JPH04133507A - High-frequency oscillation circuit - Google Patents
High-frequency oscillation circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、高周波発振に適した例えば発振回路に関する
ものであり、詳しくは、負荷インピーダンスの変化に対
して安定した発振が可能な高周波発振回路に関するもの
である。Detailed Description of the Invention "Field of Industrial Application" The present invention relates to, for example, an oscillation circuit suitable for high-frequency oscillation, and more specifically, to a high-frequency oscillation circuit capable of stable oscillation against changes in load impedance. It is related to.
[従来の技術およびその問題点」
従来より、自動車電話を代表とする移動体通信機用発振
回路には、M(メガ)Hz帯の共振回路部、負性抵抗回
路部、増幅回路部を含む高周波発振回路が用いられてい
る。[Prior art and its problems] Conventionally, oscillation circuits for mobile communication devices, typically car phones, include an M (mega) Hz band resonance circuit section, a negative resistance circuit section, and an amplifier circuit section. A high frequency oscillation circuit is used.
第2図は従来の高周波発振回路の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional high frequency oscillation circuit.
高周波発振回路は、共振素子Rを含む共振回路部aと、
能動素子からなる負性抵抗回路部すと、増幅回路部Cか
ら構成されている。The high frequency oscillation circuit includes a resonant circuit section a including a resonant element R;
The negative resistance circuit section consisting of active elements is composed of an amplifier circuit section C.
共振回路部aは誘電体同軸共振器やマイクロストリップ
線路などからなる共振素子Rと、制御電圧により容量が
変化するバリキャップダイオードCv、発振周波数の可
変範囲を決定するためのコンデンサCI、クラップコン
デンサC2、マイクロストリップ線路り、などから構成
されている。The resonant circuit section a includes a resonant element R consisting of a dielectric coaxial resonator or a microstrip line, a varicap diode Cv whose capacitance changes depending on the control voltage, a capacitor CI for determining the variable range of the oscillation frequency, and a clap capacitor C2. , microstrip line, etc.
負性抵抗回路部すは主に発振用の第1のトランジスタQ
1、バイパスコンデンサ05などからなり、第1のトラ
ンジスタQ、はバイパスコンデンサC2を介してコレク
タ接地されている。The negative resistance circuit section is mainly the first transistor Q for oscillation.
1, a bypass capacitor 05, etc., and the collector of the first transistor Q is grounded via the bypass capacitor C2.
増幅回路部Cは主に増幅用の第2のトランジスタQ2、
バイパスコンデンサC3、マイクロストリップ線路L2
などからなる。増幅用の第2のトランジスタQ2のベー
スは、負性抵抗回路部すの発振用の第1のトランジスタ
Q1のエミッタと接続している。The amplifier circuit section C mainly includes a second transistor Q2 for amplification,
Bypass capacitor C3, microstrip line L2
Consists of etc. The base of the second transistor Q2 for amplification is connected to the emitter of the first transistor Q1 for oscillation of the negative resistance circuit section.
この増幅用の第2のトランジスタQ2によって増幅され
た所定周波数の信号が第2のトランジスタQ2のエミッ
タ側より導出される。A signal of a predetermined frequency amplified by this second amplifying transistor Q2 is derived from the emitter side of the second transistor Q2.
「発明が解決しようとする課題」
しかし、上述の発振回路においても、増幅用の第2のト
ランジスタQ2の出力端子Pに接続される負荷インピー
ダンスによって、発振特性が不安定になるという決定的
問題があった。発振周波数は、移動体通信機などでは、
通信周波数の決定の基本となるため、発振特性が不安定
になると、通話が不能になったり、混信状態となったり
する。"Problem to be Solved by the Invention" However, even in the above-mentioned oscillation circuit, there is a decisive problem that the oscillation characteristics become unstable due to the load impedance connected to the output terminal P of the second transistor Q2 for amplification. there were. The oscillation frequency is
Since it is the basis for determining the communication frequency, if the oscillation characteristics become unstable, calls may become impossible or interference may occur.
これは、第2のトランジスタQ2のベース−コレクタ間
容量が負荷インピーダンス成分Zと入力インピーダンス
成分Zinの結合容量として作用して、負荷インピーダ
ンス成分Zが変動すると、これに伴って入力インピーダ
ンス成分Zinも変化してしまうためである。This is because the base-collector capacitance of the second transistor Q2 acts as a coupling capacitance between the load impedance component Z and the input impedance component Zin, and when the load impedance component Z changes, the input impedance component Zin also changes accordingly. This is because you end up doing it.
本発明は上述の課題を解決するために富山されたもので
あり、その目的は、負荷インピーダンス成分の変動によ
っても、安定した発振が可能な高周波発振回路を提供す
るものである。The present invention was developed in order to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a high frequency oscillation circuit capable of stable oscillation even when the load impedance component fluctuates.
「課題を解決するための手段」
本発明の発振回路は、共振体を含む共振回路部と発振用
トランジスタを含む負性抵抗回路部と、増幅用トランジ
スタを含む増幅回路部とから構成される。"Means for Solving the Problems" The oscillation circuit of the present invention includes a resonant circuit section including a resonator, a negative resistance circuit section including an oscillation transistor, and an amplification circuit section including an amplification transistor.
この共振回路部と負性抵抗回路部とで発振部を構成し、
該負性抵抗回路部の発振用トランジスタと増幅回路部の
増幅用トランジスタとが縦続接続し、かつ増幅用トラン
ジスタのベースがコンデンサを介して接地されている。The resonant circuit section and the negative resistance circuit section constitute an oscillation section,
The oscillation transistor of the negative resistance circuit section and the amplification transistor of the amplification circuit section are connected in cascade, and the base of the amplification transistor is grounded via a capacitor.
「作 用」
以上の構成により、増幅用トランジスタのエミッタ側に
接続した負荷のインピーダンス成分Zが大きく変動して
も、増幅用のトランジスタのベースが高周波的には接地
されているため、このベース−コレクタ間の容量を無視
できる。"Function" With the above configuration, even if the impedance component Z of the load connected to the emitter side of the amplification transistor fluctuates greatly, the base of the amplification transistor is grounded in terms of high frequency. The capacitance between collectors can be ignored.
したがって、負荷のインピーダンス成分Zの変動が入力
インピーダンス成分Zinに影響を与えることがなく、
共振回路部と負性抵抗回路部とで作成される発振周波数
が増幅回路部に安定的に供給される。Therefore, fluctuations in the load impedance component Z do not affect the input impedance component Zin.
The oscillation frequency created by the resonance circuit section and the negative resistance circuit section is stably supplied to the amplifier circuit section.
「実施例」 以下、本考案の発振回路を図面に基づいて詳説する。"Example" Hereinafter, the oscillation circuit of the present invention will be explained in detail based on the drawings.
第1図は本発明の発振回路の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to the present invention.
発振回路は、共振回路部a、負性抵抗回路部すおよび増
幅回路部Cとから構成されている。The oscillation circuit is composed of a resonant circuit section a, a negative resistance circuit section and an amplifier circuit section C.
共振回路部aはマイクロストリップ線路1と不可容量C
0とからなる共振素子Rと、ハリキャップダイオードC
v、コンデンサ01〜C2、マイクロストリップ線路り
、などから構成されている。The resonant circuit part a includes the microstrip line 1 and the capacitance C.
0 and a haricap diode C.
V, capacitors 01 to C2, microstrip line, etc.
共振回路部aにおいて、印加電圧で制御されるパリキャ
ンプダイオードCvの容量によって、所期の共振周波数
で発振周波数が作成されることになる。In the resonant circuit section a, an oscillation frequency is created at a desired resonant frequency by the capacitance of the paricamp diode Cv controlled by the applied voltage.
ここで、共振回路部aの共振素子Rがマイクロストリッ
プ線路1と付加容量CXとから構成されている。特にマ
イクロストリップ線路1は、線路長さ、幅ともに極小化
されている。共振素子Rのみにおいて、従来と同等な特
性を得るのに、線路長さを6.2閣、線路幅を1.0m
mで形成できる。極小化されたマイクロストリップ線路
1においては、マイクロストリップ線路1の固有共振周
波数が約6倍にも上がり、例えば4.7GHzとなるが
、この固有共振周波数4.7GHzを付加容量Cxで、
共振回路部aの所期の共振周波数に900MHzに低下
させるものである。Here, the resonant element R of the resonant circuit section a is composed of a microstrip line 1 and an additional capacitor CX. In particular, the microstrip line 1 is minimized in both line length and width. In order to obtain the same characteristics as the conventional one only in the resonant element R, the line length must be 6.2 m and the line width must be 1.0 m.
It can be formed by m. In the miniaturized microstrip line 1, the natural resonant frequency of the microstrip line 1 increases by about six times, to, for example, 4.7 GHz.
This lowers the intended resonance frequency of the resonance circuit section a to 900MHz.
負性抵抗回路部すは能動素子である発振用の第1のトラ
ンジスタQ、とコンデンサ03〜C5、抵抗などから構
成されている。この負性抵抗回路部すは、共振回路部a
とともに、発振条件を整えるもので、これより、増幅回
路部Cに発振出力を与える。発振用の第1のトランジス
タQ、はコンデンサC5を介してコレクタ接地されてい
るが、このバイパスコンデンサC5は高周波的に完全に
接地されない程度の容量が選定される。これにより、共
振回路部aと負性抵抗回路部すとからなる発振部の発振
条件が満足される。また、あまりにもコンデンサC3の
容量が大きいと、信号レベルが大きく減衰してしまう。The negative resistance circuit section is composed of a first transistor Q for oscillation, which is an active element, capacitors 03 to C5, resistors, and the like. This negative resistance circuit section is a resonant circuit section a.
At the same time, it also prepares oscillation conditions, and provides an oscillation output to the amplifier circuit section C. The collector of the first oscillation transistor Q is grounded via a capacitor C5, but the capacitance of this bypass capacitor C5 is selected to such an extent that it is not completely grounded at high frequencies. As a result, the oscillation conditions of the oscillation section consisting of the resonant circuit section a and the negative resistance circuit section 2 are satisfied. Furthermore, if the capacitance of the capacitor C3 is too large, the signal level will be greatly attenuated.
このため、コンデンサCは発振条件を満足し、かつ減衰
の度合が少ない範囲でその容量が選択される。Therefore, the capacitance of the capacitor C is selected within a range that satisfies the oscillation conditions and has a small degree of attenuation.
増幅回路部Cは増幅用の第2のトランジスタQ2とバイ
パスコンデンサC6、マイクロストリップ線路L2、コ
ンデンサC1〜C8、抵抗などから構成されている。The amplifier circuit section C is composed of a second amplifying transistor Q2, a bypass capacitor C6, a microstrip line L2, capacitors C1 to C8, resistors, and the like.
増幅回路部Cは、共振回路部aおよび負性抵抗回路部す
によって発生した所期の周波数を増幅するもので、第2
のトランジスタQ2のコレクタ側から延びる端子Pより
所定発振信号を導出する。The amplifying circuit section C amplifies the desired frequency generated by the resonant circuit section a and the negative resistance circuit section A.
A predetermined oscillation signal is derived from a terminal P extending from the collector side of the transistor Q2.
特に増幅回路部Cの増幅用の第2のトランジスタQ2の
ベースはバイパスコンデンサC6を介して接地され、か
つ増幅用の第2のトランジスタQ2のエミフタが負性抵
抗回路部すの発振用の第1のトランジスタQ1のコレク
タに接地されている。In particular, the base of the second transistor Q2 for amplification in the amplification circuit section C is grounded via the bypass capacitor C6, and the emitter of the second transistor Q2 for amplification is the first transistor for oscillation of the negative resistance circuit section C. The collector of transistor Q1 is grounded.
すなわち、第1のトランジスタQ、と第2のトランジス
タQ2とが縦続接続している。That is, the first transistor Q and the second transistor Q2 are connected in cascade.
これにより、端子Pに接続した負荷のインピーダンス成
分Zが変動しても第2のトランジスタQZのベースがバ
イパスコンデンサC4によって接地されているので、第
2のトランジスタQ2のエミッタ側のインピーダンスは
低くなり、高周波的には負荷のインピーダンス成分Zが
遮断された状態となる。As a result, even if the impedance component Z of the load connected to the terminal P fluctuates, the base of the second transistor QZ is grounded by the bypass capacitor C4, so the impedance on the emitter side of the second transistor Q2 becomes low. In terms of high frequency, the impedance component Z of the load is cut off.
すなわち、負荷インピーダンス成分Zの変動が負性抵抗
回路部すから増幅回路部Cを見た時の入力インピーダン
スZinへの影響はほとんど皆無となる。That is, since the variation in the load impedance component Z has almost no effect on the input impedance Zin when looking at the amplifier circuit section C, since the variation in the load impedance component Z is caused by the negative resistance circuit section.
したがって、いかなる負荷を端子Pに接続したとしても
、共振回路部aおよび負性抵抗回路部すで決定された所
期の発振周波数の変動が起こらない安定した発進が達成
される高周波発振回路となる。Therefore, no matter what kind of load is connected to the terminal P, the high-frequency oscillation circuit becomes a high-frequency oscillation circuit in which stable start is achieved without fluctuations in the desired oscillation frequency determined by the resonant circuit section a and the negative resistance circuit section. .
また、第1のトランジスタQ1と第2のトランジスタQ
2とが縦続接続し、第1のトランジスタQ、のエミッタ
側の抵抗rのみが電流バイアスとなるので、消費電流の
低減化が可能となる。In addition, the first transistor Q1 and the second transistor Q
2 are connected in cascade, and only the resistor r on the emitter side of the first transistor Q serves as a current bias, making it possible to reduce current consumption.
また、この縦続接続により、負性抵抗回路部すと増幅回
路部Cとの回路が簡素化し、回路パターン設計の自由度
が向上する。Moreover, this cascade connection simplifies the circuit between the negative resistance circuit section and the amplifier circuit section C, and improves the degree of freedom in circuit pattern design.
なお、上述の共振回路部aの共振体Rとして、このまし
くは、点線で囲んだように、極小化されたマイクロスト
リップ線路1と、そのマイクロストリップ線路1の一端
に並列的に接続された付加容量成分CXとを組み合わせ
た回路を使用してもよい。この共振体Rを用いることに
より、共振体R自身の大きさを、誘電体同軸共振器や通
常のマイクロストリップ線路を用いたものに比較して極
めて小型化でき、これにより、高周波発振回路全体を小
型化できる。In addition, as the resonator R of the above-mentioned resonant circuit part a, preferably, as surrounded by a dotted line, a miniaturized microstrip line 1 and a microstrip line 1 connected in parallel to one end of the microstrip line 1 are used. A circuit combining the additional capacitance component CX may also be used. By using this resonator R, the size of the resonator R itself can be made extremely small compared to those using a dielectric coaxial resonator or a normal microstrip line. Can be made smaller.
「発明の効果」
以上のように、本発明では、共振回路部と負性抵抗回路
部との発振部に、増幅回路部を、該負性抵抗回路部のト
ランジスタと増幅回路部のトランジスタとを縦続接続す
るように構成し、かつ増幅回路部のトランジスタをベー
ス接地させたため、負荷のインピーダンス成分の変動に
対しても安定的に発振が可能な高周波発振回路となる。"Effects of the Invention" As described above, in the present invention, an amplifier circuit section is provided in the oscillation section of the resonant circuit section and the negative resistance circuit section, and a transistor of the negative resistance circuit section and a transistor of the amplifier circuit section are provided. Since they are configured to be connected in cascade and the transistors in the amplifier circuit section are grounded to the base, the high frequency oscillation circuit can stably oscillate even in response to fluctuations in the impedance component of the load.
また、回路の簡素化、設計の自由度が向上し、小型化、
安価な高周波発振回路となる。It also simplifies the circuit, increases design freedom, reduces size,
It becomes an inexpensive high frequency oscillation circuit.
第1図は本発明の高周波発振回路の回路図、第2図は従
来の発振回路の回路図である。
1・・・マイクロストリップ線路
Ql・・・第1のトランジスタ
Q2・・・第2のトランジスタ
C5〜C7・・・コンデンサ
CX・・・付加容量
a・・・共振回路部
b・・・資性抵抗回路部
C・・・増幅回路部
出願人 京 セ ラ 株式会社FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency oscillation circuit of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional oscillation circuit. 1...Microstrip line Ql...First transistor Q2...Second transistor C5 to C7...Capacitor CX...Additional capacitance a...Resonant circuit part b...Natural resistance Circuit part C... Amplifier circuit part Applicant: Kyocera Corporation
Claims (1)
に発振条件を整える第1のトランジスタを有する負性抵
抗回路部と、該負性抵抗回路部の発振出力を増幅するた
めの第2のトランジスタを有する増幅回路部とからなる
高周波発振回路において、前記増幅回路部の第2のトラ
ンジスタと負性抵抗回路部の第1のトランジスタとを継
続接続するとともに、第2のトランジスタのベース側を
コンデンサを介して接地したことを特徴とする高周波発
振回路。(1) A resonant circuit section having a resonator, a negative resistance circuit section having a first transistor that adjusts oscillation conditions together with the resonant circuit, and a second transistor for amplifying the oscillation output of the negative resistance circuit section. In a high frequency oscillation circuit consisting of an amplifier circuit section having a transistor, the second transistor of the amplifier circuit section and the first transistor of the negative resistance circuit section are continuously connected, and the base side of the second transistor is connected to a capacitor. A high-frequency oscillation circuit characterized by being grounded through.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25594190A JPH04133507A (en) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | High-frequency oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25594190A JPH04133507A (en) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | High-frequency oscillation circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04133507A true JPH04133507A (en) | 1992-05-07 |
Family
ID=17285703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25594190A Pending JPH04133507A (en) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | High-frequency oscillation circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04133507A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224632A (en) * | 1992-11-26 | 1994-08-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Voltage-controlled oscillating circuit |
EP1175001A2 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Oscillator with constant output level over oscillation frequency range |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25594190A patent/JPH04133507A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224632A (en) * | 1992-11-26 | 1994-08-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Voltage-controlled oscillating circuit |
EP1175001A2 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Oscillator with constant output level over oscillation frequency range |
EP1175001A3 (en) * | 2000-07-11 | 2003-12-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Oscillator with constant output level over oscillation frequency range |
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