JPH0395984A - Semiconductor laser - Google Patents
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報処理用光源及び空間伝搬・光通信用光源等
に最適な大出力半導体レーザに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a high-output semiconductor laser that is most suitable for use as a light source for information processing, a light source for spatial propagation, optical communication, and the like.
従来のＡｌＧａＡｓ系高出力半導体レーザとしては、例
えば、第６図に示すような構造が提案されている（ジャ
ーナル オブ クウォンタム エレクトロニクス Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ ＥｌｅｃｔｒＯｎ
ｉｃｓ，ＱＥ−１４，ｐ８９−ｐ９４．１９７８）。こ
の構造では、ｎ−ＧａＡｓ基板１の光吸収効果によって
接合に水平な方向に等価的な屈折率分布を形成し、水平
横モードの安定化を図っている。さらに、電流はＺｎ拡
散領域１６によって有効にストライフ状の活性領域３ａ
に注入されるため、低しきい値、高効率な基本モード発
振が得られる。この構造で活性層３の薄膜化による垂直
方向スボッｌ・サイズの増加、及び非対称端面コーティ
ングにより、数１００ｍＷの基本モード発振の得られる
高出力半導体レーザが実現できる。For example, the structure shown in Figure 6 has been proposed as a conventional AlGaAs-based high-power semiconductor laser (Journal of Quantum Electronics Jo
Urnal of Quantum ElectrOn
ics, QE-14, p89-p94.1978). In this structure, an equivalent refractive index distribution is formed in the direction horizontal to the junction by the light absorption effect of the n-GaAs substrate 1, and the horizontal transverse mode is stabilized. Furthermore, the current is effectively transferred to the striped active region 3a by the Zn diffusion region 16.
As a result, low threshold and highly efficient fundamental mode oscillation can be obtained. With this structure, a high-output semiconductor laser capable of fundamental mode oscillation of several 100 mW can be realized by increasing the vertical subhole size by thinning the active layer 3 and by applying asymmetric end face coating.
ＡｌＧ ａ Ａ ｓ系半導体レーザでは高出力動作を行
なうと共振器端面が溶融するという光学損傷（ＣＯＤ）
が発生する。このＣＯＤレベルは光ビームのスポットサ
イズに比例するが、従来の構造では水平方向のスポット
サイズが高々３〜５μｍ程度であるため、１ ０ ０−
２ ０ ０ｍＷでＣＯＤが発生してしまう。この構造で
水平方向スボ，トザイズを大きくして高出力化を図るた
めには、水平方向の導波路幅を広くすることが考えられ
る。しかしながら、従来のスラブ型導波構造では、光を
安定に導波させるためには，３Ｘ１０−’〜ＩＸＩＯ−
２の屈折率分布が必要となり、この屈折率分布では導波
路幅を５μｍ以上とすると、容易に高次モードが発振し
てしまう。従って、従来ｙ７．７造では安定な基本モー
ドで得られる出力は〜１００ｍＷが限界であった。こう
した高出力まで基本横モードの安定した光ビームの得ら
れないことが従来の技術の問題点であった。In AlGaAs semiconductor lasers, optical damage (COD) occurs when the cavity end face melts when operating at high output.
occurs. This COD level is proportional to the spot size of the light beam, but in the conventional structure, the horizontal spot size is about 3 to 5 μm at most, so 100-
COD occurs at 200 mW. In order to achieve high output by increasing the horizontal groove and size with this structure, it is conceivable to increase the width of the waveguide in the horizontal direction. However, in the conventional slab waveguide structure, in order to guide light stably, 3X10-' to IXIO-
A refractive index distribution of 2 is required, and in this refractive index distribution, if the waveguide width is set to 5 μm or more, higher-order modes easily oscillate. Therefore, in the conventional Y7.7 construction, the maximum output that could be obtained in a stable fundamental mode was ~100 mW. A problem with the conventional technology is that it is not possible to obtain a light beam with a stable fundamental transverse mode even at such high outputs.
本発明の半導体レーザは、ダブルヘテロ接合構造を有し
、接合に垂直で互いに対向する一対の端面を共振器反射
鏡として共振器を構或した半導体レーザにおいて、共振
器内に電流を注入する利得領域と、接合に垂直な方向の
みに導波構造を持つ導波頭域とを具備し、全共振器長β
に対する前記利得領域長β１がβ，／４２＜０．５を満
足することを特徴とする構成になっている。The semiconductor laser of the present invention has a double heterojunction structure and has a resonator configured with a pair of end faces perpendicular to the junction and facing each other as resonator reflectors. region and a waveguide head region having a waveguide structure only in the direction perpendicular to the junction, and the total cavity length β
The structure is characterized in that the gain region length β1 for the gain region satisfies β,/42<0.5.
上記の構造において、共振器反射鏡を球面によって形成
した構造や、共振器反射鏡を誘電体多層膜で覆った結晶
へき開面で形成し、導波領域の共振器端面近傍に導波光
を接合に水平な方向に集光させる回折型の集積レンズを
形戊した構造にすると効果はさらに著しいものとなる。In the above structure, the resonator reflector is formed with a spherical surface, or the resonator reflector is formed with a crystal cleavage plane covered with a dielectric multilayer film, and the guided light is coupled near the end face of the resonator in the waveguide region. The effect will be even more remarkable if the structure is a shaped diffraction-type integrated lens that focuses light in the horizontal direction.
本発明の構造によれば、水平方向に屈折率分布を持った
導波構造はなく、又、利得領域も共振器中央部に限定さ
れているため、水平横モードは従来の屈折率導波又は利
得導波によって決定されない。従ってこの構造では水平
横モードは共振器反射鏡構造と共振器長によって決まる
固有の共振モードによって決定される。共振器反射鏡と
して平面反射鏡を用いた開放型共振器では共振器長と反
射鏡幅とをともに大きくすることにより、スポットサイ
ズの大きい基本モードを容易に選択す・ることができる
。この場合、高次モードは平面反射鏡の回折損失が基本
モードに比べて大きくなるため、発振が抑制される。さ
らに、第２図に示したように共振器中央部に設定した利
得領域１１の幅をその部分での基本モードのスポットサ
イズに一致させると高次モードに対しては利得領域１１
への光閉じ込めが小さくなり、高次モードのモード利得
が低下する。言い換えると利得領域１ｌはそれ自体基本
モードを選択するモードフィルターとしての働きを持つ
。従って木構造では回折損失の増加、モード利得の低下
によってスポットサイズの大きな基本モードを安定に発
振させることが可能となる。共振器長と反射鏡幅ともに
大きくすれば〜５０μｍ程度の大きなスポットサイスを
もつ基本モードを安定に、かつ、回折損失の小さい状態
で発振させることができる。従って本発明の構造では基
本モード発振する数ワットクラスの大出力半導体レーザ
を実現することができる。According to the structure of the present invention, there is no waveguide structure with a refractive index distribution in the horizontal direction, and the gain region is also limited to the center of the resonator. Gain not determined by waveguide. Therefore, in this structure, the horizontal transverse mode is determined by the unique resonant mode determined by the resonator reflector structure and the resonator length. In an open resonator using a plane reflector as a resonator reflector, by increasing both the resonator length and the reflector width, a fundamental mode with a large spot size can be easily selected. In this case, oscillation is suppressed in the higher-order mode because the diffraction loss of the plane reflecting mirror is greater than that in the fundamental mode. Furthermore, as shown in FIG. 2, if the width of the gain region 11 set at the center of the resonator is made to match the spot size of the fundamental mode in that part, the gain region 11
The optical confinement in the 200 nm becomes smaller, and the mode gain of higher-order modes decreases. In other words, the gain region 1l itself functions as a mode filter that selects the fundamental mode. Therefore, in the tree structure, it is possible to stably oscillate a fundamental mode with a large spot size due to an increase in diffraction loss and a decrease in mode gain. By increasing both the resonator length and the reflecting mirror width, it is possible to stably oscillate a fundamental mode with a large spot size of about 50 μm and with small diffraction loss. Therefore, with the structure of the present invention, it is possible to realize a high-output semiconductor laser in the several watt class that oscillates in the fundamental mode.
共振器反射鏡として球面鏡を用いると球面反射鏡の焦点
を共振器中央に一致させた共焦点型共振器を形戊するこ
とができる。共焦点型共振器は平行平面反射鏡型共振器
に比べて回折損失を小さくすることができ、かつ、基本
モードと高次モードとの回折損失差を大きくとることが
できる。従ってこの構造では低しきい値で発振するとと
もに安定な基本モードを比較的容易に得ることができる
。If a spherical mirror is used as the resonator reflector, a confocal resonator can be formed in which the focal point of the spherical reflector is aligned with the center of the resonator. A confocal resonator can have smaller diffraction loss than a plane-parallel reflecting mirror resonator, and can also have a larger difference in diffraction loss between the fundamental mode and higher-order modes. Therefore, with this structure, it is possible to oscillate at a low threshold value and to obtain a stable fundamental mode relatively easily.
平面反射鏡の近傍にグレーティングレンズを設けた構造
では、グレーティングレンズ（第４図，第５図）１４が
水平方向に集光特性を有しているため、へき開面反射鏡
と組み合せると、球面反射鏡と等価な働きを持つ。従っ
て共振器反射鏡に球面鏡を用いた構造と同様に共焦点型
共振器を形成することができる。In a structure in which a grating lens is provided near a plane reflector, the grating lens (Figs. 4 and 5) has a horizontal light-converging property, so when combined with a cleavage plane reflector, it forms a spherical surface. It has a function equivalent to a reflecting mirror. Therefore, a confocal resonator can be formed in the same way as a structure in which a spherical mirror is used as a resonator reflecting mirror.
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳しく説明する。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第１図，第２図において、■はｎ型ＧａＡｓ基板、２は
ｎ型Ａ ｊ２ ｏ．ｔ Ｇ ａ Ｇ．６ Ａ Ｓクラッ
ド層、５はｐ型Ａ． ｊ７ ．Ｊ４ Ｇ ａ ｏ．ｓ
Ａ ｓ導波層、４はｎ型Ａ ｆ ｏ．．Ｇ ａ ｏ．ｇ
Ａ Ｓ埋め込み層、３は、Ａ １ ｏ．ｏｇ Ｇ ａ
０．９２ Ａ ｓ活性層、６はｐ型Ａｊ２ｍ４０ａｏ
．ｓＡＳクラット゛層、７はｎ型電極、８はｐ型電極、
９は電流注入領域、１０はへき開面反射鏡．１１は利得
領域、１２は反射鏡、１５はｎ型ＧａＡｓキャップ層、
をそれて順次積層する。次にＳｉｎ２をマスクとしてウ
ェットエッチング法を用いて、長さ３００μｍの利得領
域１１を残して活性層３までエッチングする。次に減圧
ＭＯＣＶＤ法によりＳｉ０２をマスクとして成長層５，
４を選択的に成長する。減圧ＭＯＣＶＤ法を用いればＳ
ｉｎ２マスク上にはエビタキシャル或長がおこらず、良
好な選択或長を行なうことができる。次に利得領域１１
に一致するようにｎ型ＧａＡｓキャップ層１５中に、Ｚ
ｎ拡散を行ない、幅５０μｍ、長さ３００μｍの電流注
入領域９を形成する。ｎ型電極７，ｐ型電極８を形成し
た後、利得領域１１が共振器の中央に位置するように共
振器長１０００μｍのへき開面反射鏡ｌＯを形成する。In FIGS. 1 and 2, ■ is an n-type GaAs substrate, 2 is an n-type A j2 o. t G a G. 6 A S cladding layer, 5 is p-type A. j7. J4 Gao. s
A s waveguide layer, 4 is an n-type A f o. ．． G ao. g
A S buried layer, 3, is A 1 o. og Ga
0.92 A s active layer, 6 is p-type Aj2m40ao
．． sAS clad layer, 7 is an n-type electrode, 8 is a p-type electrode,
9 is a current injection region, and 10 is a cleavage plane reflector. 11 is a gain region, 12 is a reflecting mirror, 15 is an n-type GaAs cap layer,
Then, stack them one after another. Next, using a wet etching method using Sin2 as a mask, etching is performed up to the active layer 3, leaving the gain region 11 with a length of 300 μm. Next, the growth layer 5,
Selectively grow 4. If low pressure MOCVD method is used, S
No epitaxial lengthening occurs on the in2 mask, and good selection or lengthening can be performed. Next, gain area 11
In the n-type GaAs cap layer 15, Z
N diffusion is performed to form a current injection region 9 having a width of 50 μm and a length of 300 μm. After forming the n-type electrode 7 and the p-type electrode 8, a cleavage plane reflector lO having a cavity length of 1000 μm is formed so that the gain region 11 is located at the center of the cavity.
その後、へき開面反射鏡１０にアモルファスＳ ｉ ／
Ｓ ｉ Ｏ ！からなる誘電体多層膜を形戒し、反射
鏡の幅を２００μｍとして本発明に係る一実施例の構造
が実現できる。After that, amorphous S i /
SiO! A structure according to an embodiment of the present invention can be realized by using a dielectric multilayer film consisting of a dielectric multilayer film and a width of a reflecting mirror of 200 μm.
本実施例の構造では、利得領域１１が全共振器長の３０
％を占めているにすぎないため、水平方向ではこの部分
の導波モードで発振モードを決定することができず、共
振器長と、へき開面反射鏡ｌＯによって水平方向の発振
モードが決定される。In the structure of this embodiment, the gain region 11 is 30 mm
%, the oscillation mode in the horizontal direction cannot be determined by the waveguide mode in this part, and the oscillation mode in the horizontal direction is determined by the cavity length and the cleavage plane reflector lO. .
このためスポットサイズの大きな基本モ゜−ドを安定に
発振させることができる。一方、接合に垂直な方向では
利得領域と導波領域ともにスラブ型の屈折率導波路が形
成されているため、この導波モードによって垂直方向の
発振モードは決定される。Therefore, the fundamental mode with a large spot size can be stably oscillated. On the other hand, since slab-type refractive index waveguides are formed in both the gain region and the waveguide region in the direction perpendicular to the junction, the oscillation mode in the vertical direction is determined by this waveguide mode.
第３図は本発明の別の実施例を示す構造図である。この
構造では第１図で示した積層構造及びｎ型電極７，ｐ型
電極８を形成した後、フォトリソグラフィーとリアクテ
ィブ イオン ビーム・エッチング（Ｒ Ｉ ＢＥ）技
術を用いて球面状のエッチドミラー反射鏡１３を形成す
る。ここで球面反射鏡の曲率半径は共振器長の１０００
μｍに一致させた。この結果、基本モードに対する回折
損失の小さい共焦点型共振器が形成される。FIG. 3 is a structural diagram showing another embodiment of the present invention. In this structure, after forming the laminated structure shown in Fig. 1, the n-type electrode 7, and the p-type electrode 8, a spherical etched mirror is formed using photolithography and reactive ion beam etching (RIBE) technology. A reflecting mirror 13 is formed. Here, the radius of curvature of the spherical reflector is 1000 times the resonator length.
Matched to μm. As a result, a confocal resonator with small diffraction loss for the fundamental mode is formed.
第４図，第５図は本発明の別の実施例な示す構造図であ
る。この構造では第５図に示すように導波層５を形成す
る前にフォトリソグラフィーと電子ビーム露光技術を用
いて導波領域の一部にｎ型ＡＪ２。４ Ｇ ａ Ｏ，６
Ａ ６クラッド層２上にグレーティングレンズ１４を
形戒する。FIGS. 4 and 5 are structural diagrams showing another embodiment of the present invention. In this structure, as shown in FIG. 5, before forming the waveguide layer 5, photolithography and electron beam exposure techniques are used to form n-type AJ2.4G a O,6 in a part of the waveguide region.
A6 A grating lens 14 is formed on the cladding layer 2.
ここでグレーティングレンズ１４の焦点距離は共振器長
と同じ１ ０ ０ ０Ａｔｍとする。その後、第１図と
同様に成長層２，５，４、電流注入領域９、及び電極７
，８を形成する。さらにグレーティングレンズ１４の側
部に共振器長１０００μｍとなるようなへき開面反射鏡
ＩＯ全形威してＭ４図に示す構造が実現できる。この構
造ではグレーティングレンズ１４とへき開面反射鏡１０
とを組み合せることにより焦点距離５００μｍの球面反
射鏡と等価な働きをする。従って基本モードに対する回
折損失の小さい共焦点型共振器が形戊できる。Here, the focal length of the grating lens 14 is assumed to be 1000 Atm, which is the same as the resonator length. Thereafter, as in FIG.
, 8. Furthermore, the structure shown in Fig. M4 can be realized by using the entire cleavage plane reflector IO with a cavity length of 1000 μm on the side of the grating lens 14. In this structure, the grating lens 14 and the cleavage surface reflector 10
By combining these, the function is equivalent to a spherical reflecting mirror with a focal length of 500 μm. Therefore, a confocal resonator with small diffraction loss for the fundamental mode can be formed.
本発明の構造によれば、水平方向に屈折率分布を持った
導波構造はなく、又、利得領域も共振器中央部に限定さ
れているため、水平横モードは従来の屈折率導波又は、
利得導波によって決定されない。従ってこの構造では水
平横モードは反射鏡構造と共振器長によって決まる固有
の共振モードによって決定される。共振器反射鏡に平面
反射鏡を用いた開放型共振器では共振器長と反射鏡幅と
をともに大きくすることにより、スポットサイスの大き
い基本モードを容易に実現することができる。この場合
、高次モードは平面反射鏡の回折損失が基本モードに比
べて大きくなるため、発振が抑制される。さらに、第２
図に示したように、共振器中央部に設定した利得領域１
ｌの幅をその部分での基本モードのスポットザイズに一
致させると高次モードに対しては利得領域１１への光閉
じ込めが小さくなり、高次モードのモード利得が低下す
る。言い換えると利得領域１１は〜それ自体基本モード
を選択するモードフィルターとしての働きを持つ。従っ
て本構造では回折損失の増加，モード利得の低下によっ
てスポットサイズの犬ぎな基本モードを安定に発振させ
ることが可能となる。According to the structure of the present invention, there is no waveguide structure with a refractive index distribution in the horizontal direction, and the gain region is also limited to the center of the resonator. ,
Gain not determined by waveguide. Therefore, in this structure, the horizontal transverse mode is determined by the unique resonance mode determined by the reflector structure and the resonator length. In an open resonator using a plane reflector as a resonator reflector, a fundamental mode with a large spot size can be easily realized by increasing both the resonator length and the reflector width. In this case, oscillation is suppressed in the higher-order mode because the diffraction loss of the plane reflecting mirror is greater than that in the fundamental mode. Furthermore, the second
As shown in the figure, gain region 1 is set at the center of the resonator.
When the width of l is made to match the spot size of the fundamental mode in that portion, light confinement in the gain region 11 becomes smaller for higher-order modes, and the mode gain of the higher-order modes decreases. In other words, the gain region 11 itself functions as a mode filter that selects the fundamental mode. Therefore, with this structure, it is possible to stably oscillate a fundamental mode with a small spot size due to an increase in diffraction loss and a decrease in mode gain.
共振器長と反則鏡幅ともに大きくすれば〜５０μｍ程度
の大きなスポットサイズをもつ基本モードを安定に、か
つ、回折損失の小さい状態で発振させることができる。By increasing both the resonator length and the mirror width, it is possible to stably oscillate a fundamental mode with a large spot size of about 50 μm and with small diffraction loss.
本発明の構造では共振器の特性をあらわすフレネル数は
４０程度であり、従って基本モードに対する回折損失は
１％未満と推定される。従って本発明の構造では、基本
モード発振する数ワットクラスの大出力半導体レーザを
実現することができる。In the structure of the present invention, the Fresnel number representing the characteristics of the resonator is about 40, and therefore the diffraction loss for the fundamental mode is estimated to be less than 1%. Therefore, with the structure of the present invention, it is possible to realize a high-output semiconductor laser of several watt class that oscillates in the fundamental mode.
共振器反射鏡に球面鏡を用いた構造とすると、球面反射
鏡の焦点を共振器中央に一致させた共焦点型共振器を形
戒することができる。共焦点型共振器は平行平面型共振
器に比べて回折損失を小さくすることができ、かつ、基
本モードと高次モードとの回折損失差を大きくとること
ができる。If a spherical mirror is used as the resonator reflector, a confocal resonator can be created in which the focus of the spherical reflector is aligned with the center of the resonator. A confocal resonator can have smaller diffraction loss than a parallel plane resonator, and can also have a larger difference in diffraction loss between the fundamental mode and higher-order modes.
従ってこの構造では低しきい値で発振するとともに安定
な基本モードを比較的容易に得ることができる。Therefore, with this structure, it is possible to oscillate at a low threshold value and to obtain a stable fundamental mode relatively easily.
さらに平面反射鏡の近傍にグレーティングレンズを設け
た構造では、グレーティングレンスが水平方向に集光特
性を有しているため、へき開而反射鏡と組み合せると、
球面反射鏡と等価な働きを持つ。従って球面反射鏡の構
造と同様に共焦点型共振器を形戒することができる。Furthermore, in a structure in which a grating lens is provided near a flat reflector, since the grating lens has a horizontal light focusing property, when combined with a cleavage reflector,
It has a function equivalent to a spherical reflector. Therefore, a confocal resonator can be constructed similarly to the structure of a spherical reflector.
以上、本発明では通常のダブルヘテロ接合構造を用いた
Ａｊ２ＧａＡｓ系を用いて説明を行なったが、活性層に
量子井戸構造を用いてもよく、また、他の材料系である
ＡｆｆｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ，ＩｎＰ／ＧａＩｎＡ
ｓＰ等を用いても全く同様の構造を実現することができ
る。In the above, the present invention has been explained using the Aj2GaAs system using a normal double heterojunction structure, but a quantum well structure may also be used in the active layer, and other material systems such as AfflGaInP/GaInP, InP /GaInA
Exactly the same structure can be realized using sP or the like.
第１図，第３図，第４図，第５図は本発明の実施例を示
す構造図、第２図は本発明の原理を示す図、第６図は従
来の半導体レーザの構造図をそれぞれ示す。
１はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２はｎ型Ａ ｆｌ ｏ，
ｔ Ｇ ａ ｏ６Ａｓクラッド層、５はｐ型Ａ Ｉ！
１１２ Ｇ ａ ｏ．ａ Ａ ｓ導波層、４はｎ型Ａ
ＩＩ ｏ．ｔ Ｇ ａ ｏ．ａ Ａ Ｓ埋め込み層、３
はＡ ！！ ｏ．ｏｇ Ｇ ａ ０．９２Ａ Ｓ活性層
、６はｐ型Ａ ！！ ｏ４Ｇ ａ ｏ．ｓＡｓクラッド
層、７はｎ型電極、８はｐ型電極、９は電流注入領域、
１０はへき開面反射鏡、ｌ１は利得領域、１２は反射鏡
、１３はエッチドミラ一面反射鏡、ｌ４はグレーティン
グレンズ、１５はｎ型ＧａＡｓキャップ層、ｌ６はＺｎ
拡散領域をそれぞれ示す。Figures 1, 3, 4, and 5 are structural diagrams showing embodiments of the present invention, Figure 2 is a diagram showing the principle of the present invention, and Figure 6 is a structural diagram of a conventional semiconductor laser. Each is shown below. 1 is an n-type Ga As substrate, 2 is an n-type A fl o,
tGao6As cladding layer, 5 is p-type AI!
112 G ao. a A s waveguide layer, 4 is n-type A
II o. t G a o. a A S embedded layer, 3
A! ! o. og Ga 0.92A S active layer, 6 is p-type A! ! o4G ao. sAs cladding layer, 7 is an n-type electrode, 8 is a p-type electrode, 9 is a current injection region,
10 is a cleavage plane reflector, l1 is a gain region, 12 is a reflector, 13 is an etched mirror single reflector, l4 is a grating lens, 15 is an n-type GaAs cap layer, l6 is a Zn
Each shows a diffusion region.
Claims (3)
互いに対向する一対の端面を共振器反射鏡として共振器
を構成した半導体レーザにおいて、共振器内に電流を注
入する利得領域と、前記接合に垂直な方向のみに導波構
造を持つ導波領域とを具備し、全共振器長ｌに対する前
記利得領域長ｌ＿ａが、ｌ＿ａ／ｌ＜０．５を満足する
ことを特徴とする半導体レーザ。(1) In a semiconductor laser having a double heterojunction structure, in which a resonator is configured by using a pair of end faces perpendicular to the junction and facing each other as resonator reflectors, a gain region for injecting current into the resonator; A semiconductor laser comprising a waveguide region having a waveguide structure only in a direction perpendicular to the junction, and wherein the gain region length l_a with respect to the total cavity length l satisfies l_a/l<0.5. .
反射鏡が誘電体多層膜で覆われた球面によって形成され
ていることを特徴とする半導体レーザ。(2) A semiconductor laser having a structure according to claim 1, wherein the resonator reflecting mirror is formed by a spherical surface covered with a dielectric multilayer film.
振器反射鏡が誘電体多層膜で覆われた結晶へき開面で構
成され、前記導波領域の共振器端面近傍に導波光を接合
に水平な方向に集光させる回折型の集積レンズが形成さ
れていることを特徴とする半導体レーザ。(3) In the structure according to claim 1, the resonator reflecting mirror is constituted by a crystal cleavage plane covered with a dielectric multilayer film, and the guided light is coupled to the vicinity of the resonator end face of the waveguide region. A semiconductor laser characterized by being formed with a diffractive integrated lens that focuses light in a horizontal direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23367789A JPH0395984A (en) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23367789A JPH0395984A (en) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395984A true JPH0395984A (en) | 1991-04-22 |
Family
ID=16958807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23367789A Pending JPH0395984A (en) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0395984A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244216A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Advanced Telecommunication Research Institute International | Semiconductor laser and laser module equipped with same |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP23367789A patent/JPH0395984A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244216A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Advanced Telecommunication Research Institute International | Semiconductor laser and laser module equipped with same |
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