JPH04117424A - Polyamic acid composition - Google Patents
Polyamic acid compositionInfo
- Publication number
- JPH04117424A JPH04117424A JP23594090A JP23594090A JPH04117424A JP H04117424 A JPH04117424 A JP H04117424A JP 23594090 A JP23594090 A JP 23594090A JP 23594090 A JP23594090 A JP 23594090A JP H04117424 A JPH04117424 A JP H04117424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formulas
- tables
- group
- mathematical
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 title claims abstract description 56
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 13
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims abstract description 11
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 17
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- -1 methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 60
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 5
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 88
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 57
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 36
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 5
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002454 poly(glycidyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMSHLCKVCSMPDO-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,2-dimethoxyethane Chemical compound CCOC(OC)COC JMSHLCKVCSMPDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWBPWBPGNQWFSJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylaniline Chemical group NC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 TWBPWBPGNQWFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 3-[ethoxy(dimethyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(C)CCCN GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UHFFFAOYSA-N 826-62-0 Chemical compound C1C2C3C(=O)OC(=O)C3C1C=C2 KNDQHSIWLOJIGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ポリアミド酸組成物に係り、特に固体撮像素
子等の光学素子の眉間絶縁膜材に好適な段差被覆性が高
く、可視光領域（波長４００〜７００ｎｍ）における光
透過性に優れ、かつ耐熱性にも優れたポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸組成物に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a polyamic acid composition, which has high step coverage and is particularly suitable for use as a glabella insulating film material for optical elements such as solid-state image sensors, and is suitable for use in the visible light region. The present invention relates to a polyamic acid composition that is a polyimide precursor that has excellent light transmittance (wavelength: 400 to 700 nm) and excellent heat resistance.
［従来の技術］
ＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｅｄ Ｄ ｅｖ
ｉｃｅの略）やＭ Ｉ Ｄ （ＭＯＳ Ｉｍａｇｅ
Ｄｅｖｉｃｅの略）等の固体撮像素子においては、撮像
素子の受光部上にカラーフィルタを一体的に形成するカ
ラー固体撮像素子が製造されている。この時、固体撮像
素子表面の凹凸を低減するために、まずＰＧＭＡ （ポ
リグリシリルメタクリレートの略）膜を形成する方法が
知られている〔例えば、テレビジョン学会誌Ｖｏ Ｑ、
３７．Ｎｏ、７．ｐ、ｐ、５５３〜５５８（Ｉ９８３）
参照〕。[Prior art] CCD (Charge coupled device)
(abbreviation for ice) and MID (MOS Image)
In solid-state imaging devices such as "Device", color solid-state imaging devices are manufactured in which a color filter is integrally formed on the light receiving section of the imaging device. At this time, in order to reduce the unevenness on the surface of the solid-state image sensor, a method is known in which a PGMA (abbreviation for polyglycylyl methacrylate) film is first formed [for example, the Journal of the Television Society VoQ,
37. No, 7. p, p, 553-558 (I983)
reference〕.
また、ポリイミド系樹脂を用いる方法も提案されている
（特開昭５６−８７３８２号公報参照）。A method using polyimide resin has also been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 87382/1982).
このような固体撮像素子のカラーフィルタの下地層とし
てＰＧＭＡ膜を用いた場合は、可視光領域での膜の光透
過性に優れているために、固体撮像素子の光学的特性を
損なわない特徴を有する。When a PGMA film is used as the base layer of the color filter of such a solid-state image sensor, the film has excellent light transmittance in the visible light range, so it is possible to create a film that does not impair the optical characteristics of the solid-state image sensor. have
また、ポリイミド系樹脂を用いた場合は、段差部に膜形
成をした場合にも、比較的平坦な膜を形成することがで
き、上層に形成するカラーフィルタの解像度、分光特性
を向上できると考えられる。In addition, when polyimide resin is used, it is possible to form a relatively flat film even when forming a film on a stepped part, and it is thought that the resolution and spectral characteristics of the color filter formed in the upper layer can be improved. It will be done.
ポリイミド系樹脂としては、縮合型または末端付加反応
型ポリイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド系樹脂が
知られている。特に、末端付加反応型ポリイミドや、末
端に未反応型のエンドキャップ剤を導入した溶融型のポ
リイミドが平坦膜を形成する目的には有効である（例え
ば米国特許節３２３４１．８１号参照）。As polyimide resins, polyimide resins obtained by heating and curing condensation type or terminal addition reaction type polyimide precursors are known. In particular, end-addition reaction type polyimide and melt-type polyimide with an unreacted end-capping agent introduced at the ends are effective for forming a flat film (see, for example, US Pat. No. 32,341.81).
［発明が解決しようとする問題点コ
しかし、上記従来技術には、以下に述べるような問題点
があった。[Problems to be Solved by the Invention However, the above-mentioned prior art has the following problems.
すなわち、ＰＧＭＡは固体撮像素子表面の凹凸を低減す
るための平坦化効果が不十分であり、上層に形成される
フィルタにおいては、解像度が悪い、クラック、段切れ
、剥離などの欠陥が発生する、フィルタ膜厚のバラツキ
により分光特性のバラツキが生じるなどの問題点があっ
た。In other words, PGMA has an insufficient flattening effect to reduce unevenness on the surface of a solid-state image sensor, and defects such as poor resolution, cracks, breaks, and peeling occur in the filter formed in the upper layer. There were problems such as variations in spectral characteristics due to variations in filter film thickness.
また、ポリイミド系樹脂では、縮合型ポリアミド前恥体
の場合に、加熱硬化時に溶融しにくいため平坦化効果が
不十分であり、ＰＧＭＡと同様の問題が生じる。また、
付加反応型ポリイミドでは、溶剤に対する溶解性が低い
ため、溶液中に不溶物が生じ、均質な塗膜を得ることが
難しく、実用しこ供するには不十分であった。Furthermore, in the case of polyimide resins, in the case of a condensed polyamide preform, the flattening effect is insufficient because it is difficult to melt during heat curing, and the same problem as that of PGMA occurs. Also,
Addition reaction type polyimides have low solubility in solvents, resulting in the formation of insoluble matter in the solution, making it difficult to obtain a homogeneous coating film, and are insufficient for practical use.
さらに、通常の例えば層間絶縁膜等に供せられているポ
リイミド系樹脂は、可視光領域での光透過性が不十分で
あるという問題点かった。Furthermore, polyimide resins commonly used for interlayer insulating films, etc., have a problem of insufficient light transmittance in the visible light region.
したがって、本発明の目的は、上記従来の問題点を解消
することにあり、特に平坦性と光透過性に優れたポリイ
ミド膜を形成するための改良されたポリイミド酸組成物
を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and particularly to provide an improved polyimide acid composition for forming a polyimide film with excellent flatness and light transmittance. .
［問題点を解決するための手段］
上記目的は、以下に詳述するポリアミド酸組成物を平坦
化膜として用いることにより達成される。[Means for Solving the Problems] The above object is achieved by using a polyamic acid composition described in detail below as a planarization film.
（Ｉ）、すなわち、一般式（’Ｉ）で′表せられるポリ
アミド酸を主成分とする組成物であって、Ｏ
ただし、Ｒ８１はメチル、エチル、プロピル、ブチル及
びフェニル基からなる群からばれた１価の基であり、Ｒ
Ｅ”はメチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ブトキシ
及びフェノキシ基からなる群から選ばれた１価の基であ
り、Ｒ１３はメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレ
ン及びフェニレン基からなる群から選ばれた１価の基で
あり、ｍは０．１．２または３であり、ｎは１〜１００
の整数であり、
Ａｒ１は
の群から選択された少なくとも１種の４価の基であり、
Ａ ｒ ”は、
ズγＳＯ４公、
（−ＣＨ２−）、
の群から選択された少なくとも１種の２価の基から成り
、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ’、Ｒ″は水素、メチル
基、エチル基及びイソプロピル基の群から選択された基
であり、Ｒ７、Ｒ”はアルキレンもしくはフェニレン、
Ｒ１、Ｒ１、Ｒ１゜Ｒ１１は低級アルキル基もしくはフ
ェニル基であり、ｋ−Ｑ、ｐはＯもしくは１〜１０の整
数、ｑは１〜１ｏの整数、ｒは２〜１０の整数、ｔはＯ
もしくは１〜５の整数、■は１〜５の整数で表すことの
できるポリアミド酸組成物により、達成される。(I), that is, a composition whose main component is a polyamic acid represented by the general formula ('I)', where R81 is a composition selected from the group consisting of methyl, ethyl, propyl, butyl, and phenyl groups. is a monovalent group, R
E” is methyl, ethyl, propyl, butyl, phenyl,
It is a monovalent group selected from the group consisting of methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, butoxy and phenoxy groups, and R13 is a monovalent group selected from the group consisting of methylene, ethylene, propylene, butylene and phenylene groups. Yes, m is 0.1.2 or 3, and n is 1 to 100
is an integer of , Ar1 is at least one type of tetravalent group selected from the group of , Ar'' is at least one type of 2 group selected from the group of R1, R2, R3, R4, R', R'' are groups selected from the group of hydrogen, methyl, ethyl and isopropyl, R7, R'' are alkylene or phenylene,
R1, R1, R1゜R11 is a lower alkyl group or a phenyl group, k-Q, p is O or an integer of 1 to 10, q is an integer of 1 to 1o, r is an integer of 2 to 10, t is O
Alternatively, this can be achieved by a polyamic acid composition that can be represented by an integer of 1 to 5, where ■ is an integer of 1 to 5.
（２）、また、一般式（ＩＩ）で表せられるポリアミド
酸を主成分とする組成物であって、
ただし、
Ｒ１４は
の群から選ばれた少なくとも１種の２価の基であり、ｎ
は１〜１００の整数であり、Ｒ１３は低級アルキル基も
しくは低級アルコキシ基から、Ｒ１４、Ｒ”は水素、低
級アルキル基及び低級アルコキシ基の群から選ばれた少
なくとも１種の基であり、Ｕは０．１または２であり、
Ａｒ’は
り、
Ａｒ”は、
から選択された少なくとも１種の２価の基であり、Ｒ１
、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素、メチル基、エ
チル基及びイソプロピル基の群から選択された基であり
、Ｒ７、Ｒ”はアルキレンもしくはフェニレン、Ｒ８、
Ｒ９、Ｒ”、Ｒ１１は低級アルキル基もしくはフェニル
基であり、ｋ、Ｑ、ｐは０もしくは１〜１０の整数、ｑ
は１〜１０の整数、ｒは２〜１０の整数、ｔはＯもしく
は１〜５の整数、■は１〜５の整数で表すことのできる
ポリアミド酸組成物により、達成される。(2) is also a composition containing a polyamic acid represented by general formula (II) as a main component, provided that R14 is at least one divalent group selected from the group of, and n
is an integer from 1 to 100, R13 is a lower alkyl group or a lower alkoxy group, R14, R'' is at least one group selected from the group consisting of hydrogen, a lower alkyl group, and a lower alkoxy group, and U is 0.1 or 2,
Ar' is at least one divalent group selected from R1
, R2, R3, R4, R5, R6 are groups selected from the group of hydrogen, methyl group, ethyl group and isopropyl group, R7, R'' are alkylene or phenylene, R8,
R9, R", R11 are lower alkyl groups or phenyl groups, k, Q, p are 0 or integers of 1 to 10, q
This is achieved by a polyamic acid composition that can be represented by an integer of 1 to 10, r an integer of 2 to 10, t an O or an integer of 1 to 5, and ■ an integer of 1 to 5.
（３）、また、上記目的は、一般式（ＩＩ［）で表せら
れるポリアミド酸を主成分とする組成物であって、
ただし、
Ｒ１’は
ズ）Ｙ＜）、
メン０
し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ’は水素、メチ
ル基、エチル基及びイソプロピル基の群から選択された
基であり、Ｒ７はアルキレンもしくはフェニレン、Ｒ８
、Ｒ’、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ”は低級アルキル基もしく
はフェニル基であり、Ｙは一〇−１−Ｓ−１−〇〇−１
−８○２基を表す）であり、
Ａｒ”は
−（；Ｈ−（−Ｌ；ｔ１２−〕、−（；＋１の群から選
択された少なくとも１種の４価の基であり、
Ａｒ２は、
の鮮から選択された少なくとも１種の２価の基であり、
Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素。(3) The above object is also a composition containing a polyamic acid represented by the general formula (II[) as a main component, where R1'is)Y<), Men0, R1, R2 , R3, R4, R5, R' are hydrogen, a group selected from the group of methyl group, ethyl group and isopropyl group, R7 is alkylene or phenylene, R8
, R', R10, R11, R" are lower alkyl groups or phenyl groups, and Y is 10-1-S-1-00-1
-8○2 groups), Ar'' is at least one tetravalent group selected from the group of -(;H-(-L;t12-), -(;+1), and Ar2 is , at least one divalent group selected from the following,
R1, R2, R3, R4, R5, and R6 are hydrogen.
メチル基、エチル基及びイソプロピル基の群から選択さ
れた基であり、Ｒ７、Ｒ”はアルキレンもしくはフェニ
レン、Ｒ＠、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は低級アルキル基も
しくはフェニル基であり。It is a group selected from the group of methyl group, ethyl group and isopropyl group, R7 and R'' are alkylene or phenylene, and R@, R9, R10 and R11 are lower alkyl groups or phenyl groups.
ｋ、Ｑ、ｐは、それぞれ０もしくは１〜１０の整数、ｑ
は１〜１０の整数、ｒは２〜１０の整数、ｔは０もしく
は１〜５の整数、■は１〜５の整数で表すことのできる
ポリアミド酸組成物により、達成される。k, Q, p are each 0 or an integer of 1 to 10, q
is achieved by a polyamic acid composition that can be represented by an integer of 1 to 10, r an integer of 2 to 10, t an integer of 0 or 1 to 5, and ■ an integer of 1 to 5.
本発明によるポリアミド酸組成物は、通常ワニス状態で
用いられる。The polyamic acid composition according to the present invention is usually used in the form of a varnish.
上記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（［１）中のＡｒ”は
以下余白
で表される酸二無水物より、ポリマ中に導入される。な
お、Ａｒ”は光透過性の点から上記（Ｉ）乃至（３）に
記載の４価の基が好ましく、これらは単独で用いても良
いし、２種以上を混合して用いても良い。Ar'' in the general formulas (I), (II), and ([1) above is introduced into the polymer from the acid dianhydride shown in the blank space below. The tetravalent groups described in (I) to (3) above are preferred, and these may be used alone or in combination of two or more.
また、上記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ｎｕ）中のＡｒ
２はＨ２Ｎ−Ａｒ”−ＮＨ２で表されるジアミン化合物
より、ポリマ中に導入される。Furthermore, Ar in the above general formulas (I), (II), and (nu)
2 is introduced into the polymer from a diamine compound represented by H2N-Ar''-NH2.
なお、Ａｒ２は、光透過性の点から上記（Ｉ）乃至（３
）に記載の２価の基が好ましく、更に具体的−ｃＨ２−
〇−ＣＨ，−
合
これらは単独で用いても良いし、２種以上を混合して用
いても良い。Note that Ar2 is selected from the above (I) to (3) from the viewpoint of optical transparency.
) is preferable, more specifically -cH2-
〇-CH,- These may be used alone or in combination of two or more.
さらに上記一般式（Ｉ）において、ポリマ末端基が
で表されるモノアミン化合物より、ポリマ中に導入され
る。Furthermore, in the above general formula (I), the polymer end group is introduced into the polymer from the monoamine compound represented by.
なお、上記モノアミン化合物は、光透過性の点から上記
（Ｉ）記載のＲ１’、Ｒ１、Ｒ１”基が好ましく、更に
具体的に示すと例えば、
ＬＨ８
）１５ｃ２−５ｌ−（ＣＨＪｍ−ＮＨｚ、（Ｈ３Ｃ）ｓ
−Ｓｉ−（ＣＨＪｘ−ＮＨ，、（ＣＩ（ｉ）ｚ
％Ｃ４−５ｌ−（ＣＨ２）ｓ−ＮＦＩｚ、限定されない
。In addition, from the point of light transmittance, the above monoamine compound is preferably the R1', R1, R1'' group described in (I) above, and more specifically, for example, LH8)15c2-5l-(CHJm-NHz, ( H3C)s
-Si-(CHJx-NH, (CI(i)z%C4-5l-(CH2)s-NFIz, without limitation.
これらは単独で用いても良いし、 ２種以上を混合して用いても良い。These can be used alone or Two or more types may be mixed and used.
また、 上記一般式 中のポリマ末端基は ＼ ／ ・（Ｖ） で表されるジカルボン酸無水物より、 ポリマ中に 導入される。Also, General formula above The polymer end groups in \ / ・(V) From the dicarboxylic acid anhydride represented by in polymer be introduced.
なお、 Ｒ−としては上記（２）の一般 式 中で示したものが用いられるが、 更に具 体側を示すと、 などが好ましい例としてあげられる。In addition, As R-, the above (2) general formula The ones shown inside are used, but More ingredients Showing the side of the body, etc. are given as preferable examples.
また、上記一般式（ｍ）中のポリマ末端基はＲＲ”−Ｎ
Ｈ，で表されるモノアミン化合物より、ポリマ中に導入
される。なお、モノアミン化合物は上記（３）の一般式
（Ｉ）中で示したものが用いられるが、更に光透過性の
点から好ましいＲＲ′の−（Ｈ，−（、）１２−Ｃ１（
、、−Ｑ−ＣＦべ）−ＣＨ２−○−ＣＨ３、Ω
などが好ましい例として挙げられる。In addition, the polymer terminal group in the above general formula (m) is RR''-N
The monoamine compound represented by H is introduced into the polymer. As the monoamine compound, those shown in the general formula (I) in (3) above are used, but -(H, -(,)12-C1(
, , -Q-CFbe)-CH2-○-CH3, Ω, etc. are mentioned as preferable examples.
上記モノマ成分からポリアミド酸を合成する際の溶媒と
しては、反応基質及び生成するポリアミド酸の溶解性等
の点から極性溶媒を用いることが好ましい、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチホルムアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ
−アセチル−と−カプロラクタム、１．３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１，２−ジメトキシエトキシエ
タン、１，２−ジェトキシエタン、１−アセトキシ−２
−メトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなどが
典型的な例として挙げられる。As a solvent for synthesizing polyamic acid from the above monomer components, it is preferable to use a polar solvent from the viewpoint of solubility of the reaction substrate and the polyamic acid to be produced, such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethyl formamide, N,
N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, N
-acetyl- and -caprolactam, 1,3-dimethyl-
2-imidazolidinone, 1,2-dimethoxyethoxyethane, 1,2-jethoxyethane, 1-acetoxy-2
Typical examples include -methoxyethane, diethylene glycol dimethyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether.
これらは単独で用いても良いし、２種以上の混合系で用
いても良い。These may be used alone or in a mixed system of two or more.
これらは、ポリアミド酸合成後にポリアミド酸ワニスの
溶媒としてそのまま用いることができる。These can be used as they are as a solvent for polyamic acid varnish after polyamic acid synthesis.
上記一般式（ｍＶ）で表されるモノアミン化合物よりポ
リマ中に導入されるアミンの量は、全アミン中の１〜４
０ ｍ ｏ ０％が好ましく、さらに好ましくは４〜３
０ ｍ ｏ ２％である。 １ｍｏＲ％に満たない場合
は平坦性に影響があり、また、４０ｍｏＱ％を越える場
合はガラス転移温度の著しい低下を招くことになる。The amount of amine introduced into the polymer from the monoamine compound represented by the above general formula (mV) is 1 to 4 of the total amines.
0 m o 0% is preferable, more preferably 4 to 3
0 m o 2%. If it is less than 1 moR%, the flatness will be affected, and if it exceeds 40 moQ%, the glass transition temperature will be significantly lowered.
上記一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸無水物よりポ
リマ中に導入される酸無水物の量は、全酸無水物中の２
〜４０ｍｏ１２％が好ましく、さらに好ましくは５〜３
０ｍｏＱ％である。２ｍｏＱ％に満たない場合は平坦性
に影響があり、また、４０ｍｏＱ％を越える場合はガラ
ス転移温度の著しい低下を招くことになる。The amount of acid anhydride introduced into the polymer from the dicarboxylic acid anhydride represented by the above general formula (V) is 2% of the total acid anhydride.
-40mo12% is preferable, more preferably 5-3
It is 0moQ%. If it is less than 2 moQ%, the flatness will be affected, and if it exceeds 40 moQ%, the glass transition temperature will be significantly lowered.
一般式Ｒ−−ＮＨ２で表されるモノアミン化合物よりポ
リマ中に導入されるアミンの量は、全アミン中の４〜４
０ ｍ ｏ ０％が好ましく、さらに好ましくは８〜３
０ ｍ ｏ ０％である。 ４ ｍ ｏ ０％に満たな
い場合は平坦性に影響があり、また４゜ｍｏ（Ｉ％を越
える場合はガラス転移温度の著しい低下を招くことにな
る。The amount of amine introduced into the polymer from the monoamine compound represented by the general formula R--NH2 is 4 to 4 in the total amine.
0 m o 0% is preferable, more preferably 8 to 3
0 m o 0%. If it is less than 4°mo (I%), the flatness will be affected, and if it exceeds 4°mo (I%), the glass transition temperature will be significantly lowered.
本発明による組成物はポリイミドの前駆体であり、１５
０℃〜４５０℃までの範囲で選ばれた加熱温度で処理す
ることによりイミド環や他の環状基を有する耐熱性ポリ
マとなる。The composition according to the invention is a precursor of polyimide, 15
A heat-resistant polymer having imide rings and other cyclic groups can be obtained by processing at a heating temperature selected within the range of 0°C to 450°C.
上記ポリアミド酸組成物溶液の固形分重量比は１〜５０
ｗｔ％の範囲が好ましい。固形分重量比がこれ以下であ
ると、十分な塗膜の厚みが得られにくく、これ以上であ
ると組成物溶液がゲル化し易くなり、保存安定性に問題
がある。The solid content weight ratio of the polyamic acid composition solution is 1 to 50.
A range of wt% is preferred. If the solid content weight ratio is less than this, it is difficult to obtain a sufficient coating film thickness, and if it is more than this, the composition solution tends to gel, causing problems in storage stability.
上記ポリアミド酸組成物溶液の塗膜の形成には、スピン
ナを用いた回転塗布、浸漬、分熱印刷などの手段が可能
であり、適宜選択することができる。For forming a coating film of the polyamic acid composition solution, methods such as spin coating using a spinner, dipping, and thermal printing can be selected as appropriate.
塗布膜厚は塗布手段、組成物溶液の固形分濃度、粘度等
によって調節可能である。The coating film thickness can be adjusted by the coating means, the solid content concentration of the composition solution, the viscosity, etc.
［作用］
本発明の特徴は、上記組成物により、高平坦性と高透光
性の２つの特性を兼ね備えていることにある。具体的に
本発明では、（Ｉ）エンドキャップ剤でポリマ分子末端
を保護して分子量を制御することにより加熱時の流動性
を高めるとともに、（２）回転性、屈曲性を有する構造
の酸二無水物、ジアミンを分子内に導入することにより
、平坦性を向上させる一方で、（３）酸二無水物、ジア
ミン、エンドキャップ剤が特に脂肪族系、あるいはπ電
子共役を抑制するような特定構造を有することで、加熱
硬化後のポリイミド膜において、可視光領域（波長４０
０〜７００ｎｍ）での光透過性を向上させている。[Function] A feature of the present invention is that the composition has two properties: high flatness and high translucency. Specifically, in the present invention, (I) the ends of the polymer molecules are protected with an end-capping agent to control the molecular weight, thereby increasing the fluidity during heating, and (2) the acid dihydride having a structure with rotational and bending properties. By introducing anhydrides and diamines into the molecule, flatness is improved, while (3) acid dianhydrides, diamines, and end-capping agents are particularly suitable for aliphatic systems or those that suppress π-electron conjugation. By having this structure, in the polyimide film after heat curing, visible light region (wavelength 40
0 to 700 nm).
［実施例コ
以下に本発明の実施例を示し、これによって本発明の内
容を具体的に説明する。[Example] Examples of the present invention will be shown below to specifically explain the content of the present invention.
実施例１゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルスルフオン
を８．４２０３ｇ（０，０３３９５モル）と３−アミノ
プロピルトリエトキシシランを０．９５７９ｇ （０，
００４３３モル）加えて溶解し、アミン溶液を調合した
。Example 1 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 8.4203g (0,03395 mol) of 3,3'diaminodiphenylsulfon and 0.9579g (0,03395 mol) of 3-aminopropyltriethoxysilane.
00433 mol) was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４″−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を１０．６．１９３ｇ（０，０３
６１２モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に
保持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で
表される分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸
組成物溶液を得た。Next, 10.6.193 g (0,03
612 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate having surface irregularities of 2.0 μm, and then.
窒素気流下で２００℃で３０分間、さらに３５０℃で３
ｏ分間加熱硬化させて、基板上にポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．
２μｍであり、素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩
和することができた。Under nitrogen flow at 200°C for 30 minutes, then at 350°C for 30 minutes.
A polyimide film was formed on the substrate by heating and curing for o minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film is measured, it is 0.
The thickness was 2 μm, and the uneven step on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例２゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルスルフオン
を８．４７６２ｇ（０，０３４１８モル）と３−アミノ
プロビルジエトキメチルシシランを０．８３３４ｇ （
０，０ｏ４３６モル）加えて溶解し、アミン溶液を調合
した。Example 2 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 8.4762 g (0.03418 mol) of 3,3'diaminodiphenylsulfon and 0.8334 g (0.8334 g) of 3-aminopropyldiethoxymethylsilane (
0.0o436 mol) was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を１０．６８９８ｇ（０，０３
６３６モル）加える。このフラスコ中の液温を３０”Ｃ
に保持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式
で表される分子末端がエンドキャップされたポリアミド
酸組成物溶液を得た。Next, 10.6898 g (0,03
636 mol). The temperature of the liquid in this flask is 30"C.
The mixture was stirred and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition in which the molecular terminals were end-capped and represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上に塗布し、次いで、窒素気流下で２００℃
で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化させて
、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイミド膜
表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、素子基
板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することができた。This solution was applied onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then heated at 200°C under a nitrogen stream.
The polyimide film was cured by heating at 350° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes to form a polyimide film on the substrate. The unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured to be 0.2 μm, and the unevenness level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例３゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルスルフオン
を８．５３２２ｇ（０，０３４４０モル）と３−アミノ
プロピルジメチルエトキシシランを０．７０２５ｇ （
０・００４３６モル）加えて溶解し、アミン溶液を調合
した。Example 3 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 8.5322 g (0.03440 mol) of 3,3'diaminodiphenylsulfon and 0.7025 g (0.7025 g) of 3-aminopropyldimethylethoxysilane (
0.00436 mol) was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を１０．７６０４ｇ（０，０３
６６０モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に
保持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で
表される分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸
組成物溶液を得た。Next, 10.7604 g (0,03
660 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate having surface irregularities of 2.0 μm, and then.
窒素気流下で２００℃で３０分間、さらに３５０℃で３
０分間加熱硬化させて、基板上にポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．
２μｍであり、素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩
和することができた。Under nitrogen flow at 200°C for 30 minutes, then at 350°C for 30 minutes.
A polyimide film was formed on the substrate by heating and curing for 0 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film is measured, it is 0.
The thickness was 2 μm, and the uneven step on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
比較例１゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、３，３″ジアミノジフエニルスルフオン
を９．１５１２ｇ（０，０３６９モル）加えて溶解し、
アミン溶液を調合した。Comparative Example 1 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. Add 9.1512g (0,0369mol) of 3,3″diaminodiphenylsulfon and dissolve.
An amine solution was prepared.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を１０．８４８６ｇ（０，０３
６９モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に保
持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で表
される分子末端がエンドキャップされないポリアミド酸
組成物溶液を得た。Next, 10.8486 g (0,03
69 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition represented by the following formula in which the molecular terminals were not end-capped.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると１．０ＩＬｍであり
、上述の分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸
組成物溶液を用いた場合に比べて、著しく素子基板表面
の凹凸段差を緩和することができなかった。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 1.0 ILm, and compared to the case where the above-mentioned polyamic acid composition solution in which the molecular terminals were end-capped was used, the unevenness level difference on the surface of the element substrate could be significantly alleviated. could not.
実施例４゜
実施例１で得られたポリアミド酸組成物溶液を５０ｍｍ
Ｘ５０ｍｍＸ１ｍｍ厚の石英基板上にスピン塗布し、次
いで、窒素気流下で２００℃で３０分間、さらに３５０
℃で３０分間加熱硬化させて、基板上にポリイミド膜を
形成した。Example 4 50 mm of the polyamic acid composition solution obtained in Example 1
It was spin-coated onto a quartz substrate of 50mm x 1mm thick, and then coated at 200°C for 30 minutes under a nitrogen stream and further coated at 350°C for 30 minutes.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at ℃ for 30 minutes.
このポリイミド膜のＵＶ透過スペクトルを第１図に示す
が、下記比較例２のポリイミド膜と比較し、可視光領域
（波長４００〜７００ｎｍ）で本実施例のポリアミド酸
組成物から得られたポリイミド膜の方が透明性が格段に
高かった。The UV transmission spectrum of this polyimide film is shown in Figure 1, and compared with the polyimide film of Comparative Example 2 below, the polyimide film obtained from the polyamic acid composition of this example in the visible light region (wavelength 400 to 700 nm) was much more transparent.
なお、透過スペクトルの測定は、ポリイミド膜の膜厚を
すべて１．５μｍに統一して行なった。The transmission spectra were measured with the thickness of all polyimide films set to 1.5 μm.
そして、測定装置はシングルビーム方式の分光光度計を
用い、膜表面での反射を補正している。The measuring device uses a single-beam spectrophotometer, and the reflection on the film surface is corrected.
比較例２゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８５ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルメタンを６
．０３７０ｇ （０゜０３０４９モル）加えて溶解し、
アミン溶液を調合した。Comparative Example 2 85 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. Add 3,3'diaminodiphenylmethane to 6
．． Add and dissolve 0370g (0°03049 mol),
An amine solution was prepared.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を８．９６４１ｇ（０，０３０
４９モル）加える。このフラスコ中の液温を３０”Ｃに
保持しながら撹拌し、３０時間反応させて、下記の式で
表されるポリアミド酸組成物溶液を得た。Next, 8.9641 g (0,030
49 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30''C, and reacted for 30 hours to obtain a polyamic acid composition solution represented by the following formula.
上記ポリアミド酸組成物溶液を５０ｍｍＸ５０ｍｍＸ１
ｍｍ厚の石英基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流
下で２００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加
熱硬化させて、基板上にポリイミド膜を形成した。この
ポリイミド膜のＵＶ透過スペクトルを測定し、第１図に
表示した。The above polyamic acid composition solution is 50mm x 50mm x 1
The polyimide film was spin-coated onto a quartz substrate with a thickness of mm, and then heated and cured at 200° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes under a nitrogen stream to form a polyimide film on the substrate. The UV transmission spectrum of this polyimide film was measured and is shown in FIG.
比較例３８
市販ポリアミド酸ワニスの一例であるＡ社のワニスを５
０ｍｍＸ５０ｍｍＸ１ｍｍ厚の石英基板上にスピン塗布
し、次いで、窒素気流下で２００℃で３０分間、さらに
３５０℃で３０分間加熱硬化させて、基板上にポリイミ
ド膜を形成し、ＵＶ透過スペクトルを測定し、第１図に
表示した。Comparative Example 38 A varnish from Company A, which is an example of a commercially available polyamic acid varnish, was
Spin coating on a 0 mm x 50 mm x 1 mm thick quartz substrate, then heat curing at 200 ° C. for 30 minutes under a nitrogen stream and further at 350 ° C. for 30 minutes to form a polyimide film on the substrate, and measure the UV transmission spectrum, It is shown in Figure 1.
第１図から明らかなように比較例２．３ともに本発明の
実施例４と対比して短波長側の光透過性が著しく劣って
いることが分かる。As is clear from FIG. 1, both Comparative Examples 2 and 3 are significantly inferior in light transmittance on the short wavelength side compared to Example 4 of the present invention.
比較例４゜
比較例３と同一のワニスを表面段差が２．０μｍの凹凸
が存在する半導体素子基板上にスピン塗布し、次いで、
窒素気流下で２００℃で３０分間、さらに３５０℃で３
０分間加熱硬化させて、基板上にポリイミド膜を形成し
た。このポリイミド膜表面の凹凸段差を測定すると１．
０μｍであり、１／２程度の段差緩和効果であり、上述
の分子末端がエンドキャップされた本発明実施例のポリ
アミド酸組成物溶液を用いた場合（Ｉ／１０に緩和）に
比べて、著しく素子基板表面の凹凸段差を緩和すること
ができなかった。Comparative Example 4 The same varnish as in Comparative Example 3 was spin-coated on a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then
Under nitrogen flow at 200°C for 30 minutes, then at 350°C for 30 minutes.
A polyimide film was formed on the substrate by heating and curing for 0 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film is measured, 1.
0 μm, which is a level difference mitigation effect of about 1/2, and is significantly more effective than when using the polyamic acid composition solution of the present invention example in which the molecular terminals are end-capped (relaxed to I/10). It was not possible to alleviate the uneven steps on the surface of the element substrate.
比較例５゜
表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導体素子基板
上にポリグリシジルメタクリレート溶液をスピン塗布し
、次いで、窒素気流下で２００℃で３０分間加熱硬化さ
せて、基板上にポリポリグリシジルメタクリレート膜を
形成した。この膜表面の凹凸段差を測定すると０．６μ
ｍであり、凹凸段差の平坦化効率が良くなかった。Comparative Example 5 A polyglycidyl methacrylate solution is spin-coated onto a semiconductor element substrate having an uneven surface with a surface step difference of 2.0 μm, and then heated and cured at 200°C for 30 minutes under a nitrogen stream to form a polyglycidyl methacrylate solution on the substrate. A methacrylate film was formed. The unevenness level difference on the surface of this film was measured to be 0.6μ.
m, and the flattening efficiency of uneven steps was not good.
実施例５゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、３，４′ジアミノジフエニルスルフオン
を７．５４８４ｇ（０，０３０４４モル）と３−アミノ
プロピルトリエトキシシランを０．８５８７ｇ （０，
００３８９モル）加えて溶解し、アミン溶液を調合した
。Example 5 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 7.5484 g (0,03044 mol) of 3,4'diaminodiphenylsulfon and 0.8587 g (0,03044 mol) of 3-aminopropyltriethoxysilane.
00389 mol) and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ジフェニルス
ルフォンテトラカルボン酸二無水物を１１゜５９２０ｇ
（０，０３２３８モル）加える。このフラスコ中の液
温を３０℃に保持しながら撹拌し、２０時間反応させて
、下記の式で表される分子末端がエンドキャップされた
ポリアミド酸組成物溶液を得た。Next, 11°5920 g of 3.3',4.4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride was added to this solution.
(0,03238 mol) is added. The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例６゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニル入ルフオン
を６．６２５３ｇ（０，０２６７１モル）と３−アミノ
プロピルトリエトキシシランを０．７５３７ｇ （０，
００３４１モル）加えて溶解し、アミン溶液を調合した
。Example 6 In a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar, 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added under a nitrogen stream. 6.6253 g (0,02671 mol) of 3,3'diaminodiphenyl-containing rufuon and 0.7537 g (0,02671 mol) of 3-aminopropyltriethoxysilane.
00341 mol) and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’−ジ（トリフルオ
ロメチル）ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物
を１３．２８８８ｇ （０゜０２８４２モル）加える。Next, 13.2888 g (0.02842 mol) of 3.3',4.4'-di(trifluoromethyl)diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride is added to this solution.
このフラスコ中の液温を３０″Ｃに保持しながら撹拌し
、２０時間反応させて、下記の式で表される分子末端が
エンドキャップされたポリアミド酸組成物溶液を得た。The solution was stirred and reacted for 20 hours while maintaining the liquid temperature in the flask at 30''C to obtain a solution of a polyamic acid composition having end-capped molecular terminals represented by the following formula.
以下余白
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１７１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then 2.0 μm was applied under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1710 mm.
実施例７゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
８０ｇを入れ、４，４′ジアミノジフエニルジ（トリフ
ルオロメチル）メチルを９．８９６０ｇ （０，０２９
６３モル）と３−アミノプロピルトリエトキシシランを
０．８３５９ｇ （０，００３７８モル）加えて溶解し
、アミン溶液を調合した。Example 7 80 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. and 9.8960 g (0,029
63 mol) and 0.8359 g (0,00378 mol) of 3-aminopropyltriethoxysilane were added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を９．２６６９ｇ（０，０３１
５２モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に保
持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で表
される分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸組
成物溶液を得た。Next, 9.2669 g (0,031
52 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例８゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７２ｇを入れ、３．３’ジアミノジフエニルスルフオン
を１２．７３２３ｇ（Ｑ、Ｑ５１３４モル）加えて溶解
し、アミン溶液を調合した。Example 8 72 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 12.7323 g (Q, Q5134 mol) of 3.3' diaminodiphenylsulfon was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４″−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を１３．５８４６ｇ（０，０４６
２１モル）と５−ノルボルネン−２゜３−ジカルボン酸
無水物を１，６８４０ｇ （０゜０１０２７モル）を加
える。このフラスコ中の液温を３０℃に保持しながら撹
拌し、２０時間反応させて、下記の式で表される分子末
端がエンドキャップされたポリアミド酸組成物溶液を得
た。Next, 13.5846 g (0,046
21 mol) and 1,6840 g (0.01027 mol) of 5-norbornene-2°3-dicarboxylic anhydride were added. The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００ ”Ｃで３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱
硬化させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポ
リイミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであ
り、素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和すること
ができた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
A polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 0.00"C for 30 minutes and then at 350°C for 30 minutes. The unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured to be 0.2 μm, and the unevenness level difference on the element substrate surface was measured. I was able to reduce it to 1/10.
実施例９゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７２ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルスルフオン
を１０．２０５２ｇ（０，０４１１５モル）加えて溶解
し、アミン溶液を調合した。次にこの溶液に３．３’
、４．４’−ジ（トリフルオロメチル）ジフェニルメタ
ンテトラカルボン酸二無水物を１６．４４３５ｇ （０
゜０３７０４モル）と５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボン酸無水物を１．３４９７ｇ （０，００８２３モ
ル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に保持しな
がら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で表される
分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸組成物溶
液を得た。Example 9 72 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 10.2052 g (0.04115 mol) of 3,3'diaminodiphenylsulfon was added and dissolved to prepare an amine solution. Next, add 3.3' to this solution.
, 16.4435 g (0
0.03704 mol) and 1.3497 g (0.00823 mol) of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride were added. The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例１０゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７２ｇを入れ、４，４′ジアミノジフエニルジ（トリフ
ルオロメチル）メチルを１４．８１２９ｇ （０，０４
４３５モル）加えて熔解し、アミン溶液を調合した。Example 10 In a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar, 72 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added under a nitrogen stream. and 14.8129 g of 4,4'diaminodiphenyldi(trifluoromethyl)methyl (0.04
435 mol) was added and melted to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を１１．７３５０ｇ（０，０３
９９２モル）と５−ノルボルネン−２゜３−ジカルボン
酸無水物を１．４５４７ｇ （０゜００８８７モル）加
える。このフラスコ中の液温を３０℃に保持しながら撹
拌し、２０時間反応させて、下記の式で表される分子末
端がエンドキャップされたポリアミド酸組成物溶液を得
た。Next, 11.7350 g (0,03
992 mol) and 1.4547 g (0°00887 mol) of 5-norbornene-2°3-dicarboxylic anhydride were added. The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１７１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1710 mm.
実施例１１゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎジメチルアセトア
ミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒７
２ｇを入れ、４，４′ジアミノジフエニルジ（トリフル
オロメチル）メチルを１３．５７３８ｇ （０，０４０
６４モル）加えて溶解し、アミン溶液を調合した。Example 11 A 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone 7 was placed in a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar under a nitrogen stream.
2g of 4,4'diaminodiphenyldi(trifluoromethyl)methyl (13.5738g (0,040
64 mol) was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ジフェニルス
ルフォンテトラカルボン酸二無水物を１３゜０９４２ｇ
（０，０３６５８モル）と５−ノルボルネン−２，３
−ジカルボン酸無水物を１．３３３０ｇ （０，００８
１３モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に保
持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で表
される分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸組
成物溶液を得た。Next, 13°0942 g of 3.3',4.4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride was added to this solution.
(0,03658 mol) and 5-norbornene-2,3
-1.3330g (0,008g) of dicarboxylic anhydride
13 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２，０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied under a nitrogen stream for 2 to 3 hours.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例１２゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７０ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルスルフオン
を９．８８４０ｇ（０，０３９８６モル）と０−アミノ
ジフェニルを４．４９０３ｇ （０，０２６５７モル）
加えて溶解し、アミン溶液を調合した。Example 12 70 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. 9.8840 g (0,03986 mol) of 3,3'diaminodiphenyl sulfone and 4.4903 g (0,02657 mol) of 0-aminodiphenyl.
Add and dissolve to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を１！５．６２３２ｇ（０，０
５３１４モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃
に保持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式
で表される分子末端がエンドキャップされたポリアミド
酸組成物溶液を得た。Next, 1!5.6232 g (0,0
5314 mol). The temperature of the liquid in this flask is 30℃
The mixture was stirred and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition in which the molecular terminals were end-capped and represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例１３゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つ目フ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、 Ｎジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７０ｇを入れ、３，３′ジアミノジフエニルスルフオン
を７．８１０１ｇ（０，０３１４９モル）とＯ−アミノ
ジフェニルを３．５４８２ｇ （０，０２１００モル）
加えて溶解し、アミン溶液を調合した。次にこの溶液に
３．３’ 、４．４’−ジ（トリフルオロメチル）ジフ
ェニルメタンテトラカルボン酸二無水物を１８．６４３
６ｇ （０，０４１９９モル）加える。Example 13 Into a fourth flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas introduction tube, and a stirring bar, 70 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N, N dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added under a nitrogen stream. 7.8101g (0,03149 mol) of 3,3'diaminodiphenylsulfon and 3.5482g (0,02100 mol) of O-aminodiphenyl.
Add and dissolve to prepare an amine solution. Next, 18.643% of 3.3',4,4'-di(trifluoromethyl)diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride was added to this solution.
Add 6g (0,04199 mol).
このフラスコ中の液温を３０℃に保持しながら撹拌し、
２０時間反応させて、下記の式で表される分子末端がエ
ンドキャップされたポリアミド酸組成物溶液を得た。Stir while maintaining the liquid temperature in the flask at 30°C,
The reaction was carried out for 20 hours to obtain a polyamic acid composition solution in which the molecular terminals represented by the following formula were end-capped.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例１４゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つロフ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７０’ｇを入れ、４，４′ジアミノジフェニルジ（トリ
フルオロメチル）メチルを１１．９４６３ｇ （０，０
３５７７モル）と０−アミノジフェニルを４．０２９８
ｇ （０，０２３８５モル）加えて溶解し、アミン溶液
を調合した。Example 14 A 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone (70') was added to a four-bottle flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar under a nitrogen stream. g and 11.9463 g of 4,4'diaminodiphenyldi(trifluoromethyl)methyl (0,0
3577 mol) and 4.0298 0-aminodiphenyl
g (0,02385 mol) was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４″−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を１４．０２０９ｇ（０，０４７
６９モル）加える。このフラスコ中の液温を３０℃に保
持しながら撹拌し、２０時間反応させて、下記の式で表
される分子末端がエンドキャップされたポリアミド酸組
成物溶液を得た。Next, 14.0209 g (0,047
69 mol). The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
実施例１５゜
冷却管、窒素ガス導入管、撹拌棒を取り付けた４つ目フ
ラスコに、窒素気流下、無水のＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとＮ−メチル−２−ピロリドンの１対１混合溶媒
７０ｇを入れ、４，４′ジアミノジフエニルジ（トリフ
ルオロメチル）メチルを１０．８４４１ｇ （０，０３
２４７モル）と０−アミノジフェニルを３．６５８０ｇ
（０，０２１６５モル）加えて溶解し、アミン溶液を
調合した。Example 15 Into a fourth flask equipped with a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring bar, 70 g of a 1:1 mixed solvent of anhydrous N,N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone was added under a nitrogen stream. and 10.8441g of 4,4'diaminodiphenyldi(trifluoromethyl)methyl (0.03
247 mol) and 3.6580 g of 0-aminodiphenyl
(0,02165 mol) was added and dissolved to prepare an amine solution.
次にこの溶液に３．３’ 、４．４’ −ジフェニルス
ルフォンテトラカルボン酸二無水物を１５゜４９７８ｇ
（０，０４３２９モル）加える。このフラスコ中の液
温を３０℃に保持しながら撹拌し、２０時間反応させて
、下記の式で表される分子末端がエンドキャップされた
ポリアミド酸組成物溶液を得た。Next, 15°4978 g of 3.3',4.4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride was added to this solution.
(0,04329 mol) is added. The solution was stirred while maintaining the liquid temperature in the flask at 30° C., and reacted for 20 hours to obtain a solution of a polyamic acid composition having an end-capped molecular terminal represented by the following formula.
この溶液を表面段差が２．０μｍの凹凸が存在する半導
体素子基板上にスピン塗布し、次いで、窒素気流下で２
００℃で３０分間、さらに３５０℃で３０分間加熱硬化
させて、基板上にポリイミド膜を形成した。このポリイ
ミド膜表面の凹凸段差を測定すると０．２μｍであり、
素子基板表面の凹凸段差を１／１０に緩和することがで
きた。This solution was spin-coated onto a semiconductor element substrate with surface irregularities of 2.0 μm, and then applied for 2 hours under a nitrogen stream.
The polyimide film was formed on the substrate by heating and curing at 00° C. for 30 minutes and then at 350° C. for 30 minutes. When the unevenness level difference on the surface of this polyimide film was measured, it was 0.2 μm,
The uneven level difference on the surface of the element substrate could be reduced to 1/10.
本発明は、以上の実施例で説明したようにエンドキャッ
プされた特定構造のポリアミド酸組成物を用いることに
より、凹凸段差に対する平坦化効果が高く、また可視光
領域（波長４００〜７００ｎｍ）における膜の透明性に
優れたポリイミド膜を加熱硬化のみにより得ることがで
きた。As explained in the above examples, the present invention uses a polyamic acid composition with a specific end-capped structure, which has a high flattening effect on uneven steps, and a film in the visible light region (wavelength 400 to 700 nm). A polyimide film with excellent transparency could be obtained only by heat curing.
［発明の効果］
本発明は、以上詳述したように構成されているので、以
下に記載するような効果を有する。[Effects of the Invention] Since the present invention is configured as detailed above, it has the following effects.
すなわち、高平坦性と高透光性の２つの特性を兼ね備え
ているため、段差被覆性が高く、可視光領域における光
透過性に優れており、固体撮像素子等の光学素子の表面
保護膜や眉間絶縁膜材に好適なポリアミド酸組成物を実
現可能とするものである。In other words, it has two characteristics: high flatness and high light transmittance, so it has high step coverage and excellent light transmittance in the visible light region, and is useful as a surface protective film for optical elements such as solid-state image sensors. This makes it possible to realize a polyamic acid composition suitable for a glabellar insulating film material.
第１図は、本発明の実施例４、比較例２、比較例３にて
測定したそれぞれのポリイミド膜の光透過スペクトルを
表示した特性曲線図である。FIG. 1 is a characteristic curve diagram showing the light transmission spectrum of each polyimide film measured in Example 4, Comparative Example 2, and Comparative Example 3 of the present invention.
Claims (1)
とする組成物であって、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） ただし、Ｒ＿Ｂ＾１はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル及びフェニル基からなる群からばれた１価の基であり
、Ｒ＿Ｂ＾２はメチル、エチル、プロピル、ブチル、フ
ェニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、
ブトキシ及びフェノキシ基からなる群から選ばれた１価
の基であり、Ｒ＿Ｂ＾３はメチレン、エチレン、プロピ
レン、ブチレン及びフェニレン基からなる群から選ばれ
た１価の基であり、ｍは０、１、２または３であり、ｎ
は１〜１００の整数であり、 Ａｒ＾１は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 の群から選択された少なくとも１種の４価の基であり、 Ａｒ＾２は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−（−ＣＨ＿２−
）＿ｒ−、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ の群から選択された少なくとも１種の２価の基から成り
、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は
水素、メチル基、エチル基及びイソプロピル基の群から
選択された基であり、Ｒ＾７、Ｒ＾１＾２はアルキレン
もしくはフェニレン、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ
＾１＾１は低級アルキル基もしくはフェニル基であり、
ｋ、ｌ、ｐは０もしくは１〜１０の整数、ｑは１〜１０
の整数、ｒは２〜１０の整数、ｔは０もしくは１〜５の
整数、ｖは１〜５の整数で表すことのできるポリアミド
酸組成物。 ２、一般式（II）で表せられるポリアミド酸を主成分と
する組成物であって、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・（II） ただし、Ｒ＿Ｂ＾４は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ の群から選ばれた少なくとも１種の２価の基であり、ｎ
は１〜１００の整数であり、Ｒ＾１＾３は低級アルキル
基もしくは低級アルコキシ基から、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１
＾５は水素、低級アルキル基及び低級アルコキシ基の群
から選ばれた少なくとも１種の基であり、ｕは０、１ま
たは２であり、 Ａｒ＾１は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ から選択された少なくとも１種の４価の基であり、 Ａｒ＾２は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−（−ＣＨ＿２−
）＿ｒ−、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ から選択された少なくとも１種の２価の基であり、Ｒ＾
１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は水素、
メチル基、エチル基及びイソプロピル基の群から選択さ
れた基であり、Ｒ＾７、Ｒ＾１＾２はアルキレンもしく
はフェニレン、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾
１は低級アルキル基もしくはフェニル基であり、ｋ、ｌ
、ｐは０もしくは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数
、ｒは２〜１０の整数、ｔは０もしくは１〜５の整数、
ｖは１〜５の整数で表すことのできるポリアミド酸組成
物。 ３、一般式（III）で表せられるポリアミド酸を主成分
とする組成物であって、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・（III） ただし、Ｒ＿Ｂ＾５は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ の群から選択された少なくとも１種の基（ただし、Ｒ＾
１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は水素、
メチル基、エチル基及びイソプロピル基の群から選択さ
れた基であり、Ｒ＾７はアルキレンもしくはフェニレン
、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾
２は低級アルキル基もしくはフェニル基であり、Ｙは−
Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ＿２−、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼の群から選択された 基を表す）であり、 Ａｒ＾１は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 の群から選択された少なくとも１種の４価の基であり、 Ａｒ＾２は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−（−ＣＨ＿２−
）＿ｒ−、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ の群から選択された少なくとも１種の２価の基であり、
Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６は水
素、メチル基、エチル基及びイソプロピル基の群から選
択された基であり、Ｒ＾７、Ｒ＾１＾２はアルキレンも
しくはフェニレン、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾
１＾１は低級アルキル基もしくはフェニル基であり、ｋ
、ｌ、ｐは、それぞれ０もしくは１〜１０の整数、ｑは
１〜１０の整数、ｒは２〜１０の整数、ｔは０もしくは
１〜５の整数、ｖは１〜５の整数で表すことのできるポ
リアミド酸組成物。 ４、上記一般式（ I ）、（II）、（III）において、Ａ
ｒ＾１は ▲数式、化学式、表等があります▼ で表される酸二無水物より、ポリマ中に導入されて成る
請求項１乃至３何れか記載のポリアミド酸組成物。 ５、上記一般式（ I ）、（II）、（III）において、Ａ
ｒ＾２はＨ＿２Ｎ−Ａｒ＾２−ＮＨ＿２で表されるジア
ミン化合物より、ポリマ中に導入されて成る請求項１乃
至３何れか記載のポリアミド酸組成物。 ６、上記一般式（ I ）において、ポリマ末端基が▲数
式、化学式、表等があります▼ で表されるモノアミン化合物より、ポリマ中に導入され
て成る請求項１記載のポリアミド酸組成物。 ７、上記一般式（II）において、ポリマ末端基が▲数式
、化学式、表等があります▼ で表されるジカルボン酸無水物より、ポリマ中に導入さ
れて成る請求項２記載のポリアミド酸組成物。 ８、上記一般式（III）において、ポリマ末端基がＲ＿
Ｂ＾５−ＮＨ＿２で表されるモノアミン化合物より、ポ
リマ中に導入されて成る請求項３記載のポリアミド酸組
成物。[Claims] 1. A composition containing a polyamic acid represented by the general formula (I) as a main component, which includes ▲numerical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) However, R_B^1 is a monovalent group from the group consisting of methyl, ethyl, propyl, butyl and phenyl groups, and R_B^2 is methyl, ethyl, propyl, butyl, phenyl, methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy,
It is a monovalent group selected from the group consisting of butoxy and phenoxy groups, R_B^3 is a monovalent group selected from the group consisting of methylene, ethylene, propylene, butylene and phenylene groups, m is 0, 1, 2 or 3, n
is an integer from 1 to 100, and Ar^1 is ▲Mathematical formula, chemical formula, table, etc.▼, ▲Mathematical formula, chemical formula,
There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, is at least one type of tetravalent group selected from the group of , and Ar^2 is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, -(-CH_2-
) ＿r-, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
At least one divalent compound selected from the following groups: R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6 are groups selected from the group of hydrogen, methyl group, ethyl group and isopropyl group, and R ^7, R^1^2 is alkylene or phenylene, R^8, R^9, R^1^0, R
^1^1 is a lower alkyl group or a phenyl group,
k, l, p are 0 or integers from 1 to 10, q is from 1 to 10
r is an integer of 2 to 10, t is 0 or an integer of 1 to 5, and v is an integer of 1 to 5. 2. It is a composition whose main component is polyamic acid represented by the general formula (II), and there are ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・(II) However, R_B^4 is ▲mathematical formula, There are chemical formulas, tables, etc.▼,▲mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ At least one divalent group selected from the group of n
is an integer from 1 to 100, R^1^3 is a lower alkyl group or a lower alkoxy group, R^1^4, R^1
^5 is at least one group selected from the group of hydrogen, lower alkyl group, and lower alkoxy group, u is 0, 1, or 2, and Ar^1 is ▲ has a mathematical formula, chemical formula, table, etc. ▼ , ▲Mathematical formula, chemical formula,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ It is at least one type of tetravalent group selected from , and Ar^2 is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.
) ＿r-, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
At least one divalent group selected from ▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ And R^
1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6 are hydrogen,
A group selected from the group of methyl group, ethyl group and isopropyl group, R^7, R^1^2 are alkylene or phenylene, R^8, R^9, R^1^0, R^1^
1 is a lower alkyl group or a phenyl group, k, l
, p is 0 or an integer of 1 to 10, q is an integer of 1 to 10, r is an integer of 2 to 10, t is 0 or an integer of 1 to 5,
A polyamic acid composition in which v can be represented by an integer of 1 to 5. 3. It is a composition whose main component is polyamic acid represented by the general formula (III), and there are ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・(III) However, R_B^5 is ▲mathematical formulas, chemical formulas, etc. , tables, etc. ▼, ▲ mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
At least one group selected from the group ▼ (however, R^
1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6 are hydrogen,
A group selected from the group of methyl group, ethyl group and isopropyl group, R^7 is alkylene or phenylene, R^8, R^9, R^1^0, R^1^1, R^1^
2 is a lower alkyl group or a phenyl group, and Y is -
represents a group selected from the group O-, -S-, -CO-, -SO_2-, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼), and Ar ^1 has ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, is at least one type of tetravalent group selected from the group of , and Ar^2 is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, -(-CH_2-
) ＿r-, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
At least one divalent compound selected from the following groups: is the basis of
R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6 are groups selected from the group of hydrogen, methyl group, ethyl group, and isopropyl group, and R^7, R^ 1^2 is alkylene or phenylene, R^8, R^9, R^1^0, R^
1^1 is a lower alkyl group or a phenyl group, and k
, l, and p are each 0 or an integer of 1 to 10, q is an integer of 1 to 10, r is an integer of 2 to 10, t is 0 or an integer of 1 to 5, and v is an integer of 1 to 5. A polyamic acid composition that can be used. 4. In the above general formulas (I), (II), (III), A
4. The polyamic acid composition according to claim 1, wherein r^1 is an acid dianhydride represented by ▲ which has a numerical formula, a chemical formula, a table, etc. ▼ and is introduced into the polymer. 5. In the above general formulas (I), (II), (III), A
4. The polyamic acid composition according to claim 1, wherein r^2 is introduced into the polymer from a diamine compound represented by H_2N-Ar^2-NH_2. 6. The polyamic acid composition according to claim 1, wherein in the general formula (I), the polymer terminal group is introduced into the polymer from a monoamine compound represented by ▲ which has a mathematical formula, a chemical formula, a table, etc. ▼. 7. The polyamic acid composition according to claim 2, wherein in the above general formula (II), the polymer terminal group is introduced into the polymer from a dicarboxylic acid anhydride represented by ▲ mathematical formula, chemical formula, table, etc. ▼ . 8. In the above general formula (III), the polymer terminal group is R_
4. The polyamic acid composition according to claim 3, wherein the monoamine compound represented by B^5-NH_2 is introduced into the polymer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23594090A JPH04117424A (en) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Polyamic acid composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23594090A JPH04117424A (en) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Polyamic acid composition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117424A true JPH04117424A (en) | 1992-04-17 |
Family
ID=16993481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23594090A Pending JPH04117424A (en) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Polyamic acid composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04117424A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303271A (en) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | Field effect transistor |
| JP2010053323A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Chisso Corp | Thermosetting composition, method for producing the same, and use of the same |
| JP2016050305A (en) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | Nanomodified backbones for polyimides with difunctional and mixed-functionality endcaps |
| JP2018100411A (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 国立大学法人九州大学 | Light emitting material, compound and organic light emitting element |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23594090A patent/JPH04117424A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303271A (en) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | Field effect transistor |
| JP2010053323A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Chisso Corp | Thermosetting composition, method for producing the same, and use of the same |
| JP2016050305A (en) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | Nanomodified backbones for polyimides with difunctional and mixed-functionality endcaps |
| JP2018100411A (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 国立大学法人九州大学 | Light emitting material, compound and organic light emitting element |
| WO2018117241A1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 国立大学法人九州大学 | Luminescent material, compound, and organic luminescent element |
| CN110494531A (en) * | 2016-12-21 | 2019-11-22 | 国立大学法人九州大学 | Luminescent material, compound and organic illuminating element |
| US11637244B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-04-25 | Kyushu University, National University Corporation | Light-emitting material, compound, and organic light-emitting element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01217037A (en) | Production of silicon-containing polyimide having low moisture absorption and high adhesiveness and precursor thereof | |
| KR102251518B1 (en) | Polyamic acid, And Polyimide Resin And Polyimide Film | |
| JPH03275722A (en) | Curable resin, production thereof and protecting film for electronic part | |
| US5346979A (en) | Curable resin, process for making and electronic part protective coating | |
| JPH04117424A (en) | Polyamic acid composition | |
| JPH04106127A (en) | Solvent-soluble polyimide, its production, and material for color filter | |
| EP0381506B1 (en) | Silicon polyimide precursor composition | |
| US4591653A (en) | Silicone-polyimide precursor and process for producing same | |
| JP2874014B2 (en) | Curable resin composition and protective film for electronic component | |
| JP2536648B2 (en) | Resin solution composition | |
| KR900002536B1 (en) | Polyether amide-imide polymer composition | |
| JP2775493B2 (en) | Alkyl-substituted cyclobutanetetracarboxylic dianhydride-containing composition, polyimide precursor, cured film, and method for producing these | |
| JP2712993B2 (en) | Curable resin, solution thereof, production method thereof, and protective film for electronic component | |
| JP3461031B2 (en) | Paste composition and semiconductor device using the same | |
| JP2628322B2 (en) | Silicon-containing soluble polyimide precursor and method for producing the same | |
| JP2003176356A (en) | Polyimide | |
| KR102591368B1 (en) | Olygomer, composition including oligomer, article prepared from the composition, method for preparing article, and display device including the article | |
| US5109058A (en) | Curable resin solution compositions, their preparation, and electronic part protective coatings | |
| JPH0277468A (en) | Polyamic acid solution | |
| JPH01126332A (en) | Silicone-containing polyimide curable product and cured product therefrom | |
| JPS63204749A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5846276B2 (en) | resin paste | |
| JP2000186146A (en) | Polybenzoxazole precursor and polybenzoxazole resin | |
| JPH01129028A (en) | Imide group-containing cured silicone and its production | |
| CN117757069A (en) | Transparent polyamide imide film material with high glass transition temperature and low thermal expansion coefficient, and preparation method and application thereof |