JPH04116745U - ピン型ロードセル - Google Patents

ピン型ロードセル

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Publication number
JPH04116745U
JPH04116745U JP2820191U JP2820191U JPH04116745U JP H04116745 U JPH04116745 U JP H04116745U JP 2820191 U JP2820191 U JP 2820191U JP 2820191 U JP2820191 U JP 2820191U JP H04116745 U JPH04116745 U JP H04116745U
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JP
Japan
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pin
thin film
load cell
strain gauge
type load
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Pending
Application number
JP2820191U
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English (en)
Inventor
茂 山崎
Original Assignee
株式会社小松製作所
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Publication date
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Priority to JP2820191U priority Critical patent/JPH04116745U/ja
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  • Measurement Of Force In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ピン強度の低下がなく、しかも製造が容易で
信頼性の高いピン型ロードセルを提供することにある。 【構成】 荷重を支持するピン1に薄膜歪ゲージ支持体
4a,4bを埋め込んでなるピン型ロードセルにおい
て、薄膜歪ゲージ支持体4a,4bのピン1に対する嵌
合部をYAGレーザ溶接する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、例えば、ダンプトラックの積載重量検出用センサ、サスペンション 制御用センサ等に用いられるピン型ロードセルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
建設機械のメカニカルコントロール(メカトロ)化に伴い、クレーンの吊荷重 量検出、油圧ショベルの掘削力検出等機械に加わる外力の検出が必要となること が多くなっている。このような場合、既成の機械に大幅な改良を加えることなく 装着できるものであることが望ましい。 そこで、機械の結合部に用いられるピン結合用のピンそのものを荷重センサと したピン型ロードセルが提案されている。これはピン結合で伝達される力は全て 結合ピンを通ることから、結合ピンを介して伝達される力の大きさと方向を測定 すれば機械に作用する力を検出することができる。 従来提案されているピン型ロードセルの1つに、図5に示すように、ピンaの 表面上の所定位置に形成した凹部内に薄膜歪ゲージ支持体b,bを冷しばめ法等 の機械的手段で固定するようにしたものがある。 また上記従来のピン型ロードセルを改良したものは、図6に示すようにピンc の表面上の所定位置に形成した凹部内に、中間リングdを予熱してから電子ビー ムで固定し、その後センサ部eをこの中間リングdに予熱なしで電子ビームにて 固定するようにしている。 上記図5、図6において、fはリード線ガイド穴、gはアンプ、hはグリース 給油孔、iは回り止めプレートである。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
上記従来の前者のものにあっては、ピンaの表面上の所定位置に形成した凹部 内に薄膜歪ゲージ支持体を冷しばめ等で係合固定する方法は、はめ合い許容差が 締り代で30μm以上あるため成膜層と母材間に微少剥離が形成されて断線状態 となる場合があり耐久性に難があった。 また後者のものは、ピンcの表面上の所定の位置に形成した凹部内に直接薄膜 歪ゲージ支持体を電子ビームで固定すると、このセンサ部が機能を満たさなくな るまで高温に達するため、中間リングdを固着した後にセンサ部eを固定するよ うにしているが、これによると、電子ビーム溶接を2回実施することになり、時 間及びコストが2倍かかってしまう。
【0004】 本考案は以上のことにかんがみなされたもので、ピン強度を低下させることが なく、しかも製造が容易で信頼性の高いピン型ロードセルを提供することを目的 とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本考案に係るピン型ロードセンサは、荷重を支持 するピンに薄膜歪ゲージ支持体を埋め込んでなるピン型ロードセルにおいて、薄 膜歪ゲージ支持体のピンに対する嵌合部をYAGレーザ溶接した構成となってい る。
【0006】
【作 用】
薄膜歪ゲージ支持体の周囲がYAGレーザ溶接されるため、支持体内の薄膜歪 ゲージが高温になことなしに薄膜歪ゲージ支持体がピン側に溶着される。
【0007】
【実 施 例】
本考案の実施例を図1から図4に基づいて説明する。 図中1はヨーク状のブラケット2a,2bに嵌合し、かつ中間部に負荷ブラケ ット3を支持するピンであり、このピン1の所定の2個所に第1と第2の薄膜歪 ゲージ支持体4a,4bが埋め込み固着してある。この各薄膜歪ゲージ支持体4 a,4bは図1に示すように、ピン1の孔1aに嵌合し、その後その嵌合部全周 をYAGレーザにて溶接する。 このときの溶接条件は下記の通りである。 (1)予熱:なし (2)溶接方法:シーム溶接 (3)パルス幅:6.0ms (4)パワー:170〜256W (5)充電電圧:480〜500V (6)回転治具:1回転/9秒 (7)アシストガス:Ar、10 l/min なお、図1において、5はリード線ガイド穴、6はアンプ部、7はグリース給 油穴、8は回り止めプレートである。
【0008】 上記構成において、薄膜歪ゲージ支持体4a,4bはYAGレーザ溶接にてピ ン1に固着されるため、これの嵌め合い許容差が0〜10μm程度の締め代とい う緩めにできるので、成膜層と母材間の微少剥離が避けられる。またYAGレー ザ溶接は薄膜歪ゲージ部の温度が電子ビーム溶接に比べて高温にならず、直径が 13m程度の薄膜歪ゲージ支持体を直接YAGレーザ溶接にて固着できる。 上記第1、第2の各薄膜歪ゲージ支持体4a,4bのそれぞれには2個ずつの 薄膜歪ゲージG1 ,G2 及びG3 ,G4 がそれぞれ直交する方向に支持されてお り、これらの薄膜ゲージG1 〜G4 は図4に示すように、ホイートストンブリッ ジに接続してあり、入力電圧eに対して出力電圧△lを検出することにより、ピ ン1に作用した力を検知できるようになっている。
【0009】
【考案の効果】
本考案によれば、ピン1に嵌合した薄膜歪ゲージ支持体4a,4bの嵌合部を YAGレーザ溶接してこれをピン1に固着したことにより、ピン強度を低下させ ることなく、しかも製造が容易で信頼性の高いピン型ロードセルを得ることがで きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例を示す断面図である。
【図2】要部の拡大断面図である。
【図3】薄膜歪ゲージの配置説明図である。
【図4】薄膜歪ゲージの結線図である。
【図5】第1の従来例を示す断面図である。
【図6】第2の従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 ピン、4a,4b 薄膜歪ゲージ支持体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 荷重を支持するピン1に薄膜歪ゲージ支
    持体4a,4bを埋め込んでなるピン型ロードセルにお
    いて、薄膜歪ゲージ支持体4a,4bのピン1に対する
    嵌合部をYAGレーザ溶接することを特徴とするピン型
    ロードセル。
JP2820191U 1991-04-01 1991-04-01 ピン型ロードセル Pending JPH04116745U (ja)

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JP2820191U JPH04116745U (ja) 1991-04-01 1991-04-01 ピン型ロードセル

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JP2820191U JPH04116745U (ja) 1991-04-01 1991-04-01 ピン型ロードセル

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JPH04116745U true JPH04116745U (ja) 1992-10-20

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ID=31912339

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010159548A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Hitachi Constr Mach Co Ltd 作業機械及びピン型ロードセル

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130628A (en) * 1980-03-18 1981-10-13 Toshiba Corp Load cell
JPS63302333A (ja) * 1987-06-02 1988-12-09 Komatsu Ltd ピン型ロ−ドセル

Patent Citations (2)

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