JPH04127868A - High pressure gate driver - Google Patents

High pressure gate driver

Info

Publication number
JPH04127868A
JPH04127868A JP24748190A JP24748190A JPH04127868A JP H04127868 A JPH04127868 A JP H04127868A JP 24748190 A JP24748190 A JP 24748190A JP 24748190 A JP24748190 A JP 24748190A JP H04127868 A JPH04127868 A JP H04127868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
pulse
power supply
capacitor
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24748190A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akiyoshi Hayashi
林 昭佳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP24748190A priority Critical patent/JPH04127868A/en
Publication of JPH04127868A publication Critical patent/JPH04127868A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To enhance power supply and to prevent fatal failure such as breakdown of main circuit component by employing a dual power supply for a pulse amplifier thereby preventing short circuit fault, occurring when a capacitor in any one power supply is generating gate pulses, from affecting on the gate pulse. CONSTITUTION:Since reverse bias must be applied on the gate of a gate turn OFF thyristor 36 within a short time, the time interval T after provision of an operational command P before rising of an OFF pulse J is set by a smoothing capacitor of about 22muF arranged at the output of a smoothing circuit. On the other hand, since an inverter circuit is operating with high frequency of about 30kHz, ripple current of the smoothing capacitor is high and severe operating conditions are imposed on a capacitor having low capacitance to easily cause self-heating of the capacitor. When a dual power supply system is employed, gate current of the gate turn OFF thyristor 36 is not affected by self-heating phenomenon.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高圧ゲート駆動装置に係り、特に、オンパルス
およびオフパルスを発生するパルスアンプの電源を二重
系にして強化し、電源の瞬断に起因するゲートパルスの
乱れをなくして、安定性の向上を図った高圧ゲート駆動
装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a high-voltage gate drive device, and in particular, it strengthens the power supply of a pulse amplifier that generates on-pulses and off-pulses by using a dual system to prevent momentary power interruptions. The present invention relates to a high-voltage gate drive device that improves stability by eliminating disturbances in gate pulses caused by such disturbances.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のゲート駆動装置は、特開昭59−72977号公
報に記載のように、中途半端なゲートパルスを防止し、
主回路素子(ゲートターンオフサイリスタ)の破壊を防
ぐ方式ではない。
Conventional gate driving devices prevent half-finished gate pulses, as described in Japanese Patent Application Laid-open No. 59-72977,
It is not a method to prevent destruction of the main circuit element (gate turn-off thyristor).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の高圧ゲート駆動装置は、光インターフェースの出
力パルスを増幅してオンパルスとオフパルスを発生する
パルスアンプの電源が、フィルタコンデンサの瞬時短絡
故障によって短絡されたとき、不完全なゲートパルスを
発生し、その結果、主回路素子が破壊する原因となるな
ど安全性が不足していた。
Conventional high-voltage gate drive devices generate incomplete gate pulses when the power supply of the pulse amplifier, which amplifies the output pulse of the optical interface and generates on and off pulses, is short-circuited due to an instantaneous short-circuit failure of the filter capacitor. As a result, there was a lack of safety such as damage to the main circuit elements.

本発明の目的は、従来技術の不安定要因である電源を強
化し、安定性の向上を図り、主回路素子の破壊という致
命的な故障に発展することを防いだ高圧ゲート駆動装置
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a high-voltage gate drive device that strengthens the power supply, which is a factor of instability in the conventional technology, improves stability, and prevents fatal failures such as destruction of main circuit elements. There is a particular thing.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するために、本発明はオンパルスとオフ
パルスを発生するパルスアンプの電源を二重系とし、い
ずれかの電源のコンデンサがゲートパルス発生中に短絡
故障をおこしてもゲートパルスへの影響がないようにし
たものである。
In order to achieve the above object, the present invention employs a dual power supply system for the pulse amplifier that generates on-pulses and off-pulses, so that even if the capacitor of either power supply short-circuits during gate pulse generation, there is no effect on the gate pulse. This is to ensure that there are no errors.

〔作用〕[Effect]

パルスアンプの電源として、同一定格の整流回路出力を
高速ダイオードで突き合わせ、この出力を定電圧素子に
供給する回路方式とすれば、いずれか片方の整流回路が
瞬時、または、連続的に電圧低下現象をおこしても定電
圧素子への供給は正常のままであるため、ゲートパルス
が乱れることはなく、安定性が一段と向上する。この場
合、二重系の各整流出力を動作状態でチエツクする検出
回路を設け、いずれか片方が連続的に出力低下のままと
なったときは、これを検出して表示すれば、システムダ
ウンを防ぐことができる。
As a power supply for a pulse amplifier, if a circuit system is used in which the outputs of rectifier circuits with the same rating are matched using high-speed diodes and this output is supplied to a constant voltage element, either one of the rectifier circuits will cause a voltage drop phenomenon instantaneously or continuously. Even if this occurs, the supply to the constant voltage element remains normal, so the gate pulse is not disturbed and stability is further improved. In this case, a detection circuit is installed to check each rectified output of the duplex system in the operating state, and if one of the outputs continues to decrease, this can be detected and displayed to prevent system down. It can be prevented.

〔実施例〕〔Example〕

以下1本発明の一実施例を第1図、第2図により説明す
る。本発明の高圧ゲート駆動装置は第1図に示すように
、LEDとPiNホトダイオードによる高圧絶縁タイプ
の光インターフェース1゜運転指令Pを受けて始動し、
ゲート信号AとBを発生するインバータゲート回路2、
ゲート信号Aと位相が180度異4るゲート信号Bによ
って動作するNチャンネルMO8−FET3と4 、 
MOS−FET3と4により交互に電源+Vから低圧側
巻線5aと5bに励磁電流が流れ、高圧側巻線5cm5
d、5e−5f、5g、5hに各々電圧を発生する高圧
絶縁トランス5.高圧側巻線5C−5d、5e  5f
、5g、5hの各交流出力電圧を整流する整流回路6〜
9.整流された直流電圧のリップルを吸収して平滑化す
るためのコンデンサ10〜15.二重系の電源を突き合
わせてOR出出力上Hを発生するためのダイオード18
〜21、整流電圧を安定化し、+ V 1を発生する定
電圧素子22と−V1を発生する定電圧素子23゜+V
1と−V1の電源インピーダンスを低くするためのコン
デンサ16と17.+VzとNo間に接続され、PWM
信号信号対応してオフパルスJを発生するオフパルスア
ンプ24.  VlとNo間に接続され、PWM信号信
号対応してオンパルスKを発生するオンパルスアンプ2
5.二重系の整流回路出力CとEの電圧をチエツクし、
信号Xを出力する抵抗器26と27.整流回路出力りと
Fの電圧をチエツクし、信号Yを出力する抵抗器28と
29、信号又と基準電圧+VSを比較し、異常発生時に
は信号LEDIを出力する比較器31.信号Yと基準電
圧−Vsを比較し、異常発生時には信号LEDzを出力
する比較器32.信号LEDz。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. As shown in FIG. 1, the high-voltage gate driving device of the present invention starts upon receiving a 1° operation command P from a high-voltage insulation type optical interface using an LED and a PiN photodiode.
an inverter gate circuit 2 that generates gate signals A and B;
N-channel MO8-FETs 3 and 4 operated by gate signal B whose phase is 180 degrees different from gate signal A,
Excitation current flows alternately from the power supply +V to the low voltage side windings 5a and 5b by MOS-FETs 3 and 4, and the high voltage side winding 5cm5
d, 5e-5f, 5g, and 5h, each of which generates a voltage. 5. High voltage side winding 5C-5d, 5e 5f
, 5g, 5h rectifying circuit 6~
9. Capacitors 10 to 15 for absorbing and smoothing ripples in the rectified DC voltage. Diode 18 for generating H on the OR output by matching the dual system power supplies
~21. Constant voltage element 22 that stabilizes the rectified voltage and generates +V1 and constant voltage element 23 that generates -V1 +V
1 and -V1, capacitors 16 and 17 for lowering the power supply impedance. Connected between +Vz and No, PWM
An off-pulse amplifier 24 that generates an off-pulse J in response to the signal signal. On-pulse amplifier 2 that is connected between Vl and No and generates on-pulse K in response to the PWM signal signal.
5. Check the voltage of the dual rectifier circuit outputs C and E,
Resistors 26 and 27 that output signal X. Resistors 28 and 29 which check the voltage of the rectifier circuit output and F and output a signal Y, and a comparator 31 which compares the signal and the reference voltage +VS and outputs a signal LEDI when an abnormality occurs. A comparator 32 that compares the signal Y with the reference voltage -Vs and outputs a signal LEDz when an abnormality occurs. Signal LEDz.

LEDz受けて、LEDを点灯させるLED表示器33
.オンパルスKが“L”レベルのときオンし、抵抗器3
0をとおしてゲート電流ixを流して、ゲートターンオ
フサイリスタ36をオンさせるPチャンネルMO5−F
ET35およびオフパルスJが“H”レベルのときオン
し、ゲート電流12を流して、ゲートターンオフサイリ
スタ36をオフさせるNチャンネルMO8−FET34
によって構成されている。
LED indicator 33 that receives LEDz and lights up the LED
.. It turns on when the on-pulse K is at “L” level, and resistor 3
0 through which the gate current ix flows to turn on the gate turn-off thyristor 36.
N-channel MO8-FET34 that turns on when ET35 and off pulse J are at "H" level, causes gate current 12 to flow, and turns off gate turn-off thyristor 36.
It is made up of.

本装置の動作について、第2図を引用して説明する。第
2図のtoにおいて、運転指令Pがn L ttレベル
から“H”レベルに立上ると一定時間後のtlにおいて
、インバータゲート回路2が動作開始して、ゲート信号
Aとゲート信号Bが発生し、このゲート信号A、Bによ
ってNチャンネルMO5−FET3と4が交互にオン−
オフし、+Vから高圧絶縁トランス5の一次巻線5aお
よび5bに励磁電流が流れるため、巻線5cm5d、5
e−5f、5g、5hにそれぞれ矩形波交流電圧が発生
する。この各巻線の矩形波交流電圧は整流回路6〜9に
よって整流され、直流電圧CとEおよびDとFにより、
tzにおいて規定値に到達する。
The operation of this device will be explained with reference to FIG. At to in FIG. 2, when the operation command P rises from n L tt level to "H" level, at tl after a certain period of time, the inverter gate circuit 2 starts operating and gate signal A and gate signal B are generated. Then, N-channel MO5-FETs 3 and 4 are turned on alternately by these gate signals A and B.
OFF, and the exciting current flows from +V to the primary windings 5a and 5b of the high voltage isolation transformer 5, so that the windings 5cm5d, 5cm
Rectangular wave AC voltages are generated at e-5f, 5g, and 5h, respectively. This rectangular wave AC voltage of each winding is rectified by rectifier circuits 6 to 9, and DC voltages C and E, D and F,
The specified value is reached at tz.

同様に、OR出出力上Hも規定値に到達し、定電圧素子
22と23に電源を供給するため、tzにおいて+■1
と−V五が規定値となる。運転指令Pが入力されてか+
Vzと−v1が規定値となるまでの時間Tは約80m5
である。t3において。
Similarly, H on the OR output reaches the specified value, and in order to supply power to constant voltage elements 22 and 23, +■1 at tz
and -V5 are the specified values. Is operation command P input?
The time T until Vz and -v1 reach the specified values is approximately 80m5
It is. At t3.

PWM信号が光インターフェースlを介してPWM信号
信号対り、オフパルスアンプ24とオンパルスアンプ2
5に入力され、′L”レベルからrtH”レベルに変化
するとオフパルスJがgtH”から“L”となり、Nチ
ャンネルMO8−FET34をオフさせてゲート電流i
sをしゃ断し、同時にオンパルスKが“H”から“L”
となって、PチャンネルMO5−FET35をオンさせ
、ゲート電流主1を流してゲートターンオフサイリスタ
36をオンさせるので、主回路電流Mが流れる。
The PWM signal is transmitted via the optical interface l to the off-pulse amplifier 24 and the on-pulse amplifier 2.
5 and changes from 'L' level to rtH' level, the off pulse J changes from 'gtH' to 'L', turning off the N-channel MO8-FET34 and reducing the gate current i.
s is cut off, and at the same time, the on-pulse K changes from “H” to “L”
As a result, the P-channel MO5-FET 35 is turned on, the main gate current 1 is caused to flow, and the gate turn-off thyristor 36 is turned on, so that the main circuit current M flows.

t4において、PWM信号信号対H”から“L”に変化
すると、ゲート電流11がしゃ断され、ゲート電流12
が流れることによって、ゲートターンオフサイリスタ3
6がオフし、主回路電流Mがしゃ断される、以後、同様
にしてPWM信号信号対応した主回路電流Mが流れ、負
荷に電力を供給する。主回路電流Mが流れ始めたt6に
おいて、コンデンサ11、または、コンデンサ13のい
ずれか片方に瞬時短絡の故障が発生し、整流回路出力D
、または、Fが瞬時低下してもOR出力Hには異常がな
いため、ゲート電流j1は正常な状態を継続できる。t
6〜t8において、信号Yと−Vsの電位関係が逆転す
るため、比較器32が信号LEDzを出力し、LED表
示器33が点灯する。コンデンサの短絡故障は、コンデ
ンサが接続された回路インピーダンスが低い場合、セル
フヒーリングによって機能を回復し、正常な状態に復帰
するので、LED表示器33も消灯する。t7において
、整流回路6、または、7のいずれかが故障し、整流回
路出力C1または、Eのいずれかが無電圧となっても、
OR出力Gには異常がないため、オフパルスJは正常で
あり、ゲート電流12も全く影響を受けない、t7以後
、整流回路出力の異常が継続すれば、信号Xと+Vsの
電位関係は正常時に対して逆転するため、比較器31が
信号LEDIを出力し、LED表示器33が点灯したま
まとなるので、故障の発見は容易である。
At t4, when the PWM signal pair changes from "H" to "L", the gate current 11 is cut off and the gate current 12
By flowing, the gate turn-off thyristor 3
6 is turned off and the main circuit current M is cut off. Thereafter, the main circuit current M corresponding to the PWM signal flows in the same manner, supplying power to the load. At t6 when the main circuit current M begins to flow, an instantaneous short circuit failure occurs in either capacitor 11 or capacitor 13, and the rectifier circuit output D
Or, even if F drops instantaneously, there is no abnormality in the OR output H, so the gate current j1 can continue to be in a normal state. t
6 to t8, the potential relationship between the signals Y and -Vs is reversed, so the comparator 32 outputs the signal LEDz, and the LED indicator 33 lights up. When a short-circuit failure occurs in a capacitor, when the circuit impedance to which the capacitor is connected is low, the function is restored by self-healing and the normal state is restored, so that the LED indicator 33 also turns off. At t7, even if either the rectifier circuit 6 or 7 fails and either the rectifier circuit output C1 or E becomes non-voltage,
Since there is no abnormality in the OR output G, the off pulse J is normal and the gate current 12 is not affected at all.If the abnormality in the rectifier circuit output continues after t7, the potential relationship between the signal X and +Vs will be normal. On the other hand, since the comparator 31 outputs the signal LEDI and the LED indicator 33 remains lit, it is easy to discover a failure.

t6において、PWM信号が休止状態になると、オフパ
ルスJが出力状態を保ち、ゲートターンオフサイリスタ
36のゲートは逆バイアスされた状態を保ち誤動作する
ことを防止する。
At t6, when the PWM signal becomes inactive, the off pulse J maintains its output state, and the gate of the gate turn-off thyristor 36 maintains a reverse biased state to prevent malfunction.

運転指令Pが入力されてからオフパルスJが立上るまで
の時間Tは、誤動作による主回路素子のブレークダウン
を防止する目的で、ゲートターンオフサイリスタ36の
ゲートに対し、短時間内に逆バイアスをかける必要があ
るため、整流回路出力の平滑コンデンサの静電容量値は
22μF程度としている。一方、インバータ回路は約3
0KHzの高周波で動作しているため、動作状態におけ
る平滑コンデンサのリップル電流が大きく、静電容量値
の小さいコンデンサにとっては過酷な使用条件となり、
コンデンサのセルフヒーリング現象がおきやすい状態で
使用することになるが、本発明の二重系方式とすれば、
仮にセルフヒーリング現象がおきても、ゲートターンオ
フサイリスタ36のゲート電流は影響を受けないので、
中途半端なゲートパルスによるターンオン→ターンオフ
による破壊モードを防ぐことができる利点がある。
During the time T from when the operation command P is input until the off-pulse J rises, the gate of the gate turn-off thyristor 36 is reverse biased within a short period of time in order to prevent breakdown of the main circuit elements due to malfunction. Since this is necessary, the capacitance value of the smoothing capacitor output from the rectifier circuit is set to about 22 μF. On the other hand, the inverter circuit is approximately 3
Because it operates at a high frequency of 0KHz, the ripple current of the smoothing capacitor is large in the operating state, creating harsh operating conditions for capacitors with small capacitance values.
The capacitor is used in a state where self-healing phenomenon is likely to occur, but if the dual system method of the present invention is used,
Even if a self-healing phenomenon occurs, the gate current of the gate turn-off thyristor 36 will not be affected.
This has the advantage of being able to prevent a destructive mode caused by turn-on→turn-off caused by a half-finished gate pulse.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、起動時の機能をそこなうことなく、ゲ
ートパルスの乱れを防止することによって、主回路素子
の破壊を防ぐことができる。
According to the present invention, destruction of main circuit elements can be prevented by preventing disturbance of gate pulses without impairing functions during startup.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本発
明の動作状態をしめすタイミングチャートである。 1・・・光インターフェース、2・・・インバータゲー
ト回路、3〜4・・・NチャンネルMO8−FET、5
・・・高圧絶縁トランス、5a〜5h・・・巻線、6〜
9・・・整流回路、10〜17・・・コンデンサ、18
〜21・・・ダイオード、22〜23・・・定電圧素子
、24・・・オフパルスアンプ、25・・・オンパルス
アンプ、26〜30・・・抵抗器、31〜32・・・比
較器、33・・・LED表示器、34・・・Nチャンネ
ルMO8−FET、35・・・PチャンネルMO8−F
ET、36・・・ゲートターンオフサイリスタ。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a timing chart showing the operating state of the present invention. 1... Optical interface, 2... Inverter gate circuit, 3-4... N-channel MO8-FET, 5
...High voltage isolation transformer, 5a~5h...Winding, 6~
9... Rectifier circuit, 10-17... Capacitor, 18
~ 21... Diode, 22-23... Constant voltage element, 24... Off-pulse amplifier, 25... On-pulse amplifier, 26-30... Resistor, 31-32... Comparator , 33... LED indicator, 34... N channel MO8-FET, 35... P channel MO8-F
ET, 36...Gate turn-off thyristor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、高圧絶縁トランスを駆動する低圧インバータ回路、
前記高圧絶縁トランスの三組の巻線が出力する矩形波交
流電圧を各々直流電圧に整流する三組の整流回路とリッ
プルを吸収する平滑用コンデンサ、ゲート信号を安定化
させるための定電圧素子、ゲート論理部からのPWM信
号を受信し、光素子によつて高絶縁した光インターフェ
ース、前記光インターフェースの出力信号を増幅してオ
ンパルスとオフパルスを発生するパルスアンプおよび前
記パルスアンプの出力によつて駆動されるパワーMOS
FETによつて構成される高圧ゲート駆動装置において
、 前記パルスアンプ用電源を二重系とすることによつて前
記平滑用コンデンサの瞬時短絡に対して不完全ゲートパ
ルスの発生をなくし、主回路素子の破壊を防止するよう
にしたことを特徴とする高圧ゲート駆動装置。
[Claims] 1. A low voltage inverter circuit that drives a high voltage isolation transformer;
three sets of rectifier circuits that rectify the rectangular wave alternating current voltages output by the three sets of windings of the high voltage isolation transformer into direct current voltages, a smoothing capacitor that absorbs ripples, and a constant voltage element that stabilizes the gate signal; An optical interface that receives a PWM signal from a gate logic section and is highly insulated by an optical element, a pulse amplifier that amplifies the output signal of the optical interface to generate on-pulses and off-pulses, and is driven by the output of the pulse amplifier. Power MOS
In a high-voltage gate drive device constituted by FET, by making the power supply for the pulse amplifier a dual system, generation of an incomplete gate pulse due to an instantaneous short circuit of the smoothing capacitor is eliminated, and the main circuit element A high-voltage gate drive device characterized in that it prevents destruction of the gate.
JP24748190A 1990-09-19 1990-09-19 High pressure gate driver Pending JPH04127868A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24748190A JPH04127868A (en) 1990-09-19 1990-09-19 High pressure gate driver

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24748190A JPH04127868A (en) 1990-09-19 1990-09-19 High pressure gate driver

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04127868A true JPH04127868A (en) 1992-04-28

Family

ID=17164104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24748190A Pending JPH04127868A (en) 1990-09-19 1990-09-19 High pressure gate driver

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04127868A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4679675B1 (en) * 2010-02-25 2011-04-27 三菱電機株式会社 Power converter
CN108448884A (en) * 2018-04-04 2018-08-24 南京航空航天大学 Two kinds of failure fault-tolerance approaches of dual input DC-AC converters

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4679675B1 (en) * 2010-02-25 2011-04-27 三菱電機株式会社 Power converter
WO2011104848A1 (en) * 2010-02-25 2011-09-01 三菱電機株式会社 Power conversion device
US8988909B2 (en) 2010-02-25 2015-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
CN108448884A (en) * 2018-04-04 2018-08-24 南京航空航天大学 Two kinds of failure fault-tolerance approaches of dual input DC-AC converters

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9442157B2 (en) Controller capable of detecting input power and generating a protection signal
US20070170900A1 (en) Power supply device
US5452197A (en) Static DC to AC power converter including separate high and low power converters
KR20170118068A (en) Semiconductor device for power control
US20230253871A1 (en) Integrated circuit and power supply circuit
JP5213457B2 (en) Grid connection power conditioner
US5724235A (en) Overcurrent protecting device for use in DC--DC converter
JP4888226B2 (en) Matrix converter
JPH04127868A (en) High pressure gate driver
JP2017118758A (en) Switching element drive power supply circuit
JPH09298875A (en) Power supply for industrial robot controller
JPWO2018079299A1 (en) Power converter
JP4479918B2 (en) Discharge lamp lighting device
US11025158B2 (en) Power supply apparatus capable to extend hold-up time length of output voltage
CA2198096C (en) A self-excited oscillator type switch power supply with overcurrent protection
KR100198535B1 (en) Power switching device
JPH0898552A (en) Power supply device
KR200156380Y1 (en) Overload protection circuit for power supply
JPH0213548B2 (en)
JP2734208B2 (en) Current source inverter
KR870003189Y1 (en) Power circuit
JP2021168546A (en) Oscillation detection circuit
JP2001268935A (en) Drive circuit of air conditioner
JPH0263068A (en) Power source device for picture recorder
SU1647826A1 (en) Inverter