JPH04151623A - Information memory medium and information memory device - Google Patents

Information memory medium and information memory device

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Publication number
JPH04151623A
JPH04151623A JP2275433A JP27543390A JPH04151623A JP H04151623 A JPH04151623 A JP H04151623A JP 2275433 A JP2275433 A JP 2275433A JP 27543390 A JP27543390 A JP 27543390A JP H04151623 A JPH04151623 A JP H04151623A
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JP
Japan
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recording layer
liquid crystal
information storage
storage medium
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2275433A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Yoshinaga
和夫 吉永
Koichi Sato
公一 佐藤
Toshiichi Onishi
敏一 大西
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2275433A priority Critical patent/JPH04151623A/en
Publication of JPH04151623A publication Critical patent/JPH04151623A/en
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a good contrast and C/N by using a simple recording, reproducing and erasing device by using the information memory medium having the recording layer contg. a uniaxially oriented high-polymer liquid crystal compd. CONSTITUTION:The recording layer 3 contg. the high-polymer liquid crystal compd. is uniaxially oriented and the ¦DELTAnd¦ (DELTA=n -nrt. angle, d: denotes the film thickness (mum) of the recording layer 3 and n denotes a refractive index) to reproducing light 16 is lambda(m+ or -1/4) (m: 0 to 3 integer, lambda: the wavelength (mum) of the reproducing light). The high reflectivity and the good contrast are obtd. by using the information memory medium having the recording layer 3 contg. the uniaxially oriented high-polymer liquid crystal compd. in such a manner.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、可逆的、光学的に超大容量のデータを記憶す
る情報記憶媒体およびそれを用いた情報記憶装置に関し
、特に高分子液晶化合物を記録層に用いた情報記憶媒体
および情報記憶装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an information storage medium that reversibly and optically stores an extremely large amount of data, and an information storage device using the same, and in particular to an information storage device using the same. The present invention relates to an information storage medium and an information storage device used in a recording layer.

[従来の技術] 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてデイジタルオーディオディスク(C
D)やレーザービデオディスク(LD)が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光ディスク(
WO) 、光カード(OC)が知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のビット形式を用い
るものがある。
[Prior Art] Optical storage systems are currently in practical use as they have a large capacity and are excellent in random access. There are many different ways to do this, and for playback only, digital audio discs (C
D) and laser video discs (LD) have been put into practical use. Write-once optical discs (
WO), optical cards (OC) are known, and some use phase change of a metal thin film and others use a bit format of organic dye.

さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている(時開゛昭59−1093
0号公報、特開昭59−35989号公報、特開昭62
−154340号公報)。その中では、記録方式として
コレステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変える
か、あるいは無配向状態のビット形成によって光反射率
を多値的に変化せしめる方式も提案されている(特開昭
62−107448号公報、特開昭62−12937号
公報)。
Furthermore, research on rewritable optical disks is progressing, and efforts are being made to put those using the magneto-optical effect and those using phase change into practical use. Among these, polymer liquid crystals have also been proposed as information storage media.
Publication No. 0, JP-A-59-35989, JP-A-62
-154340). Among them, a recording method has been proposed in which the helical pitch length of cholesteric polymer liquid crystal is changed or the light reflectance is multi-valued by forming bits in a non-oriented state (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 1983-1982-1). 107448, JP-A-62-12937).

また、高分子液晶は複屈折性を有していることがら配向
処理を行い、その複屈折を用いた方式についてもい(つ
かのものが提案されている。(特開昭63−15352
0号公報、特開昭63−266647号公報、特開平1
−162245号公報) このような高分子液晶を用いた情報記憶媒体は、蒸着等
によって製造される光磁気媒体や無機相変化媒体と比較
して媒体の作成が容易であり、光学特性にも優れている
In addition, since polymer liquid crystals have birefringence, alignment treatment is performed, and a method using the birefringence has also been proposed.
Publication No. 0, Japanese Patent Application Publication No. 63-266647, Japanese Patent Application Publication No. 1999
-162245 Publication) Information storage media using such polymeric liquid crystals are easier to create than magneto-optical media or inorganic phase change media manufactured by vapor deposition, etc., and have excellent optical properties. ing.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来例では、反射を用いたものは偏
光ビームスプリッタ−と1/4波長板を用いて反射光を
分離して検出するようにしており、記録層における吸収
もしくは散乱、回折等による反射光量の変化を検出する
ものであり、照射光の利用効率が低くなりやすく、かつ
装置の偏光面における軸合わせ等が複雑であった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional example described above, the one using reflection uses a polarizing beam splitter and a quarter-wave plate to separate and detect the reflected light, and the recording layer This method detects changes in the amount of reflected light due to absorption, scattering, diffraction, etc., and the utilization efficiency of irradiated light tends to be low, and alignment of the polarization plane of the device is complicated.

また、光磁気効果を用いた媒体および装置では、直線偏
光を照射するが、偏光面の回転はごくわずかであるため
に媒体の構成および装置が複雑になり、かつ効率の悪い
欠点があった。
Furthermore, in media and devices using the magneto-optical effect, linearly polarized light is irradiated, but since the rotation of the plane of polarization is negligible, the configuration of the medium and the device are complicated and the efficiency is low.

本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、高い反射率と良好なコントラストを
得ることができる情報記憶媒体およびそれを用いた情報
記憶装置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made to improve the shortcomings of the prior art, and aims to provide an information storage medium that can obtain high reflectance and good contrast, and an information storage device using the same. This is the purpose.

[課題を解決するための手段] 即ち、本発明は、基板上に高分子液晶化合物を含有する
記録層と反射層を有する情報記憶媒体において、前記高
分子液晶化合物を含有する記録層が一軸配向しており、
かつ再生光に対して1Δndl(Δn = nl −n
l、d :記録層の膜厚(gm)を表す。nは屈折率を
表す。)がλ(mfl/4 )  (m : 0〜3の
整数、λ:再生光の波長(μm)を表す。)であること
を特徴とする情報記憶媒体である。
[Means for Solving the Problems] That is, the present invention provides an information storage medium having a recording layer containing a polymeric liquid crystal compound and a reflective layer on a substrate, in which the recording layer containing the polymeric liquid crystal compound is uniaxially aligned. and
and 1Δndl (Δn = nl −n
l, d: represents the film thickness (gm) of the recording layer. n represents the refractive index. ) is λ(mfl/4) (m: an integer of 0 to 3, λ: wavelength (μm) of reproduction light).

また、本発明は、基板上に高分子液晶化合物を含有する
記録層と反射層を有し、該高分子液晶化合物を含有する
記録層が一軸配向しており、かつ再生光に対して1Δn
dl(Δn=nI−n↓、d:記録層の膜厚(gm)を
表す。nは屈折率を表す。)がλ(m上1/4 )  
(m : 0〜3の整数、λ:再生光の波長(#Lm)
を表す。)である情報記憶媒体と、該情報記憶媒体の一
軸配向方向と35°〜55°傾いた直線偏光を該情報記
憶媒体に照射する手段と、直線偏光を分離するための手
段と、反射光の強度を検出する手段を有することを特徴
とする情報記憶装置である。
Further, the present invention has a recording layer containing a polymeric liquid crystal compound and a reflective layer on a substrate, the recording layer containing the polymeric liquid crystal compound is uniaxially oriented, and 1Δn with respect to reproduction light.
dl (Δn=nI-n↓, d: represents the film thickness (gm) of the recording layer. n represents the refractive index) is λ (1/4 above m)
(m: integer from 0 to 3, λ: wavelength of reproduction light (#Lm)
represents. ), a means for irradiating the information storage medium with linearly polarized light tilted by 35° to 55° with respect to the uniaxial orientation direction of the information storage medium, a means for separating the linearly polarized light, and a means for separating the linearly polarized light; An information storage device characterized by having means for detecting intensity.

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

本発明は、−軸配向した高分子液晶を含有する記録層と
反射層とを基板上に有する情報記憶媒体において、直線
偏光を前記−軸配向軸に対して35°〜55°の角度で
記録層に透過させ、反射層からの反射光を再度記録層に
透過させる情報記憶媒体であって、記憶層のりタープ−
ジョン(1Δnd1)(Δn:nI−nt 、d :記
録層の膜厚(μm)を表す。)かえ(m上1/4 ) 
 (m : O40の整数、λ:再生光波長(μm) 
)であることにより、l/4波長板が不要となり、高い
反射率と良好なコントラストを実現するようにしたもの
である。
The present invention provides an information storage medium having a recording layer containing a -axis aligned polymer liquid crystal and a reflective layer on a substrate, in which linearly polarized light is recorded at an angle of 35° to 55° with respect to the -axis alignment axis. An information storage medium in which light is transmitted through the recording layer, and reflected light from the reflective layer is transmitted through the recording layer again, and the recording layer has a glue tarp.
John (1Δnd1) (Δn:nI-nt, d: Represents the film thickness (μm) of the recording layer.) Replacement (1/4 above m)
(m: integer of O40, λ: reproduction light wavelength (μm)
), this eliminates the need for a 1/4 wavelength plate and achieves high reflectance and good contrast.

本発明においては、記録層に用いられる高分子液晶化合
物は高い複屈折率(Δn)を有しており、従来の延伸高
分子等でλ/4のリターデーションを得るために必要な
厚みと比較して、1/l0〜1/1000の厚みで十分
な利点がある。また、ガラス転移点や粘性効果を用いる
ことにより、配向状態もしくは複屈折率を変化させ、か
つ固定することが可能である。
In the present invention, the polymeric liquid crystal compound used in the recording layer has a high birefringence (Δn), which is compared to the thickness required to obtain λ/4 retardation with conventional stretched polymers, etc. Therefore, a thickness of 1/10 to 1/1000 has sufficient advantages. Furthermore, by using the glass transition point or viscosity effect, it is possible to change and fix the orientation state or birefringence.

本発明において用いられる高分子液晶化合物の複屈折率
は通常0.O1〜2.0、好ましくは0.05〜1.0
が望ましく、0.01未満では必要なりタープ−ジョン
を得るために必要な記録層の膜厚が大きくなり過ぎて記
録層の製造上困難な問題があり、記録感度も低下する。
The birefringence of the polymeric liquid crystal compound used in the present invention is usually 0. O1-2.0, preferably 0.05-1.0
Desirably, if it is less than 0.01, the thickness of the recording layer necessary to obtain the necessary turpitude becomes too large, causing difficulties in manufacturing the recording layer, and recording sensitivity also decreases.

また2、0を越えると最低次のりタープ−ジョンを与え
る記録層の膜厚が小さくなり過ぎるために、均一に作成
することが困難となり良好な光学的特性が得られない。
If it exceeds 2.0, the thickness of the recording layer that provides the lowest order turbulence becomes too small, making it difficult to form it uniformly and making it impossible to obtain good optical properties.

本発明の情報記憶媒体の記録層に用いることが可能な高
分子液晶化合物としては、次のようなものがある。
Examples of polymeric liquid crystal compounds that can be used in the recording layer of the information storage medium of the present invention include the following.

(下記式(1)〜(13)中、p=は5〜1000. 
1≦<15である。
(In the following formulas (1) to (13), p=5 to 1000.
1≦<15.

(lO) (下記式(14)〜(17)中、 p=5〜1000゜ 1)l+1)2= S〜1000゜ q = 1〜16 ql: 1〜16゜ qz= 1〜16 である。(lO) (In the following formulas (14) to (17), p=5~1000° 1)l+1)2= S~1000° q = 1-16 ql: 1~16° qz= 1-16 It is.

CH3 −+ CH2−C→「 −(−CH2−C→「 (式中、 R”−CH3゜ −Hまたは−Cp を示す。CH3 −+ CH2-C → “ -(-CH2-C→“ (In the formula, R”-CH3゜ -H or -Cp shows.

(下記式(18)〜(47)中、 *は光学活性炭素原子 を示し、 n=5〜1000である。(In the following formulas (18) to (47), * indicates optically active carbon atom shows, n=5 to 1000.

(m、=2〜10) (m1=2〜10) (m2 2〜15) (l112=2〜15) →CH2−C→r (Il+2=2〜15) H3 (mz=2〜15) (J) (mz=2〜15) (m2=2〜15) (x+y=1 q=l〜10 =1〜1O) (x+y=1 q=1〜10 p2=1〜15) (x+y=1、p4 p、=1〜15、q3 q4=1〜10) (R= C)43 ■または P 1〜10) H3 (p+=1〜15) (m、=2〜15 x+y=1) (x+y=1.1112:2〜15) (x + y = 1 、12= 2〜15)(x+y
=11m2=2〜15) (+os=1〜5) (x+y=1) (+++s=0〜5) (m、=0〜5) r (q3=1〜10 x+y=1) 前記高分子液晶化合物は単独で用いることも、2種以上
を混合もしくは共重合して使用することも可能である。
(m,=2~10) (m1=2~10) (m2 2~15) (l112=2~15) →CH2−C→r (Il+2=2~15) H3 (mz=2~15) ( J) (mz=2~15) (m2=2~15) (x+y=1 q=l~10 =1~1O) (x+y=1 q=1~10 p2=1~15) (x+y=1, p4 p, = 1 to 15, q3 q4 = 1 to 10) (R = C) 43 ■ or P 1 to 10) H3 (p+ = 1 to 15) (m, = 2 to 15 x + y = 1) (x + y = 1.1112:2~15) (x + y = 1, 12 = 2~15) (x + y
=11m2=2-15) (+os=1-5) (x+y=1) (+++s=0-5) (m,=0-5) r (q3=1-10 x+y=1) The polymer liquid crystal compound They can be used alone, or two or more kinds can be mixed or copolymerized.

また、記憶安定性をそこなわない範囲で低分子液晶と混
合することも屈折率の制御を行なうために好ましい。
Further, in order to control the refractive index, it is preferable to mix it with a low-molecular liquid crystal within a range that does not impair memory stability.

以上のような高分子液晶化合物もしくは組成物はその記
憶内容を安定に保持するためにガラス転移点を有してい
ることが好ましい。ガラス転移点以下で書き込み内容を
保持することが記憶の保存安定性にとって特に好ましい
The polymeric liquid crystal compound or composition described above preferably has a glass transition point in order to stably retain its memory content. It is particularly preferable for the storage stability of the memory to retain the written content below the glass transition point.

記録層の膜厚は通常0.05〜10μm、好ましくは0
.1〜5μmが望ましい。また、記録層は基板上にデイ
ピング法、バーコード法、スピンコード法等により容易
に形成することができる。
The thickness of the recording layer is usually 0.05 to 10 μm, preferably 0.05 to 10 μm.
.. A thickness of 1 to 5 μm is desirable. Further, the recording layer can be easily formed on the substrate by a dipping method, a bar code method, a spin code method, or the like.

本発明の情報記憶媒体の高分子液晶の初期配向のために
、配向膜として水平配向性のPVA、P■ ポリアミド
、ポリアミドイミド等の高分子膜や5i02等の無機物
の斜め蒸着膜を用いることが可能である。これらの配向
膜をラビング等の一軸配向処理によって処理することも
可能である。同様にシェアリングによっても一軸配向処
理することができる。
For the initial orientation of the polymer liquid crystal of the information storage medium of the present invention, a horizontally oriented polymer film such as PVA, P■ polyamide, or polyamideimide, or an obliquely vapor-deposited film of an inorganic material such as 5i02 may be used as the alignment film. It is possible. It is also possible to process these alignment films by uniaxial alignment treatment such as rubbing. Similarly, uniaxial orientation processing can also be performed by shearing.

本発明において、反射層としては、Af、 Au、 A
g等の金属膜もしくは誘電体ミラー等を用いることがで
き、その膜厚は0.01〜100 gm、好ましくは0
805〜lO鉢mが望ましい。
In the present invention, the reflective layer includes Af, Au, A
It is possible to use a metal film or dielectric mirror such as Gm, and the film thickness is 0.01 to 100 gm, preferably 0.
A pot size of 805 to 10 m is desirable.

また、基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等
を用いることができる。
Further, as the substrate, a glass substrate, a plastic substrate, etc. can be used.

基板の形状は、シート状、カード状、ディスク状、テー
プ状等を用いることができるが、情報記憶装置による書
き込み、再生に適したものであればよい。
The shape of the substrate may be a sheet, card, disk, tape, etc., as long as it is suitable for writing and reproduction by an information storage device.

本発明の情報記憶装置の記録、再生、消去に用いるため
の光源としては、He−NeガスレーザーAr”ガスレ
ーザー、 N!ガスレーザー等のガスレーザーや、ルビ
ーレーザー、ガラスレーザーYAGレーザー等の固体レ
ーザーや、半導体レーザー等を用いることが望ましい。
Light sources used for recording, reproducing, and erasing in the information storage device of the present invention include gas lasers such as He-Ne gas laser, Ar'' gas laser, N! gas laser, and solid state lasers such as ruby laser and glass laser YAG laser. It is desirable to use a laser, a semiconductor laser, or the like.

また、 600nm〜1600nmの波長範囲の半導体
レーザーが好ましく用いられる。特に好ましくは600
〜900 nmの波長範囲の半導体レーザーが用いられ
る。また、これらのレーザー光の第2高調波、第3高調
波を用いれば短波長化が可能となる。
Further, a semiconductor laser having a wavelength range of 600 nm to 1600 nm is preferably used. Particularly preferably 600
A semiconductor laser with a wavelength range of ~900 nm is used. Further, by using the second and third harmonics of these laser beams, it is possible to shorten the wavelength.

レーザー光等にて書き込み、 /A去を行なう場合には
、レーザー光吸収層を設けるか、もしくは高分子液晶化
合物を含有する記録層中にレーザー光吸収化合物を添加
することによって感度を向上させることができる。
When writing with a laser beam or the like and performing /A erasure, the sensitivity can be improved by providing a laser beam absorbing layer or adding a laser beam absorbing compound to the recording layer containing a polymeric liquid crystal compound. I can do it.

高分子液晶層へ添加するレーザー光吸収化合物の例とし
ては、アゾ系化合物、ビスアゾ系化合物、トリスアゾ系
化合物、アンスラキノン系化合物、ナフトキノン系化合
物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合
物、テトラベンゾポルフィリン系化合物、アミニウム塩
系化合物、ジイモニウム塩系化合物、金属キレート系化
合物等がある。
Examples of laser light absorbing compounds added to the polymer liquid crystal layer include azo compounds, bisazo compounds, trisazo compounds, anthraquinone compounds, naphthoquinone compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, and tetrabenzoporphyrin compounds. compounds, aminium salt compounds, diimonium salt compounds, metal chelate compounds, etc.

前記のレーザー光吸収化合物のうち半導体レーザー用化
合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸収色素として
有用であり、かつ高分子液晶化合物に対して相溶性もし
くは分散性がよい。また、中には二色性を有するものも
あり、これら二色性を有する化合物を高分子液晶中に混
合すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型のメモリー及
び表示媒体を得ることもできる。
Among the above laser light absorbing compounds, compounds for semiconductor lasers have absorption in the near infrared region, are useful as stable light absorbing dyes, and have good compatibility or dispersibility with polymeric liquid crystal compounds. In addition, some compounds have dichroism, and if these dichroism compounds are mixed into polymer liquid crystals, thermally stable host-guest memory and display media can be obtained. .

また高分子液晶化合物中には上記の化合物が二種類以上
含有されていてもよい。
Further, the polymeric liquid crystal compound may contain two or more types of the above-mentioned compounds.

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や2色性色素を
組み合せてもよい。好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフエツジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙げられる。
Further, the above compound may be combined with other near-infrared absorbing dyes or dichroic dyes. Representative examples of near-infrared absorbing dyes that can be suitably combined include cyanine, merocyanine, phthalocyanine, tetrahydrocholine, dioxazine, anthraquinone, triphuedithiazine, xanthine, triphenylmethane, pyrylium, croconium, azulene, and triphenylamine. Examples include dyes such as.

なお、高分子液晶化合物に対する上記化合物の添加量は
重量%で、0.1〜20%程度、好ましくは、0.5〜
lO%がよい。本発明で用いる高分子液晶化合物は高分
子サーモトロピック液晶であり、中間相であるネマチッ
クやスメクチックやカイラルスメクチックやコレステリ
ックの相を利用する。
The amount of the above compound added to the polymeric liquid crystal compound is about 0.1 to 20% by weight, preferably 0.5 to 20%.
lO% is good. The polymeric liquid crystal compound used in the present invention is a polymeric thermotropic liquid crystal, and uses a nematic, smectic, chiral smectic, or cholesteric phase as an intermediate phase.

より具体的な光吸収染料としては、 下記のもの を使用することができる。More specific light-absorbing dyes include: The following can be used.

Direct Red 2g Direct Violet 12 Direct Blue 1 Direct Blue 15 Direct Blue 98 Direct Blue 151 1M Direct Red 81 Direct Yellow 44 Direct Yellow 12 Direct Orange 39 th   NH2 II   l   1’:n   NH2 II   I   Cn Disperse Blue 214 Disperse Red 60  0H 0H Disperse Yellow 56AsFs。Direct Red 2g Direct Violet 12 Direct Blue 1 Direct Blue 15 Direct Blue 98 Direct Blue 151 1M Direct Red 81 Direct Yellow 44 Direct Yellow 12 Direct Orange 39 th  NH2 II       1’:n  NH2 II I Cn Disperse Blue 214 Disperse Red 60 0H 0H Disperse Yellow 56AsFs.

(J’0.。(J’0.

配向制御膜としては、例えば−酸化珪素、二酸化珪素、
酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、
酸化セリウム、フッ化セリウム。
As the orientation control film, for example - silicon oxide, silicon dioxide,
aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride,
Cerium oxide, cerium fluoride.

シリコン窒化物、シリボン炭化物、ホウ素窒化物などの
無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
リン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルア
セタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリ
ル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配向制
御膜を設けることができる。
Inorganic insulating materials such as silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, polyesterimide, polyparaxylerin, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, cellulose resin, An alignment control film formed by using an organic insulating material such as melamine resin, urea resin, or acrylic resin can be provided.

この配向制御膜は、前述の如き無機絶縁物質又は有機絶
縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布や
紙で一方向に摺擦(ラビング)することによって得られ
る。
This orientation control film is obtained by forming a film of an inorganic insulating material or an organic insulating material as described above, and then rubbing the surface in one direction with velvet, cloth, or paper.

本発明の別の好ましい具体例では、SiOやSiO□な
どの無機絶縁物質を基板の上に斜め蒸着法によって被膜
形成することによっ゛て配向制御膜を得ることができる
In another preferred embodiment of the present invention, the orientation control film can be obtained by forming a film of an inorganic insulating material such as SiO or SiO□ on a substrate by oblique vapor deposition.

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板の表面あるいは基板の上に前述した無機絶縁物質や
有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表面を斜方
エツチング法によりエツチングすることにより、その表
面に配向制御効果を付与することができる。
In another specific example, after forming a film of the above-mentioned inorganic insulating material or organic insulating material on the surface of a substrate made of glass or plastic or on the substrate, the surface of the film is etched by an oblique etching method. An orientation control effect can be imparted to the surface.

前述の配向制御膜は、同時に絶縁膜としても機能させる
ことが好ましく、このために、この配向制御膜の膜厚は
一般に100人〜1μm、好ましくは500人〜500
0人の範囲に設定することができる。
The above-mentioned alignment control film preferably functions as an insulating film at the same time, and for this purpose, the thickness of this alignment control film is generally 100 to 1 μm, preferably 500 to 500 μm.
It can be set to a range of 0 people.

また、本発明においては、記録層の高分子液晶化合物の
分子配列を確実に行うものとしては、軸延伸、二軸延伸
、インフレーション延伸等の延伸法やシェアリングによ
る再配列が好ましい。単独ではフィルム性がなく延伸が
困難なものはフィルムにサンドイッチすることで共延伸
し、望ましい配向を得ることができる。
Further, in the present invention, to ensure molecular alignment of the polymeric liquid crystal compound in the recording layer, it is preferable to use stretching methods such as axial stretching, biaxial stretching, and inflation stretching, or rearrangement by shearing. Those that do not have film properties and are difficult to stretch when used alone can be co-stretched by sandwiching them into a film to obtain a desired orientation.

その他の配向方法としては、電場や磁場による配向やシ
ェアリングによる配向等を用いることができる。
As other orientation methods, orientation using an electric field or magnetic field, orientation using shearing, etc. can be used.

また、本発明の情報記憶媒体は、トラッキングのために
グループを有していることが好ましい。
Further, it is preferable that the information storage medium of the present invention has groups for tracking.

基板上に設けた高分子液晶化合物を含有する記録層の4
13の形状の一例を第3図(a)〜(d)に示す。又、
実験の結果から、第4図に例示する溝の大きさ、すなわ
ち溝の深さa、溝の幅す、溝のランド部幅Cは、溝の深
さaは0.05ALm〜0.4 μm、溝の幅すは0.
5μm〜5.Oμm、溝のランド部の幅Cは0.5〜5
.0 μm、特に溝の深さaは0.1 μm 〜0.3
μm、溝の幅すは0.5終m〜2.0終m、溝のランド
部の幅Cは1.Oμm〜3.Oμmが好ましいことが確
認できた。
4 of the recording layer containing a polymeric liquid crystal compound provided on the substrate
An example of the shape of No. 13 is shown in FIGS. 3(a) to 3(d). or,
From the experimental results, the sizes of the grooves illustrated in FIG. 4, that is, the groove depth a, the groove width, and the groove land width C, are as follows. , the groove width is 0.
5μm~5. Oμm, the width C of the land part of the groove is 0.5 to 5
.. 0 μm, especially the groove depth a is 0.1 μm to 0.3
μm, the width of the groove is 0.5m to 2.0m, and the width C of the land part of the groove is 1.0m. Oμm~3. It was confirmed that Oμm is preferable.

ただし、上記条件の3つとも全てを満たさずとも、上言
己条件の中で溝の深さを少なくとも上記範囲内に設定し
ておけばそれでも効果は得られる。
However, even if all three of the above conditions are not met, the effect can still be obtained as long as the groove depth is set within the above conditions at least within the above range.

又、溝の形はさほど影響しないことも確認できた。It was also confirmed that the shape of the groove did not have much of an effect.

上述の特定のディスク基板を用いて情報記憶媒体を得る
と、この基板にはさまれた高分子液晶層を等方性液体温
度以上に昇温し、徐冷して配向させるとスパイラル状又
はコンセントリック状の溝方向に均一配向する情報記憶
媒体を得ることができる。
When an information storage medium is obtained using the above-mentioned specific disk substrate, the polymer liquid crystal layer sandwiched between the substrates is heated to a temperature higher than the isotropic liquid temperature and slowly cooled to become oriented, resulting in a spiral or outlet shape. An information storage medium that is uniformly oriented in the direction of the rick-shaped grooves can be obtained.

また、第5図で示すように電界を印加することを可能に
したディスク構成も用いられる。その1つの例として、
第5図では、基板lの上にITO蒸着膜のような導電性
膜14を設け、その上に溝構造をもつ膜15を形成した
基板と、導電性膜(反射層2)を設けたもう一方の基板
5との間に高分子液晶化合物を含有する記録層3を配置
した断面構造より成っている。
Also used is a disk configuration that allows the application of an electric field, as shown in FIG. As one example,
In FIG. 5, a conductive film 14 such as an ITO vapor-deposited film is provided on a substrate l, a substrate with a groove-structured film 15 formed thereon, and another substrate with a conductive film (reflective layer 2) provided thereon. It has a cross-sectional structure in which a recording layer 3 containing a polymeric liquid crystal compound is disposed between one substrate 5.

第1図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す断面図、第
2図(a)は本発明の情報記憶装置の一例を示す概略図
、第2図(b)は入射光9反射光および配向軸との相対
関係を示す説明図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an information storage medium of the present invention, FIG. 2(a) is a schematic diagram showing an example of an information storage device of the invention, and FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relative relationship with an orientation axis.

第1図において、本発明の情報記憶媒体は、下基板l上
に反射層2を設け、また上基板5の上に配向制卸膜4を
設け、前記両基板間に高分子液晶化合物を含有する記録
層3を挟持した構成からなり、記録層の高分子液晶化合
物は配向制御膜4によって同心円状もしくは放射状に一
軸配向処理されて配向軸11を示している。(第2図(
b) ’3照)第2図(al に示すように、この配向
軸11に対して半導体レーザー6より照射したレーザー
光を偏光ビームスプリッタ−7によって入射直線偏光方
向10の直線偏光とし、配向軸11に対して角度θを有
するように情報記録媒体へ入射させる。このとき角度θ
は35〜55″で用いられ、より好ましくは45″で用
いられる。
In FIG. 1, the information storage medium of the present invention has a reflective layer 2 on a lower substrate l, an alignment control film 4 on an upper substrate 5, and a polymeric liquid crystal compound containing a liquid crystal compound between the two substrates. The polymeric liquid crystal compound of the recording layer is uniaxially aligned concentrically or radially by an alignment control film 4 to show an alignment axis 11. (Figure 2 (
b) As shown in Figure 2 (al), the laser beam irradiated from the semiconductor laser 6 to the alignment axis 11 is converted into linearly polarized light in the incident linear polarization direction 10 by the polarizing beam splitter 7, and the alignment axis The light is incident on the information recording medium at an angle θ with respect to 11. At this time, the angle θ
is used in a range of 35 to 55'', more preferably 45''.

このとき情報記録媒体の記録層の膜厚d (μm)はり
タープ−ジョン(Δnd)かえ(m+1/4)(m :
 0〜3の整数、えは再生光の波長(gm)を表す。)
となるように作成される。実際にはえ((m±l/4)
±1/16)の範囲となる膜厚で用いられる。なお、Δ
n”n/−nよであり、nは屈折率を表す。
At this time, the film thickness of the recording layer of the information recording medium is d (μm), thickness (Δnd), thickness (m+1/4) (m:
An integer from 0 to 3, where ``e'' represents the wavelength (gm) of the reproduction light. )
It is created so that Actually ((m±l/4)
It is used with a film thickness in the range of ±1/16). In addition, Δ
n''n/-n, where n represents the refractive index.

m>3のときには、記録層の膜厚が厚くなりすぎるため
に記録層の配向や感度が低下して好ましくない。より好
ましくは、m=oまたは1で用いられる。
When m>3, the film thickness of the recording layer becomes too thick, which deteriorates the orientation and sensitivity of the recording layer, which is not preferable. More preferably, m=o or 1 is used.

第2図(a)において、角度θで直線偏光を記録層3へ
入射すると、その複屈折率によって楕円偏光となり、リ
ターデーションがλ(m±l/4)のとき円偏光となる
。この円偏光が反射層2によって反射されると円偏光の
回転方向が逆転する。この逆回転円偏光が記録層3へ再
度入射すると、先はどと逆の過程により入射直線偏光方
向10と直交した反射直線偏光方向12の直線偏光とし
て出射される。これは偏光ビームスプリッタ−7によっ
て検出器8へ入射される。
In FIG. 2(a), when linearly polarized light is incident on the recording layer 3 at an angle θ, it becomes elliptically polarized light due to its birefringence, and becomes circularly polarized light when the retardation is λ (m±l/4). When this circularly polarized light is reflected by the reflective layer 2, the rotation direction of the circularly polarized light is reversed. When this counter-rotating circularly polarized light enters the recording layer 3 again, it is emitted as linearly polarized light in the reflected linearly polarized direction 12 orthogonal to the incident linearly polarized direction 10 through the reverse process. This is incident on a detector 8 by a polarizing beam splitter 7.

このとき高分子液晶化合物を含有する記録層において、
その配向軸の方向もしくは同時に複屈折率が変化するこ
とによって、出射光の状態が変化して偏光ビームスプリ
ッタ−7によって分離される光量が変化し検出器8によ
って信号が検出される。
At this time, in the recording layer containing the polymeric liquid crystal compound,
By changing the direction of the alignment axis or the birefringence at the same time, the state of the emitted light changes, the amount of light separated by the polarizing beam splitter 7 changes, and a signal is detected by the detector 8.

本発明において、記録層の記録、非記録部は、次に示す
状態、 ■等方相 ■ネマチック相垂直配向 ■ネマチック相水平配向 ■スメクチック相乗直配向 ■スメクチック相水平配向 ■カイラルスメクチック相乗直配向 ■カイラルスメクチック相水平配向 から選択し、それらに合わせて直接あるいはレーザー照
q1等による加熱、電界の印加等の書き込み条件を選定
することにより、各々を配向軸方向や複屈折率の異なる
状態に同定することができる。
In the present invention, the recording and non-recording portions of the recording layer are in the following states: ■ Isotropic phase ■ Nematic phase vertical alignment ■ Nematic phase horizontal alignment ■ Smectic synergistic orthogonal alignment ■ Smectic phase horizontal alignment ■ Chiral smectic synergistic orthogonal alignment ■ By selecting from chiral smectic phase horizontal orientation and selecting writing conditions such as heating directly or by laser irradiation, application of electric field, etc., each state can be identified as having a different orientation axis direction and birefringence index. be able to.

[実施例] 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

実施例1 下記構造式(I)で示される高分子液晶化合物をシクロ
ヘキサノンに溶解して20wt%の溶液とした。次に、
構造式(n)で示されるIR吸収色素を高分子液晶化合
物に対して1.5wt%添加した。
Example 1 A polymeric liquid crystal compound represented by the following structural formula (I) was dissolved in cyclohexanone to prepare a 20 wt % solution. next,
1.5 wt % of the IR absorbing dye represented by structural formula (n) was added to the polymeric liquid crystal compound.

−+(: H−CH2+− <c 山) 2 NイV% N <c 2H5) 2C
I2.4゜(II ) グループを形成した厚さ 1.2mmのディスク状ガラ
ス基板にAfを1000人の厚さに蒸着し、その上にポ
リイミド配向膜(日産化学工業@製、高純度ポリイミド
配向膜、サンエバー100 )を形成した。
-+(: H-CH2+- <c mountain) 2 NiV% N <c 2H5) 2C
Af was evaporated to a thickness of 1,000 mm on a disk-shaped glass substrate with a thickness of 1.2 mm on which I2.4° (II) groups were formed, and a polyimide alignment film (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., high-purity polyimide alignment film) was deposited on top of it. A film, Sunever 100) was formed.

ラビング法によってグループ方向に一軸配向性を与えた
Uniaxial orientation was imparted in the group direction by the rubbing method.

この基板へ上記の高分子液晶化合物の溶液を2000r
μmでスピナー塗布し、乾燥後の厚みを1.2μmとし
た。 105℃で3hr熱処理し、−軸配向させた。そ
のリターデーション(Δnd)を偏光顕微tli ’f
r−用いてベレックコンペンセーターにより光波長50
0〜600 nmで測定したところ205nmであった
A solution of the above polymeric liquid crystal compound was applied to this substrate at 2000 rpm.
It was coated with a spinner to give a thickness of 1.2 μm after drying. Heat treatment was performed at 105° C. for 3 hours to achieve -axis orientation. The retardation (Δnd) is measured using a polarized light microscope tli 'f
r-light wavelength 50 by Berek compensator using
When measured from 0 to 600 nm, it was 205 nm.

この記憶媒体の配向軸に対して45°の角度になるよう
に830nm半導体レーザーと偏光ビームスプリッタ−
を配置し、レンズによって211.mφに集合した。0
.5mWの再生レーザー光を入射したところ、l/4波
長板を用いたAR反射板のみのときの全反射構成の反射
率の48%が検出された。10mW、 10psecの
パルスを入射し記録部を形成したところ、0.5mWで
の反射率は5%となり、良好なコントラストが得られた
An 830 nm semiconductor laser and a polarizing beam splitter are connected at an angle of 45° to the orientation axis of this storage medium.
211. by the lens. gathered at mφ. 0
.. When a 5 mW reproduction laser beam was incident, a reflectance of 48% of the total reflection configuration when only an AR reflector using a 1/4 wavelength plate was detected was detected. When a recording portion was formed by applying a pulse of 10 mW and 10 psec, the reflectance at 0.5 mW was 5%, and good contrast was obtained.

さらに、ディスクを150Orμmで回転させ、オート
フォーカス、オートトラッキングをかけながら上記と同
一の条件で記録再生を行なったところ、再生C/N  
(分解能帯域幅3KHz)は51dBであった。
Furthermore, when the disk was rotated at 150 Orμm and recording and playback was performed under the same conditions as above while applying autofocus and autotracking, the playback C/N was
(resolution bandwidth 3 KHz) was 51 dB.

次に、記録部ヘデフォーカスした5mWのレーザー光を
 loOmsec照射したところ概略消去出来た。
Next, when the recording section was irradiated with a defocused 5 mW laser beam for 100 msec, the data could be almost erased.

なお、n/は異常光線による屈折率、nよは常光線によ
る屈折率で、Δn=複屈折率であった。
Note that n/ is the refractive index due to extraordinary rays, n is the refractive index due to ordinary rays, and Δn=birefringence.

比較例1・2 実施例1と同様にして記録層の膜厚のみを変更した結果
な下記の表1に示す。
Comparative Examples 1 and 2 The results are shown in Table 1 below, except that only the thickness of the recording layer was changed in the same manner as in Example 1.

表  1 比較例3 実施例1において、直線偏光と配向軸のなす角・度を3
0°としたところ、°未記録部の反射率は33%、記録
部の反射率は4%であった。
Table 1 Comparative Example 3 In Example 1, the angle/degree between the linearly polarized light and the alignment axis was changed to 3 degrees.
When the angle was set to 0°, the reflectance of the unrecorded area was 33%, and the reflectance of the recorded area was 4%.

実施例2 下記構造式(In)および(rv )の単量体をそれぞ
れ0.63 gと0.67gを乾燥トルエン中に溶解し
、3  mo1%AIBNを加え、凍結脱気後60℃で
24時間反応させた。メタノール中で再沈殿をくり返し
共重合ポリマー0.68 gを得た。(収率52%)C
H=CH2 (III) CH=CH2 (rV) 数平均分子量 重量平均分子量 相転移温度(’C) 旋光度  [α]二’=+8.9°(CH(J’S)上
記の高分子液晶共重合体をクロロホルムへ溶解し20w
t%とじ、さらに近赤外吸収色素(山水化成■製、NI
R−13)を高分子液晶に対、して1.5wt%添加し
た。
Example 2 0.63 g and 0.67 g of the monomers of the following structural formulas (In) and (rv), respectively, were dissolved in dry toluene, 3 mo1% AIBN was added, and the mixture was frozen and degassed at 60°C for 24 hours. Allowed time to react. The reprecipitation was repeated in methanol to obtain 0.68 g of a copolymer. (Yield 52%)C
H=CH2 (III) CH=CH2 (rV) Number average molecular weight Weight average molecular weight Phase transition temperature ('C) Optical rotation [α]2'=+8.9° (CH(J'S) Same as above polymer liquid crystal Dissolve the polymer in chloroform and add 20w
t% binding, and near-infrared absorbing dye (manufactured by Sansui Kasei ■, NI
R-13) was added to the polymer liquid crystal in an amount of 1.5 wt%.

次に、APを3000人の厚さに蒸着したカード状ガラ
ス基板へポリイミド配向膜(日雇化学工業■製、高純度
ポリイミドワニス サンエバー100)を形成し、ラビ
ング法により一軸配向性を与えた。 ITOを1000
人の厚さに蒸着したガラス基板へも同様の処理を施した
。該ITO付ガツガラス基板記の高分子液晶共重合体溶
液をスピナー塗布し、乾燥後1.1涛mの膜厚とした。
Next, a polyimide alignment film (high purity polyimide varnish Sunever 100, manufactured by Nikkei Kagaku Kogyo ■) was formed on a card-shaped glass substrate on which AP was deposited to a thickness of 3000 mm, and uniaxial alignment was imparted by a rubbing method. 1000 ITO
A similar process was applied to a glass substrate deposited to a human thickness. The polymer liquid crystal copolymer solution described above on the ITO-attached glass substrate was coated with a spinner, and after drying, the film thickness was 1.1 m.

次に前記AI!付ガツガラス基板着して加熱冷却し、配
向を行い、情報記憶媒体を得た。
Next, the AI! An information storage medium was obtained by attaching a glass substrate and heating and cooling it for orientation.

次に、上下基板間へ+40Vを印加し、90℃から冷却
することで一軸配向した。偏光顕微鏡によるリターデー
ション(Δnd)(測定光波長500〜600 nm)
は200nmであった。
Next, +40V was applied between the upper and lower substrates, and uniaxial orientation was achieved by cooling from 90°C. Retardation (Δnd) by polarizing microscope (measured light wavelength 500-600 nm)
was 200 nm.

この情報記憶媒体を実施例1の記憶装置で入射直線偏光
と配向軸のなす角度θをOoとして測定したところ反射
率は3%であった。次に、室温で上下基板間へ一40V
を印加して5mWの8301半導体レーザーをl 0m
5ecパルスとして集光照射したところ、照射部分の配
向軸が40°傾いた。反射率は42%となり良好なコン
トラストが得られた。
When this information storage medium was measured using the storage device of Example 1, with the angle θ between the incident linearly polarized light and the alignment axis being Oo, the reflectance was 3%. Next, apply -40V between the upper and lower boards at room temperature.
Apply 5mW of 8301 semiconductor laser to l 0m
When condensed light was irradiated as a 5 ec pulse, the orientation axis of the irradiated portion was tilted by 40°. The reflectance was 42%, and good contrast was obtained.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、−軸配向した高
分子液晶化合物を含有する記録層を有する情報記憶媒体
を用いることにより、簡単な記録再生、消去装置を用い
て良好なコントラスト、C/Nを得ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, by using an information storage medium having a recording layer containing a -axis oriented polymeric liquid crystal compound, a simple recording/reproducing/erasing device can be used. Good contrast and C/N can be obtained.

また、反射率も高(することが可能となり、再生信号処
理系も簡単となる効果がある。
In addition, it is possible to achieve a high reflectance, which has the effect of simplifying the reproduction signal processing system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の情報記憶媒体の一例を示す断面図、第
2図(a)は本発明の情報記憶装置の一例を示す概略図
、第2図(b)は入射光9反射光および配向軸との相対
関係を示す説明図、第3図(a)〜(d)は記録層のト
ラッキング用グループの形状を示す断面模式図、第4図
は記録層のトラッキング用グループの形状の大きさを示
す説明図、および第5図は本発明の情報記憶媒体の他の
例を示す部分模式図である。 1・・・下基板     2・・・反射層3・・・記録
層     4・・・配向制御膜5・・・上基板   
  6・・・半導体レーザー7・・・偏光ビームスプリ
ッタ− 8・・・検出器     9・・・集光レンズ10・・
・入射直線偏光方向 11・・・配向軸 2・・・反射直線偏光方向 3・・・溝 4・・・導電性膜 5・・・溝構造をもつ膜 6・・・記録・消去・再生先
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an information storage medium of the present invention, FIG. 2(a) is a schematic diagram showing an example of an information storage device of the invention, and FIG. An explanatory diagram showing the relative relationship with the orientation axis, FIGS. 3(a) to 3(d) are cross-sectional schematic diagrams showing the shape of the tracking group of the recording layer, and FIG. 4 shows the size of the shape of the tracking group of the recording layer. FIG. 5 is a partial schematic diagram showing another example of the information storage medium of the present invention. 1... Lower substrate 2... Reflective layer 3... Recording layer 4... Orientation control film 5... Upper substrate
6... Semiconductor laser 7... Polarizing beam splitter 8... Detector 9... Condensing lens 10...
・Incoming linear polarization direction 11...Orientation axis 2...Reflection linear polarization direction 3...Groove 4...Conductive film 5...Film with groove structure 6...Recording/erasing/reproduction destination

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に高分子液晶化合物を含有する記録層と反
射層を有する情報記憶媒体において、前記高分子液晶化
合物を含有する記録層が一軸配向しており、かつ再生光
に対して|Δnd|(Δn=n■−n■、d:記録層の
膜厚(μm)を表す。nは屈折率を表す。)がλ(m±
1/4)(m:0〜3の整数、λ:再生光の波長(μm
)を表す。)であることを特徴とする情報記憶媒体。
(1) In an information storage medium having a recording layer containing a polymeric liquid crystal compound and a reflective layer on a substrate, the recording layer containing the polymeric liquid crystal compound is uniaxially oriented, and with respect to reproduction light |Δnd |(Δn=n■-n■, d: represents the film thickness (μm) of the recording layer. n represents the refractive index) is λ(m±
1/4) (m: integer from 0 to 3, λ: wavelength of reproduction light (μm
) represents. ).
(2)前記再生光が直線偏光である請求項1記載の情報
記憶媒体。
(2) The information storage medium according to claim 1, wherein the reproduction light is linearly polarized light.
(3)前記再性光が波長600〜900nmの半導体レ
ーザー光である請求項1記載の情報記憶媒体。
(3) The information storage medium according to claim 1, wherein the regenerating light is semiconductor laser light with a wavelength of 600 to 900 nm.
(4)基板上に高分子液晶化合物を含有する記録層と反
射層を有し、該高分子液晶化合物を含有する記録層が一
軸配向しており、かつ再生光に対して|Δnd|(Δn
=n■−n■、d:記録層の膜厚(μm)を表す。nは
屈折率を表す。)がλ(m±1/4)(m:0〜3の整
数、λ:再生光の波長(μm)を表す。)である情報記
憶媒体と、該情報記憶媒体の一軸配向方向と35°〜5
5°傾いた直線偏光を該情報記憶媒体に照射する手段と
、直線偏光を分離するための手段と、反射光の強度を検
出する手段を有することを特徴とする情報記憶装置。
(4) A recording layer containing a polymeric liquid crystal compound and a reflective layer are provided on the substrate, the recording layer containing the polymeric liquid crystal compound is uniaxially oriented, and |Δnd|(Δn
=n■-n■, d: represents the film thickness (μm) of the recording layer. n represents the refractive index. ) is λ(m±1/4) (m: an integer of 0 to 3, λ: wavelength of reproduction light (μm)), and an information storage medium whose angle is 35° with respect to the uniaxial orientation direction of the information storage medium. ~5
An information storage device comprising means for irradiating the information storage medium with linearly polarized light tilted by 5 degrees, means for separating the linearly polarized light, and means for detecting the intensity of reflected light.
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