JPH04110977U - Acceleration sensor with self-diagnosis function - Google Patents

Acceleration sensor with self-diagnosis function

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JPH04110977U
JPH04110977U JP922391U JP922391U JPH04110977U JP H04110977 U JPH04110977 U JP H04110977U JP 922391 U JP922391 U JP 922391U JP 922391 U JP922391 U JP 922391U JP H04110977 U JPH04110977 U JP H04110977U
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JP
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cantilever
sensor
acceleration sensor
self
vibration
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JP922391U
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Japanese (ja)
Inventor
幸雄 岩崎
清和 大瀧
貢一 糸魚川
Original Assignee
株式会社東海理化電機製作所
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 カンチレバーを磁気力または静電力を利用し
て振動させたときのセンサ出力によりセンサの状態をチ
ェックする自己診断機能を持たせる。 【構成】 カンチレバー4に磁気力または静電力による
振動を加える振動発生手段16を設け、カンチレバーを
定期的または電源投入時に振動させ、このときの振動に
応じたセンサ出力とセンサの正常動作時のセンサ出力と
を比較してセンサの正常な動作を診断する。
(57) [Summary] [Purpose] Provide a self-diagnosis function that checks the sensor status based on the sensor output when the cantilever is vibrated using magnetic force or electrostatic force. [Structure] The cantilever 4 is provided with a vibration generating means 16 that applies vibrations due to magnetic force or electrostatic force, and the cantilever is vibrated periodically or when the power is turned on, and the sensor output corresponding to the vibration at this time and the sensor when the sensor is in normal operation are generated. Diagnose normal operation of the sensor by comparing with the output.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed explanation of the idea]

【0001】0001

【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本考案は磁力または静電力を利用してカンチレバーを振動させ、センサが正常 であるか否かを自己診断する加速度センサに関する。 This invention uses magnetic force or electrostatic force to vibrate the cantilever, and the sensor is activated. This invention relates to an acceleration sensor that self-diagnoses whether the

【0002】0002

【従来の技術】[Conventional technology]

カンチレバーを有する加速度センサでは、過大な衝撃や疲労等によってセンサ が故障しているか否かを使用ごと(電源投入時ごと)に自己診断し、使用時の信 頼性を向上させることが要求されている。従来、カンチレバーの折れを検出する ための配線をカンチレバー上に設け、この配線の断線等による間接的な自己診断 を行なっていた。この為、カンチレバーの正・異常は診断できるが、センサが正 常に作動しているか否かの診断ができない。このような背景から定期的あるいは 電源投入時に、センサの機能チェックを行う自己診断機能を有する加速度センサ が提案されている。 Acceleration sensors with cantilevers may fail due to excessive impact or fatigue. It self-diagnoses whether or not the unit is malfunctioning each time it is used (every time the power is turned on), and the There is a need to improve reliability. Conventionally, cantilever bending was detected A wiring is provided on the cantilever for indirect self-diagnosis due to disconnection of this wiring, etc. was being carried out. For this reason, it is possible to diagnose whether the cantilever is correct or abnormal, but if the sensor is It is not possible to diagnose whether it is always working or not. Against this background, periodic or Acceleration sensor with self-diagnosis function that checks sensor function when power is turned on. is proposed.

【0003】0003

【考案が解決しようとする課題】[Problem that the idea aims to solve]

しかしながら、自己診断方法としてはソレノイドによってセンサ自体に衝撃を 与えるように構成されているので、可動部の特性からセンサに与える衝撃がバラ ツクことがあり、また可動部の小型化も難しくかつセンサの劣化等が診断できな いという問題があった。 本発明の目的は、カンチレバーを磁気力または静電力を利用して振動させたと きのセンサ出力によりセンサの状態をチェックする自己診断機能を持たせた加速 度センサを提供することである。 However, as a self-diagnosis method, a shock is applied to the sensor itself using a solenoid. The shock applied to the sensor varies depending on the characteristics of the moving parts. In addition, it is difficult to miniaturize the moving parts, and it is difficult to diagnose sensor deterioration. There was a problem. The object of the present invention is to vibrate a cantilever using magnetic force or electrostatic force. Acceleration equipped with a self-diagnosis function that checks the sensor status based on the sensor output. An object of the present invention is to provide a degree sensor.

【0004】0004

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

上記の目的を達成するために、本考案の自己診断機能を有する加速度センサは カンチレバーに強制振動を加えたときのセンサ出力により正常な動作を診断する 機能を有する加速度センサにおいて、前記カンチレバーに磁気力または静電力に よる振動を加える振動発生手段が設けられていることを特徴とするものである。 In order to achieve the above purpose, the acceleration sensor with self-diagnosis function of the present invention is Diagnose normal operation based on sensor output when forced vibration is applied to the cantilever In an acceleration sensor having a function, the cantilever is subjected to magnetic force or electrostatic force. The device is characterized in that it is provided with a vibration generating means for applying vibration according to the amount of vibration.

【作用】[Effect]

定期的または電源投入時において、カンチレバーに磁気力または静電力を加え て振動させると、この振動に応じた電気信号がセンサから出力される。このセン サ出力とセンサの正常動作時のセンサ出力とを比較することによりセンサの良否 判定をする。 Apply magnetic or electrostatic force to the cantilever periodically or at power-on. When the sensor is vibrated, an electrical signal corresponding to the vibration is output from the sensor. This center The quality of the sensor can be determined by comparing the sensor output with the sensor output when the sensor is operating normally. make a judgment.

【0005】[0005]

【実施例】【Example】

本考案の第1実施例を説明する。図1Aはカバー密閉前の加速度センサの外観 が示されている。図1Bはカバー密閉後の図1AのA−A断面が示されている。 金属製のステム1は、例えばパーマロイ等の磁性体で作製されている。ステム 1の一部には平坦な上面をもつ突部2が形成されており、この突部2の上面に台 座3を介在させてカンチレバー4を有する加速度センサチップ5およびステム1 面にハイブリッド集積回路(HIC)基板6がそれぞれ接着により固定されてい る。このHIC基板6に近接してハーメチックシール8aにより固定された出力 ピン8が配置されている。HIC基板6は、例えばアルミナなどのセラミック基 板であり、このセラミック基板上には増幅回路や温度補償回路、感度調整回路な どの処理部が設けられている。処理部はワイヤ7により出力ピン8に接続され、 この出力ピン8から信号が取り出される。ワイヤ7の接続はAl線やAu線でワ イヤボディングによって行われる。台座3はシリコン、ガラス、金属等により形 成され、カンチレバー4が位置する部分が開放されている。なお、9は金属製の 保護カバーで、ステム1と密閉溶接されている。 A first embodiment of the present invention will be described. Figure 1A shows the appearance of the acceleration sensor before the cover is sealed. It is shown. FIG. 1B shows the AA cross section of FIG. 1A after the cover is sealed. The metal stem 1 is made of a magnetic material such as permalloy. stem A protrusion 2 with a flat upper surface is formed in a part of the protrusion 1, and a stand is mounted on the upper surface of this protrusion 2. An acceleration sensor chip 5 having a cantilever 4 with a seat 3 interposed therebetween and a stem 1 A hybrid integrated circuit (HIC) substrate 6 is fixed to each surface by adhesive. Ru. The output is fixed by a hermetic seal 8a in close proximity to this HIC board 6. A pin 8 is arranged. The HIC substrate 6 is made of a ceramic base such as alumina. This ceramic board has amplifier circuits, temperature compensation circuits, sensitivity adjustment circuits, etc. Which processing section is provided? The processing section is connected to the output pin 8 by a wire 7, A signal is taken out from this output pin 8. Connect wire 7 using Al wire or Au wire. It is done by earboding. Pedestal 3 is made of silicon, glass, metal, etc. The portion where the cantilever 4 is located is open. In addition, 9 is made of metal A protective cover that is hermetically welded to stem 1.

【0006】 加速度センサチップ5は、シリコンウェハを用い、半導体製造技術により図2 に示す片持構造のカンチレバー4、このカンチレバー4の振動によって応力ひず みの発生する部位(カンチレバーの根元部)に配置された半導体ひずみゲージ1 0およびこの半導体ひずみゲージ10の抵抗値変化による振動に応じた電気信号 を増幅等の電気的処理を行うIC部が作られ、このIC部からの信号がボンディ ングパット11、ワイヤ12を通してHIC基板6に送られる。 カンチレバー4は、異方性エッチングにより図2Bに示すIC部側から延びる 薄肉部分13とこの薄肉部分に連続した厚肉部分14を形成し、この先端の厚肉 部分14によりおもり部を構成させている。おもり部の台座側に位置する面には コイルアッシ16の作る磁界が作用する磁性体15が形成(蒸着、メッキまたは 磁性体の接着)されている。 コイルアッシ16は、図3に示すように、中央に貫通孔17を設けたコイルボ ビン18にマグネットワイヤ19を巻裝し、このワイヤ19をボビン18に設け らた端子20に接続し、この端子に配線されたパッド21からHIC基板6へ接 続される。このコイルアッシ16は、図1Bに示すように、ステム1の突部2を コイルアッシ16の貫通孔17に挿入させた状態で取り付けられる。このように コイルアッシ16を配置することにより、磁束を台座3の開放部分3aにあるカ ンチレバーの磁性体15に作用させることができる。[0006] The acceleration sensor chip 5 uses a silicon wafer and is manufactured using semiconductor manufacturing technology as shown in FIG. A cantilever 4 with a cantilevered structure shown in Fig. 4 causes stress and strain due to vibration of this cantilever Semiconductor strain gauge 1 placed at the location where strain occurs (at the base of the cantilever) 0 and an electric signal in response to vibration due to resistance value change of this semiconductor strain gauge 10 An IC section is created that performs electrical processing such as amplification, and the signal from this IC section is sent to the bond. It is sent to the HIC board 6 through the ring pad 11 and the wire 12. The cantilever 4 extends from the IC section side shown in FIG. 2B by anisotropic etching. A thin part 13 and a thick part 14 continuous to this thin part are formed, and the thick part at the tip of the thin part 13 is formed. The portion 14 constitutes a weight portion. On the surface of the weight part located on the pedestal side, A magnetic body 15 is formed (by vapor deposition, plating, or Adhesion of magnetic material). As shown in FIG. 3, the coil assembly 16 is a coil box with a through hole 17 in the center. A magnet wire 19 is wound around the bottle 18, and this wire 19 is attached to the bobbin 18. from the pad 21 wired to this terminal to the HIC board 6. Continued. As shown in FIG. 1B, this coil assy 16 extends over the protrusion 2 of the stem 1. The coil assembly 16 is attached by being inserted into the through hole 17 of the coil assembly 16. in this way By arranging the coil assembly 16, the magnetic flux is directed to the coil in the open part 3a of the pedestal 3. It can act on the magnetic body 15 of the bench lever.

【0007】 次に上記加速度センサの作用を説明する。コイルアッシ16のマグネットワイ ヤ19に、例えばパルス状の電気を通電する。すると、この通電時間の間だけス テム1の突部2がコイル19の鉄芯として働き、加速度センサチップ5のおもり 部14に設けてある磁性体15を引き付ける。その後コイル19への通電が切れ たとき、カンチレバー4はコイル19による電磁気作用を失ってフリー状態とな り、あたかも外部から加速度が加わったと同様に振幅する。この振動状態での加 速度センサの出力信号を処理して診断する。この診断方法としては、例えば外部 装置に初期状態における上記同様の出力信号を記憶しておき、この信号と検出さ れた信号を比較することによってセンサが正常であるか否かを診断する。また診 断時期は定期的または電源投入時に行うように構成される。[0007] Next, the operation of the acceleration sensor will be explained. Magnet Y of coil assembly 16 For example, pulsed electricity is applied to the wire 19. Then, the switch will turn on only during this power-on time. The protrusion 2 of the stem 1 acts as the iron core of the coil 19, and serves as the weight of the acceleration sensor chip 5. Attracts the magnetic body 15 provided in the portion 14. After that, the power to coil 19 is cut off. At this time, the cantilever 4 loses the electromagnetic action of the coil 19 and becomes free. The amplitude will be as if acceleration were applied from the outside. The application in this vibration state Process and diagnose the output signal of the speed sensor. This diagnostic method includes, for example, external The device stores an output signal similar to the above in the initial state, and combines this signal with the detected one. Diagnose whether the sensor is normal or not by comparing the detected signals. See you again The disconnection timing is configured to be performed periodically or when the power is turned on.

【0008】 本考案の第2実施例を説明する。図4Aはカバー密閉前の加速度センサの外観 が示されている。図4Bはカバー密閉後の図4AのC−C断面が示されている。 なお、第1実施例と共通な部材には同一符号を付してその説明を省略する。[0008] A second embodiment of the present invention will be described. Figure 4A shows the appearance of the acceleration sensor before the cover is sealed. It is shown. FIG. 4B shows the CC cross section of FIG. 4A after the cover is sealed. Note that the same reference numerals are given to the same members as in the first embodiment, and the explanation thereof will be omitted.

【0009】 金属製のステム1は、加速度センサチップ50のカンチレバー51が位置する 部位に、例えばパーマロイやフェライト等のコア22をステム1の表面側に若干 突出させ、かつステム1の背面側でコイルアッシ30が嵌裝される程度に伸ばし た状態でハーメチックシール31により固定されている。 加速度センサチップ50は、図5Aおよび5Bに示すように、例えばパーマロ イ等の磁性金属基板52の一部を除去して片持構造のカンチレバー51を設け、 この磁性基板表面にP−CVD等で絶縁層53を形成し、この絶縁層53の上面 のカンチレバー根元部分にスパッタや蒸着等により薄膜ひずみゲージ54を構成 したものである。[0009] The cantilever 51 of the acceleration sensor chip 50 is located on the metal stem 1. For example, place a core 22 of permalloy or ferrite slightly on the surface side of the stem 1. Make it protrude and extend it to the extent that the coil assy 30 is fitted on the back side of the stem 1. It is fixed by a hermetic seal 31 in this state. As shown in FIGS. 5A and 5B, the acceleration sensor chip 50 is made of, for example, a permallo A cantilever 51 having a cantilever structure is provided by removing a part of the magnetic metal substrate 52 such as A, An insulating layer 53 is formed on the surface of this magnetic substrate by P-CVD or the like, and the upper surface of this insulating layer 53 is A thin film strain gauge 54 is constructed at the base of the cantilever by sputtering, vapor deposition, etc. This is what I did.

【0010】 コイルアッシ30は、図6に示すように、プリント基板32上にコイルボビン 33を固定した構造になっており、このコイルボビン33をステム1側にしてコ ア24に嵌裝し、コイルボビン33をステム1に接着により固定する。そしてマ グネットワイヤ34はプリント基板32に設けられた端子35を介してHIC基 板6に接続される。 本実施例ではマグネットワイヤ34に電流を流すことによりコアに磁界が発生 するので、磁性体であるカンチレバー4は第1実施例と同様に振動させることが できる。 なお、カンチレバーが磁気によって力を加えられるような構成であれば、カン チレバーの母材が半導体、セラミック、金属のいずれでも良い。またひずみゲー ジは半導体、薄膜、厚膜等のいずれでも構成することができる。0010 As shown in FIG. 6, the coil assembly 30 includes a coil bobbin on a printed circuit board 32. 33 is fixed, and the coil bobbin 33 is placed on the stem 1 side. The coil bobbin 33 is fixed to the stem 1 by adhesive. And ma The net wire 34 is connected to the HIC board via a terminal 35 provided on the printed circuit board 32. Connected to plate 6. In this embodiment, a magnetic field is generated in the core by passing a current through the magnet wire 34. Therefore, the cantilever 4, which is a magnetic material, can be vibrated as in the first embodiment. can. Note that if the cantilever is configured so that force can be applied magnetically, the cantilever The base material of the chilever may be semiconductor, ceramic, or metal. Also a strain game The film can be made of a semiconductor, a thin film, a thick film, or the like.

【0011】 本考案の第3実施例を説明する。図7Aは加速度センサチップの外観を、また 図7Bは対向電極を設けたストッパを固定した加速度センサの外観が示されてい る。 加速度センサチップ60は、カンチレバー4、半導体ひずみゲージ10、およ び電極40から成り、シリコンウェハを用いて第1実施例と同じ半導体製造技術 により作られる。半導体ひずみゲージ10はパッド11に配線され、このパッド からワイヤを通してHIC基板6に接続されると共に、電極40はパッド41を 介してHIC基板6に接続され、自己診断時に電圧が印加される。このカンチレ バー4に対向させてストッパ42が配置される。ストッパ42は、図8Aおよび 8Bに示すように、両側を残してエッチングされた面43に蒸着やスパッタ等で 金属電極44(対向電極)が形成され、その反対側の面にも対向電極44に電圧 を印加するボンディン用のパッド45が形成されている。ストッパ42の両側部 分は、図8Aに示すように、カンチレバー4の側方のチップ上面に接着により固 定され、ストッパ42の対向電極44をカンチレバー4の電極40に一定距離を 設けて対峙させる。なお、46はステム1に加速度センサを固定するための台座 である。[0011] A third embodiment of the present invention will be described. Figure 7A shows the appearance of the acceleration sensor chip and Figure 7B shows the appearance of an acceleration sensor with a fixed stopper equipped with a counter electrode. Ru. The acceleration sensor chip 60 includes a cantilever 4, a semiconductor strain gauge 10, and and an electrode 40, using the same semiconductor manufacturing technology as the first embodiment using a silicon wafer. made by. A semiconductor strain gauge 10 is wired to a pad 11, and this pad is connected to the HIC substrate 6 through a wire, and the electrode 40 connects the pad 41 to the HIC substrate 6 through a wire. It is connected to the HIC board 6 through it, and a voltage is applied during self-diagnosis. This cantilever A stopper 42 is arranged opposite the bar 4. The stopper 42 is shown in FIG. 8A and As shown in 8B, the etched surface 43, leaving both sides, is coated with vapor deposition, sputtering, etc. A metal electrode 44 (counter electrode) is formed, and a voltage is applied to the counter electrode 44 on the opposite side. A bonding pad 45 for applying the voltage is formed. Both sides of the stopper 42 As shown in FIG. The counter electrode 44 of the stopper 42 is placed at a certain distance from the electrode 40 of the cantilever 4. Set it up and confront it. In addition, 46 is a pedestal for fixing the acceleration sensor to the stem 1. It is.

【0012】 次に上記実施例の作用を説明する。電源投入時に両電極40,44に同極性の 電圧を印加すると、印加時間だけ静電反力によりカンチレバー4が対向電極から 遠ざかる方向(図8矢印a)にたわむ。一方異極性の電圧では上記とは逆に静電 引力により引き付けられる。この状態から電圧の印加を止めると、カンチレバー 4は自己の共振周波数で振動する。この振動によるひずみゲージ10の出力変化 を検出することにより加速度センサの劣化等の診断ができる。 本実施例では、半導体加速度センサについて述べたが、カンチレバー上とそれ に対向した部位にそれぞれ電極をもつ構造にすればどのようなタイプの加速度セ ンサでも適用できる。0012 Next, the operation of the above embodiment will be explained. When the power is turned on, both electrodes 40 and 44 have the same polarity. When a voltage is applied, the cantilever 4 is separated from the opposing electrode due to electrostatic reaction force for the duration of the voltage application. It deflects in the direction of moving away (arrow a in Figure 8). On the other hand, with voltages of different polarity, electrostatic Attracted by gravity. If you stop applying voltage from this state, the cantilever 4 vibrates at its own resonant frequency. Change in the output of the strain gauge 10 due to this vibration By detecting this, it is possible to diagnose deterioration of the acceleration sensor. In this example, a semiconductor acceleration sensor was described, but the What type of acceleration sensor can be used if the structure has electrodes on each part facing the It can also be applied to sensors.

【0013】[0013]

【考案の効果】[Effect of the idea]

上述のとおり、本考案によれば、磁気または静電気によってカンチレバービー ムに力を加える為、ソレノイドでセンサに衝撃を加える場合と比較して、可動部 がないので長年に渡って信頼性のある自己診断機能が維持されると共に、小型化 が可能となる。 As mentioned above, according to the present invention, the cantilever bead is formed by magnetism or static electricity. Since the force is applied to the sensor, there are fewer moving parts compared to applying impact to the sensor with a solenoid. Because there is no becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本考案の第1実施例を示す加速度センサで、図
1Aはセンサ外観図、図1Bは図1AのA−A線に沿っ
た断面図である。
1 is an acceleration sensor showing a first embodiment of the present invention, FIG. 1A is an external view of the sensor, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A.

【図2】加速度センサチップの拡大図で、図2Aは平面
図、図2Bは図2AのBーB線に沿った断面図である。
FIG. 2 is an enlarged view of the acceleration sensor chip, with FIG. 2A being a plan view and FIG. 2B being a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2A.

【図3】コイルアッシの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the coil assembly.

【図4】本考案の第2実施例を示す加速度センサで、図
4Aはセンサ外観図、図4Bは図4AのCーC線に沿っ
た断面図である。
4 is an acceleration sensor showing a second embodiment of the present invention, FIG. 4A is an external view of the sensor, and FIG. 4B is a sectional view taken along line CC in FIG. 4A.

【図5】加速度センサチップの拡大図で、図5Aは平面
図、図5Bは図5AのD−D線に沿った断面図である。
5 is an enlarged view of the acceleration sensor chip, FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line DD in FIG. 5A.

【図6】コイルアッシの斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of the coil assembly.

【図7】本考案の第3実施例である加速度センサを構成
するチップの拡大図で、図7Aは平面図、図7Bはスト
ッパ取付時の平面図である。
7 is an enlarged view of a chip constituting an acceleration sensor according to a third embodiment of the present invention, FIG. 7A is a plan view, and FIG. 7B is a plan view when a stopper is attached.

【図8】図7に示すチップの断面図で、図8AはE−E
線、図8BはF−F線に沿った断面図である。
8 is a cross-sectional view of the chip shown in FIG. 7, and FIG. 8A is a cross-sectional view of the chip shown in FIG.
8B is a cross-sectional view taken along line FF.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 金属製のステム 3 台座 4 カンチレバー 5,50,60 加速度センサチップ 6 HIC基板 8 出力ピン 10 ひずみゲージ 15 磁性体 16,30 コイルアッシ 40 電極 42 ストッパ 44 対向電極 1 Metal stem 3 pedestal 4 Cantilever 5, 50, 60 acceleration sensor chip 6 HIC board 8 Output pin 10 Strain gauge 15 Magnetic material 16,30 Coil assy 40 electrode 42 Stopper 44 Counter electrode

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 カンチレバーに強制振動を加えたときの
センサ出力により正常な動作を診断する機能を有する加
速度センサにおいて、前記カンチレバーに磁気力または
静電力による振動を加える振動発生手段が設けられてい
ることを特徴とする自己診断機能を有する加速度セン
サ。
[Claim 1] An acceleration sensor having a function of diagnosing normal operation based on a sensor output when forced vibration is applied to a cantilever, comprising a vibration generating means for applying vibration to the cantilever by magnetic force or electrostatic force. An acceleration sensor having a self-diagnosis function.
JP922391U 1991-01-31 1991-01-31 Acceleration sensor with self-diagnosis function Pending JPH04110977U (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0599950A (en) * 1991-10-09 1993-04-23 Nissan Motor Co Ltd Dynamics quantity detector

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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