JPH04113249A - ナトリウムミスト発生装置 - Google Patents
ナトリウムミスト発生装置Info
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- JPH04113249A JPH04113249A JP2230687A JP23068790A JPH04113249A JP H04113249 A JPH04113249 A JP H04113249A JP 2230687 A JP2230687 A JP 2230687A JP 23068790 A JP23068790 A JP 23068790A JP H04113249 A JPH04113249 A JP H04113249A
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- 239000003595 mist Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 title claims 10
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 title claims 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 101100298225 Caenorhabditis elegans pot-2 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はNaを冷却材に使用する高速増殖炉に使用され
るNa機器から漏洩したNaを極微小のうちに検出する
Naイオン化検出器に関するもので、特にNaイオン化
検出器を校正するために必要なNaミスト発生装置に関
する。
るNa機器から漏洩したNaを極微小のうちに検出する
Naイオン化検出器に関するもので、特にNaイオン化
検出器を校正するために必要なNaミスト発生装置に関
する。
従来の装置は特開昭57−122337号公報に記載の
ようにNaイオン化検出器の上流側にNaポットを外部
から取付けたヒータを加熱してNaミストを発生する間
接加熱式Naミスト発生装置を取付けて、検出器の感度
校正をしていた。この方法では、連続的にミストが発生
できる利点があるが、発生に必要な電力が大きく、Na
ポットの外周が100〜300℃に加熱されるため、安
全上からも断熱材でNaポットやヒータを包む必要があ
る。
ようにNaイオン化検出器の上流側にNaポットを外部
から取付けたヒータを加熱してNaミストを発生する間
接加熱式Naミスト発生装置を取付けて、検出器の感度
校正をしていた。この方法では、連続的にミストが発生
できる利点があるが、発生に必要な電力が大きく、Na
ポットの外周が100〜300℃に加熱されるため、安
全上からも断熱材でNaポットやヒータを包む必要があ
る。
また、Naの表面が水酸化Naや、酸化Naで包まれて
いるため、ミストの発生部は上記水酸化物や酸化物の割
れ目からとなり、発生量が不安定であり、ドリフトも多
かった。
いるため、ミストの発生部は上記水酸化物や酸化物の割
れ目からとなり、発生量が不安定であり、ドリフトも多
かった。
なお、ミストの発生量はNa温度を変えて行うが温度を
変えてNaミスト発生量が一定値となるまでの時間も数
10分〜1時間も必要であった。
変えてNaミスト発生量が一定値となるまでの時間も数
10分〜1時間も必要であった。
第2図は従来装置を示す図である。装置はNa1を入れ
たNaポット2とNaボットの蓋3があり、Naミスト
が系外に漏れないようにしている。
たNaポット2とNaボットの蓋3があり、Naミスト
が系外に漏れないようにしている。
Naポットの下部にはヒータ4が巻かれ、保温材5で包
み熱効率を上げると共に、火傷をしないようにしている
。Naミスト6をサンプリングする窒素ガスはサンプリ
ングガス入ロアから入り、Naミストと混合しNaイオ
ン化検呂器に入る。
み熱効率を上げると共に、火傷をしないようにしている
。Naミスト6をサンプリングする窒素ガスはサンプリ
ングガス入ロアから入り、Naミストと混合しNaイオ
ン化検呂器に入る。
検出器に入ったNaミストは白金で作られたフィラメン
ト8に当たり熱的にイオン化し負電位のコレクタ9に捕
集される。10と11はそれぞれ、フィラメント電源と
イオン捕集電源である。
ト8に当たり熱的にイオン化し負電位のコレクタ9に捕
集される。10と11はそれぞれ、フィラメント電源と
イオン捕集電源である。
上記従来技術はミスト発生のために必要な入熱量が多い
点には配慮されておらず、装置が必要となるなどと、N
aミスト発生装置が大形になっていた。
点には配慮されておらず、装置が必要となるなどと、N
aミスト発生装置が大形になっていた。
本発明はNaミスト発生装置を小形すること、および短
時間に簡単な方法でNaミスト発生量をコントロールで
きることを目的としている。
時間に簡単な方法でNaミスト発生量をコントロールで
きることを目的としている。
上記目的を達成するために従来はNaをヒータで間接的
に加熱し、Na全体を溶融し、溶融表面からNaミスト
を発生させていた。Naの溶融液面から発生するミスト
量はNa温度、系の圧力に左右される。しかし、溶融表
面には200〜300℃で溶けないNaの水酸化物や酸
化物等の高融点被膜でおおわれているため、実際にNa
ミストが発生するのは上記水酸化物や酸化物にNaO熱
膨張で生じた割れ目から発生していた。したがって、発
生量が経済的に不安定であること。発生量の再現性が悪
い等の問題があった。これらの問題を解決するため、N
aの加熱を放電アークを直接Na表面との電極の間で発
生し省電力でNaミストを発生させるようにしたもので
ある。即ち、放電アークを飛ばす放電電極をNa表面近
くに配置し、Naと放電電極間に高電圧を印加し放電を
発生させ、高エネルギーのアークでNaを直接加熱蒸発
させるものである。アーク温度が非常に高いこと、Na
と直接放電を発生させるため、ミスの発生効率が高く、
Naの表面に多少水酸化膜や酸化膜があっても問題なく
ミストが発生する。
に加熱し、Na全体を溶融し、溶融表面からNaミスト
を発生させていた。Naの溶融液面から発生するミスト
量はNa温度、系の圧力に左右される。しかし、溶融表
面には200〜300℃で溶けないNaの水酸化物や酸
化物等の高融点被膜でおおわれているため、実際にNa
ミストが発生するのは上記水酸化物や酸化物にNaO熱
膨張で生じた割れ目から発生していた。したがって、発
生量が経済的に不安定であること。発生量の再現性が悪
い等の問題があった。これらの問題を解決するため、N
aの加熱を放電アークを直接Na表面との電極の間で発
生し省電力でNaミストを発生させるようにしたもので
ある。即ち、放電アークを飛ばす放電電極をNa表面近
くに配置し、Naと放電電極間に高電圧を印加し放電を
発生させ、高エネルギーのアークでNaを直接加熱蒸発
させるものである。アーク温度が非常に高いこと、Na
と直接放電を発生させるため、ミスの発生効率が高く、
Naの表面に多少水酸化膜や酸化膜があっても問題なく
ミストが発生する。
第1図は本発明を示すものである。Nalは小形のNa
ポット2に入れてあり、蓋3には絶縁体12を介して放
電電極13が取付けである。放電電極の先端は放電しや
すいように鋭くしである。
ポット2に入れてあり、蓋3には絶縁体12を介して放
電電極13が取付けである。放電電極の先端は放電しや
すいように鋭くしである。
高圧電源14の負電位側はNaボットに接続し、正電位
側は放電スイッチ15を介して放電電極に接続する。こ
のような構成とすることにより、スイッチを閉とするこ
とにより、放電電極先端とNa間に高電圧が印加され放
電が生じ、Naミストが発生する。スイッチが閉の間は
放電が発生するが、スイッチを開とすることによりNa
ミストの発生を止めることができる。
側は放電スイッチ15を介して放電電極に接続する。こ
のような構成とすることにより、スイッチを閉とするこ
とにより、放電電極先端とNa間に高電圧が印加され放
電が生じ、Naミストが発生する。スイッチが閉の間は
放電が発生するが、スイッチを開とすることによりNa
ミストの発生を止めることができる。
尚放電による加熱は入熱面積が小さく局部加熱となるた
め、Naミストが効率的に発生し、Naポット全体が温
度上昇することはない。したがって、Naボットは保温
する必要もなく、小形にできる。
め、Naミストが効率的に発生し、Naポット全体が温
度上昇することはない。したがって、Naボットは保温
する必要もなく、小形にできる。
尚、Naミストは導電体であるため、Naミストが絶縁
体に付着して絶縁劣化をしないように、絶縁体にはひた
2oを設けると効果的である。
体に付着して絶縁劣化をしないように、絶縁体にはひた
2oを設けると効果的である。
放電を連続的に発生させるためには高圧電源の電力容量
の大きなものが必要で、がっ、高価となる。本実施例で
は小容量の高圧電源で十分放電を行なわせることを目的
とする。第3図において、16は本発明のNaミスト発
生器、17はコンデンサ、18は充電スイッチ、19は
充電抵抗を示す。また、放電スイッチ15と充電スイッ
チ18は連動しており、一方が開の時は他方が閉となる
ようにしである。
の大きなものが必要で、がっ、高価となる。本実施例で
は小容量の高圧電源で十分放電を行なわせることを目的
とする。第3図において、16は本発明のNaミスト発
生器、17はコンデンサ、18は充電スイッチ、19は
充電抵抗を示す。また、放電スイッチ15と充電スイッ
チ18は連動しており、一方が開の時は他方が閉となる
ようにしである。
最初に充電用スイッチを閉とし、高圧電源でコンデンサ
に充電抵抗を介して充電する。高圧電源の電圧をE、コ
ンデンサの容量をC1充電抵抗をRとし、それぞれ、下
記の値とすると高圧電源の電流工は下式の値となる。
に充電抵抗を介して充電する。高圧電源の電圧をE、コ
ンデンサの容量をC1充電抵抗をRとし、それぞれ、下
記の値とすると高圧電源の電流工は下式の値となる。
E : l O,000(V)
C:1X10”−6(F)
R: 100XIO3(Ω)
t:充電スイッチを閉じてからの時間(秒)最大電流は
t=Oで0.1(A)t’あり、t=1秒では約0.O
IA に小さくなる。
t=Oで0.1(A)t’あり、t=1秒では約0.O
IA に小さくなる。
コンデンサの充電電圧eは同様に下式で表わされる。
充電スイッチを閉じてt=1秒後にはe=9050Vに
なり、t=10秒後には9900Vになる。
なり、t=10秒後には9900Vになる。
コンデンサの電圧が飽和したところで充放電スイッチを
切替えてやることにより、放電電極とNa間に高電圧が
印加され放電が生じNaミストが発生する。放電終了後
、充放電スイッチを再び充電側に切替えてやることによ
り繰返しNaミストを発生させることができる。尚、放
電電流■。
切替えてやることにより、放電電極とNa間に高電圧が
印加され放電が生じNaミストが発生する。放電終了後
、充放電スイッチを再び充電側に切替えてやることによ
り繰返しNaミストを発生させることができる。尚、放
電電流■。
は放電時間をt、とすると下式で表わされる。
通常放電時間はI X 10”−〜I X 10−3秒
と短かく、■、は10〜1000(A)の大きな値とな
り、Naは局部的に大きなエネルギーで加熱溶解される
ことがわかる。■、は上式よりE又はCを変えて簡単に
変えられるため、ミストの発生量は簡単にコントロール
できる。
と短かく、■、は10〜1000(A)の大きな値とな
り、Naは局部的に大きなエネルギーで加熱溶解される
ことがわかる。■、は上式よりE又はCを変えて簡単に
変えられるため、ミストの発生量は簡単にコントロール
できる。
以上のように、小容量の高圧電源でも、第3図に示す回
路構成により、容易にNaミストを発生することができ
る。
路構成により、容易にNaミストを発生することができ
る。
尚、高圧電源がない場合は圧電素子を用いて高電圧を発
生させることもできる。
生させることもできる。
また、Naミストの発生が不要の場合は高圧電源のスイ
ッチを閉とすれば簡単にでき、従来の間接加熱方式のよ
うに、サンプリングガス流路をバルブ操作で変更するこ
とも不要である。
ッチを閉とすれば簡単にでき、従来の間接加熱方式のよ
うに、サンプリングガス流路をバルブ操作で変更するこ
とも不要である。
本発明によれば、放電によりNaを直接高エネルギーの
電流で局部加熱するため (1)Naボットの温度を高温とすることがないため、
小形で安全なNaミスト発生装置となる。
電流で局部加熱するため (1)Naボットの温度を高温とすることがないため、
小形で安全なNaミスト発生装置となる。
(2)Naミストの発生量は印加電圧又はコンデンサの
電荷を変えて、1分程度の短時間でコントロールできる
。
電荷を変えて、1分程度の短時間でコントロールできる
。
等の効果が得られる。
第1図は本発明を示す縦断面図、第2図は従来装置の縦
断面図、第3図は実施例を示す回路図を示す。 1・・・Na、2・・・Naボット、3・・・蓋、4・
・ヒータ、5・・・保温材、6・・・Naミスト、7・
・・サンプリングガス入口、8・・・フィラメント、9
・・・コレクタ、10・・・フィラメント電源、11・
・・イオン捕集電源、12・・・絶縁体、13・・・放
電電極、14・・・高圧電源、15・・・放電スイッチ
、16・・・Naミスト発生器、17・・・コンデンサ
、18・・・充電スイッチ、19・・・第1図
断面図、第3図は実施例を示す回路図を示す。 1・・・Na、2・・・Naボット、3・・・蓋、4・
・ヒータ、5・・・保温材、6・・・Naミスト、7・
・・サンプリングガス入口、8・・・フィラメント、9
・・・コレクタ、10・・・フィラメント電源、11・
・・イオン捕集電源、12・・・絶縁体、13・・・放
電電極、14・・・高圧電源、15・・・放電スイッチ
、16・・・Naミスト発生器、17・・・コンデンサ
、18・・・充電スイッチ、19・・・第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ナトリウムを入れ、サンプリングガスの出入口の付
いたNaポットとNaポットから絶縁体で絶縁された放
電電極がナトリウムと近接して設けられ、ナトリウムと
放電電極間に高圧電源を接続し、高電圧を印加して放電
をさせてナトリウムミストを発生させることを特徴とす
るナトリウムミスト発生装置。 2、請求項第1項において、放電を間歇的にすることを
特徴とするナトリウムミスト発生装置。 3、請求項第1項において、高電圧電源が圧電素子を用
いたことを特徴とするナトリウムミスト発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2230687A JPH04113249A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | ナトリウムミスト発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2230687A JPH04113249A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | ナトリウムミスト発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04113249A true JPH04113249A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16911740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2230687A Pending JPH04113249A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | ナトリウムミスト発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04113249A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010167068A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Itachibori Mfg Co Ltd | 消火栓格納箱の機器取付構造 |
JP2021501316A (ja) * | 2018-06-07 | 2021-01-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 二次電池の内部発生ガスリアルタイム分析用チャンバ及びシステム |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2230687A patent/JPH04113249A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010167068A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Itachibori Mfg Co Ltd | 消火栓格納箱の機器取付構造 |
JP2021501316A (ja) * | 2018-06-07 | 2021-01-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 二次電池の内部発生ガスリアルタイム分析用チャンバ及びシステム |
US11650255B2 (en) | 2018-06-07 | 2023-05-16 | Lg Energy Solution, Ltd. | Chamber and system for real-time analysis of gas generated inside secondary battery |
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