JPH04106792A - 光連想メモリ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明番瓜　　人間の大脳神経系と類似な入出力動作を
模倣して構成され黴　連想機能の優れた光連想メモリ装
置及びその製造方法に関するものであ従来の技術 ニューラルネットワークのハードウェア化トシて空間光
変調素子を用いて、光連想メモリを構成することが提案
されていも　光連想メモリ！上　人力層及び出力層の２
層からなるニューラルネットワークモデルに基づいてお
り、第１０図に示すように　人力像１１を透過型レンズ
アレイ１２によって多重展開し　空間光変調素子１３に
よりシナプス荷重に相当する重み付けを行−（閾値素子
１４によりニューロン毎に閾値処理を行い出力すること
を基本構成としていも　その服　第１１図（ａ）に示す
ようく　点光源１５から出射した光ζ友　透過型レンズ
アレイ１６の周辺部において入射角θ１が垂直方向から
傾いていも 発明が解決しようとする課題 従来例で１よ　この入力像の多重展開は　同一仕様の球
面レンズアレイ（透過型）により行っており、　レンズ
アレイの中心部の展開像は良好であるが、周辺部のレン
ズでは入射角θ１が垂直方向から傾くたべ　像のぼけが
大きく、良好な連想機能を有する光連想メモリを構成で
きないという課題があっ九 本発明は、　上記課題を解決し　均一な多重展開像を形
成し　連想機能の高い光連想メモリ装置及びその製造方
法を提供することを目的とすも課題を解決するための手
段 光源と、ジグザグ状に光が伝搬する光伝搬路を設けた基
板と、反射型回折光学レンズをアレイ化した反射型レン
ズアレイと、反射型空間光変調素子と光検出センサーを
具１ｉＩＬ　　前記光源からの光が前記光伝搬路に導か
れた跣　入力媒体に入射し出射した後、前記反射型レン
ズアレイに入射し出射した喪　前記反射型空間光変調素
子に入射し出射した後、前記光検出センサーに入射する
力＼あるい１友　前記光源からの光が前記人力媒体に入
射し　出射した檄　前記光伝搬路に導かれ　前記反射型
レンズアレイに入射し　出射した森　前記反射型空間光
変調素子に入射ニ　出射した後、前記光検出センサに入
射するよう構成すも作用 本発明によれば　反射型回折光学レンズをアレイ化した
反射型レンズアレイを用いて多重展開を行うが、　斜入
射のため反射型レンズアレイ中央部と周辺部における入
射角の差が従来例よりも小さくなり、また　屈折率が基
板内（ガラス基板の場合は通常屈折率１．５から１．６
程度）では空気中（屈折率１）より大きくなるた教　従
来例の透過型レンズアレイの各レンズと同一の焦点距離
ｆを有する反射型回折光学レンズを使用してＬ　焦点距
離は基板内でＣヨ　　基板の屈折率倍長くなるたべ　入
射角の差をより一層小さくできも　従って、反射型レン
ズアレイの中の１つのレンズに対して良好な結像ができ
るようにしておけば　反射型レンズアレイのうちほかの
レンズにより形成される像のぼけも小さくでき、連想機
能を向上できも実施例 以下、本発明の実施例の光連想メモリ装置について、図
面を参照しながら詳細に説明すも実施例１ 本発明に使用したニューラルネットワークのモデルは、
　第２図に示すよう艮　人力層２０１及び出力層２０３
の２層から構成されていも　入力層２０１の神経細胞に
ニューロン”）　２０２ｉＬ　　出力層２０３の全ての
ニューロンとシナプス結合２０５で接続されていも人力
Ｍｉ２０１のニューロン２０２ハ　　このシナプス結合
２０５により出力層２０３の各ニューロン２０４に入力
信号を伝達すム　その際　人力信号は各シナプス結合２
０５に特有のシナプス荷重で重み付けされ入力されも　
出力層２０３のニューロン２０４１Ｌ　　特有のシナプ
ス荷重で重み付けされ入力される全ての入力信号の総和
を計算し　入力信号の総和が特定の閾値以上の場合に出
力す４Ｋ　　シナプス荷重を可逆的に変化することによ
り、学習機能を実現すも　このようなニューラルネット
ワークの結合を、光波術を用いて実現するために６友　
人力信号を多重展開する必要があム　この多重展開の手
法を第３図に示す。入力層３０１の中の１つのニューロ
ン３０２が入力信号３０８を出力している場合、この入
力信号３０８を出力層３０３の全てのニューロン３０４
〜３０７に入力せねばならな（−従って、光の空間並列
性を活かして人力するたべ　人力層３０１による入力像
を第３図に示すように多重展開することにより、出力層
３０２の全てのニューロンに入力層３０１からの人力信
号が入力されも 上記モデルに基づき構成した　第１図に示す本発明の光
連想メモリの動作の説明を行う。入力信号に相当する入
力像法　光伝搬路である基板１０１内に導かれた光力ｔ
　入力媒体１０２に入射し　変調を受けることにより生
成されも　この入力像（表　基板１０１の下面において
全反射し　反射型レンズアレイ１０３に入射する。反射
型レンズアレイ１０３ｉ友　　第２図に示したニューラ
ルネットワークに置けるシナプス結合を実現するた教　
入力像をニューロン数と同数個に多重展開すム　多重展
開された入力像ζ友　再び基板１０１の下面で全反射し
　反射型空間光変調素子１０４に入射Ｌ　変調を受けも
　この変調はニューラルネットワークにおけるシナプス
荷重による重み付けに相当す４　次に　変調された信号
は、　再度基板＋０１の下面で全反射Ｌ　光検出センサ
１０５に入力し光量を検出され　各ニューロン毎に光量
の和を計算され閾値処理後出力されも光源１０６ｉ１　
　反射型回折光学レンズ１０３における色収差を最小限
に抑えるた教　単色光源が望ましく、本実施例において
（表　例えばＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３２．８層ｍ）
を使用した　第１図（ｂ）に示すように基板１０１の端
面に角度をつけ入射面とし　ある−定角度以上の入射角
で基板に入射すると、入射光１０７！表　　基板１０１
内で全反射を起こすので、反射層が不要であり、臨界角
以下の入射角で基板に入射する光（上　基板外に出射す
る。従って、基板内で散乱の結果生じる不要な光（表　
基板１０１外に出射するたＡ　　Ｓ／Ｎ比を向上できも
　本実施例においては　基板１０１の端面の角度θ−４
５″　基板への入射角をθ１−４５°とした　その結果
　基板内における基板面に対する入射角はθ２＝７３．
１°となり、全反射を起こすための臨界角４１．８°　
（基板１０１の屈折率１．５）以上であるか収　入射光
１０７は全反射により伝搬してゆく。

基板１０１は　使用波長に対して透明であれば良く、例
えば石英などのガラス基板は温度的にも安定であり、例
えば合成樹脂を用いた場合には軽量になム　本発明にお
いては、　基板１０１の一例として厚さ３ｍｍの石英ガ
ラス（屈折率１．５）を用い九九入力媒体１０２として
、市販の反射型液晶パネルを使用し九 本発明における反射型レンズアレイの平面図を第４図に
　反射型回折光学レンズの平面図を第５図（ａ）に　断
面図を第５図（ｂ）に示す。反射型レンズアレイ４０１
は第４図に示すように　二二ロン数と同数個の反射型回
折光学レンズ４０２を２次元状に一配列していも　本実
施例は９ニユーロンの場合であム　個々の反射型回折光
学レンズ４０　Ｑ　Ｃ＆第５図に示すように　基板５０
１上に形成した複数のグレーティングゾーン５０２と、
このグレーティングゾーン５０２上に設けた反射層５０
３から構成されて０ム　グレーティングゾーン５０２の
形状ζｔ、ｘｙ平面に於て、入射光の傾いている方向（
−ｙ方向）を長軸とする楕円形に形成され　グレーティ
ングゾーン５０２の外周部にいくに従って、楕円形の中
心位置を入射光の傾いている方向（−ｙ方向）に徐々に
ずらした配置とした 詳細に検討すると、波長をλ、基板の屈折率をｎとおく
と、　レンズの位相シフト関数Φは　第５図の座標系で Φ。＝ｎｌｃ［ｘ’１−（ｙ−ａｓｉｎ＃）”＋ａ”ｃ
ｏｓ２θ　　−（１）＋　　ｘＦ＋　（ｙ＋ｂｓ　ｉ　
ｎ＆）”＋ｂ”ｃｏｓ”＃−ａ−ｂコー２５Ｉυτ（た
だＬ　　ｋ＝２π／λ、ｍはＯ≦Φ≦２πを満たす整数
） で求められも　従ってグレーティングゾーン５０２の形
状はｘｙ平面において、 （ｘ／ｘ、）　２＋　（（ｙ−ｙ、）／ｙ−）’＝　１
・・・（２） なる楕円形状で与えられも ただし ｘ、＝　　ｐｒ　　・・・（３） ｙ、＝ ｙ、： ｐｑｒ・・・（４） （ａ−ｂ）ｐｓｉｎθ Ｓ ・・・　（５） ｑ＝（ａ＋ｂＢ ｒ＝＝ａｂｃｏｓ”θ ｍ＾　　　　　　　　　ｍλ −４−−（ａ　＋　ｂ　＋　　　　）　　・・・２ｎ　
　　　　　　　　　２ｎ ｓ＝　（ａ＋ｂ）”ｃｏｓ”θ である。

このようなグレーティングゾーンの形状であれば　この
反射型回折光学レンズは斜入射時におけ衣　例え（渋　
球面数基　非点数基　およびコマ収差を補正し良好な結
像ができることがわかっ九すなわ杖　第５図（ｂ）に示
すように　基板５０１上の点光源５０４からの出射光（
友　基板１０１の下面５０５により全反射九　反射型回
折光学レンズ５０６に入射し再度基板１０１の下面５０
５のより全反射後基板上の一点５０７に集光すム　従っ
て、反射型回折光学レンズの形状を最適に設計すること
により収差のないレンズが構成できａ　本実施例の場合
、第５図（ｂ）の座標系でａ＝ｂであるた取　入力像と
同じ大きさの多重展開像が形成されも　従って、この場
合には人力像の大きさ＋ｉ　　展開像が入射される反射
型空間光変調素子の各ニューロンに相当する領域よりも
小さくせねばならない。また　反射型回折光学レンズの
グレーティングゾーンの形状は楕円形であるが、楕円形
の中心位置をずらさなくても良好な像が得られ九　この
ことは、　第（５）式にａ＝ｂを代入するとｙ０＝０と
なることからも裏付けられ九 この反射型回折光学レンズは、　公知の技術である電子
線描画法（Ｔ、　　シオノ他（Ｔ、５ｈｉｏｎｏ、　　
ｅｔａｌ、　、　）アブライドオブティクス（ＡＩ）Ｉ
）１．ｏｐｔ、、）　　ｖｏｌ、　２８．　　Ｎｏ、　
１５．　ｐｐ、　３４３４−３４４２　　（１９８９）
）を用いて形成し九　この電子線描画法（主　サブミク
ロンの単位で制御が可能なたべ　アライメントを精度良
く実現できるという利点を持っていも　また本実施例に
おいては　電子線描画法でグレーティングゾーンを形成
後に　反射層５０３として銀を約４０００人蒸着しｔ４ 本実施例１においては　第４図に示すように１個の反射
型回折光学レンズだけ最適設計を行しく他のレンズを、
その最適設計を行ったレンズと同一形状とする反射型レ
ンズアレイを用いたが、　従来例のように像の大きなぼ
けは生じなかつ九　なぜなぺ　本発明においては、　光
は反射型レンズアレイに一方向から斜入射し　また　基
板として屈折率ｎ（＝１．５）の大きい石英ガラスを用
いているたべ　焦点距離が屈折率倍長くなるので、第１
１図（ｂ）に示すように　入力像のある一点１７からの
光が基板１８内に入射し　反射層１９で反射微反射型レ
ンズアレイ２０に入射する場合　反射型レンズアレイの
中央部と周辺部への入射角θ１、θ２、θ３の差が、透
過型の光学系である従来例のθ１θ２′の差に比べて充
分小さいからであム入力信号のシナプス荷重による重み
付けに相当する変調を行なうための反射型空間光変調素
子ζ友例えば反射型液晶パネルを使用しても良いが、本
実施例においてζよ　直交学習法（Ｍ、イシカワ、他（
Ｍ、Ｉｓｈｉｋａｗａ、　ｅｔ　ａｌ、、）アブライド
オプテイクス（Ａｐｐｌ、Ｏｐｔ、、）　　Ｖｏｌ、２
８　（１９８９）　）により、予めコンピュータで計算
したシナプス荷重の２次元分布（メモリパターン）を、
反射型回折光学レンズを２次元に分布し　各々のレンズ
の回折効率を変化することにより実現し總　レンズの回
折効率は、　グレーティングゾーンの最大膜厚により決
定される。ここで、グレーティングゾーンの最大膜厚と
は　第５図に置けるＬであも　このグレーティングゾー
ンの最大膜厚と、回折効率の関係を第７図に示す。第７
図よりグレーティングゾーンの最大膜厚を０、２μｍま
では厚くするほど回折効率が高くなることが分かも　従
って、大きなシナプス荷重を表現するレンズほど、グレ
ーティングゾーンの最大膜厚を厚くすれば良いことが分
かもこの反射型回折光学レンズを２次元状に配置したメ
モリパターンの一例を第６図に示す。各々の反射型回折
光学レンズの構造は、　第５図に置ける反射型回折光学
レンズと同一であム　この反射型回折光学レンズも電子
線描画法により作製するた敷アライメントが精度良く実
現できも 光検出センサは　各ニューロン毎にシナプス荷重で重み
付けされた人力信号の和を求へ　閾値処理後出力する機
能を要求されａ　本実施例においては　光検出センサと
してＣＣＤカメラを用（＼Ａ／Ｄ変換後変換機計算機各
ニューロン毎の和を求め閾値処理を行い計算結果をデイ
スプレィ上に表示し九 また大量生産のためには、　第５図におけ４　反射層を
堆積する前の素子を原盤として、例えばニッケル電鋳法
で金型を作製し　例えばＵＶ硬化樹脂を用いて金型から
複製菱　反射層を堆積すれば　原盤と同一の光学レンズ
素子が低価格で作製可能であム　従って、本実施例のよ
うに　シナプス荷重の重み付けに相当する変調を、反射
型回折光学レンズを用いて行し＼　反射型レンズアレイ
と、反射型回折光学レンズによるメモリパターンを同一
面上に形成すれば　同時に　一体化して複製可能であり
、効率よく、かつ低価格で大量生産できる。

鑞　本発明においては　反射型回折光学シンＸ反射型空
間光変調素子を同一基板面上に設置しているた八　振紘
　温度変化などの環境変化に対して、非常に安定な光連
想メモリを構成できも　またミクロンオーダーで制御可
能な電子線描画法により反射型回折光学レンズを作製す
るたム　アライメントを精度良く実現できるという利点
を合わせもつ。

実施例２ 実施例１と同様のニューラルネットワークモデルに基づ
き構成した　本発明の第２の実施例の光連想メモリの構
成図を第８図に示す。基本的な構成は第１図に示した実
施例１と同様で、光源８０１、基板８０２．　　反射型
回折光学レンズをアレイ化した反射型レンズアレイ８０
１　　反射型空間光変調素子８０東光検出センサ８０５
により構成されてい７）。九　本実施例において（表　
光学素子を設置した面の一部及び、光学素子を設置した
面と対向する面にも反射層８０６を設置した　本実施例
において（表　反射層８０６として、銀を約４０００人
蒸着し九　入力光８０７（表　　入射面に対して垂直な
偏光方向を持つＳ偏光のＨｅ−Ｎｅレーザ光（波長＝　
６３２．３％ｍ）を−例として使用しｋ　このＳ偏光と
、入射面内の偏光方向を持つＰ偏光の伝搬ロスを比較す
ると、銀を約４０００人蒸着した反射層をもつ基板（屈
折率１５７４）において、Ｈｅ　−Ｎ　ｅレーザ光（λ
＝６３２．８０！［ｌ）の１回反射当りの伝搬ロスは、
　入射角θ＝３０°のときＰ偏光２．６％に対してＳ偏
光１．　８％であることが判った　従って、本発明のよ
う紙数回の反射を繰り返す場合には　Ｓ偏光の方が伝搬
ロスを小さくでき、例えば７回反射の場合にはＰ偏光の
伝搬ロスは　１７％であるのに対して、Ｓ偏光では１２
％に抑えられることが確認で畝理論的にも裏付けられた
　また　他の金属を用いた反射層でＬ　同様の傾向が確
かめられた人力像を表示する入力媒体８０６ｉ１　　透
過型液晶パネルを使用し　反射型レンズアレイ８０３を
構成する各反射型回折光学レンズは、　各々最適設計を
行なうことにより、球面数基　非点酸基　及びコマ収差
を最小とするよう、電子線描画法により作成し九　光源
８０１から出射した光８０７ｆｔ、　　人力媒体８０８
である透過型液晶パネルに入射後、基板８０２に入射し
３回反射後反射型レンズアレイ８０３に入射すも　従っ
て、実施例１における第（５）式において、　ｂ＝２ａ
であるた人　反射型回折光学レンズの球面数基　非点酸
基　及びコマ収差を補正するためくグレーティングゾー
ンのパターン形状の楕円形の中心位置を長軸方向に徐々
にずらして作成し九また各レンズの長軸が光源の方向を
向くように配置した　本実施例に用いた反射型レンズア
レイの平面図を第９図に示す。

シナプス荷重による重み付けに相当する変調は実施例１
と同様へ　反射型回折光学レンズの最大膜厚を変化する
ことによって実現した　光検出センサ８０５として、Ｃ
ＣＤカメラを用１．Ｘ、光量をＡ／Ｄ変換丸　計算機に
より、各ニューロン毎へ　人力信号の和を束数　閾値処
理後デイスプレィ上に結果を表示し九九　　光検出セン
サ８０５としては液晶と光導電性材料を組み合わせた閾
値素子を用いてもよし℃ 本実施例２において（友　上記のよう！；ｂ＝２ａであ
るた数　多重展開像の大きさＣヨ　　入力像の大きさよ
りも小さくなも　そのた敢　実施例１よりも入力像を大
きく表示できも　また第１１図、（ｂ）に示した反射型
レンズアレイの中央部と周辺部におけ４　入射角θ１、
θ２．６３間の差をより一層小さくでき、その結果像の
ぼけを小さくでき、従来例に比べて連想機能を大幅に向
上でき九九反射型レンズアレイに入射するまでへ　入力
光の反射回数を増やすことにより、反射型レンズアレイ
により形成される多重展開像の大きさをより小さくする
ことができも　シナプス結合の数（ミ　ニューロン数の
２乗に比例して増加するた数　従来例では大容量のニュ
ーロン数の光連想メモリをコンパクトに形成するために
は　シナプス荷重を表現する反射型空間光変調素子を小
さくすると同時に入力像も小さくする必要があった　本
実施例１よ多重展開像を小さく形成できるた数　入力像
を小さくする必要がなく、大容量のニューロン数の連想
メモリをコンパクトに構成可能であるという利点を有す
ム 雌　本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の主旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではなｔも 発明の効果 本発明によれば次のような効果を奏すことができも （１）反射型レンズアレイへの中央部と周辺部への入射
角の差が小さいた八　ぼけの少ない多重展開像が形成で
き、光連想メモリの連想機能の向上が図れも （２）アライメントを正確に実現できるた敦連想機能の
向上が図れも （３）環境変化に対して安定に動作できる光連想メモリ
を構成できも （４）大写１のニューロン数であってＬ　コンパクトな
連想メモリの構成が可能になも（５）大量生産が容易に
可能であも

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）は各々、本発明の一実施例にお
ける光連想メモリの平面図及び断面は第２図ｃｉ、本発
明が適用されるニューラルネットワークモデルの平面図
　第３図ＣＬ　本発明で使用した　人力信号の変換手法
の概略皿　第４図は、本発明の一実施例で構成した反射
型レンズアレイの平面図　第５図（ａ）及び（ｂ）は各
々、本発明の一実施例において構成した反射型回折光学
しンズの平面図及び断面医　第６図！上　本発明の一実
施例で構成したメモリパターンの平面図　第７図は本発
明の一実施例で使用した回折光学レンズの最大膜厚と、
回折効率の関係を表した阻　第８図（ａ）及び（ｂ）は
各々、本発明の一実施例で構成した光連想メモリの平面
図及び断面医　第９図Ｃ１本発明の一実施例で構成した
反射型レンズアレイの平面図　第１０図ＧＥＬ　　従来
例における光連想メモリの構成医　第１１図（ａ）は従
来例で使用する透過型レンズアレイへ　第１１図（ｂ）
は　本発明の一実施例で使用した反射型レンズアレイへ
　それぞれ光が入射する際の中央部と周辺部における入
射角の差を示す図であム １０１・・・基板１０２・・・入力媒体１０３・・・反
射型レンズアレイ、１０４・・・反射型空間光変調素子
、１０５・・・光検出センサ、１０６・・・先爪１０７
・・・入力光代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明　はか
２８第 図 基板 Ｊ２ 第 図 系′に暉／！ ム （Ｐ祇ｐ 第 図 第 図 色） ８θ６ 第 図 １１０図 （α）梗米９７

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）光源と、ジグザグ状に光が伝搬する光伝搬路を設
   けた基板と、反射型回折光学レンズをアレイ化した反射
   型レンズアレイと、反射型空間光変調素子と光検出セン
   サーを具備し、前記光源からの光が前記光伝搬路に導か
   れた後、入力媒体に入射し、出射した後、前記反射型レ
   ンズアレイに入射し、出射した後、前記反射型空間光変
   調素子に入射し、出射した後、前記光検出センサーに入
   射するか、あるいは、前記光源からの光が前記入力媒体
   に入射し、出射した後、前記光伝搬路に導かれ、前記反
   射型レンズアレイに入射し、出射した後、前記反射型空
   間光変調素子に入射し、出射した後、前記光検出センサ
   に入射することを特徴とする光連想メモリ装置。
2. （２）入力媒体が、反射型液晶パネルであることを特徴
   とする請求項１に記載の光連想メモリ装置。
3. （３）基板が、光を反射する面に反射層を具備すること
   を特徴とする請求項１に記載の光連想メモリ装置。
4. （４）伝搬する光の偏光方向は、入射面に垂直である（
   Ｓ偏光）ことを特徴とする請求項１に記載の光連想メモ
   リ装置。
5. （５）入力媒体から出射した光は、光伝搬路内で複数回
   反射後に反射型レンズアレイに入射することを特徴とす
   る請求項１に記載の光連想メモリ装置。
6. （６）反射型レンズアレイを構成する反射型回折光学レ
   ンズは、基板上に形成した複数のグレーティングゾーン
   と、前記グレーティングゾーン上に設けた反射層を具備
   し、前記グレーティングゾーンのパターン形状が楕円形
   であり、前記楕円形の中心位置が前記グレーティングゾ
   ーンの外周部にいくに従って、前記楕円形の一方の長軸
   方向に徐々にずれていることを特徴とする請求項１に記
   載の光連想メモリ装置。
7. （７）反射型レンズアレイを構成する反射型回折光学レ
   ンズの前記グレーティングゾーンの形状が、レンズ毎に
   異なっていることを特徴とする請求項６に記載の光連想
   メモリ装置。
8. （８）反射型レンズアレイを構成する反射型回折光学レ
   ンズは、光源に近い配置の前記反射型回折光学レンズほ
   ど焦点距離は短く、前記グレーティングゾーンの前記パ
   ターン形状は、楕円形の長軸が光源方向に向いているこ
   とを特徴とする請求項７に記載の光連想メモリ装置。
9. （９）反射型空間光変調素子として、反射型回折光学レ
   ンズを使用することを特徴とする請求項１に記載の光連
   想メモリ装置。
10. （１０）反射型空間光変調素子を構成する、反射型回折
    光学レンズの最大膜厚または、溝の深さが、前記反射型
    回折光学レンズ毎に異なっていることを特徴とする請求
    項９に記載の光連想メモリ装置。
11. （１１）請求項１０に記載の光連想メモリ装置の製造方
    法であって、少なくとも反射型レンズアレイと反射型空
    間光変調素子とを同時に含む金型を作製し、前記金型を
    用いて、前記反射型レンズアレイと前記反射型空間光変
    調素子とを同時に複製することを特徴とする光連想メモ
    リ装置の製造方法。