JPH04148530A - 電子ビーム描画用パターン分解方法 - Google Patents
電子ビーム描画用パターン分解方法Info
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- JPH04148530A JPH04148530A JP27390290A JP27390290A JPH04148530A JP H04148530 A JPH04148530 A JP H04148530A JP 27390290 A JP27390290 A JP 27390290A JP 27390290 A JP27390290 A JP 27390290A JP H04148530 A JPH04148530 A JP H04148530A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
計算機を用いて、電子ビーム露光領域を示す原パターン
を、電子ビームの一走査に対応した帯状のストライプパ
ターンに分解する電子ビーム描画用パターン分解方法に
関し、 原パターンをストライプパターンにより正確に分解し、
かつ、その分解数が大きく増加するのを避けることを目
的とし、 該原パターンを、該原パターンの斜辺部を斜辺とする直
角三角形の三角パターンと内角又は外角が全て直角の直
角パターンとに分解し、該三角パターンを、幅Ｗ１の該
ストライプパターンに分解し、該直角パターンを、該幅
Ｗ、よりも広い幅Ｗ２の該ストライプパターンに分解す
るように構成する。
を、電子ビームの一走査に対応した帯状のストライプパ
ターンに分解する電子ビーム描画用パターン分解方法に
関し、 原パターンをストライプパターンにより正確に分解し、
かつ、その分解数が大きく増加するのを避けることを目
的とし、 該原パターンを、該原パターンの斜辺部を斜辺とする直
角三角形の三角パターンと内角又は外角が全て直角の直
角パターンとに分解し、該三角パターンを、幅Ｗ１の該
ストライプパターンに分解し、該直角パターンを、該幅
Ｗ、よりも広い幅Ｗ２の該ストライプパターンに分解す
るように構成する。
本発明は、計算機を用いて、電子ビーム露光領域を示す
原パターン（マスクパターン又は半導体ウェーハ上への
直接描画パターン）を、電子ビームの一定歪に対応した
帯状のストライプパターンに分解する電子ビーム描画用
パターン分解方法に関する。
原パターン（マスクパターン又は半導体ウェーハ上への
直接描画パターン）を、電子ビームの一定歪に対応した
帯状のストライプパターンに分解する電子ビーム描画用
パターン分解方法に関する。
マスクパターンを電子ビーム描画装置で描画する前の処
理として、第５Ａ図に示す如く、原パターン１０を、電
子ビームの一定歪に対応した幅Ｗ１のストライプパター
ンＩＯＡ〜ＩＯＤに分解する必要がある。この幅Ｗｌは
、電子ビームスポットサイズに対応しており、１枚のレ
クチル内の全パターンについて同一値が用いられている
。 原パターン１０を帯状矩形のストライプパターンＩＯＡ
〜ＩＯＤに分解すると、原パターン１０の斜辺部分がギ
ザギザになるので、パターンの正確さが低下する。この
低下が問題となる場合には、従来では単に全ストライプ
パターン幅を一律に狭くしていた。例えば’Ｊ５Ｂ図に
示す如く、原パターン１０を通常の幅より狭い幅Ｗ、の
ストライプパターン１０ａ〜１０ｊに分解していた。
理として、第５Ａ図に示す如く、原パターン１０を、電
子ビームの一定歪に対応した幅Ｗ１のストライプパター
ンＩＯＡ〜ＩＯＤに分解する必要がある。この幅Ｗｌは
、電子ビームスポットサイズに対応しており、１枚のレ
クチル内の全パターンについて同一値が用いられている
。 原パターン１０を帯状矩形のストライプパターンＩＯＡ
〜ＩＯＤに分解すると、原パターン１０の斜辺部分がギ
ザギザになるので、パターンの正確さが低下する。この
低下が問題となる場合には、従来では単に全ストライプ
パターン幅を一律に狭くしていた。例えば’Ｊ５Ｂ図に
示す如く、原パターン１０を通常の幅より狭い幅Ｗ、の
ストライプパターン１０ａ〜１０ｊに分解していた。
しかし、１枚のレクチルを作成だめの電子ビーム描画処
理時間が通常数時間であるので、ストライプパターンの
幅を例えば通常の半分に狭くすると、電子ビーム描画処
理時間が数時間も長くなる。 そのうえ、原パターンをストライプパターンに分解する
処理時間も長くなり、また、分解されたストライプパタ
ーンのデータ量も膨大となる。一方、ストライプパター
ンの幅は、原パターンの斜辺部分以外のところについて
はそれぼど狭くする必要性がない。したがって、斜線の
ある原パターンの割合が少ない場合に特に問題となる。 本発明の目的は、このような問題点に鑑み、原パターン
をストライプパターンにより正確に分解することができ
、かつ、その分解数が大きく増加するのを避けることが
できる電子ビーム描画用パターン分解方法を提供するこ
とにある。
理時間が通常数時間であるので、ストライプパターンの
幅を例えば通常の半分に狭くすると、電子ビーム描画処
理時間が数時間も長くなる。 そのうえ、原パターンをストライプパターンに分解する
処理時間も長くなり、また、分解されたストライプパタ
ーンのデータ量も膨大となる。一方、ストライプパター
ンの幅は、原パターンの斜辺部分以外のところについて
はそれぼど狭くする必要性がない。したがって、斜線の
ある原パターンの割合が少ない場合に特に問題となる。 本発明の目的は、このような問題点に鑑み、原パターン
をストライプパターンにより正確に分解することができ
、かつ、その分解数が大きく増加するのを避けることが
できる電子ビーム描画用パターン分解方法を提供するこ
とにある。
第１図は本発明に係る電子ビーム描画用パターン分解方
法の原理構成を示す。 この電子ビーム描画用パターン分解方法は、計算機を用
いて、電子ビーム露光領域を示す原パタンを、電子ビー
ムの一定歪に対応した帯状のストライプパターンに分解
するものであって、次のようなステップ（１）〜（３）
を有する。 （１）該原パターンを、該原パターンの斜辺部を斜辺と
する直角三角形の三角パターンと内角又は外角が全て直
角の直角パターンとに分解する。 （２）該三角パターンを、幅Ｗ１の該ストライプパター
ンに分解する。 （３）該直角パターンを、該幅Ｗ、よりも広い幅Ｗ２の
該ストライプパターンに分解する
法の原理構成を示す。 この電子ビーム描画用パターン分解方法は、計算機を用
いて、電子ビーム露光領域を示す原パタンを、電子ビー
ムの一定歪に対応した帯状のストライプパターンに分解
するものであって、次のようなステップ（１）〜（３）
を有する。 （１）該原パターンを、該原パターンの斜辺部を斜辺と
する直角三角形の三角パターンと内角又は外角が全て直
角の直角パターンとに分解する。 （２）該三角パターンを、幅Ｗ１の該ストライプパター
ンに分解する。 （３）該直角パターンを、該幅Ｗ、よりも広い幅Ｗ２の
該ストライプパターンに分解する
本発明では、原パターンを三角パターンと直角パターン
とに分解し、それぞれを適切な幅Ｗ２、Ｗｌ （Ｗ２
＞ｗ＋ ）のストライプパターンに分解するので、原
パターンをストライプパターンにより正確に分解するこ
とができ、かつ、その分解数が大きく増加するのを避け
ることができる。 したがって、分解されたストライプパターンのデータ量
の膨大化を回避することができ、原パターンをストライ
プパターンに分解する処理時間の増大化及び電子ビーム
描画処理時間の増大化を回避することができる。
とに分解し、それぞれを適切な幅Ｗ２、Ｗｌ （Ｗ２
＞ｗ＋ ）のストライプパターンに分解するので、原
パターンをストライプパターンにより正確に分解するこ
とができ、かつ、その分解数が大きく増加するのを避け
ることができる。 したがって、分解されたストライプパターンのデータ量
の膨大化を回避することができ、原パターンをストライ
プパターンに分解する処理時間の増大化及び電子ビーム
描画処理時間の増大化を回避することができる。
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第２図はマスクパターン分解装置のハードウェア構成を
示す。 外部記憶装置２０は磁気テープ又は磁気ディスク等であ
り、ＣＡＤで設計されたマスクパターンのデータが格納
されている。計算機２２は、このデータを外部記憶装置
２０から読み出し、ストライプパターンデータに分解し
てこれを外部記憶装置２４に格納する。このストライプ
パターンデー夕は、不図示の電子と一ム描ｉＩｉ装置へ
供給され、このこのストライプパターンに沿って電子ビ
ームが走査される。 計算機２２によるマスクパターン分解手順を第３図に示
す。以下、第４Ａ図〜４Ｄ図を参照してこの分解手順を
説明する。 （３０）第４Ｃ図及び第４Ｄ図に示す２つのストライプ
パターン幅Ｗ＋ 、Ｗａ （Ｗ＋ ＞Ｗ２ ）を設定
する。幅Ｗ１、Ｗ２は、レクチルの拡大率、電子ビーム
描画装置の性能及び描画精度に基づいて決定する。 （３２）原パターンデータを外部記憶装置２゜から読み
出す。 （３４）この読み出しが終了していなければ、（３６）
原パターンを、直角三角形の三角パターンと、内角又は
外角が直角の直角パターンとの２種類のパターンに分解
する。 例えば第４Ａ図に示すような原パターン１ｏは、頂点の
座標の集合（Ｘ、、Ｙ、）、（Ｘ、、Ｙ。 ）、（Ｘａ、Ｙ−）、（Ｘａ、Ｙａ）、（Ｘ。 Ｙ、）で表される。原パターン１０の斜辺は、隣合う頂
点のＸ座標及びＹ座標の値がいずれも異なるこれら頂点
を結ぶ直線であり、第４Ａ図の場合、頂点（Ｘ、、Ｙ、
）と（Ｘｉ、Ｙｓ）とを結ぶ直線が斜辺となっている。 この斜辺を一辺とする直角三角形の直角部分の頂点の座
標は、（ｘ２゜Ｙ２）と求まる。このようにして、原パ
ターン１０を、第４Ｂ図に示す如く、三角パターン１２
と直角パターン１４とに分解することができる。 （３８）ステップ３６で得られた全ての三角パターンを
、ステップ３０で設定され九幅Ｗ、でスライスして、帯
状矩形のストライプパターン１２ａに分解する。例えば
第４Ｃｌｆｆｌに示す如く、三角パターン１２をストラ
イプパターン１２ａ〜１２ｅに分解する。ストライプパ
ターン１２ａ〜１２ｅの各々は、幅Ｗ、を示すコードと
、長さと、例えば左下頂点の位置座標とで表わされる。 （４０）ステップ３８で得られた全てのストライプパタ
ーンデータを外部記憶装置２４に格納する。 （４２）ステップ３６で得られた全ての直角パターンを
、ステップ３０で設定された幅Ｗ１でスライスしてスト
ライプパターンに分解する。例えば第４Ｄ図に示す如く
、直角パターン１４をストライプパターン１４Ａ〜１４
Ｅに分解する。ストライプパターン１４Ａ〜１４Ｅの各
々は、上記同様に、幅Ｗｌを示すコードと、長さと、例
えば左下頂点の位置座標とで表わされる。 （４４）ステップ４２で得られた全てのストライプパタ
ーンデータを外部記憶装置２４に格納し、上記ステップ
３２へ戻る。 このようにして、全ての原パターン１０を、三角パター
ン１２と直角パターン１４とに分解し、それぞれ適切な
幅Ｗ、 、Ｗ、のストライプパターンに分解する。これ
により、原パターン１０をストライプパターンＩＯＡに
より正確に分解し、かつ、その分解数が大きく増加する
のを避けることができる。 電子ビーム描画装置は、幅Ｗ２、Ｗｌのいずれか一方の
ストライプパターンに基づいて露光した後、ビーム径を
変更し、他方のストライプパターンに基づいて露光する
。
示す。 外部記憶装置２０は磁気テープ又は磁気ディスク等であ
り、ＣＡＤで設計されたマスクパターンのデータが格納
されている。計算機２２は、このデータを外部記憶装置
２０から読み出し、ストライプパターンデータに分解し
てこれを外部記憶装置２４に格納する。このストライプ
パターンデー夕は、不図示の電子と一ム描ｉＩｉ装置へ
供給され、このこのストライプパターンに沿って電子ビ
ームが走査される。 計算機２２によるマスクパターン分解手順を第３図に示
す。以下、第４Ａ図〜４Ｄ図を参照してこの分解手順を
説明する。 （３０）第４Ｃ図及び第４Ｄ図に示す２つのストライプ
パターン幅Ｗ＋ 、Ｗａ （Ｗ＋ ＞Ｗ２ ）を設定
する。幅Ｗ１、Ｗ２は、レクチルの拡大率、電子ビーム
描画装置の性能及び描画精度に基づいて決定する。 （３２）原パターンデータを外部記憶装置２゜から読み
出す。 （３４）この読み出しが終了していなければ、（３６）
原パターンを、直角三角形の三角パターンと、内角又は
外角が直角の直角パターンとの２種類のパターンに分解
する。 例えば第４Ａ図に示すような原パターン１ｏは、頂点の
座標の集合（Ｘ、、Ｙ、）、（Ｘ、、Ｙ。 ）、（Ｘａ、Ｙ−）、（Ｘａ、Ｙａ）、（Ｘ。 Ｙ、）で表される。原パターン１０の斜辺は、隣合う頂
点のＸ座標及びＹ座標の値がいずれも異なるこれら頂点
を結ぶ直線であり、第４Ａ図の場合、頂点（Ｘ、、Ｙ、
）と（Ｘｉ、Ｙｓ）とを結ぶ直線が斜辺となっている。 この斜辺を一辺とする直角三角形の直角部分の頂点の座
標は、（ｘ２゜Ｙ２）と求まる。このようにして、原パ
ターン１０を、第４Ｂ図に示す如く、三角パターン１２
と直角パターン１４とに分解することができる。 （３８）ステップ３６で得られた全ての三角パターンを
、ステップ３０で設定され九幅Ｗ、でスライスして、帯
状矩形のストライプパターン１２ａに分解する。例えば
第４Ｃｌｆｆｌに示す如く、三角パターン１２をストラ
イプパターン１２ａ〜１２ｅに分解する。ストライプパ
ターン１２ａ〜１２ｅの各々は、幅Ｗ、を示すコードと
、長さと、例えば左下頂点の位置座標とで表わされる。 （４０）ステップ３８で得られた全てのストライプパタ
ーンデータを外部記憶装置２４に格納する。 （４２）ステップ３６で得られた全ての直角パターンを
、ステップ３０で設定された幅Ｗ１でスライスしてスト
ライプパターンに分解する。例えば第４Ｄ図に示す如く
、直角パターン１４をストライプパターン１４Ａ〜１４
Ｅに分解する。ストライプパターン１４Ａ〜１４Ｅの各
々は、上記同様に、幅Ｗｌを示すコードと、長さと、例
えば左下頂点の位置座標とで表わされる。 （４４）ステップ４２で得られた全てのストライプパタ
ーンデータを外部記憶装置２４に格納し、上記ステップ
３２へ戻る。 このようにして、全ての原パターン１０を、三角パター
ン１２と直角パターン１４とに分解し、それぞれ適切な
幅Ｗ、 、Ｗ、のストライプパターンに分解する。これ
により、原パターン１０をストライプパターンＩＯＡに
より正確に分解し、かつ、その分解数が大きく増加する
のを避けることができる。 電子ビーム描画装置は、幅Ｗ２、Ｗｌのいずれか一方の
ストライプパターンに基づいて露光した後、ビーム径を
変更し、他方のストライプパターンに基づいて露光する
。
以上説胡した如く、本発明に係る電子ビーム描画用パタ
ーン分解方法では、原パターンを三角パターンと直角パ
ターンとに分解し、それぞれを適切な幅のストライプパ
ターンに分解するので、原パターンをストライプパター
ンにより正確に分解することができ、かつ、その分解数
が大きく増加するのを避けることができるという効果を
奏し、これにより、分解されたストライプパターンのデ
ータ量の膨大化を回避することができ、原パターンをス
トライプパターンに分解する処理時間の増大化及び電子
ビーム描画処理時間の増大化を回避することができると
いう効果が派生する。
ーン分解方法では、原パターンを三角パターンと直角パ
ターンとに分解し、それぞれを適切な幅のストライプパ
ターンに分解するので、原パターンをストライプパター
ンにより正確に分解することができ、かつ、その分解数
が大きく増加するのを避けることができるという効果を
奏し、これにより、分解されたストライプパターンのデ
ータ量の膨大化を回避することができ、原パターンをス
トライプパターンに分解する処理時間の増大化及び電子
ビーム描画処理時間の増大化を回避することができると
いう効果が派生する。
第１図は本発明に係る電子ビーム描画用パターン分解方
法の原理構成を示すフローチャートである。 第２図乃至第４Ｄ図は本発明の一実施例に係り、第２図
はマスクパターン分解装置のブロック図、第３図はマス
クパターン分解手順を示すフローチャート、 第４Ａ図は原パターン図、 第４Ｂ図は原パターンを三角パターンと直角パターンと
に分解したパターン図、 第４Ｃ図は三角パターンをスライスしてストライプパタ
ーンに分解したパターン図、 第４Ｄ図は直角パターンをスライスしてストライプパタ
ーンに分解したパターン図である。 第５Ａ図及び第５ＢＩｍは従来法によるマスクパターン
分解を示すパターン図である。 図中、 １０は原パターン １２は三角パターン １４は直角パターン １［）ａ％ ＩＯＡ、１２ａ。 １４Ａはス トライブ パターン 第２図 マスクパターン分解手順 第３図 第５Ａ図 第５Ｂ図
法の原理構成を示すフローチャートである。 第２図乃至第４Ｄ図は本発明の一実施例に係り、第２図
はマスクパターン分解装置のブロック図、第３図はマス
クパターン分解手順を示すフローチャート、 第４Ａ図は原パターン図、 第４Ｂ図は原パターンを三角パターンと直角パターンと
に分解したパターン図、 第４Ｃ図は三角パターンをスライスしてストライプパタ
ーンに分解したパターン図、 第４Ｄ図は直角パターンをスライスしてストライプパタ
ーンに分解したパターン図である。 第５Ａ図及び第５ＢＩｍは従来法によるマスクパターン
分解を示すパターン図である。 図中、 １０は原パターン １２は三角パターン １４は直角パターン １［）ａ％ ＩＯＡ、１２ａ。 １４Ａはス トライブ パターン 第２図 マスクパターン分解手順 第３図 第５Ａ図 第５Ｂ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 計算機を用いて、電子ビーム露光領域を示す原パターン
を、電子ビームの一走査に対応した帯状のストライプパ
ターンに分解する電子ビーム描画用パターン分解方法に
おいて、 該原パターン（１０）を、該原パターンの斜辺部を斜辺
とする直角三角形の三角パターン（１２）と内角又は外
角が全て直角の直角パターン（１４）とに分解し（１）
、 該三角パターンを、幅Ｗ＿１の該ストライプパターン（
１２ａ〜１２ｅ）に分解し（２）、 該直角パターンを、該幅Ｗ＿１よりも広い幅Ｗ＿２の該
ストライプパターン（１４Ａ〜１４Ｅ）に分解する（３
）ことを特徴とする電子ビーム描画用パターン分解方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27390290A JPH04148530A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 電子ビーム描画用パターン分解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27390290A JPH04148530A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 電子ビーム描画用パターン分解方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04148530A true JPH04148530A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17534167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27390290A Pending JPH04148530A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 電子ビーム描画用パターン分解方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04148530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016134567A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | エネルギービーム描画装置の描画データ作成方法 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27390290A patent/JPH04148530A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016134567A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | エネルギービーム描画装置の描画データ作成方法 |
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