JPH04121734U - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04121734U JPH04121734U JP2699491U JP2699491U JPH04121734U JP H04121734 U JPH04121734 U JP H04121734U JP 2699491 U JP2699491 U JP 2699491U JP 2699491 U JP2699491 U JP 2699491U JP H04121734 U JPH04121734 U JP H04121734U
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- JP
- Japan
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- temperature
- wafer
- semiconductor manufacturing
- chamber
- lower electrode
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- Pending
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 7
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマエッチングを行なうチャンバー内の実
際のウェーハ温度を直接測定することによって、ウェー
ハ温度を正確にかつ再現性よくコントロールする。 【構成】冷却手段を有する下部電極２に載置されたウェ
ーハ１に向けてチャンバー４の壁に埋め込まれた赤外線
温度測定器７と、ウェーハ温度が設定温度になるように
冷熱器９において冷媒を冷却，加熱制御する温度コント
ローラ８とを有する。
際のウェーハ温度を直接測定することによって、ウェー
ハ温度を正確にかつ再現性よくコントロールする。 【構成】冷却手段を有する下部電極２に載置されたウェ
ーハ１に向けてチャンバー４の壁に埋め込まれた赤外線
温度測定器７と、ウェーハ温度が設定温度になるように
冷熱器９において冷媒を冷却，加熱制御する温度コント
ローラ８とを有する。
Description
【０００１】
本考案は半導体製造装置に関し、特にその一つであるプラズマエッチング装置
に関する。
【０００２】
従来この種のプラズマエッチング装置は、図２の構成図に示す様に、チャンバ
ー４内に上部電極３と下部電極２を有し、ウェーハ１を載置する下部電極２は、
冷熱器９から送り出されＩＮ側冷媒配管５とＯＵＴ側冷媒配管６を通って循環す
る冷媒により冷却される。ＩＮ側冷媒配管５には、冷媒の温度を測定するための
熱電対７が設けられ、熱電対からの信号により熱電対温度コントローラ１１を介
して温度コントローラ１２を作動させ、冷熱器９を制御して冷媒温度を設定温度
に調節している。
【０００３】
上述したプラズマエッチング装置は、冷媒の温度を測定しているだけなので、
実際のウェーハ温度が分からず、ウェーハと下部電極との密着性やプラズマ放電
による温度上昇等の要因により、実際のウェーハ温度は再現性が乏しく、ばらつ
きが大きいという問題点があった。
【０００４】
本考案の半導体製造装置は、冷却手段を有する下部電極にウェーハを載置し、
プラズマエッチングを行なう装置において、エッチングチャンバー壁にチャンバ
ー内のウェーハに向けて埋め込まれた赤外線温度測定器と、この温度測定器から
の信号により冷媒温度を制御し、ウェーハ温度を設定値に保つための温度コント
ローラとを備えている。
【０００５】
【実施例】
次に本考案について図面を参照して説明する。図１は本考案の一実施例の構成
図である。本実施例は、チャンバー４の壁にウェーハ１に向けて埋め込まれた赤
外線温度測定器７と、この温度測定器によりウェーハ温度を測定し、ウェーハ温
度が設定温度になるように冷熱器９において冷媒を冷却，加熱制御する温度コン
トローラ８とを有する。
【０００６】
以上説明した様に本考案は、プラズマエッチング装置において、赤外線を用い
た非接触の温度測定器をチャンバー壁に取り付け、下部電極に載置されたウェー
ハの実温を測定する事により、正確かつ再現性よくウェーハ温度をコントロール
できるという効果を有する。
【図１】本考案の一実施例の構成図である。
【図２】従来の製造装置の構成図である。
【符号の説明】
１ ウェーハ
２ 下部電極
３ 上部電極
４ チャンバー
５ ＩＮ側冷媒配管
６ ＯＵＴ側冷媒配管
７ 赤外線温度測定器
８ 温度コントローラ
９ 冷熱器
１０ 熱電対
１１ 熱電対コントローラ
１２ 温度コントローラ
Claims (1)
- 【請求項１】 冷却手段を有する下部電極にウェーハを
載置し、ウェーハのプラズマエッチングを行なう半導体
製造装置において、エッチングチャンバー壁にチャンバ
ー内のウェーハに向けて埋め込まれた赤外線温度測定器
と、この温度測定器からの信号により冷媒温度を制御し
ウェーハ温度を設定値に保つための温度コントローラと
を有することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2699491U JPH04121734U (ja) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2699491U JPH04121734U (ja) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04121734U true JPH04121734U (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=31911381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2699491U Pending JPH04121734U (ja) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04121734U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111048439A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 安钟八 | 用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法 |
-
1991
- 1991-04-20 JP JP2699491U patent/JPH04121734U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111048439A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 安钟八 | 用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法 |
| TWI710756B (zh) * | 2018-10-15 | 2020-11-21 | 安鍾八 | 在半導體晶圓清洗裝置測量晶圓表面溫度的溫度感測器的安裝位置調整裝置及其方法 |
| US11359968B2 (en) | 2018-10-15 | 2022-06-14 | Jongpal AHN | Apparatus and method for adjusting installation location of temperature sensor configured to measure surface temperature of wafer in semiconductor wafer cleaning apparatus |
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