JPH04147549A - Scanning electron microscope - Google Patents

Scanning electron microscope

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JPH04147549A
JPH04147549A JP27145790A JP27145790A JPH04147549A JP H04147549 A JPH04147549 A JP H04147549A JP 27145790 A JP27145790 A JP 27145790A JP 27145790 A JP27145790 A JP 27145790A JP H04147549 A JPH04147549 A JP H04147549A
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節雄 則岡
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Abstract

PURPOSE:To obtain a good-contrast image of a scanning electron microscope which has a sail dia. and a deep hole shape at the bottom and the opening by converting the brightness level of secondary electron or reflection electron detected signals in accordance with a preset conversion table to enhance the brightness level based on the hole bottom. CONSTITUTION:Secondary electrons arising from the irradiation of electron beams are detected by a detector 6. Relative signals are amplified by an amplifier 7 and converted by an A-D converter 8 into digital signals which are supplied to the brightness conversion section 9, when the brightness of input signals is converted in accordance with a conversion table stored in a brightness conversion table storage 12. The brightness conversion table allows the output of output brightness 0 for input brightness 1 so that the output brightness in the area of the input brightness to brightness B1 is almost equal to that in the area of the input brightness from brightness B2. The signals of the brightness conversion section 9 are converted by a D-A converter 10 into analog signals which are then supplied to a cathode ray tube 11. The strength of secondary electron signals from the bottom of a contact hole is made equal to the strength of secondary electron signals from the periphery of the contact hole to observe both the edge and the bottom of the contact hole in good contrast.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、超LS1回路の製造過程の検査に使用して好
適な走査電子顕微鏡と2次電子像あるいは反射電子像撮
影方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a scanning electron microscope and a method for photographing secondary electron images or backscattered electron images, which are suitable for use in inspecting the manufacturing process of ultra-LS1 circuits.

(従来の技術) LS1回路の製造過程の検査の一つに走査電子顕微鏡に
よるレジストのコンタクトホールの外観検査かある。一
般に、径の小さな穴の中や底を観察することは、走査電
子顕微鏡の最も不得意とするところであるか、超LSI
の集積度か高まるにつれ、コンタクトホールの穴径は小
さくなり、ますます走査電子顕微鏡で観察しにくいもの
となってきた。その一方では、コンタクトホールか微細
であるかゆえに走査電子顕微鏡で観察したいといつ要求
かある。このコンタクトホールは、下側の素子と上側の
電極を接続するための電極穴であるか、その底、つまり
、素子と接触する部分か正しい形状に貫通しているか、
レンストの残清か残って不正な形状となっていないかが
検査対象となっている。
(Prior Art) One of the inspections in the manufacturing process of the LS1 circuit is the visual inspection of contact holes in the resist using a scanning electron microscope. In general, observing the inside or bottom of a hole with a small diameter is the weakest point of a scanning electron microscope.
As the degree of integration increases, the diameter of the contact hole becomes smaller, making it increasingly difficult to observe with a scanning electron microscope. On the other hand, there are times when a contact hole is so minute that a request is made to observe it with a scanning electron microscope. Is this contact hole an electrode hole for connecting the lower element and upper electrode, or does it penetrate through the bottom, that is, the part that contacts the element, or in the correct shape?
The object of inspection is to see if there is any residue left behind from the renst that results in an incorrect shape.

(発明か解決しようとする課題) 径か小さくて深いコンタクトホールて発生した2次電子
を検出する方法として、対物レンスの上方に2次電子検
出器を配置し、対物レンスを強磁場に励磁し、2次電子
を磁場に拘束して引っ張り上げる種類の走査電子顕微鏡
があり、コンタクトホールをかなり良く観察できるよう
になってきた。
(Problem to be solved by the invention) As a method of detecting secondary electrons generated through a small-diameter, deep contact hole, a secondary electron detector is placed above the objective lens, and the objective lens is excited with a strong magnetic field. There is a type of scanning electron microscope that traps secondary electrons in a magnetic field and pulls them up, and it has become possible to observe contact holes quite well.

しかしながら、この種の走査電子顕微鏡では、2次電子
を取り込むために対物レンズの穴径を大きくしなければ
ならないので、底面(試料に対向する面)か平型の対物
レンズを用いる必要かあり、その結果、試料の傾斜かで
きないという欠点がある。
However, in this type of scanning electron microscope, the hole diameter of the objective lens must be made large in order to capture the secondary electrons, so it is necessary to use a bottom-face (the surface facing the sample) or a flat objective lens. As a result, there is a drawback that the sample cannot be tilted.

試料の傾斜角か大きく取れる円錐状の対物レンズを有し
、試料と対物レンズの間に2次電子検出器を配置した走
査電子顕微鏡においては、コンタクトホールの底部まで
2次電子検出器の電界の侵入か困難で、底部からの2次
電子信号強度か著しく弱くなり、ホールの上部と底のコ
ントラスト差が極端となる。従って、底部を観察しよう
として底部のコントラストを最適にしようとすると、ホ
ールの周囲が真っ白となり、ハレーションを起ニしてし
まう。また、反対に、ホールの上部を最適な明るさとな
るように調節すれば、底部は真黒となってしまい、その
底部の観察が不可能となる。
In a scanning electron microscope, which has a conical objective lens that allows for a large tilt angle of the sample, and a secondary electron detector is placed between the sample and the objective lens, the electric field of the secondary electron detector is transmitted to the bottom of the contact hole. If penetration is difficult, the intensity of the secondary electron signal from the bottom becomes significantly weaker, and the contrast difference between the top and bottom of the hole becomes extreme. Therefore, when trying to optimize the contrast of the bottom to observe the bottom, the area around the hole becomes pure white, causing halation. Conversely, if the upper part of the hole is adjusted to the optimum brightness, the bottom part will be completely black, making it impossible to observe the bottom part.

このように、コンタクトホールの上部と底部とを同時に
観察できるような最適なコントラストを見付は出すこと
は、そのコントラスト差かあまりにも大きいため、非常
に困難である。なお、先願(特開昭64−43470号
)に開示された発明では、2次電子信号と試料の吸収電
流とを加算した信号を用いるようにしているか、吸収電
流は、試料中を流れる電流を検出するために、検出信号
に時間遅れが生し、2次電子検出信号と吸収電流検出信
号との間には、信号の位相のずれが生じるという問題が
あり、この先願の発明は、走査速度か遅い場合にしか適
用できない。
As described above, it is extremely difficult to find the optimal contrast that allows the top and bottom of the contact hole to be observed simultaneously because the contrast difference is too large. In the invention disclosed in the earlier application (Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-43470), a signal obtained by adding the secondary electron signal and the absorbed current of the sample is used, or the absorbed current is the current flowing in the sample. There is a problem that a time delay occurs in the detection signal in order to detect the Applicable only when speed is slow.

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その
目的は、コンタクトホールのように、径の小さいそして
深いホール形状の底部と開口部の走査電子顕微鏡像をコ
ントラスト良く得ることができる走査電子顕微鏡を実現
するにある。
The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to obtain a scanning electron microscope image of the bottom and opening of a small and deep hole shape such as a contact hole with good contrast. The goal is to realize a scanning electron microscope.

(課題を解決するための手段) 本発明に基づく走査電子顕微鏡は、電子ビームを試料上
に集束する集束手段と、試料上で電子ビームを2次元的
に走査するための走査手段と、試料への電子ビームの照
射に基づいて発生した2次電子あるいは反射電子を検出
する検出器と、検出器からの検出信号の輝度レベルを所
定の変換テーブルに基づいて変換する輝度変換部と、輝
度変換部で輝度変換された信号か供給される像表示手段
とを備えたことを特徴としている。
(Means for Solving the Problems) A scanning electron microscope based on the present invention includes a focusing means for focusing an electron beam on a sample, a scanning means for two-dimensionally scanning the electron beam on the sample, and a scanning electron microscope for focusing an electron beam on a sample. a detector that detects secondary electrons or reflected electrons generated based on irradiation with an electron beam; a brightness converter that converts the brightness level of a detection signal from the detector based on a predetermined conversion table; and a brightness converter It is characterized by comprising an image display means to which a signal whose luminance has been converted is supplied.

(作用) 本発明に基づく走査電子顕微鏡においては、2次電子あ
るいは反射電子検出信号の輝度レベルを所定の変換テー
ブルに基づいて変換し、ホールの底部に基づく信号輝度
を高める。
(Function) In the scanning electron microscope based on the present invention, the brightness level of the secondary electron or backscattered electron detection signal is converted based on a predetermined conversion table to increase the signal brightness based on the bottom of the hole.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第1図は本発明の一実施例を示したもので、1は電子
銃である。該電子銃1から発生した電子ビームは、対物
レンズ2によって試料3上に細く集束される。該試料3
上の電子ビーム照射位置は、偏向コイル4に供給される
信号に応じて変化させられる。該偏向コイル4には、走
査信号発生回路5から走査信号が供給される。該試料3
への電子ビームの照射によって発生した2次電子は、2
次電子検出器6によって検出される。該検出器6によっ
て検出された信号は、増幅器7によって増幅された後、
AD変換器8に供給される。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, where 1 is an electron gun. An electron beam generated from the electron gun 1 is narrowly focused onto a sample 3 by an objective lens 2. The sample 3
The upper electron beam irradiation position is changed according to a signal supplied to the deflection coil 4. A scanning signal is supplied to the deflection coil 4 from a scanning signal generating circuit 5. The sample 3
The secondary electrons generated by the electron beam irradiation are 2
It is detected by the secondary electron detector 6. The signal detected by the detector 6 is amplified by an amplifier 7, and then
The signal is supplied to the AD converter 8.

AD変換器8からのディジタル信号は、輝度変換部9に
供給され、輝度変換部9の出力信号は、DA変換器10
に供給されてアナログ信号に変換される。DA変換器1
0の出力信号は、走査信号発生回路5から走査信号か供
給されている陰極線管11に輝度信号として供給される
。なお、輝度変換部9ては、人力信号を輝度変換テーブ
ル記憶手段12に記憶された変換テーブルに基づいて変
換する。このような構成の走査電子顕微鏡の動作は次の
通りである。
The digital signal from the AD converter 8 is supplied to the luminance converter 9, and the output signal of the luminance converter 9 is supplied to the DA converter 10.
and converted into an analog signal. DA converter 1
The output signal of 0 is supplied as a luminance signal to the cathode ray tube 11 to which the scanning signal is supplied from the scanning signal generating circuit 5. Note that the brightness conversion section 9 converts the human input signal based on a conversion table stored in the brightness conversion table storage means 12. The operation of the scanning electron microscope having such a configuration is as follows.

走査信号発生回路5から偏向コイル4には、試料3上の
特定範囲を2次元的に走査するための走査信号か供給さ
れ、その結果、試料3に設けられたコンタクトホールを
含む領域は電子ビームによって走査される。第2図(a
)は、試料3に設けられたコンタクトホールHを示して
おり、シリコンで形成された基板S上にレジストRが塗
布され、その一部かエツチングによって穴か開けられ、
コンタクトホールHが形成されている。このコンタクト
ホールH上を電子ビームで直線状に走査すると、電子ビ
ームの照射に基づいて発生する2次電子は、検出器6に
よって検出される。第2図(b)は、この検出された2
次電子信号を示している。
A scanning signal for two-dimensionally scanning a specific range on the sample 3 is supplied from the scanning signal generation circuit 5 to the deflection coil 4, and as a result, the area including the contact hole provided on the sample 3 is exposed to the electron beam. scanned by Figure 2 (a
) shows a contact hole H provided in sample 3, in which a resist R is coated on a substrate S made of silicon, and a hole is made in a part of it by etching.
A contact hole H is formed. When the contact hole H is linearly scanned with an electron beam, secondary electrons generated by the electron beam irradiation are detected by the detector 6. Figure 2(b) shows this detected 2
The next electronic signal is shown.

この信号は増幅器7によって増幅され、AD変換器8に
よってデインタル信号に変換され、輝度変換部9に供給
される。輝度変換部9において、入力信号の輝度は輝度
変換テーブル記憶手段12内に記憶された変換テーブル
に基づいて変換される。
This signal is amplified by an amplifier 7, converted into a digital signal by an AD converter 8, and supplied to a luminance converter 9. In the brightness conversion section 9, the brightness of the input signal is converted based on a conversion table stored in the brightness conversion table storage means 12.

この輝度変換テーブルとしては、第3図に示すような関
係を有したテーブルか用いられる。この第3図の例では
、人力輝度Iに対して出力輝度Oか出力されるが、輝度
B1まての人力輝度範囲と、輝度B2からの人力輝度範
囲は、出力輝度かほぼ同程度となるようにされている。
As this brightness conversion table, a table having the relationship as shown in FIG. 3 is used. In the example shown in Fig. 3, output brightness O is output for human power brightness I, but the human power brightness range up to brightness B1 and the human power brightness range from brightness B2 are approximately the same as the output brightness. It is like that.

従って、第2図(b)に示す人力信号のうち、輝度レベ
ルB1まての信号レベルは高められ、輝度レベル82以
上の信号レベルと同程度とされ、この輝度変換部9から
は第2図(C)に示す信号か18られる。
Therefore, among the human input signals shown in FIG. 2(b), the signal level up to the brightness level B1 is increased and is made to be equal to the signal level of the brightness level 82 or higher, and from this brightness converter 9, the signal level up to the brightness level B1 is The signal shown in (C) is generated.

この第2図(c)の信号は、DA変換器10によってア
ナロク信号に変換された後、走査信号発生回路5から走
査1J号か1共給されている陰極線管12に供給される
ことから、該陰極線管12上には2次電子像か表示され
る。この2次電子像は、第2図(f)に示すように、コ
ンタクトホールの底部からの2次電子信号の強度と、コ
ンタクトホルの周辺部からの2次電子信号の強度とかほ
ぼ等しくされているので、コンタクトホールのエツジ部
と底部の両者を適切なコントラストで観察することがで
きる。なお、輝度変換テーブル記憶手段12に記憶する
変換テーブルは、第3図のものに限らず、第4図のよう
に、B1まての微弱な輝度範囲の信号を反転させるよう
な関係のテーブルを用いても良い。もちろん、82以上
の信号を反転させるようにしても良い。
The signal shown in FIG. 2(c) is converted into an analog signal by the DA converter 10, and then supplied from the scanning signal generation circuit 5 to the cathode ray tube 12, which is co-supplied with the scanning signal 1J or 1. A secondary electron image is displayed on the cathode ray tube 12. In this secondary electron image, as shown in FIG. 2(f), the intensity of the secondary electron signal from the bottom of the contact hole is approximately equal to the intensity of the secondary electron signal from the periphery of the contact hole. This allows both the edge and bottom of the contact hole to be observed with appropriate contrast. Note that the conversion table stored in the brightness conversion table storage means 12 is not limited to the one shown in FIG. 3, but may also be a table with a relation that inverts the signal in the weak brightness range up to B1, as shown in FIG. May be used. Of course, 82 or more signals may be inverted.

第3図は、本発明の他の実施例における信号処理部分の
構成を示しており、第1図と同一部分は同一番号か付さ
れている。この実施例では、輝度変換部9て輝度を変換
するための変換テーブルを任意にマニュアル操作によっ
て設定することもてき、また、人力信号に応した自動的
な設定もてきるように構成されている。図において、A
D変換器8の出力信号は、レベル判定部13にも供給さ
れており、レベル判定部13からの信号は、スイッチ1
4を介して輝度変換テーブル生成部15に供給される。
FIG. 3 shows the configuration of a signal processing section in another embodiment of the present invention, and the same parts as in FIG. 1 are given the same numbers. In this embodiment, the conversion table for converting the brightness in the brightness converter 9 can be arbitrarily set by manual operation, and also can be set automatically according to a human input signal. . In the figure, A
The output signal of the D converter 8 is also supplied to the level determination section 13, and the signal from the level determination section 13 is sent to the switch 1.
4 to the brightness conversion table generation unit 15.

スイッチ14は、レベル判定部13からの信号とマニュ
アル設定信号とを切り替えて輝度変換テーブル生成部1
5に供給する。二のような構成の動作は次の通りである
The switch 14 switches between the signal from the level determination section 13 and the manual setting signal to generate the brightness conversion table generation section 1.
Supply to 5. The operation of the second configuration is as follows.

まず、マニュアルで変換テーブルを設定する場合、スイ
ッチ14が図中点線の状態に切り替えられ、マニュアル
で、例えば、第3図のB、、82レベルを設定し、輝度
変換テーブル生成部15にそのレベル信号を供給する。
First, when setting the conversion table manually, the switch 14 is switched to the state shown by the dotted line in the figure, and the level B, . supply the signal.

輝度変換テーブル生成部15ては、入力されたレベルに
基づき、第3図あるいは第4図の関係を有した変換テー
ブルを生成し、内部の記憶手段に記憶し、この記憶した
テーブルに基ついて輝度変換部9を制御する。
The brightness conversion table generation unit 15 generates a conversion table having the relationship shown in FIG. 3 or 4 based on the input level, stores it in an internal storage means, and calculates the brightness based on this stored table. Controls the converter 9.

次に、自動的にテーブルを生成する場合、スイッチ14
は図中実線のように切り替えられる。このとき、レベル
判定部13では、2次電子険出(8号に基ついて輝度分
布ヒストクラムを生成し、このヒストグラムに基ついて
自動的にB、、82レベルの判定を行う。レベル判定部
13によって判定されたB、、B2レヘル信号は、スイ
ッチ14を介して輝度変換テーブル生成部15に供給さ
れ、この生成部で第3図や第4図のような関係の変換テ
ーブルが生成される。
Next, if you want to automatically generate a table, switch 14
can be switched as shown by the solid line in the figure. At this time, the level determination unit 13 generates a brightness distribution histogram based on the secondary electron exposure (No. 8), and automatically determines the B, 82 level based on this histogram. The determined B, , B2 level signals are supplied to the brightness conversion table generation section 15 via the switch 14, and this generation section generates a conversion table having the relationship as shown in FIGS. 3 and 4.

尚、B、とB2は、ここては別個のレベルとして説明し
たか、両者か一致しても構わない。
Note that although B and B2 are described here as separate levels, they may coincide.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明に基つく走査電子顕微鏡に
おいては、信号に基づいて試料像を表示するようにした
ので、コンタクトホールのように径の小さいそして深い
ホール形状の底部と周辺部の両方の走査電子顕微鏡像を
同時にコントラスト良く観察することができる。また、
2次電子あるいは反射電子検出信号を用いているために
、信号検出のレスポンスか速く、TV走査速度のように
高速の電子ビーム走査を行っても十分に対応することが
できる。
(Effects of the Invention) As explained above, in the scanning electron microscope based on the present invention, since the sample image is displayed based on the signal, It is possible to simultaneously observe scanning electron microscope images of both the periphery and the surrounding area with good contrast. Also,
Since a secondary electron or reflected electron detection signal is used, the signal detection response is fast, and it can sufficiently cope with high-speed electron beam scanning such as TV scanning speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明に基つく走査電子顕微鏡の構成図、第
2図は、本発明の詳細な説明するための信号波形図、第
3図、第4図は、輝度変換部における入力輝度と出力輝
度の関係を示す図、第5図は、本発明の他の実施例を示
す図である。 1・・電子銃     2・対物レンズ3・・・試料 
     4・・・偏向コイル5・・・走査信号発生回
路 6・・・検出器     7・・・増幅器8・・AD変
換器   9・・・輝度変換部10・・DA変換器  
11・・・陰極線管12・・輝度変換テーブル記憶手段 13・・・レベル判定部 14・・スイッチ】5・・輝
度変換テーブル生成部 第 図 第 図 第 図
FIG. 1 is a configuration diagram of a scanning electron microscope based on the present invention, FIG. 2 is a signal waveform diagram for explaining the present invention in detail, and FIGS. 3 and 4 are input luminance in the luminance conversion section. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between output brightness and output brightness, and is a diagram showing another embodiment of the present invention. 1. Electron gun 2. Objective lens 3. Sample
4... Deflection coil 5... Scanning signal generation circuit 6... Detector 7... Amplifier 8... AD converter 9... Brightness converter 10... DA converter
11...Cathode ray tube 12...Brightness conversion table storage means 13...Level judgment unit 14...Switch]5...Brightness conversion table generation unit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  電子ビームを試料上に集束する集束手段と、試料上で
電子ビームを2次元的に走査するための走査手段と、試
料への電子ビームの照射に基づいて発生した2次電子あ
るいは反射電子を検出する検出器と、検出器からの検出
信号の輝度レベルを所定の変換テーブルに基づいて変換
する輝度変換部と、輝度変換部で輝度変換された信号が
供給される像表示手段とを備えた走査電子顕微鏡。
A focusing means for focusing the electron beam on the sample, a scanning means for two-dimensionally scanning the electron beam on the sample, and detecting secondary electrons or reflected electrons generated based on the irradiation of the electron beam onto the sample. a brightness converter that converts the brightness level of a detection signal from the detector based on a predetermined conversion table; and an image display means to which a signal whose brightness has been converted by the brightness converter is supplied. electronic microscope.
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