductor wafer 1° in the corresponding wafer cassette 13. wafer tweezers 1.
A semiconductor wafer 10 is supported on 5a. In addition, Ueno\
The tweezers 15a attract and hold the back surface of the semiconductor wafer 10 using, for example, a vacuum chuck.

次に、半導体ウェハ10を支持したウェハピンセット1
5aをX方向に移動させてウェハカセット13内から引
き抜き、この後ウェハピンセット15aをθ方向に回転
させてステージピン16上方に位置させる。なお、この
時ステージピン16は予め初期状態(下降位置でかつス
テージピン16の間隔か開となった状態)に設定され待
機している。
Next, the wafer tweezers 1 supporting the semiconductor wafer 10 are
The wafer tweezers 15a are moved in the X direction and pulled out from inside the wafer cassette 13, and then the wafer tweezers 15a are rotated in the θ direction and positioned above the stage pins 16. Note that, at this time, the stage pins 16 are set in advance to an initial state (a state in which the stage pins 16 are in the lowered position and the gap between the stage pins 16 is open) and is on standby.

しかる後、ステージピン16aを上昇させ、ウェハピン
セット15aからステージピン16a上に半導体ウェハ
10を受は渡す。この時、2本のステージピン16aの
間をウェハピンセット15aが通り抜けるようにステー
ジピン16aとウェハピンセット15aとが上下方向に
すれ違う。
Thereafter, the stage pin 16a is raised and the semiconductor wafer 10 is transferred from the wafer tweezers 15a onto the stage pin 16a. At this time, the stage pin 16a and the wafer tweezers 15a pass each other in the vertical direction so that the wafer tweezers 15a passes between the two stage pins 16a.

そして、さらに、ステージピン16aを上昇させて半導
体ウェハ10を、予め開とされたセンタリンクガイド1
7の間に位置させ、ここで、センタリングガイド17を
閉とし、ステージピン16a上の所定位置に半導体ウエ
ノ110を位置決めする。
Then, the stage pin 16a is further raised to move the semiconductor wafer 10 to the previously opened center link guide 1.
Here, the centering guide 17 is closed and the semiconductor wafer 110 is positioned at a predetermined position on the stage pin 16a.

ナオ、この時、ステージピン16aも同時に閉とする。Nao, at this time, the stage pin 16a is also closed at the same time.

これは、この後受は渡しを行う搬送ユニット12のウェ
ハピンセット12aか、半導体ウェハ10の外周を保持
するようほぼ環状に形成され、その先端部に形成された
ステーンピン16a挿入用開口が狭いので、ステージピ
ン16aとウェハピンセット12aか干渉することを防
止するためである。したかつて、ウエノ1ピンセ・ント
12aの形状(ステージピン16a挿入用開口の形状)
によっては、上記ステージピン16の閉動作は行わなく
てよい。
This is because the wafer tweezers 12a of the transfer unit 12 that transfers the wafer, or the wafer tweezers 12a of the transfer unit 12, are formed approximately in an annular shape to hold the outer periphery of the semiconductor wafer 10, and the opening for inserting the stainless pin 16a formed at the tip thereof is narrow. This is to prevent interference between the stage pins 16a and the wafer tweezers 12a. Once, the shape of Ueno 1 pin center 12a (shape of opening for inserting stage pin 16a)
In some cases, the closing operation of the stage pin 16 may not be performed.

次に、ステージピン16aを、半導体ウエノ\10のウ
ェハピンセット12aへの受は渡しか可能な所定高さま
で上昇させ、ここで待機する。
Next, the stage pin 16a is raised to a predetermined height that allows the semiconductor wafer \10 to be transferred to the wafer tweezers 12a, and the stage pin 16a is waited there.

そして、半導体ウェハ10の下部にウエノ\ピンセット
12aが挿入されると、ステージピン16aを下降させ
、ステージピン16a上の半導体ウェハ10をウェハピ
ンセット12Hに受は渡す。
When the wafer tweezers 12a are inserted under the semiconductor wafer 10, the stage pins 16a are lowered and the semiconductor wafer 10 on the stage pins 16a is transferred to the wafer tweezers 12H.

ウェハピンセット12aに受は渡された半導体ウェハ1
0は、この後、順次所定の処理ユニ・ソ111a〜ll
fに搬送されて、所定の処理が施される。
Semiconductor wafer 1 passed to wafer tweezers 12a
0 is then sequentially subjected to predetermined processing Uni-Solutions 111a to 111a.
f and is subjected to predetermined processing.

また、上記受は渡し時に、上下2段に設けられたウェハ
ピンセット12aのどちらか一方に、処理済みの半導体
ウェハ10か゛支持されている場合は、上記受は渡しに
続いて、この処理済みの半導体ウェハ10をステージピ
ン16aに受は渡す。
Further, when the holder is transferring the processed semiconductor wafer 10, if the processed semiconductor wafer 10 is supported by either one of the wafer tweezers 12a provided in the upper and lower stages, the holder will transfer the processed semiconductor wafer The semiconductor wafer 10 is transferred to the stage pin 16a.

すなわち、このウェハピンセット12aを前進させてス
テージピン16a、上に処理済みの半導体ウェハ10を
位置させ、この後、ステージピン16aを上昇させてス
テージピン16a上にこの半導体ウェハ10を支持し、
ウエノ\ピンセット12aを後退させることにより、処
理済みの半導体ウェハ10をステージピン16aに受は
渡す。
That is, the wafer tweezers 12a are advanced to position the processed semiconductor wafer 10 on the stage pins 16a, and then the stage pins 16a are raised to support the semiconductor wafer 10 on the stage pins 16a.
By retracting the tweezers 12a, the processed semiconductor wafer 10 is transferred to the stage pins 16a.

ステージピン16aに受は渡された処理済みの半導体ウ
ェハ10は、この後上述した動作とは反対の動作により
、センタリングガイド17によって位置決めされた後、
ステージピン16aから搬送機構15のウニ/’%ピン
セット15aに受は渡され、しかる後、所定のウニ/X
カセット13内に収容される。
The processed semiconductor wafer 10 that has been passed to the stage pin 16a is then positioned by the centering guide 17 by an operation opposite to that described above.
The receiver is passed from the stage pin 16a to the urchin/'% tweezers 15a of the transport mechanism 15, and then a predetermined urchin/X
It is housed in a cassette 13.

このような一連の動作を繰り返して行うことにより、ウ
ェハカセット13内の各半導体ウエノ\10に順次所定
の処理を施す。そして、ウニ/Xカセット13内の全て
の半導体ウェハ10の処理が終了スると、このウェハカ
セット13か搬出され、新たなウェハカセット13か搬
入される。
By repeating such a series of operations, each semiconductor wafer \10 in the wafer cassette 13 is sequentially subjected to a predetermined process. When all the semiconductor wafers 10 in the Uni/X cassette 13 have been processed, this wafer cassette 13 is taken out and a new wafer cassette 13 is brought in.

すなわち、上記説明の本実施例のレジスト処理装置1で
は、8インチ径の半導体ウエノ1の処理を実施できるよ
う各処理ユニツl−118〜llfが大形に設定されて
おり、このため処理部2のX方向長さが、例えば4イン
チあるいは6インチ径の半導体ウェハの処理を行う装置
に較べて長くなっている。このため、ウェハピンセット
12aによる半導体ウェハ10の搬送距離が長くなるが
、本実施例では、ウェハピンセット12aをX方向に移
動させるX駆動部12bの駆動源に、大きな加減速トル
クを発生することかでき、高速応答か可能なACサーボ
モータ12cを用いているので、ステッピングモータを
使用した場合に較べて高速な搬送を実現することかでき
、各処理ユニット11a〜llfにおけるスループット
と、搬送時間とのバランスをとることか可能となり、レ
ジスト処理装置1全体としてのスループットを向上させ
ることかできる。また、ACサーボモータ12cは、ブ
ラシを用いていないので、塵埃の発生量を抑制すること
もでき、クリーンな雰囲気で各処理を行うことか可能と
なる。さらに、ブラシの磨耗によるトラブル、ブラシの
交換等がなくなるので、メンテナンス性か向上し、装置
の信頓性を高くすることもできる。また、ACサーボモ
ータは回転動作がアナログ的動作であるために、低速回
転時でも回転が滑らかで、ステッピングモータのような
振動は発生しない。したがって、この振動があった場合
に各処理ユニットに及はすであろう悪影響を無くすこと
ができるので、高品質のレジスト処理か可能となる。さ
らに、搬送動作開始時の滑らかな加速、停止時の滑らか
な減速及び高精度の位置決めも可能となる。
That is, in the resist processing apparatus 1 of this embodiment described above, each of the processing units l-118 to llf is set to be large in size so as to be able to process the semiconductor wafer 1 having a diameter of 8 inches. The length in the X direction is longer than, for example, an apparatus that processes semiconductor wafers with a diameter of 4 inches or 6 inches. Therefore, the distance that the semiconductor wafer 10 is transported by the wafer tweezers 12a becomes longer, but in this embodiment, a large acceleration/deceleration torque is generated in the drive source of the X drive unit 12b that moves the wafer tweezers 12a in the X direction. Since the AC servo motor 12c, which is capable of high-speed response and high-speed response, is used, it is possible to achieve higher-speed conveyance than when using a stepping motor, and the throughput in each processing unit 11a to 11f is improved by reducing the conveyance time. It becomes possible to maintain a balance, and the throughput of the resist processing apparatus 1 as a whole can be improved. Further, since the AC servo motor 12c does not use a brush, the amount of dust generated can be suppressed, and each process can be performed in a clean atmosphere. Furthermore, since problems caused by brush wear and brush replacement are eliminated, maintainability is improved and the reliability of the device can be increased. Furthermore, since the AC servo motor rotates in an analog manner, it rotates smoothly even at low speeds, and does not generate vibrations like a stepping motor. Therefore, it is possible to eliminate the adverse effect that would be exerted on each processing unit if this vibration were to occur, thereby enabling high-quality resist processing. Furthermore, smooth acceleration at the start of the conveying operation, smooth deceleration at the time of stopping, and highly accurate positioning are also possible.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明のレジスト処理装置によれ
ば、従来に較へて被処理体の搬送速度を高め、スループ
ットの向上を図ることかできる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the resist processing apparatus of the present invention, it is possible to increase the transport speed of the object to be processed and improve the throughput compared to the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例のレジスト処理装置の構成を
示す図、第2図は第1図の要部構成を示す図、第3図は
加熱処理機構の構成例を示す図、第4図は加熱処理機構
の制御例を説明するための図、第5図は加熱処理機構の
他の構成例を示す図、第6図は加熱処理機構の他の制御
例を説明するだめの図である。 1・・・・・・レジスト処理装置、2・・・・・処理部
、3・・・・ローダ一部、10・・・・・・半導体ウニ
l\、lla〜11f・・・・・・処理ユニット、12
・・・・・搬送ユニット、12a・・・・・・ウェハピ
ンセット、12b・・・・・X駆動部、12C・・・・
・・ACCサーモータ、1B・・・・・・ウェハカセッ
ト、14・・・・・・カセット載置部、15・・・・・
・搬送機構、15a・・・・・・ウェハピンセット、1
6・・・・・・ウェハ受は渡し機構、16a・・・・・
・ステージピン、17・・・・センタリングガイド。 出願人   東京エレクトロン株式会社出願人   東
京エレクトロン九州株式会社代理人 弁理士  須 山
 佐 − (ほか1名) 第3 図 第4 図
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a resist processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the main part configuration of FIG. 1, FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining an example of control of the heat treatment mechanism, FIG. 5 is a diagram showing another example of the configuration of the heat treatment mechanism, and FIG. 6 is a diagram for explaining another example of control of the heat treatment mechanism. It is. 1... Resist processing device, 2... Processing section, 3... Part of loader, 10... Semiconductor sea urchin l\, lla to 11f... processing unit, 12
...Transfer unit, 12a...Wafer tweezers, 12b...X drive unit, 12C...
...ACC thermomotor, 1B...Wafer cassette, 14...Cassette mounting section, 15...
・Transport mechanism, 15a...Wafer tweezers, 1
6...The wafer receiver is the transfer mechanism, 16a...
・Stage pin, 17...Centering guide. Applicant: Tokyo Electron Co., Ltd. Applicant: Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Agent: Patent attorney: Sasa Suyama - (1 other person) Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の処理ユニットと、これらの処理ユニットに
被処理体を搬入・搬出する搬送機構とを備えたレジスト
処理装置において、 前記搬送機構の駆動部の少なくとも一部にサーボモータ
を使用したことを特徴とするレジスト処理装置。
(1) In a resist processing apparatus equipped with a plurality of processing units and a transport mechanism for carrying objects to be processed into and out of these processing units, a servo motor is used for at least a part of the drive unit of the transport mechanism. A resist processing device characterized by:
JP28079990A 1990-10-19 1990-10-19 Resist treater Pending JPH04155848A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161632A (en) * 1993-07-16 1995-06-23 Semiconductor Syst Inc Heat treatment module for substrate coating / developing system
JP2003197710A (en) * 2001-12-27 2003-07-11 Sharp Corp Apparatus and method for thin layer processing of prate- like object

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