JPH04142020A - Aligner - Google Patents
AlignerInfo
- Publication number
- JPH04142020A JPH04142020A JP2264208A JP26420890A JPH04142020A JP H04142020 A JPH04142020 A JP H04142020A JP 2264208 A JP2264208 A JP 2264208A JP 26420890 A JP26420890 A JP 26420890A JP H04142020 A JPH04142020 A JP H04142020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- energy
- light
- wavelength
- constant
- light energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 abstract description 4
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造における紫外線を用いる露
光装置に関し、特にフォトレジストを感光させる光が複
数の波長からなる露光光をもつ露光装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exposure apparatus that uses ultraviolet rays in the manufacture of semiconductor devices, and particularly relates to an exposure apparatus that uses exposure light that sensitizes a photoresist to a plurality of wavelengths. .
従来、この種の露光装置を用いて行うフォトリングラフ
ィ技術では、露光に用いる光のエネルギーが変動すると
、パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量が
変動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度の
パターン転写を行なうことが難かしい。Conventionally, in photolithography technology that uses this type of exposure equipment, when the energy of the light used for exposure changes, the amount of exposure to the photoresist that transfers the pattern changes, causing variations in pattern width dimensions, etc. It is difficult to perform accurate pattern transfer.
このなめ、従来の露光装置では、人間が光工、ネルギー
測定用センサを露光装置内に挿入して、光エネルギーの
測定を行い、露光装置の調整ダイヤルにて光エネルギー
を一定に保持するように手動調整を行なっている。この
時、従来の露光装置では、紫外線の波長ごとの調整が不
可能であり、全体の光エネルギーの平均値を基準にして
調整を行なうしか方法か無かった。To solve this problem, in conventional exposure equipment, a person inserts an optical sensor and an energy measurement sensor into the exposure equipment to measure the light energy, and then uses an adjustment dial on the exposure equipment to maintain the light energy constant. Performing manual adjustment. At this time, with conventional exposure apparatuses, it is not possible to make adjustments for each wavelength of the ultraviolet rays, and the only way to do so is to make adjustments based on the average value of the entire light energy.
上述した従来の露光装置では、−度、光エネルキーの調
整を実施した後でも、次の調整までの間に、光エネルギ
ーの変動があった場合には、変動した分に対して光エネ
ルギーか補正されることはない、また、複数の光の波長
の平均値付近に感度のピークを持つセンサを使用してい
るため、測定された光エネルギーが同じでも、各波長の
光エネルギーの占める割合が異なっていることがある。In the conventional exposure equipment described above, even after adjusting the -degree and light energy key, if there is a change in light energy before the next adjustment, the light energy is corrected for the change. Furthermore, since a sensor is used that has a sensitivity peak near the average value of multiple wavelengths of light, even if the measured light energy is the same, the proportion of light energy at each wavelength is different. There are times when I am.
このため、上述したような露光量の過不足が生じ、露光
された半導体装置のフォトレジストパターンの寸法が変
動してしまうという問題がある。For this reason, there is a problem in that the above-described exposure amount is excessive or insufficient, and the dimensions of the photoresist pattern of the exposed semiconductor device vary.
本発明の目的は、かかる問題を解消する露光装置を提供
することである。An object of the present invention is to provide an exposure apparatus that solves this problem.
本発明の露光装置は、波長の異なる複数の光を発生する
ランプと、前記光の各波長ごとのエネルギーの絶対値を
測定する測定部と、その測定値に基づいて予め記憶した
データから光エネルギーの補正量を決定するデータ処理
部と、この補正量に基づいて光エネルギーを制御する制
御部とを備えている。The exposure apparatus of the present invention includes a lamp that generates a plurality of lights of different wavelengths, a measuring section that measures the absolute value of energy for each wavelength of the light, and a light energy source that calculates the energy of light from pre-stored data based on the measured values. The light source includes a data processing section that determines a correction amount, and a control section that controls light energy based on this correction amount.
次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置のブロック図
である。この露光装置は、同図に示すように、スリット
3及びフィルタ部4を通過する水銀ランプ1から発生す
る光を2分にするハーフミラ−5と、このハーフミラ−
5を透過する光の波長毎にエネルギーを測定する光エネ
ルギー測定部10と、この光エネルギー測定部10から
のデータを入力するとともにこのデータと基準データと
比較し、補正指令を発信するデータ処理部11と、この
補正指令によりスリット3の開口度、フィルタ部の各波
長の透過率及び水銀ランプ1の電流供給量を制御するス
リットコントローラ12フイルタコントローラ13及び
水銀コントローラ14を含む制御部15とを設けたこと
である。FIG. 1 is a block diagram of an exposure apparatus showing an embodiment of the present invention. As shown in the figure, this exposure apparatus includes a half mirror 5 that divides light generated from a mercury lamp 1 into two parts, which passes through a slit 3 and a filter part 4, and a
a light energy measuring section 10 that measures energy for each wavelength of light transmitted through the light energy measuring section 10; and a data processing section that inputs data from the light energy measuring section 10, compares this data with reference data, and issues a correction command. 11, and a control section 15 including a slit controller 12, a filter controller 13, and a mercury controller 14, which control the aperture of the slit 3, the transmittance of each wavelength of the filter section, and the current supply amount of the mercury lamp 1 according to the correction command. That's what happened.
また、従来と同様に、ハーフミラ−5により反射する光
を透過するフォトマスク6と、フォトマスク6を透過し
た光を収束し、キャリッジ9に搭載された半導体装置9
に照射する光学系7とを有している6
通常、水銀ランプ1から発生する光には、g線(波長が
436nm)、h線(波長か405nm)及びi線(波
長が365nm)を含んでいる。フォトレジストの感度
に応じて、フィルタ部4内のフィルタの組み合せを変え
て、任意の波長をもつ光に選択している。また、スリッ
トはその開口度を調整することで、光量及び照射パター
ンの形状などを調節している。さらに、各波長の光エネ
ルギーは、水銀ランプに供給する電流によって調節可能
である。Also, as in the past, a photomask 6 that transmits the light reflected by the half mirror 5 and a semiconductor device 9 mounted on the carriage 9 converge the light transmitted through the photomask 6.
6 Normally, the light generated from the mercury lamp 1 includes G-line (wavelength: 436 nm), H-line (wavelength: 405 nm), and I-line (wavelength: 365 nm). I'm here. Depending on the sensitivity of the photoresist, the combination of filters in the filter section 4 is changed to select light having an arbitrary wavelength. Furthermore, by adjusting the opening degree of the slit, the amount of light and the shape of the irradiation pattern are adjusted. Furthermore, the light energy of each wavelength can be adjusted by the current supplied to the mercury lamp.
第2図は第1図の露光装置の動作を説明するための流れ
図である。まず、ステップAで、光エネルギー測定部1
0により、スリット3及びフィルタ部4を通った紫外線
の波長毎のエネルギー絶縁値を測定する。そして、これ
らデータをデータ処理部11へ入力する。次にデータ処
理部11は、あらかじめステップDで記憶された適正な
エネルギー値と入力されたエネルギー値と比較し、入力
されたエネルギー値を補正するためのフィルタ組合せ信
号を出力する。また、同時にステップHで、データ処理
部11は入力されたエネルギー値の緩和とあらかじめス
テップGで記憶された適正のエネルギー総和値と比較し
、エネルギー総和値の補正するためのスリット幅補正指
令信号を出力する。FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the exposure apparatus shown in FIG. First, in step A, the optical energy measuring section 1
0, the energy insulation value for each wavelength of ultraviolet light that has passed through the slit 3 and the filter section 4 is measured. Then, these data are input to the data processing section 11. Next, the data processing unit 11 compares the inputted energy value with the appropriate energy value stored in advance in step D, and outputs a filter combination signal for correcting the inputted energy value. At the same time, in step H, the data processing unit 11 compares the input energy value relaxation with the appropriate energy sum value stored in advance in step G, and generates a slit width correction command signal for correcting the energy sum value. Output.
次に、ステップE及び1でデータ処理部11の補正指令
により、フィルタコントローラ13てフィルタの組合せ
を選択し、スリットコトローラ12でスリット幅を制御
し、水銀ランプコントローラ14により水銀ランプ1の
光量を調節する。欽に、ステップFて、光エネルギー測
定部で補正された紫外線を波長毎のエネルギーの絶対値
を測定し、データ処理部11に送る。そしてデータ処理
部11は、あらしめ設定されたエネルギー値と比較し、
露光可能か否かの判定する。ここて、エネルギー値が許
容値内てあれば、露光を実行する。Next, in steps E and 1, the filter controller 13 selects a filter combination according to the correction command from the data processing unit 11, the slit controller 12 controls the slit width, and the mercury lamp controller 14 controls the light intensity of the mercury lamp 1. Adjust. Finally, in step F, the optical energy measuring unit measures the absolute value of the energy of each wavelength of the corrected ultraviolet rays, and sends the measured values to the data processing unit 11. Then, the data processing unit 11 compares it with the energy value set as a summary,
Determine whether exposure is possible. Here, if the energy value is within the allowable value, exposure is performed.
また、否てあれは、再度、前述の動作を繰返す。If not, the above-described operation is repeated again.
なお、スリット幅の調整と、水銀ランプの明るさの調整
は、両者を選択的に行なってもよく、或いは両者を同時
に行っても良い。また、この露光装置によれは、紫外線
の波長ごとのエネルギーが変化した場合でも、これに対
応して、フィルタの組み合せやスリット幅、水銀ランプ
の明るさを自動的に補正し、半導体基板8に対する紫外
線エネルギーを常に一定に保持することが可能となる。Note that the adjustment of the slit width and the adjustment of the brightness of the mercury lamp may be performed selectively, or both may be performed simultaneously. Furthermore, even if the energy of each wavelength of ultraviolet rays changes, this exposure apparatus automatically corrects the combination of filters, slit width, and brightness of the mercury lamp in response to changes in the energy of each wavelength of ultraviolet rays. It becomes possible to always keep the ultraviolet energy constant.
これにより、フォトレジストに対する露光量を一定にし
、転写パターの幅を均一にして高精度のパターン転写を
実現する。As a result, the amount of exposure to the photoresist is kept constant, the width of the transferred pattern is made uniform, and highly accurate pattern transfer is achieved.
以上説明したように本発明は、紫外線の波長ごとのエネ
ルギーを測定する測定手段と、予め記憶したデータから
フィルタの組み合せ、及び、エネルギーの補正量を決定
するフィルタ組合せ手段と、補正量に基づいてスリット
幅と水銀ランプの明るさを夫々制御する手段とを設ける
ことによって、波長ごとのエネルギーの変動に対応して
半導体基板に対して常に一定の光エネルギーにより紫外
線露光を行い、フォトレジストパターン寸法のばらつき
を低減できる露光装置が得られるという効果がある。As explained above, the present invention includes a measuring means for measuring the energy of each wavelength of ultraviolet rays, a filter combination means for determining the combination of filters from pre-stored data, and an energy correction amount based on the correction amount. By providing means to control the slit width and the brightness of the mercury lamp, the semiconductor substrate is always exposed to ultraviolet light with a constant light energy in response to energy fluctuations at each wavelength, and the photoresist pattern dimensions can be adjusted. This has the effect of providing an exposure apparatus that can reduce variations.
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置のブロック図
、第2図は第1図の露光装置の動作を説明するための流
れ図である。
1・・・水銀ランプ、2・・・光路、3・・・スリット
、4・・フィルタ部、5・・・ハーフミラ−16・・・
フォトマスク、7・・・光学系、8・・・半導体基板、
9・・・キャリッジ、10・・・光エネルギー測定部、
11・・・データ処理部、12・・・スリットコントロ
ーラ、13・・・フィルタコントローラ、14・・・水
銀ランプコントローラ、15・・・制御部。FIG. 1 is a block diagram of an exposure apparatus showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the exposure apparatus of FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Mercury lamp, 2... Optical path, 3... Slit, 4... Filter part, 5... Half mirror 16...
Photomask, 7... Optical system, 8... Semiconductor substrate,
9... Carriage, 10... Light energy measuring section,
11... Data processing unit, 12... Slit controller, 13... Filter controller, 14... Mercury lamp controller, 15... Control unit.
Claims (1)
各波長ごとのエネルギーの絶対値を測定する測定部と、
その測定値に基づいて予め記憶したデータから光エネル
ギーの補正量を決定するデータ処理部と、この補正量に
基づいて光エネルギーを制御する制御部とを備えること
を特徴とする露光装置。a lamp that generates a plurality of lights of different wavelengths; a measurement unit that measures the absolute value of energy for each wavelength of the light;
An exposure apparatus comprising: a data processing section that determines a correction amount of light energy from data stored in advance based on the measured value; and a control section that controls the light energy based on the correction amount.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264208A JPH04142020A (en) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | Aligner |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264208A JPH04142020A (en) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | Aligner |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04142020A true JPH04142020A (en) | 1992-05-15 |
Family
ID=17399993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2264208A Pending JPH04142020A (en) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | Aligner |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04142020A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07135132A (en) * | 1993-06-16 | 1995-05-23 | Nikon Corp | Projection aligner |
KR970022562A (en) * | 1995-10-12 | 1997-05-30 | 김광호 | Exposure device |
JP2012208351A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Orc Manufacturing Co Ltd | Photometric device and exposure device |
-
1990
- 1990-10-02 JP JP2264208A patent/JPH04142020A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07135132A (en) * | 1993-06-16 | 1995-05-23 | Nikon Corp | Projection aligner |
KR970022562A (en) * | 1995-10-12 | 1997-05-30 | 김광호 | Exposure device |
JP2012208351A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Orc Manufacturing Co Ltd | Photometric device and exposure device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6141081A (en) | Stepper or scanner having two energy monitors for a laser | |
JPH08250402A (en) | Method and device for scanning exposure | |
JP2729058B2 (en) | Exposure equipment for semiconductor devices | |
JP3843197B2 (en) | Lithographic projection apparatus | |
US20060077371A1 (en) | Method for improving the imaging properties of a projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP2014126748A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JPH01123238A (en) | Method and apparatus for correcting effect of environmental parameter for imaging characteristic of optical system | |
JP2902172B2 (en) | Exposure equipment | |
JPH0945604A (en) | Exposure method and aligner | |
JPH04142020A (en) | Aligner | |
TW201708969A (en) | Method for regulating a light source of a photolithography exposure system and exposure assembly for a photolithography device | |
JPH0758678B2 (en) | Exposure equipment | |
JPH04143763A (en) | Exposing device | |
JP2796404B2 (en) | Exposure method and apparatus, and thin film production control method and apparatus using the same | |
JPH0715875B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
JPH0418454B2 (en) | ||
JPH10335213A (en) | Apparatus and method for controlling wavelength of aligner | |
JPH036011A (en) | Wafer aligner for semiconductor-device manufacture | |
JPH059933B2 (en) | ||
KR100530153B1 (en) | Light irradiation device | |
JPS60168026A (en) | Method and device for measuring illuminance distribution | |
KR20020078200A (en) | System for calibrating exposure | |
JP2915078B2 (en) | Energy control method and semiconductor device manufacturing method using the same | |
JPS6134940A (en) | Projection exposing device | |
JPH02177314A (en) | Exposure |