JPH04114995A - Method for depositing diamond thin film - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子工業における半導体や絶縁体及びコーテ
イング膜形成などの技術に用いられるダイヤモンド薄膜
の堆積方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for depositing a diamond thin film used in techniques such as semiconductor, insulator and coating film formation in the electronics industry.
従来の技術
結晶性の良い良質なダイヤモンド薄膜を堆積するために
は、堆積膜と基板素材との間の格子不整合の影響などを
なくす必要があるが、そのために、単に成長法のみを検
キｊするのではなく、膜を成長させる基板素材及びその
表面処理方法などを適切に選択する必要がある。Conventional technology In order to deposit a high-quality diamond thin film with good crystallinity, it is necessary to eliminate the effects of lattice mismatch between the deposited film and the substrate material. Instead, it is necessary to appropriately select the substrate material on which the film will be grown and its surface treatment method.
ダイヤモンド薄膜の堆積では、単結晶ダイヤモンドを基
板素材として用いたホモ・エピタキシャル成長法と、ダ
イヤモンド以外の材料、例えは、シリコンなどを基板素
材として用いたベテロ・エピタキシャル成長法が知られ
ている。For the deposition of diamond thin films, the homo-epitaxial growth method using single-crystal diamond as a substrate material and the vetero-epitaxial growth method using a material other than diamond, such as silicon, as the substrate material are known.
前者の方法によれば、格子不整合などの影響がないため
、結晶性の良い膜が得られている。According to the former method, a film with good crystallinity is obtained because there is no influence of lattice mismatch.
これに対し、後者の方法は、ダイヤモンド薄膜の広い分
野での利用や他の電子デバイスとのハイブリッド化など
の点で有利であるため盛んに研究されている。On the other hand, the latter method is being actively researched because it is advantageous in terms of using diamond thin films in a wide range of fields and hybridizing them with other electronic devices.
発明が解決しようとする課題
このように、結晶性が良く、また欠陥の少ないダイヤモ
ンド薄膜を堆積する方法として、単結晶ダイヤモンド基
板を用いたホモ・エピタキシャル成長法があげられるが
、しかし単結晶ダイヤモンド基板は非常に高価であると
いう課題や大面積のものを得ることが出来ないという課
題があった。Problems to be Solved by the Invention As described above, the homo-epitaxial growth method using a single-crystal diamond substrate is a method for depositing a diamond thin film with good crystallinity and few defects. There were problems that it was very expensive and that it was impossible to obtain one with a large area.
また、ペテロ・エピタキシャル技術によってダイヤモン
ド薄膜を堆積する場合、核の発生密度の増加や格子不整
合の緩和を行なうために、−船釣にダイヤモンド砥石で
基板素材表面を荒ずなどの基板素材の前処理を必要とし
ているが、ホモ・エピタキシィに比べ、膜全体の結晶性
が良くないという課題があった。In addition, when depositing a diamond thin film using the Peter epitaxial technique, in order to increase the density of nuclei and alleviate lattice mismatch, it is necessary to prepare the substrate material by roughening the surface of the substrate material with a diamond grindstone while fishing on a boat. Although it requires processing, the problem is that the crystallinity of the entire film is not as good as that of homo-epitaxy.
以上のように良質のダイヤモンド薄膜を堆積するための
方法として行なわれてきたものは一長一短であり、特に
ペテロ・エピタキシィにおいて結晶性・配向性の制御に
大きな成果をにげた方法は今まで得られていない。As mentioned above, the methods that have been used to deposit high-quality diamond thin films have their advantages and disadvantages, and in particular, no method has been obtained to date that has achieved great results in controlling crystallinity and orientation in Peter epitaxy. do not have.
本発明は、このような従来のダイヤモンド薄膜の堆積方
法の課題を解決するものであって、安価に良い品質のダ
イヤモンＩＳ薄膜を堆積する方法な提供することを目的
とする。The present invention solves the problems of the conventional diamond thin film deposition method, and aims to provide a method for depositing a high quality diamond IS thin film at low cost.
課題を解決するための手段
請求項１の本発明は、基板上にシリコンカーバイド膜を
形成した後に、その上にダイヤモンＩ・の薄膜堆積を行
なうことを特徴とするダイヤモンド薄膜の堆積方法であ
る。Means for Solving the Problems The present invention as claimed in claim 1 is a method for depositing a diamond thin film, characterized in that after a silicon carbide film is formed on a substrate, a thin film of Diamond I is deposited thereon.
請求項２０本発明は、基板上にシリコンカーバイド膜を
堆積した後に、その旧にダイヤモンドの薄膜堆積を行な
うことを特徴とするダイヤモンド薄膜の堆積方法である
。Claim 20: The present invention is a method for depositing a diamond thin film, which comprises depositing a diamond thin film on a substrate after depositing a silicon carbide film on the substrate.
請求項５０本発明は、シリコン基板ζこ対して、少なく
とも炭素を含むイオンの照射および熱処理を行い、それ
によって形成されるシリコンカーバイド層の」二に、ダ
イヤモンド膜堆積を行なうことを特徴とするダイヤモン
ド簿膜の堆積方法である。Claim 50 The present invention is characterized in that a silicon substrate ζ is irradiated with at least carbon-containing ions and heat treated, and a diamond film is deposited on the silicon carbide layer formed thereby. This is a method of depositing a film.
請求項６の本発明は、シリコン基板に対して、少なくと
も炭素を含むイオンの照射および熱処理を行ない、それ
によって形成されるシリコンカーバイド層の全部又は一
部が前記シリコン基板の表面に現れるように前記シリコ
ン基板をエツチングし、その上にダイヤモンド膜堆積を
行なうことを特徴とするダイヤモンド薄膜の堆積方法で
ある。The present invention as set forth in claim 6 provides that the silicon substrate is irradiated with at least carbon-containing ions and heat treated, so that all or part of the silicon carbide layer formed thereby appears on the surface of the silicon substrate. This method of depositing a diamond thin film is characterized by etching a silicon substrate and depositing a diamond film thereon.
請求項７の本発明は、シリコン基板に対して、少なくと
も炭素を含むイオンの照射を行ない、それによって形成
される炭素の注入層の全部又は−部が表面に現れるよう
に前記シリコン基板をエツチングした後、熱処理を行な
い、それによって形成されるシリコンカーバイド層の上
に膜堆積を行なうことを特徴とするダイヤモンド薄膜の
堆積方法である。According to a seventh aspect of the present invention, a silicon substrate is irradiated with ions containing at least carbon, and the silicon substrate is etched so that all or a portion of the carbon implanted layer formed thereby appears on the surface. This method of depositing a diamond thin film is characterized in that a heat treatment is then performed and a film is deposited on the silicon carbide layer formed thereby.
作用
本発明では、ダイヤモンド薄膜を基板素材」二に堆積す
る場合、その間にシリコンカーバイドの領域を形成する
ことにより、基板素材とダイヤモンドの格子不整合を緩
和することができるため、結晶性の良い膜を成長させる
ことが出来る。In the present invention, when a diamond thin film is deposited on a substrate material, the lattice mismatch between the substrate material and diamond can be alleviated by forming a silicon carbide region in between, resulting in a film with good crystallinity. can grow.
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明のダイヤモンド薄膜堆積の方法の一実施
例の模式１程図である。FIG. 1 is a schematic diagram of one embodiment of the diamond thin film deposition method of the present invention.
基板１０１０上にＣＶ Ｉ）法などを用いてシリコンカ
ーバイド膜１０２０を堆積するく同図（ａ）〜（ｂ））
。なお、堆積以外の方法でシリコンカーバイド膜１０２
０を形成してもよい。ここで基板１０１０の素材として
、例えばシリコンを用いた場合、立方晶でかつ単結晶の
シリコンカーバイド膜１０２０を得ることが出来る。こ
の立方晶シリコンカーバイ）１０２０は、その上に堆積
される（同図（Ｃ））ダイヤモンド薄膜１０３０と結晶
系が同じであると共に、格子定数がシリコンに比へダイ
ヤモンドに近いため、格子不整合の影響を緩ｆ口する。A silicon carbide film 1020 is deposited on the substrate 1010 using a CVI method or the like (Figures (a) to (b)).
. Note that the silicon carbide film 102 is formed by a method other than deposition.
0 may also be formed. Here, if silicon is used as the material for the substrate 1010, for example, a cubic and single crystal silicon carbide film 1020 can be obtained. This cubic silicon carbide (C) 1020 has the same crystal system as the diamond thin film 1030 deposited thereon (FIG. (C)), and has a lattice constant that is closer to that of diamond than that of silicon, resulting in a lattice mismatch. To reduce the influence of
その結果、そのＬに堆積されるダイヤモンド薄膜１０３
０の結晶性はシリコンカーバイド膜１０２０がない場合
よりも格段向上することを本発明者らは確認した。As a result, the diamond thin film 103 deposited on the L
The present inventors have confirmed that the crystallinity of the silicon carbide film 1020 is significantly improved compared to the case without the silicon carbide film 1020.
第２図は本発明にかかるダイヤモンド薄膜の堆積方法の
一実施例を示す工程図であ条。FIG. 2 is a process diagram showing one embodiment of the diamond thin film deposition method according to the present invention.
シリコン基板１０１＋こ、少なくとも炭素を含むイオン
１０２を低エネルギーてｒＩ＠射することによって、炭
素原子を前記シリコン基板１０１の表層に注入するく同
図（ａ）〜（ｂ））。Carbon atoms are implanted into the surface layer of the silicon substrate 101 by irradiating ions 102 containing at least carbon with low energy (Figures (a) to (b)).
具体的には、イオン１０２の加速エネルギーとして３−
０１ｃｅＶを用いた場合、炭素の注入領域１０３は基板
表面からおよそ３００△の深さ程度までである。Specifically, the acceleration energy of the ion 102 is 3-
When using 01 ceV, the carbon implantation region 103 extends to a depth of approximately 300 Δ from the substrate surface.
このように処理された基板１０１を熱処理することによ
って、基板素材の構成元素であるシリコンと注入された
炭素が結合し、シリコンカーバイド層１０４が形成され
る（同図（Ｃ））。形成されたシリコンカーバイ）層１
０４の様子については後述する実施例１で説明する。次
に、シリコン基板素材１０１の表層に形成されたこのシ
リコンカーバイド層１０４の上にダイヤモンド薄膜１０
５を堆積することにより、格子の不整合性が緩和された
結晶性の良い膜を得ることが出来る。By heat-treating the substrate 101 treated in this way, silicon, which is a constituent element of the substrate material, and the injected carbon combine to form a silicon carbide layer 104 (FIG. 3(C)). Formed silicon carbide) layer 1
04 will be explained in Example 1, which will be described later. Next, a diamond thin film 10 is deposited on this silicon carbide layer 104 formed on the surface layer of the silicon substrate material 101.
By depositing 5, it is possible to obtain a film with good crystallinity in which lattice mismatch is alleviated.
第３図は本発明ののダイヤモンド薄膜の堆積方法の一実
施例の工程図である。第２図で示した場合と同様に、シ
リコン基板素材１０１に、少なくとも炭素を含むイオン
１０２を照射し、熱処理な行うのではあるが、イオン１
０２が持つエネルギーが大きい場合、イオン照射および
熱処理によって形成される炭素原子の注入Ｎ１０３がシ
リコン基板素材１０１の内部に存在する（同図（ａ）〜
（Ｃ））。それ故に、ダイヤモンド薄膜堆積の際には、
形成されたシリコンカーバイドＮ】０４を基板表面にす
るため、シリコン基板素材１０１を適当な深さまでエツ
チングを行ない、表面にシリコンカーバイｌ−層１０４
を露出させる（同図（ｄ））。FIG. 3 is a process diagram of an embodiment of the diamond thin film deposition method of the present invention. Similar to the case shown in FIG. 2, a silicon substrate material 101 is irradiated with ions 102 containing at least carbon, and heat treatment is performed.
When the energy of N02 is large, carbon atoms implanted N103 formed by ion irradiation and heat treatment exist inside the silicon substrate material 101 (Fig.
(C)). Therefore, during diamond thin film deposition,
In order to make the formed silicon carbide layer 104 on the surface of the substrate, the silicon substrate material 101 is etched to an appropriate depth, and a silicon carbide layer 104 is formed on the surface.
((d) in the same figure).
それからその−■−にダイヤモンド薄膜を堆積させる（
同図（ｅ））。Then deposit a diamond thin film on that −■− (
Figure (e)).
第４図（ａ、）〜（ｅ）は本発明のダイヤモンド薄膜の
堆積方法の一実施例の工程図である。この方法は、ダイ
ヤモンＦｉ膜１０５が堆積されるシリコンカーバイド層
１０４の形成手順として、第３図に示した方法の場合の
エツチングと熱処理の順序を入れ換えたものであり、エ
ツチングを効率良く行なうことができる。FIGS. 4(a,) to 4(e) are process diagrams of an embodiment of the diamond thin film deposition method of the present invention. This method is a procedure for forming the silicon carbide layer 104 on which the diamond Fi film 105 is deposited by reversing the order of etching and heat treatment in the method shown in FIG. 3, so that the etching can be performed efficiently. can.
以下、本発明がさらに良く理解されるように、さらに具
体的な例を挙げて説明する。Hereinafter, the present invention will be explained using more specific examples so that it can be better understood.
（実施例１）
まず、請求項５記載の方法でダイヤモンド薄膜堆積を行
なった場合について述べる。(Example 1) First, a case will be described in which a diamond thin film is deposited by the method according to claim 5.
まず、イオン注入は炭化水素ガスであるメタンガスを放
電分解することによフて得られるイオンを、３．ＯｋＶ
の加速電圧でシリコン基板素材１０１に照射した。その
際の炭素のドーズ量は３．０×１０” （ｃｍ−２）と
した。その結果、炭素原子は基板表面から約３０ＯＡま
での領域に分布していることを本発明者らは確認した。First, ion implantation involves implanting ions obtained by discharging and decomposing methane gas, which is a hydrocarbon gas. OkV
The silicon substrate material 101 was irradiated with an acceleration voltage of . The carbon dose at that time was 3.0 x 10" (cm-2). As a result, the inventors confirmed that carbon atoms were distributed in a region up to about 30 OA from the substrate surface. .
注入後の炭素の結合状態は弱い５ｉ−Ｃ結合であるが、
８００℃以上の温度で熱処理することにより、注入層１
０３中に結晶質の立方晶シリコンカーバイドが形成され
る。The bonding state of carbon after implantation is a weak 5i-C bond, but
The injection layer 1 is formed by heat treatment at a temperature of 800°C or higher.
03, crystalline cubic silicon carbide is formed.
第５図はアルゴン雰囲気中で１１５０℃、５分間熱処理
を行なった場合の基板素材表面の状態を光電子分光法を
用いて調べた結果である。図（ａ）はＳｌの２ｐ電子が
どれに結合しているかを見るための実験結果であって、
炭素が注入された基板と前述した単結晶基板とを比較し
たものである。双方ともほぼ同じ結果を示していること
が分かる。また、図（ｂ）は、Ｃの１ｐ電子がどれに結
合しているかを見るための実験結果であフて、双方とも
ほぼ同じ結果を示していることが分かる。横軸は結合エ
ネルギー 縦軸は強さである。これらの図より、低エネ
ルギーでイオン注入した後に熱処理された基板素材の表
面はシリコンカーバイドになっていることがわかる。ま
た、その結晶形態は立方晶であることを反射高速電子線
回折により、本発明者らは確認した。この様にして得ら
れたシリコンカーバイ）Ｆ’１０４の上にダイヤセン１
ζ薄膜を行なったところ、薄膜状でかつ結晶性の良い膜
が得られた。FIG. 5 shows the results of examining the surface condition of the substrate material using photoelectron spectroscopy when heat treatment was performed at 1150° C. for 5 minutes in an argon atmosphere. Figure (a) shows the results of an experiment to see which 2p electrons of Sl are bonded to,
This is a comparison between a carbon-implanted substrate and the aforementioned single crystal substrate. It can be seen that both methods show almost the same results. Moreover, Figure (b) is the result of an experiment to see which one the 1p electron of C is bonded to, and it can be seen that both show almost the same results. The horizontal axis is the binding energy and the vertical axis is the strength. From these figures, it can be seen that the surface of the substrate material, which has been heat-treated after ion implantation at low energy, has become silicon carbide. Further, the present inventors confirmed by reflection high-speed electron diffraction that the crystal form is cubic. Diasen 1 was placed on top of silicon carbide F'104 obtained in this way.
When ζ thin film was formed, a thin film with good crystallinity was obtained.
第６図は得られたダイヤモンド薄膜のラマン分光の結果
である。FIG. 6 shows the results of Raman spectroscopy of the obtained diamond thin film.
（実施例２）
次に、請求項６記載の手順でダイヤモンド薄膜堆積を行
なった場合について述べる。(Example 2) Next, a case will be described in which a diamond thin film is deposited according to the procedure described in claim 6.
炭素イオンの注入エネルギーは４０ｋｅＶで行なフた。The carbon ion implantation energy was 40 keV.
この場合も実施例１と同様にシリコンカーバイ）層１０
４が形成されるが、その形成領域は表面から数μｍの深
さになる。そのため、形成されたシリコンカーバイドＮ
１０４の全部又は−部を基板表面にするために適当な条
件でエツチングを行ない、基板素材１０１の上層部を取
り去った。このようにして得られた基板表面の状態は実
施例１の場合と同様に結晶質の立方晶シリコンカーバイ
ドであり、その上に堆積されたダイヤモンド膜１０５は
結晶性の良いものであることを本発明者らは確認した。In this case, as in Example 1, the silicon carbide layer 10
4 is formed, but the formation region is several μm deep from the surface. Therefore, the formed silicon carbide N
Etching was performed under appropriate conditions to make all or a negative part of the substrate material 104 the surface of the substrate, and the upper layer of the substrate material 101 was removed. The state of the substrate surface thus obtained is crystalline cubic silicon carbide, as in the case of Example 1, and the diamond film 105 deposited thereon has good crystallinity. The inventors confirmed this.
（実施例３）
実施例２においてエツチングと熱処理の順序を交換して
行なった場合について述べる。この場合は、エツチング
が容易になされることを本発明者らは確認した。そして
、エツチング後に熱処理することによって形成されるシ
リコンカーバイド層１０４は実施例２で得られたものと
同様なものが得られ、その上に堆積されたダイヤモンド
膜は結晶性が良いものであることが確認された。(Example 3) A case will be described in which the order of etching and heat treatment in Example 2 is changed. The present inventors have confirmed that etching can be easily performed in this case. The silicon carbide layer 104 formed by heat treatment after etching is similar to that obtained in Example 2, and the diamond film deposited thereon has good crystallinity. confirmed.
発明の詳細
な説明したところから明らかなように、本発明は、基板
素材と堆積されるダイヤモンド薄膜の間にシリコンカー
バイド層を形成することにより、格子不整合の影響を少
なくすることが出来る。その結果、基板上への良質なダ
イヤセンｌ−薄膜へテロエピタキシャル成長が可能にな
る。このことは結晶性の良いダイヤモンド薄膜が大面積
で得られると共に、ハイブリッド・デバイスの製造を特
徴とする
特に、基板素材としてシリコンを、シリコンカーバイド
膜として、立方晶シリコンカーバイドを選択した場合そ
の効果は大きい。As will be apparent from the detailed description of the invention, the present invention reduces the effects of lattice mismatch by forming a silicon carbide layer between the substrate material and the deposited diamond film. As a result, it becomes possible to heteroepitaxially grow a high-quality diacene l-thin film on the substrate. This makes it possible to obtain a diamond thin film with good crystallinity over a large area, and is also suitable for manufacturing hybrid devices.In particular, when silicon is selected as the substrate material and cubic silicon carbide is selected as the silicon carbide film, the effect is big.
第１図は本発明のダイヤモンド薄膜の堆積方法の一実施
例の工程図、第２図は他の本発明のダイヤモンド薄膜の
堆積方法の一実施例の工程図、第３図は他の本発明のダ
イヤモンド薄膜の堆積方法の一実施例の工程図、第４図
は他の本発明のダイヤモンド薄膜の堆積方法の一実施例
の工程図、第５図は形成されたシリコンカーバイド層表
面の結合状態を示すグラフ、第６図ζよ堆積されたダイ
ヤモンド薄膜のラマン分光の結果を示すグラフである。
１０１０・・・基板素祠、１０２０・・・シリコンブｌ
−バイト膜、 １０３０・・・ダイヤモンド薄膜、 １
０１・・・シリコン基板、１０２・・・炭素を含むイオ
ン、１０４・・・シリコンカーバイド層、１０５・・・
ダイヤモンド薄膜。
代理人 弁理士 松 １）正 道FIG. 1 is a process diagram of an embodiment of the diamond thin film deposition method of the present invention, FIG. 2 is a process diagram of an embodiment of the diamond thin film deposition method of another present invention, and FIG. 3 is a process diagram of another embodiment of the diamond thin film deposition method of the present invention. FIG. 4 is a process diagram of an embodiment of the method of depositing a diamond thin film according to the present invention, FIG. 5 is a process diagram of another embodiment of the method of depositing a diamond thin film of the present invention, and FIG. FIG. 6 is a graph showing the results of Raman spectroscopy of the deposited diamond thin film. 1010...Substrate material, 1020...Silicon material
- bite film, 1030...diamond thin film, 1
01...Silicon substrate, 102...Ions containing carbon, 104...Silicon carbide layer, 105...
Diamond thin film. Agent Patent Attorney Matsu 1) Masamichi
Claims (7)
その上にダイヤモンドの薄膜堆積を行なうことを特徴と
するダイヤモンド薄膜の堆積方法。(1) After forming a silicon carbide film on the substrate,
A method for depositing a diamond thin film, comprising depositing a diamond thin film thereon.
その上にダイヤモンドの薄膜堆積を行なうことを特徴と
するダイヤモンド薄膜の堆積方法。(2) After depositing the silicon carbide film on the substrate,
A method for depositing a diamond thin film, comprising depositing a diamond thin film thereon.
請求項１又は２記載のダイヤモンド薄膜の堆積方法。(3) The method of depositing a diamond thin film according to claim 1 or 2, wherein the material of the substrate is silicon.
イドであることを特徴とする請求項１又は２記載のダイ
ヤモンド薄膜の堆積方法。(4) The method of depositing a diamond thin film according to claim 1 or 2, wherein the silicon carbide film is cubic silicon carbide.
オンの照射および熱処理を行い、それによって形成され
るシリコンカーバイド層の上に、ダイヤモンド膜堆積を
行なうことを特徴とするダイヤモンド薄膜の堆積方法。(5) A method for depositing a diamond thin film, which comprises irradiating a silicon substrate with ions containing at least carbon and heat treating it, and depositing a diamond film on the silicon carbide layer formed thereby.
オンの照射および熱処理を行ない、それによって形成さ
れるシリコンカーバイド層の全部又は一部が前記シリコ
ン基板の表面に現れるように前記シリコン基板をエッチ
ングし、その上にダイヤモンド膜堆積を行なうことを特
徴とするダイヤモンド薄膜の堆積方法。(6) The silicon substrate is irradiated with ions containing at least carbon and heat treated, and the silicon substrate is etched so that all or part of the silicon carbide layer formed thereby appears on the surface of the silicon substrate. A method for depositing a diamond thin film, comprising depositing a diamond film thereon.
オンの照射を行ない、それによって形成される炭素の注
入層の全部又は一部が表面に現れるように前記シリコン
基板をエッチングした後、熱処理を行ない、それによっ
て形成されるシリコンカーバイド層の上に膜堆積を行な
うことを特徴とするダイヤモンド薄膜の堆積方法。(7) After irradiating the silicon substrate with ions containing at least carbon and etching the silicon substrate so that all or part of the carbon implanted layer formed thereby appears on the surface, heat treatment is performed. A method for depositing a diamond thin film, comprising depositing the film on a silicon carbide layer formed thereby.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23428590A JPH04114995A (en) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | Method for depositing diamond thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23428590A JPH04114995A (en) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | Method for depositing diamond thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114995A true JPH04114995A (en) | 1992-04-15 |
Family
ID=16968585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23428590A Pending JPH04114995A (en) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | Method for depositing diamond thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114995A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132692A (en) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Diamond thin film and production thereof |
| JPH0864527A (en) * | 1994-05-04 | 1996-03-08 | Daimler Benz Ag | Composite construction for electronic part |
| WO2000032853A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23428590A patent/JPH04114995A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5744825A (en) * | 1994-05-04 | 1998-04-28 | Daimler-Benz Ag | Composite structure for an electronic component comprising a growth substrate, a diamond layer, and an intermediate layer therebetween |
| WO2000032853A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same |
| FR2786794A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-09 | Commissariat Energie Atomique | LARGE SIZE MONOATOMIC AND MONOCRISTALLINE LAYER, MADE OF DIAMOND-TYPE CARBON, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH LAYER |
| US6924509B2 (en) | 1998-12-02 | 2005-08-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Monoatomic and moncrystalline layer of large size, in diamond type carbon, and method for the manufacture of this layer |
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