JPH04104504A - Operational amplifier - Google Patents
Operational amplifierInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は演算増幅器に関し、更に詳しくは温度、製造プ
ロセス変動等に対し周波数特性に影響を及ぼさない演算
増幅器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an operational amplifier, and more particularly to an operational amplifier whose frequency characteristics are not affected by variations in temperature, manufacturing process, etc.
[従来の技術1
第6図に従来の演算増幅器を示す。トランジスタQ、i
3よびトランジスタQ2は反転入力Vin(−1および
非反転入力V 、 、 (+)の8MO3トランジスタ
であり、pMO3l−ランジスタQ3およびQ4を介し
て電圧Vaaと接続している。トランジスタQ、はトラ
ンジスタQおよびトランジスタQ2の電流を制御する第
1の電流源である。トランジスタQ、〜Q5により差動
増幅部が形成される。トランジスタQ6のゲートはトラ
ンジスタQ2のドレインに接続され、トランジスタq6
のトレインが本演算増幅器の出力となる。トランジスタ
Q、は第2の電流源であり、第1の電流源に入力される
電圧と同じ電圧がトランジスタQ7に入力される。バイ
アス回路70はトランジスタQ、とトランジスタq7の
ゲートに電圧を供給する。すなわち、バイアス回路70
を流れる電流■。、−に比例した電流が第1および第2
の電流源に流れるように制御する。[Prior art 1] Fig. 6 shows a conventional operational amplifier. Transistor Q,i
3 and transistor Q2 are 8MO3 transistors with an inverting input Vin (-1 and a non-inverting input V , , (+), and are connected to the voltage Vaa through pMO3l-transistors Q3 and Q4. and a first current source that controls the current of the transistor Q2.The transistors Q and -Q5 form a differential amplification section.The gate of the transistor Q6 is connected to the drain of the transistor Q2, and the gate of the transistor Q6 is connected to the drain of the transistor Q2.
The train becomes the output of this operational amplifier. Transistor Q is a second current source, and the same voltage that is input to the first current source is input to transistor Q7. Bias circuit 70 supplies voltage to the gates of transistor Q and transistor q7. That is, the bias circuit 70
■ Current flowing through. , - current proportional to the first and second
The current is controlled so that it flows through the current source.
このような演算増幅器において、GB積(gainwi
dth)を一定にするために以下のようなバイアス回路
を用いる場合がある。即ち、ルービック・グレゴリアン
、ガーバー・シー・テメス(RoubikGREGOR
IAN、 Gabor C,TEMES)共著の「アナ
ログモス・インチグレイテッド・サーキツツ・フォー・
シグナル・プロセッシング(ANALOG MO3IN
TERGRTED CIRCUITS FOR5IGN
AL PROCESSING)JJOHN WILEY
& 5ONS、 Inc、1986の127頁に記載
されいるように電流■ゎ、8.が電源電圧V。I、に依
存しないバイアス回路である。このようなバイアス回路
を第2図に示す。Q、、Q、は8MO3トランジスタ、
QIO,QIIはPMO3トランジスタであり、Q、。In such an operational amplifier, the GB product (gainwi
dth), the following bias circuit may be used. Namely, Roubik Gregorian, Gerber C.
IAN, Gabor C, TEMES) co-authored “Analogmos Ingrated Circuits for
Signal processing (ANALOG MO3IN
TERGRTED CIRCUITS FOR5IGN
AL PROCESSING) JJOHN WILEY
& 5 ONS, Inc., p. 127 of 1986. is the power supply voltage V. This is a bias circuit that does not depend on I. Such a bias circuit is shown in FIG. Q, ,Q, are 8MO3 transistors,
QIO, QII are PMO3 transistors, Q,.
、QIIのソースはそれぞれ電源VOOに接続され、ゲ
ート同士も接続されている。さらに、それぞれのゲート
はPMO3トランジスタQllおよびNMOS トラン
ジスタQ9のドレインに接続され、カレントミラー回路
を形成している。また、NMOS トランジスタQ8.
Qeのゲート同士は互いに接続され、さらに8MO3ト
ランジスタq、およびPMO3トランジスタQIOのド
レインに接続されている。NMOS トランジスタQ8
のソースは電源V。に接続され、8MO3)−ランジス
タQ9のソースは抵抗Rを介して電源Vsiに接続され
ている。バイアス電圧Vは8MO3l−ランジスタQ8
またはQ、のドレインから取り出すことができる。, QII are connected to the power supply VOO, and their gates are also connected to each other. Further, each gate is connected to the drains of the PMO3 transistor Qll and the NMOS transistor Q9, forming a current mirror circuit. Also, NMOS transistor Q8.
The gates of Qe are connected to each other and further connected to the drains of 8MO3 transistor q and PMO3 transistor QIO. NMOS transistor Q8
The source is power supply V. 8MO3) - The source of the transistor Q9 is connected to the power supply Vsi via a resistor R. Bias voltage V is 8MO3l - transistor Q8
Or it can be taken out from the drain of Q.
このバイアス回路においては、MOS トランジスタの
に′(=μCox/2.ここでμは電荷の移動度、CO
XはMOSトランジスタのゲート絶縁膜の単位面積当た
りの容量である)とMOS トランジスタを流れる電流
I31、の積は抵抗Rの2乗に反比例し、抵抗Rが一定
であればに’XIb+a*が一定である。すなわち、バ
イアス電圧■を演算増幅器の差動増幅段における定電流
源用トランジスタのゲートに接続した場合、バイアス電
流Iゎ、□に比例した電流を演算増幅器の差動増幅部の
入力トランジスタ対に流すことができる。演算増幅器が
同一チップ上にあれば、差動増幅部のトランジスタの相
互コンダクタンスgmはJi17万に比例するため、演
算増幅器のトランジスタのgmを一定にすることができ
る。このように一般に演算増幅器のGB積(Gain・
Bandwidth)はgmに比例するため、このバイ
アス回路を用いることによって演算増幅器のGB積を一
定にすることができる。In this bias circuit, the MOS transistor is
The product of the current I31 flowing through the MOS transistor (X is the capacitance per unit area of the gate insulating film of the MOS transistor) is inversely proportional to the square of the resistance R, and if the resistance R is constant, 'XIb+a* is constant. It is. In other words, when the bias voltage ■ is connected to the gate of the constant current source transistor in the differential amplifier stage of the operational amplifier, a current proportional to the bias current Iゎ,□ flows through the input transistor pair of the differential amplifier section of the operational amplifier. be able to. If the operational amplifiers are on the same chip, the mutual conductance gm of the transistors in the differential amplifier section is proportional to Ji170,000, so the gm of the transistors in the operational amplifier can be kept constant. In this way, the GB product (Gain・
Since Gm (Bandwidth) is proportional to gm, the GB product of the operational amplifier can be made constant by using this bias circuit.
[発明が解決しようとする課題1
演算増幅器では一般に第2ボールの帯域はGB積より太
き(する必要がある。即ち第2ボールを以下のように決
定する。[Problem to be Solved by the Invention 1] In an operational amplifier, the band of the second ball generally needs to be wider than the GB product. That is, the second ball is determined as follows.
px>g”p+
ここで第2ボールの周波数をpg、ゲインをg、バンド
幅(Bandwidth)をplであるとする。px>g"p+ Here, it is assumed that the frequency of the second ball is pg, the gain is g, and the bandwidth is pl.
しかしながら、従来の演算増幅器のように第1の電流源
と第2の電流源の双方に同じバイアス回路からバイアス
電源を供給した場合、GB積が一定であっても出力増幅
部の相互コンダクタンスはプロセスおよび環境、例えば
温度によって変動し、演算増幅器の第2ボールの位置が
変動する。However, when bias power is supplied to both the first current source and the second current source from the same bias circuit as in a conventional operational amplifier, even if the GB product is constant, the transconductance of the output amplification section is and the environment, such as temperature, and the position of the second ball of the operational amplifier changes.
従って、最低必要なボールの位置を確保し且つ十分な位
相余裕を確保するために、最悪条件であっても上記の式
が満足するように第2ボールの周波数を必要以上に高く
する必要が生じ、ひいては必要以上の電流消費量が要求
される。Therefore, in order to secure the minimum required ball position and sufficient phase margin, it is necessary to make the frequency of the second ball higher than necessary so that the above equation is satisfied even under the worst conditions. Therefore, current consumption is required to be higher than necessary.
本発明は以上の点に鑑み、演算増幅器の第2ボールの周
波数を一定にして必要な周波数特性を確保しつつ低消費
電流の演算増幅器を提供することを目的とする。In view of the above points, it is an object of the present invention to provide an operational amplifier with low current consumption while keeping the frequency of the second ball of the operational amplifier constant and ensuring necessary frequency characteristics.
[課題を解決するための手段1
本発明は、第1の電流源および入力トランジスタ対から
なる差動増幅部と、第2の電流源および前記差動増幅部
の出力信号を入力とする出力トランジスタとからなる出
力増幅部と、前記第1の電流源および第2の電流源を制
御するバイアス回路とからなる演算増幅器において、前
記バイアス回路は前記第1の電流源を制御し、前記入力
トランジスタ対の相互コンダクタンスを一定にする第1
のバイアス回路と、前記第2の電流源を制御し、前記出
力トランジスタの相互コンダクタンスを一定にする第2
のバイアス回路とからなることを特徴とするものである
。[Means for Solving the Problems 1] The present invention comprises a differential amplification section including a first current source and a pair of input transistors, a second current source and an output transistor that receives an output signal of the differential amplification section as input. and a bias circuit that controls the first current source and the second current source, the bias circuit controls the first current source and controls the input transistor pair. The first method that keeps the mutual conductance constant is
a bias circuit for controlling the second current source and keeping the mutual conductance of the output transistor constant;
It is characterized by consisting of a bias circuit.
[作 用1
本発明においては、第1のバイアス回路および第2のバ
イアス回路は差動増幅部および出力増幅部のトラジスタ
の相互コンダクタンスを各々一定にする。従って、第1
のバイアス回路によって演算増幅器のGB積がプロセス
、電源電圧および環境温度等に対し変動しないように動
作し、第2のバイアス回路によって演算増幅器の第2ボ
ールがプロセス、電源電圧および環境温度等に対し、変
動しないように動作する。このため、動作に必要な周波
数特性を確保し且つ不必要な消費電流を抑えることがで
きる。[Function 1] In the present invention, the first bias circuit and the second bias circuit maintain constant mutual conductance of the transistors of the differential amplifier section and the output amplifier section, respectively. Therefore, the first
The second bias circuit operates so that the GB product of the operational amplifier does not vary with respect to the process, power supply voltage, environmental temperature, etc., and the second bias circuit operates so that the second ball of the operational amplifier does not vary with respect to the process, power supply voltage, environmental temperature, etc. , operate without fluctuation. Therefore, it is possible to ensure the frequency characteristics necessary for operation and to suppress unnecessary current consumption.
[実施例1 以下実施例に基づいて本発明を説明する。[Example 1 The present invention will be explained below based on Examples.
第1図は本発明の演算増幅器の実施例を示す回路図であ
る。第1図においてQ12+QINは人力NMOSトラ
ンジスタであり、Q l 4 + Q I 6はロード
用のPMOSトランジスタである。Q18.Q17は電
流源として動作するNMOS トランジスタであり、ト
ランジスタQl 2 + Q l 2 + Q l 4
* Q l 8 + Q I 8で差動増幅部を構成
している。Qll+は出力トランジスタであり、トラン
ジスタQ l 7 + Q l 8により出力増幅部を
構成している。コンデンサCe、抵抗Reはそれぞれ位
相補償用である。また、CLは負荷容量である。10は
第1のバイアス回路であって、その出力はトランジスタ
QCsのゲートに入力され、差動増幅部の電流を制御す
る。20は第2のバイアス回路であって、その出力はト
ランジスタ(1+tのゲートに入力され、出力増幅部を
流れる電流を制御する。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the operational amplifier of the present invention. In FIG. 1, Q12+QIN is a manually powered NMOS transistor, and Q14+QI6 is a PMOS transistor for loading. Q18. Q17 is an NMOS transistor that operates as a current source, and the transistor Ql 2 + Q l 2 + Q l 4
*Q I 8 + Q I 8 constitute a differential amplifier section. Qll+ is an output transistor, and transistors Ql7+Ql8 constitute an output amplification section. A capacitor Ce and a resistor Re are each used for phase compensation. Further, CL is a load capacity. Reference numeral 10 denotes a first bias circuit, the output of which is input to the gate of the transistor QCs to control the current of the differential amplifier section. 20 is a second bias circuit, the output of which is input to the gate of the transistor (1+t) to control the current flowing through the output amplification section.
第1のバイアス回路lOは第2図に示した回路を使用す
ることが出来る。また、第3図は第2のバイアス回路の
回路図である。第2図は従来のGB積を一定にするバイ
アス回路であり、NMOS トランジスタのgmを一定
にする働きを有し、第3図は第2図のバイアス回路にお
いて抵抗Rを電源V。0側に配したものと同等であり、
PMOS トランジスタのgmを一定にする働きを有す
る。The circuit shown in FIG. 2 can be used as the first bias circuit IO. Further, FIG. 3 is a circuit diagram of the second bias circuit. FIG. 2 shows a conventional bias circuit that keeps the GB product constant, and has the function of keeping the gm of an NMOS transistor constant. FIG. 3 shows the bias circuit of FIG. It is equivalent to the one placed on the 0 side,
It has the function of keeping the gm of the PMOS transistor constant.
第1図の演算増幅器においてはGB積はgml/Ccで
決まり、第2ボールはgm3/Ctで決まる。ここで、
gmlはトランジスタQ+a、(1+sの相互コンダク
タンスであり、gm3はトランジスタQ+aの相互コン
ダクタンスである。第1のバイアス回路10および第2
のバイアス回路20はそれぞれ電流源を制御して電圧、
温度およびプロセス変動に係わらずNMOSトランジス
タおよびPMOS トランジスタのgmを一定にするた
め、それぞれGB積と第2ボールを一定にすることがで
きる。従って、電源電圧や温度、プロセスによる変動を
考慮することなく必要な周波数特性の演算増幅器を設計
できると共に、GB積や第2ボールの位置が一定であり
、周波数特性が変動しないので、特にフィルタとして動
作させることが可能となる。In the operational amplifier shown in FIG. 1, the GB product is determined by gml/Cc, and the second ball is determined by gm3/Ct. here,
gml is the mutual conductance of transistor Q+a, (1+s), and gm3 is the mutual conductance of transistor Q+a. The first bias circuit 10 and the second
The bias circuits 20 respectively control the current sources to generate voltages and
In order to keep the gm of the NMOS and PMOS transistors constant regardless of temperature and process variations, the GB product and the second ball, respectively, can be kept constant. Therefore, it is possible to design an operational amplifier with the necessary frequency characteristics without considering variations due to power supply voltage, temperature, or process, and since the GB product and the position of the second ball are constant, the frequency characteristics do not fluctuate, so it can be used especially as a filter. It becomes possible to operate it.
なお、本実施例ではNMOS l−ランジスタの電流源
を用いたが、電流源および入力トランジスタ対や出力ト
ランジスタにPMOS トランジスタを用い、ロード用
トランジスタにNMOS トランジスタを用いて演算増
幅器を形成してもよい。この場合、入力トランジスタが
PMOS トランジスタであれば入力トランジスタの相
互コンダクタンスを一定にする第3図のバイアス回路を
差動増幅部の電流源に接続し、出力増幅部の電流源には
NMOS トランジスタの相互コンダクタンスを一定に
する第2図のバイアス回路を接続すればよい。In this embodiment, an NMOS l-transistor current source is used, but an operational amplifier may be formed by using PMOS transistors for the current source, input transistor pair, and output transistor, and using an NMOS transistor for the load transistor. . In this case, if the input transistor is a PMOS transistor, the bias circuit shown in Fig. 3 that keeps the mutual conductance of the input transistor constant is connected to the current source of the differential amplifier, and the current source of the output amplifier is It is sufficient to connect the bias circuit shown in FIG. 2 to keep the conductance constant.
次に本発明の第2の実施例を第4図に示す。本実施例は
カスコード型の演算増幅器であり、第4図においてQ、
、、Q、。は入力トランジスタ対であり、Q、、、Q、
□はカスコードトランシタ、Q23+024はロード用
のトランジスタである。Q2 S + Q z s +
Q a ?は電流源用トランジスタである。C3はノ
ードA。Next, a second embodiment of the present invention is shown in FIG. This embodiment is a cascode type operational amplifier, and in FIG.
,,Q,. are input transistor pairs, Q, , ,Q,
□ is a cascode transistor, and Q23+024 is a load transistor. Q2 S + Q z s +
Qa? is a current source transistor. C3 is node A.
Bの寄生容量であり、Ct、は負荷容量である。30は
第1のバイアス回路であり、電流源用のトランジスタQ
z5に入力され、入力トランジスタQ1o、Q2゜の相
互コンダクタンスを一定にする。、40は第2のバイア
ス回路であり、電流源用のトランジスタQ2g1Q27
のゲートに入力され、カスコードトランジスタQ21.
Q22の相互コンダクタンスを一定にする。バイアス回
路50はトランジスタQ2..Q2□が飽和領域で動作
するように電圧を出力するものであればよい。B is the parasitic capacitance, and Ct is the load capacitance. 30 is a first bias circuit, which includes a current source transistor Q
It is input to z5 and makes the mutual conductance of input transistors Q1o and Q2° constant. , 40 is a second bias circuit, which includes a current source transistor Q2g1Q27.
is input to the gate of cascode transistor Q21.
Keep the mutual conductance of Q22 constant. Bias circuit 50 includes transistor Q2. .. Any device that outputs a voltage such that Q2□ operates in the saturation region may be used.
バイアス回路30は第2図と同じ構成でよく、バイアス
回路40を第5図に示す。第5図においてブロック11
は第3図のバイアス回路と同じ構成になっており、PM
OS トランジスタの相互コンダクタンスが一定になる
ような電流ipが流れる。ブロック12において第1の
バイアス回路30の出力電圧による入力トランジスタQ
1□、Q1.の電流と同じ大きさの電流と加算されてそ
の電流を流すような電圧が第2のバイアス回路40から
出力される。すなわち、トランジスタQia、Q27に
流れる電流は以下のようにして決定される。カスコード
トランジスタQ!+、Q12に流れる電流は
LQ2I Qzz”ap ’ ip:1azs、ozフ
−1o + 9.oz。The bias circuit 30 may have the same configuration as that in FIG. 2, and the bias circuit 40 is shown in FIG. Block 11 in FIG.
has the same configuration as the bias circuit in Figure 3, and PM
A current ip flows such that the mutual conductance of the OS transistor is constant. In block 12, the input transistor Q by the output voltage of the first bias circuit 30
1□, Q1. The second bias circuit 40 outputs a voltage that is added to a current having the same magnitude as the current and causes the current to flow. That is, the currents flowing through the transistors Qia and Q27 are determined as follows. Cascode transistor Q! +, the current flowing through Q12 is LQ2I Qzz"ap 'ip: 1azs, oz fu -1o + 9.oz.
となるようにバイアス回路40の出力電圧を設定する。The output voltage of the bias circuit 40 is set so that .
ここで、訃は比例定数である。以上の式から
Lza、aiy=ap4pDa+i、Q20となるよう
にバイアス回路40の出力電圧を決定すればよい。Here, death is a constant of proportionality. From the above equation, the output voltage of the bias circuit 40 may be determined so that Lza,aiy=ap4pDa+i,Q20.
バイアス回路50はトランジスタ(h 1. Q−□が
飽和領域で動作するように電圧を出力するものであれば
よく、回路の形態は幾つもありうる。例えば、第5図の
回路と同じ構成の回路を用いればよい。The bias circuit 50 may be a transistor (h1.) as long as it outputs a voltage such that Q-□ operates in the saturation region, and the circuit may have many forms.For example, it may have the same configuration as the circuit shown in FIG. A circuit can be used.
この場合、PMOS )ランジスタロ0のサイズ比(W
/L)をバイアス回路40のものより小さ(すればよい
。In this case, the size ratio (W
/L) should be smaller than that of the bias circuit 40.
本回路においてGB積の値はGm19/CLで決まり、
第2ボールの位置はGm21/Csで決まる。ここで、
Gm19は入力トランジスタQl−,Qa。の相互コン
ダクタンス、Gm21はトランジスタQ* l 、 Q
t□の相互コンダクタンスであり、Ct、は負荷容量、
C8はノードA、Bにおける寄生容量である。Gm19
およびGm21はそれぞれバイアス回路30および40
によって一定となるので、本実施例においてもGB積の
値と第2ボールの値はプロセスおよび環境変動にかかわ
らず一定となる。In this circuit, the value of GB product is determined by Gm19/CL,
The position of the second ball is determined by Gm21/Cs. here,
Gm19 is an input transistor Ql-, Qa. The transconductance of Gm21 is the transistor Q* l, Q
t□ is the mutual conductance, Ct is the load capacitance,
C8 is the parasitic capacitance at nodes A and B. Gm19
and Gm21 are bias circuits 30 and 40, respectively.
Therefore, in this embodiment as well, the value of the GB product and the value of the second ball are constant regardless of process and environmental changes.
従来の回路によると第2ボールの位置がプロセス、温度
や電源電圧の変動によって太き(変動していたが本発明
によると一定となった。従って、最悪条件でも所定の性
能が達成されるように必要以上の電流量を設定すること
なく、最適な設計が可能となった。According to the conventional circuit, the position of the second ball was widened (varied) due to variations in process, temperature, and power supply voltage, but according to the present invention, it became constant. Therefore, it is possible to achieve the specified performance even under the worst conditions. This makes it possible to create an optimal design without setting a current amount higher than necessary.
[発明の効果]
本発明によれば、GB積と第2ボールの位置がプロセス
や環境変動にかかわらず一定であるので、必要な周波数
特性を達成するために前記のようなプロセスや環境変動
を考慮して必要以上の電流を供給するといった無駄な電
流が無くなり、低消費電流の演算増幅器を供給すること
が可能となった。[Effects of the Invention] According to the present invention, since the GB product and the position of the second ball are constant regardless of process or environmental changes, the above-mentioned process or environmental changes can be avoided in order to achieve the necessary frequency characteristics. This eliminates the need for wasted current such as supplying more current than necessary, making it possible to supply an operational amplifier with low current consumption.
第1図は、本発明の第1の実施例を示す回路図、
第2図および第3図は本発明に用いられるバイアス回路
を示す回路図、
第4図は本発明の第2の実施例を示す回路図、第5図は
第4図に用いられるバイアス回路を示す回路図、
第6図は従来の演算増幅器を示す回路図である。
Ql 2 + Q l 3 + Q l 8 + Q
l ?・・・NMOS トランジスタ、Q、4.Q、、
、Q、、−PMO3I−ランジスタ、10.20・・・
バイアス回路。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the invention, FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams showing a bias circuit used in the invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention. 5 is a circuit diagram showing the bias circuit used in FIG. 4, and FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional operational amplifier. Ql 2 + Ql 3 + Ql 8 + Q
l? ...NMOS transistor, Q, 4. Q...
, Q, , -PMO3I- transistor, 10.20...
bias circuit.
Claims (1)
動増幅部と、 第2の電流源および前記差動増幅部の出力信号を入力と
する出力トランジスタとからなる出力増幅部と、 前記第1の電流源および第2の電流源を制御するバイア
ス回路とからなる演算増幅器において、 前記バイアス回路は第1のバイアス回路と第2のバイア
ス回路とからなり、前記第1のバイアス回路は前記差動
増幅部の入力トランジスタ対の相互コンダクタンスを一
定にするように前記第1の電流源を制御し、前記第2の
バイアス回路は前記出力増幅部の出力トランジスタの相
互コンダクタンスを一定にするように前記第2の電流源
を制御することを特徴とする演算増幅器。[Scope of Claims] 1) Output amplification comprising a differential amplification section including a first current source and a pair of input transistors, and an output transistor that receives the output signal of the second current source and the differential amplification section as input. and a bias circuit that controls the first current source and the second current source, wherein the bias circuit includes a first bias circuit and a second bias circuit, and the bias circuit controls the first current source and the second current source. The bias circuit controls the first current source to keep the mutual conductance of the input transistor pair of the differential amplifier section constant, and the second bias circuit controls the mutual conductance of the output transistor of the output amplifier section to keep the mutual conductance constant. An operational amplifier characterized in that the second current source is controlled so as to.
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP02221033A Expired - Lifetime JP3080974B2 (en) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Operational amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3080974B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7518428B2 (en) | 2004-09-09 | 2009-04-14 | Torex Semiconductor Ltd. | Phase compensation circuit and power circuit having same |
US8910848B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-12-16 | Steel-Invest Ltd. | Method for manufacturing beam, and beam |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP02221033A patent/JP3080974B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7518428B2 (en) | 2004-09-09 | 2009-04-14 | Torex Semiconductor Ltd. | Phase compensation circuit and power circuit having same |
US8910848B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-12-16 | Steel-Invest Ltd. | Method for manufacturing beam, and beam |
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Publication number | Publication date |
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JP3080974B2 (en) | 2000-08-28 |
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