JP2021168546A - Oscillation detection circuit - Google Patents

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Abstract

To provide an oscillation detection circuit for detecting an output oscillation which is generated when a charge pump circuit has a failure.SOLUTION: An oscillation detection circuit 1 comprises: a detection signal generation unit 31 for generating a detection signal (Vmonitor) which is switched to Hi or Lo with respect to a predetermined threshold (Vth) synchronously with an oscillation cycle of a voltage signal (Vout) which appears at an output terminal 4 of a charge pump circuit 2 which boosts a voltage; and a failure detection unit 10 for detecting a failure of the charge pump circuit 2 on the basis of the detection signal. The failure detection unit 10 includes: an input section which recognizes the detection signal at a predetermined interval at an input terminal 7; and a determination section which determines a failure on the basis of the behavior, of switching to Hi or Lo, of the detection signal recognized by the input section.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、チャージポンプ回路の出力発振を検出する発振検出回路に関する。 The present invention relates to an oscillation detection circuit that detects the output oscillation of a charge pump circuit.

従来、入力電圧を昇圧して出力するチャージポンプ回路の故障を検出する装置が知られている。 Conventionally, a device for detecting a failure of a charge pump circuit that boosts an input voltage and outputs it has been known.

例えば特許文献１に開示された電圧検出装置では、チャージポンプ回路は、電圧検出回路に至る経路に介在するスイッチング素子をオン駆動する昇圧電圧を生成する。故障検出部は、電圧検出回路から出力される二つの検出値に基づいて、チャージポンプ回路の故障を検出する。 For example, in the voltage detection device disclosed in Patent Document 1, the charge pump circuit generates a boosted voltage that turns on a switching element that is interposed in the path leading to the voltage detection circuit. The failure detection unit detects the failure of the charge pump circuit based on the two detection values output from the voltage detection circuit.

特開２０１８―０７２２３４号公報JP-A-2018-072234

特許文献１の電圧検出装置では、チャージポンプ回路の出力端子において、発振時の現象について何も考えられていなかったため、故障を容易に検出することができなかった。 In the voltage detection device of Patent Document 1, since nothing was considered about the phenomenon at the time of oscillation at the output terminal of the charge pump circuit, it was not possible to easily detect the failure.

本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、チャージポンプ回路が故障したときに発生する出力発振を検出する発振検出回路を提供することにある。 The present invention has been created in view of these points, and an object of the present invention is to provide an oscillation detection circuit that detects an output oscillation that occurs when a charge pump circuit fails.

本発明に係る発振検出回路（１、４０、５０、６０）は、検出信号生成部（３１、３２、３３、３４）と、故障検出部（１０）とを備える。検出信号生成部は、電圧を昇圧するチャージポンプ回路（２）の出力端子４に現れる電圧信号（Ｖｏｕｔ）の発振周期に同期して所定の閾値に対するＨｉまたはＬｏに切替わる検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）を生成する。故障検出部は、検出信号に基づきチャージポンプ回路の故障を検出する。 The oscillation detection circuit (1, 40, 50, 60) according to the present invention includes a detection signal generation unit (31, 32, 33, 34) and a failure detection unit (10). The detection signal generator generates a detection signal (Vmotor) that switches to Hi or Lo with respect to a predetermined threshold value in synchronization with the oscillation cycle of the voltage signal (Vout) appearing at the output terminal 4 of the charge pump circuit (2) that boosts the voltage. Generate. The failure detection unit detects a failure in the charge pump circuit based on the detection signal.

故障検出部は、入力部（１２）と、判定部（１３）とを有する。入力部は、検出信号を所定の時間間隔で認識する。判定部は、入力部の認識した検出信号がＨｉまたはＬｏに切替わる挙動に基づき故障を判定する。 The failure detection unit has an input unit (12) and a determination unit (13). The input unit recognizes the detection signal at predetermined time intervals. The determination unit determines a failure based on the behavior of switching the detection signal recognized by the input unit to Hi or Lo.

チャージポンプ回路の出力端子において発振が発生しているときには、電圧が安定せずに波打つこととなる。所定の閾値を設けてＨｉまたはＬｏに切替えることで、検出信号生成部からの検出信号がパルス信号となる。入力部が所定の時間間隔で検出信号を認識することで、判定部は発振に起因する挙動を検出することとなり、故障検出部が故障の判定を行うことができる。つまり、この発振検出回路は、チャージポンプ回路が故障をしたときに発生する出力発振を検出することができる。 When oscillation is occurring at the output terminal of the charge pump circuit, the voltage is not stable and undulates. By setting a predetermined threshold value and switching to Hi or Lo, the detection signal from the detection signal generation unit becomes a pulse signal. When the input unit recognizes the detection signal at a predetermined time interval, the determination unit detects the behavior caused by the oscillation, and the failure detection unit can determine the failure. That is, this oscillation detection circuit can detect the output oscillation that occurs when the charge pump circuit fails.

本発明の各実施形態の発振検出回路の使用例を示す図。The figure which shows the use example of the oscillation detection circuit of each embodiment of this invention. 第１実施形態の発振検出回路を示す図。The figure which shows the oscillation detection circuit of 1st Embodiment. 図２の故障検出部のブロック図。The block diagram of the failure detection part of FIG. 同チャージポンプ回路の発振検出回路において検出される電圧波形の図（（ａ）チャージポンプ回路の出力端子で発振を起こしていない時の電圧波形を示す図、（ｂ）チャージポンプ回路の出力端子で発振を起こしている場合の検出される電圧波形を示す図）。Diagram of voltage waveform detected in the oscillation detection circuit of the charge pump circuit ((a) Diagram showing the voltage waveform when oscillation is not occurring at the output terminal of the charge pump circuit, (b) Diagram of the output terminal of the charge pump circuit The figure which shows the detected voltage waveform when oscillation occurs). 第２実施形態の発振検出回路を示す図。The figure which shows the oscillation detection circuit of 2nd Embodiment. 第３実施形態の発振検出回路を示す図。The figure which shows the oscillation detection circuit of 3rd Embodiment. 第４実施形態の発振検出回路を示す図。The figure which shows the oscillation detection circuit of 4th Embodiment.

以下、本発明の発振検出回路の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。 Hereinafter, a plurality of embodiments of the oscillation detection circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. In each embodiment, substantially the same configuration is designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

（第１実施形態）
図１〜図３を参照し、第１実施形態について説明する。第１実施形態では、一様態として、電池監視ＩＣ内に備えられたチャージポンプ回路における発振検出回路１について説明をする。 (First Embodiment)
The first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. In the first embodiment, the oscillation detection circuit 1 in the charge pump circuit provided in the battery monitoring IC will be described as a uniform state.

図１に示す電池監視ＩＣ１００において、チャージポンプ回路２で昇圧した電圧は、スパイクノイズを吸収し、駆動回路１０２に供給されて、スイッチ１０３、１０４を駆動するものである。駆動回路１０２は、制御装置１０５の信号を受けてスイッチ１０３、１０４を駆動させる。電圧検出回路１０６は、スイッチ１０３、１０４が切り替わった状態におけるバッテリー１０７の電圧を検出する。なお、必須の要件ではないが、第１実施形態のバッテリー１０７は複数のセルを有するものである。 In the battery monitoring IC 100 shown in FIG. 1, the voltage boosted by the charge pump circuit 2 absorbs spike noise and is supplied to the drive circuit 102 to drive the switches 103 and 104. The drive circuit 102 receives a signal from the control device 105 to drive the switches 103 and 104. The voltage detection circuit 106 detects the voltage of the battery 107 when the switches 103 and 104 are switched. Although not an essential requirement, the battery 107 of the first embodiment has a plurality of cells.

通常、リレーやＤＣモータ等の負荷を駆動する電源としてバッテリー１０７を使うことが多いが、液晶のバックライトの駆動等、さらに高い電圧を必要とする場合には、チャージポンプ回路２で昇圧した電圧をバッテリー１０７の電圧に加えて使用することが有効である。 Normally, the battery 107 is often used as a power source for driving a load such as a relay or a DC motor, but when a higher voltage is required such as for driving a liquid crystal backlight, the voltage boosted by the charge pump circuit 2 is used. Is effective in addition to the voltage of the battery 107.

図２に示すように、チャージポンプ回路２の出力端子４とグランド（ＧＮＤ）間には、スパイクノイズを吸収するためのセラミックコンデンサ６と発振検出回路１が接続されている。図１、２に示すように、第１実施形態の発振検出回路１は、チャージポンプ回路２の出力電圧（Ｖｏｕｔ）に含まれる発振成分をパルス信号に変換する検出信号生成部３１と、故障の発生を検出する故障検出部１０を備えている。 As shown in FIG. 2, a ceramic capacitor 6 for absorbing spike noise and an oscillation detection circuit 1 are connected between the output terminal 4 of the charge pump circuit 2 and the ground (GND). As shown in FIGS. 1 and 2, the oscillation detection circuit 1 of the first embodiment includes a detection signal generation unit 31 that converts an oscillation component included in the output voltage (Vout) of the charge pump circuit 2 into a pulse signal, and a failure. A failure detection unit 10 for detecting the occurrence is provided.

検出信号生成部３１は、スイッチング素子を有し、チャージポンプ回路２の出力端子４の出力電圧（Ｖｏｕｔ）に基づき、検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）を生成するものである。検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）は、ＨｉまたはＬｏ信号で出力され、Ｈｉ、Ｌｏの電圧値は、故障検出部１０の動作電圧に合わせて決められる。故障検出部１０として、マイクロコンピュータやＣ−ＭｏｓロジックＩＣを用いることができる。そのため、Ｈｉの電圧値を５Ｖとし、Ｌｏの電圧値を０Ｖとすることが望ましい。 The detection signal generation unit 31 has a switching element and generates a detection signal (Vmotor) based on the output voltage (Vout) of the output terminal 4 of the charge pump circuit 2. The detection signal (Vmotor) is output as a Hi or Lo signal, and the voltage values of Hi and Lo are determined according to the operating voltage of the failure detection unit 10. As the failure detection unit 10, a microcomputer or a C-Mos logic IC can be used. Therefore, it is desirable that the voltage value of Hi is 5V and the voltage value of Lo is 0V.

図２に示すように、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴ５が用いられる。ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間には、チャージポンプ回路２の出力端子４の電圧（出力電圧（Ｖｏｕｔ））が加わる。検出信号生成部３１には、発振を検出するために所定の閾値（Ｖｔｈ）が設けられる。発振時の電圧信号の振幅は、所定の閾値（Ｖｔｈ）に対して高低変動する。発振時の電圧信号が所定の閾値（Ｖｔｈ）の上下に変化したときに、ＭＯＳＦＥＴ５をＯＮ、ＯＦＦさせるために、所定の閾値（Ｖｔｈ）は、ＭＯＳＦＥＴ５をＯＮさせるゲート・ソース間電圧に合わせる必要がある。そこで、出力端子４は、抵抗器（図２中、Ｒで示す）で分圧されて、ゲート（ゲートは図２中、Ｇで示している）に接続される。 As shown in FIG. 2, the MOSFET 5 is used as a switching element. The voltage (output voltage (Vout)) of the output terminal 4 of the charge pump circuit 2 is applied between the gate and the source of the MOSFET 5. The detection signal generation unit 31 is provided with a predetermined threshold value (Vth) for detecting oscillation. The amplitude of the voltage signal at the time of oscillation fluctuates with respect to a predetermined threshold value (Vth). In order to turn the MOSFET 5 on and off when the voltage signal at the time of oscillation changes above and below the predetermined threshold value (Vth), the predetermined threshold value (Vth) needs to be adjusted to the voltage between the gate and the source that turns on the MOSFET 5. be. Therefore, the output terminal 4 is divided by a resistor (indicated by R in FIG. 2) and connected to a gate (the gate is indicated by G in FIG. 2).

故障検出部１０は、図３に示すように、入力端子７と、タイマー１１と、入力部１２と、判定部１３とを備えている。入力部１２は、入力端子７において入力部１２は、タイマー１１が生成した信号を受けて、所定の時間間隔で検出信号生成部３１の検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）を読み込むものである。判定部１３は、入力部１２が認識した信号がＨｉまたはＬｏに繰り返し切り替わる挙動を検出して故障を判定するものである。例えば、タイマー１１が生成する所定の時間をトリガーにして、入力部１２が信号を読み込み、入力部１２が読み込んだ信号の時系列的な変化（Ｈｉ、Ｌｏ）を判定部１３が検出することができる。 As shown in FIG. 3, the failure detection unit 10 includes an input terminal 7, a timer 11, an input unit 12, and a determination unit 13. At the input terminal 7, the input unit 12 receives the signal generated by the timer 11 and reads the detection signal (Vmotor) of the detection signal generation unit 31 at predetermined time intervals. The determination unit 13 detects a behavior in which the signal recognized by the input unit 12 repeatedly switches to Hi or Lo, and determines a failure. For example, the input unit 12 reads a signal with a predetermined time generated by the timer 11 as a trigger, and the determination unit 13 detects a time-series change (Hi, Lo) of the signal read by the input unit 12. can.

なお、Ｈｉ、Ｌｏの切り替わりを読み込むために、所定の時間間隔は、チャージポンプ回路２が故障したときに生じる発振周波数に対して、２倍以上の周波数となる時間（発振の周期に対して１／２以下となる時間）に設定されることが必要である。 In order to read the switching between Hi and Lo, the predetermined time interval is a time (1 with respect to the oscillation cycle) that is more than twice the oscillation frequency generated when the charge pump circuit 2 fails. It is necessary to set it to / 2 or less).

また、ＨｉまたはＬｏに繰り返し切り替わる挙動を検出方法は、次のものでもよい。例えば、故障検出部１０が所定時間内に入力されるパルス回数に基づき故障を判定することもできる。つまり、連続してＮ回以上パルスを検出したときに故障とするものである。また、故障検出部１０が所定時間内のパルスの積分（面積）等、ノイズによる誤検出を防止する周知技術を適宜組み合わせてよい。 Further, the method for detecting the behavior of repeatedly switching to Hi or Lo may be as follows. For example, the failure detection unit 10 can determine the failure based on the number of pulses input within a predetermined time. That is, a failure occurs when pulses are detected N or more times in succession. Further, the failure detection unit 10 may appropriately combine well-known techniques for preventing erroneous detection due to noise, such as integration (area) of pulses within a predetermined time.

このような構成にすることで、以下のように故障の判定を行うことが可能となる。チャージポンプ回路２が正しく動作しているときには、図４（ａ）に示すように、出力端子４の出力電圧（Ｖｏｕｔ）は所定の閾値（Ｖｔｈ）よりも高くなるので、検出信号生成部３の検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）信号は、Ｌｏの信号（０Ｖ）が出力される。 With such a configuration, it is possible to determine the failure as follows. When the charge pump circuit 2 is operating correctly, as shown in FIG. 4A, the output voltage (Vout) of the output terminal 4 becomes higher than the predetermined threshold value (Vth), so that the detection signal generation unit 3 As the detection signal (Vunitor) signal, the Lo signal (0V) is output.

一方、チャージポンプ回路２が発振してしまった場合には、発振の影響を検知することが可能となる。図４（ｂ）に示すように、出力端子の出力電圧Ｖｏｕｔの電圧が大きく波打って現れる。すなわち、所定の閾値（Ｖｔｈ）を設定しておくことで、検出信号生成部３が発振に同期したパルス信号（Ｈｉ、Ｌｏ）を出力することができる。なお、図中Ｖｓは、検出信号生成部３の駆動電源の電圧を示し、Ｖｐは、正常に動作するチャージポンプ回路２がＶｓへ加える電圧を示す。 On the other hand, when the charge pump circuit 2 oscillates, the influence of the oscillation can be detected. As shown in FIG. 4B, the output voltage Vout of the output terminal appears to be greatly wavy. That is, by setting a predetermined threshold value (Vth), the detection signal generation unit 3 can output a pulse signal (Hi, Lo) synchronized with oscillation. In the figure, Vs indicates the voltage of the drive power source of the detection signal generation unit 3, and Vp indicates the voltage applied to Vs by the charge pump circuit 2 that operates normally.

故障検出部１０では、入力部１２が、検出信号生成部３１によって生成された検出信号を所定の時間間隔で読み込み、判定部１３で、入力部１２が読み込んだ信号がＨｉまたはＬｏに切り替わる挙動に基づき故障の判定を行うことができる。 In the failure detection unit 10, the input unit 12 reads the detection signal generated by the detection signal generation unit 31 at predetermined time intervals, and the determination unit 13 switches the signal read by the input unit 12 to Hi or Lo. The failure can be determined based on the above.

このようにして、チャージポンプ回路２が故障をしたときに発生する出力発振を検出することができる。 In this way, it is possible to detect the output oscillation that occurs when the charge pump circuit 2 fails.

（第２実施形態）
図５に示す第２実施形態のように、発振検出回路４０は、検出信号生成部３２を以下のように構成することもできる。すなわち、検出信号生成部３２は、スイッチング素子としてトランジスタ１５を備えている。トランジスタ１５のベース回路にツェナーダイオード１６を直列に接続している。チャージポンプ回路２の出力端子４の電圧がツェナーダイオード１６と抵抗器で分圧されてトランジスタ１５のベースに加わるようにしている。ツェナーダイオード１６のツェナー電圧とトランジスタ１５をＯＮさせるベース・エミッタ間電圧を加えて、所定の閾値（Ｖｔｈ）に合わせることができる。 (Second Embodiment)
As in the second embodiment shown in FIG. 5, the oscillation detection circuit 40 can also configure the detection signal generation unit 32 as follows. That is, the detection signal generation unit 32 includes a transistor 15 as a switching element. A Zener diode 16 is connected in series to the base circuit of the transistor 15. The voltage of the output terminal 4 of the charge pump circuit 2 is divided by the Zener diode 16 and the resistor so as to be applied to the base of the transistor 15. The Zener voltage of the Zener diode 16 and the base-emitter voltage for turning on the transistor 15 can be added to match a predetermined threshold value (Vth).

（第３実施形態）
図６に示す第３実施形態のように、発振検出回路５０は、検出信号生成部３３を以下のように構成することもできる。すなわち、検出信号生成部３３は、スイッチング素子の代わりに、比較演算増幅器２５を備え、所定の閾値（Ｖｔｈ）に合わせて設定した基準電圧（Ｖｒｅｆ）と比較して出力信号を出力するものである。基準電圧（Ｖｒｅｆ）は複数の抵抗器の分圧によって生成する。 (Third Embodiment)
As in the third embodiment shown in FIG. 6, the oscillation detection circuit 50 can also configure the detection signal generation unit 33 as follows. That is, the detection signal generation unit 33 includes a comparative operational amplifier 25 instead of the switching element, and outputs an output signal in comparison with a reference voltage (Vref) set according to a predetermined threshold value (Vth). .. The reference voltage (Vref) is generated by dividing the voltage of a plurality of resistors.

（第４実施形態）
図７に示す第４実施形態のように、発振検出回路６０は、検出信号生成部３４を以下のように構成することもできる。すなわち、検出信号生成部３４は、スイッチング素子４としてトランジスタ３５を備えたうえで、トランジスタ３５のベース回路にＣＲからなるハイパスフィルタ回路３６を接続する。図７において、Ｃは、カップリングコンデンサ３７であり、Ｒは、抵抗器３８である。チャージポンプ回路２の出力端子４の電圧に含まれる高周波数成分のみがトランジスタ３５のベース・エミッタ間に加わる。高周波成分がトランジスタ３５のベース・エミッタ間電圧を越えた時に、トランジスタ３５がＯＮする。これにより、チャージポンプ回路２の出力端子４の電圧が発振している場合に、検出信号生成部３は、発振に同期したパルス信号（Ｈｉ、Ｌｏ）を出力することができる。 (Fourth Embodiment)
As in the fourth embodiment shown in FIG. 7, the oscillation detection circuit 60 can also configure the detection signal generation unit 34 as follows. That is, the detection signal generation unit 34 includes the transistor 35 as the switching element 4, and then connects the high-pass filter circuit 36 made of CR to the base circuit of the transistor 35. In FIG. 7, C is the coupling capacitor 37 and R is the resistor 38. Only the high frequency component included in the voltage of the output terminal 4 of the charge pump circuit 2 is applied between the base and the emitter of the transistor 35. When the high frequency component exceeds the base-emitter voltage of the transistor 35, the transistor 35 is turned on. As a result, when the voltage of the output terminal 4 of the charge pump circuit 2 is oscillating, the detection signal generation unit 3 can output a pulse signal (Hi, Lo) synchronized with the oscillation.

なお、第３実施形態の比較演算増幅器２５を備えた検出信号生成部３３において、出力端子４との接続において、カップリングコンデンサ３７を備えてもよい。 The detection signal generation unit 33 provided with the comparative operational amplifier 25 of the third embodiment may include a coupling capacitor 37 in connection with the output terminal 4.

（その他の実施形態）
本発明における検出信号生成部は、上記実施形態に示したスイッチング素子又は比較演算増幅器に限らず、チャージポンプ回路２の出力端子４に現れる電圧信号（Ｖｏｕｔ）の発振周期に同期して検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）を生成可能な回路であればよい。検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）のＨｉまたはＬｏを識別する閾値は、使用する回路や素子の特性に応じて適宜設定される。また、二段階以上の閾値を設定し、段階的に出力発振を検出するようにしてもよい。 (Other embodiments)
The detection signal generation unit in the present invention is not limited to the switching element or the comparative operational amplifier shown in the above embodiment, and the detection signal (detection signal) is synchronized with the oscillation cycle of the voltage signal (Vout) appearing at the output terminal 4 of the charge pump circuit 2. Any circuit may be used as long as it can generate a Vmonsteror). The threshold value for identifying Hi or Lo of the detection signal (Vunitor) is appropriately set according to the characteristics of the circuit or element used. Further, a threshold value of two or more steps may be set to detect output oscillation step by step.

本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。 The present invention is not limited to such embodiments, and can be implemented in various embodiments without departing from the spirit of the present invention.

１、４０、５０、６０・・・発振検出回路、
２・・・チャージポンプ回路、
４・・・出力端子、
５・・・ＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）
１０・・・故障検出部、 １１・・・タイマー、 １２・・・入力部、 １３・・・判定部、
１５、３５・・・トランジスタ（スイッチング素子）、 ２５・・・比較演算増幅器、
３１、３２、３３、３４・・・検出信号生成部。 1, 40, 50, 60 ... Oscillation detection circuit,
2 ... Charge pump circuit,
4 ... Output terminal,
5 ... MOSFET (switching element)
10 ... Failure detection unit, 11 ... Timer, 12 ... Input unit, 13 ... Judgment unit,
15, 35 ... Transistor (switching element), 25 ... Comparative operational amplifier,
31, 32, 33, 34 ... Detection signal generation unit.

Claims (4)

電圧を昇圧するチャージポンプ回路（２）の出力端子（４）に現れる電圧信号（Ｖｏｕｔ）の発振周期に同期して所定の閾値（Ｖｔｈ）に対するＨｉまたはＬｏに切替わる検出信号（Ｖｍｏｎｉｔｏｒ）を生成する検出信号生成部（３１、３２、３３、３４）と、
前記検出信号に基づき前記チャージポンプ回路の故障を検出する故障検出部（１０）と、を備え、
前記故障検出部は、
前記検出信号を所定の時間間隔で認識する入力部（１２）と、
前記入力部の認識した前記検出信号がＨｉまたはＬｏに切替わる挙動に基づき故障を判定する判定部（１３）と、を有する発振検出回路。 Generates a detection signal (Vmotor) that switches to Hi or Lo for a predetermined threshold (Vth) in synchronization with the oscillation cycle of the voltage signal (Vout) that appears at the output terminal (4) of the charge pump circuit (2) that boosts the voltage. Detection signal generation unit (31, 32, 33, 34) and
A failure detection unit (10) for detecting a failure of the charge pump circuit based on the detection signal is provided.
The failure detection unit
An input unit (12) that recognizes the detection signal at predetermined time intervals, and
An oscillation detection circuit including a determination unit (13) for determining a failure based on the behavior of switching the detection signal recognized by the input unit to Hi or Lo. 前記検出信号生成部は、スイッチング素子（５、１５、３５）を有し、
前記出力端子の電圧信号（Ｖｏｕｔ）が前記スイッチング素子のゲートまたはベースに入力されると前記スイッチング素子が動作し、前記検出信号を生成する請求項１記載の発振検出回路。 The detection signal generation unit includes switching elements (5, 15, 35).
The oscillation detection circuit according to claim 1, wherein when a voltage signal (Vout) of the output terminal is input to the gate or base of the switching element, the switching element operates to generate the detection signal. 前記スイッチング素子は、トランジスタであって、
前記出力端子と前記スイッチング素子のゲートまたはベースとの間に直流成分をカットするカップリングコンデンサ（３７）を備えた請求項２記載の発振検出回路。 The switching element is a transistor and
The oscillation detection circuit according to claim 2, further comprising a coupling capacitor (37) that cuts a DC component between the output terminal and the gate or base of the switching element. 前記検出信号生成部は、前記出力端子の電圧を入力して、所定の基準電圧と比較し前記検出信号を生成する比較演算増幅器（２５）を備えた請求項１記載の発振検出回路。 The oscillation detection circuit according to claim 1, wherein the detection signal generation unit includes a comparative operational amplifier (25) that inputs a voltage of the output terminal and compares it with a predetermined reference voltage to generate the detection signal.
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