JPH039302Y2 - - Google Patents
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- JPH039302Y2 JPH039302Y2 JP9578385U JP9578385U JPH039302Y2 JP H039302 Y2 JPH039302 Y2 JP H039302Y2 JP 9578385 U JP9578385 U JP 9578385U JP 9578385 U JP9578385 U JP 9578385U JP H039302 Y2 JPH039302 Y2 JP H039302Y2
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の分野〕
本考案は中間周波トランスに関し、特にインダ
クタンスが可変である積層チツプ可変中間周波ト
ランスに関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of the Invention] The present invention relates to an intermediate frequency transformer, and more particularly to a multilayer chip variable intermediate frequency transformer with variable inductance.
第6図〜第19図を参照しながら従来技術を説
明する。
The prior art will be explained with reference to FIGS. 6 to 19.
従来の積層チツプ可変中間周波トランスは、積
層トランス部分23と積層コンデンサ部分25を
備えている。積層トランス部分23は、第6図〜
第11図の製造工程を経て得られる。すなわち、
第6図のように、絶縁性の強磁性体層、一般的に
は、Fe,Co,Ni等のフエライト粉末と適当なバ
インダーとを混練りしたペースト状のシートもし
くは印刷層8を用意する。シートはシート工法、
たとえばドクターブレード法と呼ばれる製造方法
により、ノズルから射出される材料を厚さを規制
しながらベルト上に押し出して得られる。また印
刷層は、周知の印刷法により得られる。シート工
法では、所望の層たとえば誘電体層ないし導体層
ないし強磁性体層等が得られた後に電極層を塗布
し、その後加圧着し、適当に切断して複数のチツ
プを得て、その後、焼成炉にて高温焼成して、所
望の積層電子部品を得る。しかし以下の従来例の
説明においては、上記のシート工法としてではな
く、周知の印刷法により各層が形成されるものと
して説明する。印刷法により得られた強磁性体層
8の表面に約半ターン分の1次コイル巻線形成用
の導体層9を印刷する。導体層9は、一般的には
Ag,Al,Cu,Ag,−Pd,Pd等の金属粉末を適
当なバインダーと混練りしたペースト状のものを
使用する。第6図で、部位aは、1次コイル巻線
用の電極引出し部である。次に、導体層9の一部
を残して強磁性体層10を印刷し、第7図のよう
に、導体層11を導体層9と接続して印刷する。
第8図の工程に移り、導体層11の一部を残して
強磁性体層12を印刷し、導体層13を導体層1
1に接続して印刷する。必要に応じ導体層13か
ら引出し部bを設けて、中点タツプ付き積層トラ
ンスとすることも可能である。第9図の工程に移
り、導体層13の一部を残して、強磁性体層14
を印刷し、導体層13に接続して導体層15を印
刷し1次コイル巻線用の電極引出し部cを設け
る。なお、上記の工程において、導体層のターン
数および積層数は任意に調整できる。また中点タ
ツプ用の引出し部bの位置も任意に調整できる。
第10図の工程に移り、強磁性体層16を印刷
し、第6図〜第9図と同様の印刷を行つて(図示
せず)、2次コイル巻線を形成する。第10図で
部位d,eは、部位a,cと同様の2次コイル巻
線用の電極引出し部である。所望の積層を終えた
後、第11図に示されるように穴17をパンチす
る。 A conventional multilayer chip variable intermediate frequency transformer includes a multilayer transformer section 23 and a multilayer capacitor section 25. The laminated transformer portion 23 is shown in FIG.
It is obtained through the manufacturing process shown in FIG. That is,
As shown in FIG. 6, an insulating ferromagnetic layer, generally a paste-like sheet or printed layer 8, is prepared by kneading ferrite powder such as Fe, Co, Ni, etc., and a suitable binder. The seat is sheet construction method,
For example, it is obtained by extruding material injected from a nozzle onto a belt while controlling the thickness using a manufacturing method called the doctor blade method. Further, the printed layer can be obtained by a well-known printing method. In the sheet method, after a desired layer such as a dielectric layer, a conductor layer, or a ferromagnetic layer is obtained, an electrode layer is applied, followed by pressure bonding and appropriate cutting to obtain a plurality of chips. A desired laminated electronic component is obtained by firing at a high temperature in a firing furnace. However, in the following explanation of the conventional example, each layer will be explained as being formed by a well-known printing method rather than the above-mentioned sheet construction method. On the surface of the ferromagnetic layer 8 obtained by the printing method, a conductor layer 9 for forming a primary coil winding of about half a turn is printed. The conductor layer 9 is generally
A paste made by kneading metal powders such as Ag, Al, Cu, Ag, -Pd, Pd, etc. with a suitable binder is used. In FIG. 6, portion a is an electrode lead-out portion for the primary coil winding. Next, a ferromagnetic layer 10 is printed leaving a part of the conductor layer 9, and as shown in FIG. 7, the conductor layer 11 is connected to the conductor layer 9 and printed.
8, the ferromagnetic layer 12 is printed leaving a part of the conductor layer 11, and the conductor layer 13 is printed on the conductor layer 1.
1 and print. If necessary, it is also possible to provide a lead-out portion b from the conductor layer 13 to form a laminated transformer with a center tap. Moving on to the process shown in FIG. 9, a part of the conductor layer 13 is left and the ferromagnetic layer 14
A conductor layer 15 is printed by connecting it to the conductor layer 13, and an electrode lead-out portion c for the primary coil winding is provided. In addition, in the above process, the number of turns and the number of stacked layers of the conductor layer can be adjusted arbitrarily. Further, the position of the drawer part b for the middle point tap can be adjusted as desired.
10, the ferromagnetic layer 16 is printed, and the same printing as in FIGS. 6 to 9 is performed (not shown) to form a secondary coil winding. In FIG. 10, portions d and e are electrode extension portions for the secondary coil winding similar to portions a and c. After completing the desired lamination, holes 17 are punched as shown in FIG.
第12図〜第15図は、積層チツプ可変中間周
波トランスの積層コンデンサ部分25の製造工程
を示す。先づ、第12図に示されるように、誘電
体層18を印刷する。誘電体層には、誘電体
(BaTiO3,TiO2等)の粉末をバインダーでペー
スト状に形成したものを使用する。次に電極層と
しての導体層19を印刷する。その際に、導体層
19の一端を誘電体層18の上辺左寄りに引き出
して、引出し部gとする。第13図の工程に移
り、誘電体層20を印刷する。次に、導体層21
を印刷する。導体層21の一端を誘電体層20の
上辺右寄りに引出して、引出し部fとし、次に誘
電体層22を印刷する。 12 to 15 show the manufacturing process of the multilayer capacitor portion 25 of the multilayer chip variable intermediate frequency transformer. First, as shown in FIG. 12, the dielectric layer 18 is printed. The dielectric layer is made of dielectric powder (BaTiO 3 , TiO 2 , etc.) formed into a paste with a binder. Next, a conductor layer 19 as an electrode layer is printed. At this time, one end of the conductor layer 19 is pulled out to the left of the upper side of the dielectric layer 18 to form a lead-out portion g. Moving to the step shown in FIG. 13, the dielectric layer 20 is printed. Next, the conductor layer 21
print. One end of the conductor layer 21 is drawn out to the right of the upper side of the dielectric layer 20 to form a drawn-out portion f, and then the dielectric layer 22 is printed.
上記の工程で得られた積層トランス部分23と
積層コンデンサ部分25を圧締めする。必要に応
じ、層24を介して積層トランス部分23と積層
コンデンサ部分25を圧締めする。この層24
は、強磁性体と誘電体との中間的性質を示す層で
あり、次段の工程での焼結縮み等によるクラツク
防止用の層であり、例えば誘電体粉末と強磁性体
粉末の混合ペーストより作られる。層24は場合
により省略できる。上記のようにして得られた積
層体26を焼成炉において焼成し、1次・2次コ
イル巻線用電極引出し部a,c,d,eと積層コ
ンデンサの引出し部f,gに導体ペーストを被覆
し外部電極28,29を形成する(2次コイル巻
線用の外部電極は図示せず)。次に第18図に示
されるようにパンチされた穴17に螺合するよう
に磁気コア27を挿入する。このようにして、従
来技術による積層チツプ可変中間周波トランスを
得る。 The laminated transformer portion 23 and the laminated capacitor portion 25 obtained in the above steps are pressed together. If necessary, the laminated transformer portion 23 and the laminated capacitor portion 25 are clamped together via the layer 24. This layer 24
is a layer that exhibits intermediate properties between ferromagnetic and dielectric materials, and is a layer for preventing cracks caused by sintering shrinkage in the next step. Made from more. Layer 24 can optionally be omitted. The laminate 26 obtained as described above is fired in a firing furnace, and a conductive paste is applied to the electrode lead-out parts a, c, d, e for the primary and secondary coil windings and the lead-out parts f, g of the multilayer capacitor. Coating and forming external electrodes 28 and 29 (external electrodes for the secondary coil winding are not shown). Next, as shown in FIG. 18, the magnetic core 27 is inserted so as to be screwed into the punched hole 17. In this way, a multilayer chip variable intermediate frequency transformer according to the prior art is obtained.
このようにして得られた積層チツプ可変中間周
波トランスは、積層トランス部分23が閉磁路型
であり、この積層トランス部分23にのみ螺合す
る磁気コア27のねじ孔には磁束の漏れが少な
い。したがつて、磁気コア27の調整による積層
チツプ可変中間周波トランスの1次・2次コイル
巻線の自己インダクタンスおよび相互インダクタ
ンス(以後特に区別を要さない場合、単にインダ
クタンスとする)の調整範囲が限られてしまう等
の問題点を有していた。すなわち従来の積層チツ
プ可変中間周波トランスは、第18図の隙間30
の調節によつてのみ、1次・2次コイル巻線のイ
ンダクタンスを変化させているが、その変化幅は
狭いという問題を有している。 In the laminated chip variable intermediate frequency transformer thus obtained, the laminated transformer portion 23 is of a closed magnetic path type, and there is little leakage of magnetic flux through the screw hole of the magnetic core 27 that is screwed only into this laminated transformer portion 23. Therefore, the adjustment range of the self-inductance and mutual inductance (hereinafter simply referred to as inductance when no particular distinction is required) of the primary and secondary coil windings of the multilayer chip variable intermediate frequency transformer by adjusting the magnetic core 27 is as follows. It had problems such as being limited. That is, in the conventional multilayer chip variable intermediate frequency transformer, the gap 30 in FIG.
The inductance of the primary and secondary coil windings is changed only by adjusting , but the problem is that the range of change is narrow.
中間周波トランスは、例えばラジオ受信機等の
中間周波増幅回路等に使用される。この回路の役
割りは、一定の同調周波数と同調し、しかも複数
段の増幅を行つても一定の周波数帯域を確保する
ことである。一般に電子回路中の電子部品、たと
えばトランジスタやコンデンサには個々にばらつ
きがあるのが普通であり、これらの電子部品に接
続される中間周波トランスは個々にそのインダク
タンスを調整して一定の同調周波数に同調させな
ければならない。したがつて、中間周波トランス
の1次コイル側のインダクタンスを広範に調整し
て、1次コイル側の中心周波数を同調周波数と一
致させなければならない。また、1次コイルと2
次コイルの各インダクタンスを調整して、1次コ
イル側と2次コイル側とのインピーダンスマツチ
ングが必要とされる場合もあり、この場合も中間
周波トランスのインダクタンスを広範に変えられ
ることが望ましい。 Intermediate frequency transformers are used, for example, in intermediate frequency amplification circuits such as radio receivers. The role of this circuit is to tune to a fixed tuning frequency and to secure a fixed frequency band even when multiple stages of amplification are performed. Generally, there are individual variations in the electronic components in electronic circuits, such as transistors and capacitors, and the intermediate frequency transformers connected to these electronic components individually adjust their inductance to maintain a constant tuning frequency. have to be synchronized. Therefore, the inductance on the primary coil side of the intermediate frequency transformer must be adjusted over a wide range to match the center frequency of the primary coil with the tuning frequency. Also, the primary coil and the
Impedance matching between the primary coil side and the secondary coil side may be required by adjusting each inductance of the secondary coil, and in this case as well, it is desirable to be able to vary the inductance of the intermediate frequency transformer over a wide range.
本考案の目的は、積層チツプ可変中間周波トラ
ンスのインダクタンスを広範に調整できるように
することである。
It is an object of the present invention to allow a wide range of adjustment of the inductance of a multilayer chip variable intermediate frequency transformer.
本考案の他の目的は、積層チツプ可変中間周波
トランスのインダクタンスを微調整できるように
することである。 Another object of the present invention is to enable fine adjustment of the inductance of a multilayer chip variable intermediate frequency transformer.
本考案のさらに他の目的は、従来技術の製造工
程を大幅に変更することなく安価に大量生産する
ことができ、特性の良い積層チツプ可変中間周波
トランスを得ることである。 Still another object of the present invention is to obtain a multilayer chip variable intermediate frequency transformer with good characteristics that can be mass-produced at low cost without significantly changing the manufacturing process of the prior art.
第1図を参照しながら本考案の主要部の構成を
説明する。
The configuration of the main parts of the present invention will be explained with reference to FIG.
本考案によれば、積層チツプ可変中間周波トラ
ンスは、積層トランス部分2,2とそれらの間に
設けた非磁性体層3を備え、この積層トランス部
分2,2と非磁性体層3を貫通する貫通孔4が設
けられる。積層トランス部分2,2は従来と同様
に強磁性フエライト層と少なくとも2組の導体層
との交互積層により形成される。この積層トラン
ス部分の少なくとも一箇所に非磁性体層3を形成
する。この非磁性体層3は、例えばCu,Mn等の
非磁性のフエライトと導体層との交互積層により
形成される。非磁性体層3の透磁率μCと積層トラ
ンス部分2,2の透磁率μLとの比μC/μLは通常
10-2〜10-4程度である。したがつて、非磁性体層
3は、積層トランス部分2,2の磁束の通路とな
るが、磁気抵抗が大きいため磁気回路的に開磁路
となり、磁束は貫通孔4の方へ漏れてくる。積層
トランス部分は強磁性体より形成され、その比透
磁率は数百から数千、場合によりそれ以上とな
り、非磁性体層から貫通孔の方へ漏れてくる磁界
の強さは積層トランス部分での漏れ磁界の強さの
数百倍ないし数千倍、あるいはそれ以上となる。
そこで貫通孔4に可動の磁心1を挿入して、その
挿入量を調整することにより磁心と磁束の鎖交量
を調節する。第2図を参照すると、この磁心1は
積層トランス部分2,2だけでなく非磁性体層3
においても可動である。したがつて非磁性体層3
からの漏れ磁束がこの磁心1と鎖交する量を広範
囲に調整することができ、その結果、積層チツプ
可変中間周波トランスのインダクタンスを広範囲
に変えることができる。第3図には、第2図の各
磁心の位置A,B,Cに対応する積層チツプ可変
中間周波トランスのインダクタンスの変化を示
す。また第4図では、位置A,Cに対応したイン
ダクタンスの変化による中心周波数の変化を横軸
に、またその時の中心周波数0,0′を中心とし
た周波数選択特性を示す減衰度を縦軸に示す。 According to the present invention, the multilayer chip variable intermediate frequency transformer includes the multilayer transformer parts 2, 2 and the nonmagnetic layer 3 provided between them, and the multilayer transformer parts 2, 2 and the nonmagnetic material layer 3 are penetrated. A through hole 4 is provided. The laminated transformer portions 2, 2 are formed by alternately laminating ferromagnetic ferrite layers and at least two sets of conductor layers, as in the prior art. A nonmagnetic layer 3 is formed in at least one location of this laminated transformer portion. The nonmagnetic layer 3 is formed by alternately laminating nonmagnetic ferrite such as Cu or Mn and a conductor layer. The ratio μ C / μ L between the magnetic permeability μ C of the non-magnetic layer 3 and the magnetic permeability μ L of the laminated transformer parts 2, 2 is usually
It is about 10 -2 to 10 -4 . Therefore, the nonmagnetic layer 3 becomes a path for the magnetic flux of the laminated transformer parts 2, 2, but because of its large magnetic resistance, it becomes an open magnetic path in terms of the magnetic circuit, and the magnetic flux leaks toward the through hole 4. . The laminated transformer part is made of ferromagnetic material, and its relative magnetic permeability ranges from several hundred to several thousand, or even more in some cases, and the strength of the magnetic field leaking from the non-magnetic material layer toward the through hole is The strength of the leakage magnetic field is several hundred to several thousand times, or even more.
Therefore, by inserting the movable magnetic core 1 into the through hole 4 and adjusting the insertion amount, the amount of interlinkage between the magnetic core and the magnetic flux is adjusted. Referring to FIG.
It is also movable. Therefore, the nonmagnetic layer 3
The amount by which leakage magnetic flux from the magnetic core 1 interlinks with the magnetic core 1 can be adjusted over a wide range, and as a result, the inductance of the multilayer chip variable intermediate frequency transformer can be changed over a wide range. FIG. 3 shows changes in the inductance of the laminated chip variable intermediate frequency transformer corresponding to the positions A, B, and C of each magnetic core in FIG. 2. Furthermore, in Figure 4, the horizontal axis represents the change in center frequency due to the change in inductance corresponding to positions A and C, and the vertical axis represents the degree of attenuation that indicates the frequency selection characteristics around the center frequencies 0 and 0 '. show.
第5図を参照しながら、本考案の好ましい実施
例を説明する。なお、図中の積層トランス部分
2,2は、強磁性体層と導体層との交互積層によ
り形成され、非磁性体層3は非磁性体と導体との
交互積層により形成され、誘電体層30は、誘電
体と導体との交互積層により形成され、これら
は、従来と同様であるので詳細には説明しない。
積層トランス部分2の導体層の一部を残して積層
を終えた後、この導体層の一部は残したまま、非
磁性体層3を積層し、先の導体層の一部を介して
さらに積層トランス部分2を重畳することにより
積層チツプトランスを得る。この積層チツプトラ
ンスと誘電体層30とを圧締めして、貫通孔4を
パンチする。
A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the laminated transformer parts 2, 2 in the figure are formed by alternately laminating ferromagnetic layers and conductor layers, the nonmagnetic layer 3 is formed by alternately laminating nonmagnetic materials and conductors, and the dielectric layer 3 is formed by alternately laminating ferromagnetic layers and conductor layers. 30 is formed by alternately laminating dielectrics and conductors, and since these are the same as conventional ones, they will not be described in detail.
After completing the lamination while leaving a part of the conductor layer of the laminated transformer part 2, a non-magnetic layer 3 is laminated while leaving a part of this conductor layer, and then further layered through a part of the previous conductor layer. By overlapping the laminated transformer parts 2, a laminated chip transformer is obtained. This laminated chip transformer and dielectric layer 30 are pressed together, and through holes 4 are punched.
この誘電体層の一部に積層コンデンサ部分を形
成することも可能である。この場合、積層トラン
ス部と積層コンデンサ部の区別を便宜的に図中左
横に示す。次に、全積層体を焼成炉にて一体焼結
させ、各電極引出し部に導体ペーストを被覆し焼
付けて外部電極7等を形成する。貫通孔4の直径
に応じて、トリマー5と磁心1とフランジ6から
構成される磁気コア部材を製造する。トリマー5
は、非磁性材料、たとえばプラスチツクもしくは
真鍮等により構成され、磁心1を挾圧保持してい
る。またトリマー5には雄ねじが形成され、フラ
ンジには雌ねじが形成され、トリマー5の回転に
より磁心1が上下に動くようになつている。この
フランジ6は、トリマー5と同様に非磁性材料か
ら作られる。上記の構成の磁気コア部材を貫通孔
4に嵌合させて、本考案による積層チツプ可変中
間周波トランスを得る。 It is also possible to form a multilayer capacitor portion in a part of this dielectric layer. In this case, the distinction between the multilayer transformer section and the multilayer capacitor section is shown on the left side of the figure for convenience. Next, the entire laminate is integrally sintered in a firing furnace, and each electrode lead-out portion is coated with a conductive paste and baked to form external electrodes 7 and the like. A magnetic core member composed of a trimmer 5, a magnetic core 1, and a flange 6 is manufactured according to the diameter of the through hole 4. trimmer 5
is made of a non-magnetic material, such as plastic or brass, and holds the magnetic core 1 under pressure. Further, the trimmer 5 is formed with a male thread, and the flange is formed with a female thread, so that the rotation of the trimmer 5 causes the magnetic core 1 to move up and down. This flange 6, like the trimmer 5, is made from a non-magnetic material. The magnetic core member having the above structure is fitted into the through hole 4 to obtain a laminated chip variable intermediate frequency transformer according to the present invention.
本考案によれば、フランジ6に対するトリマー
5の回転により磁心1が貫通孔4内を上下に移動
して、非磁性体層からの漏れ磁束と鎖交する量が
広範囲に調節され、積層チツプ可変中間周波トラ
ンスのインダクタンスを広範囲に調節することが
できる。したがつて0=1/2π√で表わされ
る中心周波数0が広範囲に調節できる。したがつ
て、たとえば、ラジオの中間周波増幅回路におい
て、回路中の種々の電子部品のばらつきに応じて
一定の同調周波数と広範囲に同調することが可能
となる。また、1次・2次コイル双方のインダク
タンスを調整して、1次・2次側で、広範囲にイ
ンピーダンスマツチングを行うことも可能とな
る。また磁心は、フランジとトリマーのねじ溝に
より上下に移動することができるので、微調整可
能である。したがつて、一定の周波数に対して精
度良く調整することができる。また、本考案は、
従来技術の大幅な修正・変更を要しないので、従
来からの積層トランスの特徴を損うことなく、安
価で堅牢で特性の良い積層チツプ可変中間周波ト
ランスを得ることができる。
According to the present invention, the rotation of the trimmer 5 with respect to the flange 6 causes the magnetic core 1 to move up and down within the through hole 4, and the amount of interlinkage with the leakage magnetic flux from the non-magnetic layer is adjusted over a wide range, making it possible to change the laminated chip. The inductance of the intermediate frequency transformer can be adjusted over a wide range. Therefore, the center frequency 0 , expressed as 0 = 1/2π√, can be adjusted over a wide range. Therefore, for example, in a radio intermediate frequency amplifier circuit, it is possible to tune to a fixed tuning frequency over a wide range depending on variations in various electronic components in the circuit. It is also possible to perform impedance matching over a wide range on the primary and secondary sides by adjusting the inductance of both the primary and secondary coils. Furthermore, the magnetic core can be moved up and down by the threaded grooves of the flange and trimmer, allowing for fine adjustment. Therefore, it is possible to accurately adjust a certain frequency. In addition, this invention
Since no major modifications or changes to the prior art are required, a multilayer chip variable intermediate frequency transformer that is inexpensive, robust, and has good characteristics can be obtained without impairing the features of the conventional multilayer transformer.
上記の説明から明らかなように、積層トランス
部分の積層数、導体層のターン数およびパターン
形状は、必要に応じ変更できる。また、好ましい
実施例の詳細な説明においては、開磁路部を設け
るために、非磁性体層を1箇所にのみ設けている
が、複数箇所設けることも可能である。また、本
考案による積層チツプ可変中間周波トランスと他
の電子部品との組合せにより、様々な応用、変更
が可能であることは当業者には明らかであろう。 As is clear from the above description, the number of laminated layers of the laminated transformer portion, the number of turns of the conductor layer, and the pattern shape can be changed as necessary. Furthermore, in the detailed description of the preferred embodiment, the nonmagnetic layer is provided at only one location in order to provide an open magnetic path portion, but it is also possible to provide the nonmagnetic layer at multiple locations. Furthermore, it will be obvious to those skilled in the art that various applications and modifications can be made by combining the multilayer chip variable intermediate frequency transformer according to the present invention with other electronic components.
第1図は、本考案による積層チツプ可変中間周
波トランスの原理を示す原理図である。第2図
は、第1図のa−a′線から見た場合の断面図であ
る。第3図は、第2図の磁心の各位置A,B,C
に対応してインダクタンスの変化を示すグラフ図
である。第4図は、インダクタンスの変化による
周波数選択特性を示すグラフ図である。第5図
は、本考案による積層チツプ可変中間周波トラン
スの斜視図である。第6図〜第11図は、従来技
術による積層トランス部分の製造工程を示す平面
図である。第12図〜第15図は、従来技術によ
る積層コンデンサ部分の製造工程を示す平面図で
ある。第16図は、従来技術の積層トランス部分
と積層コンデンサ部分とを圧締めする様子を示す
斜視図である。第17図は、従来技術の焼成後の
積層チツプ可変中間周波トランスの斜視図であ
る。第18図は、従来技術の積層チツプ可変中間
周波トランスの断面図である。第19図は、第1
8図の等価回路図である。図中の各番号が示す名
称を下記に挙げる。なお、同一番号は同一部位を
示すものとする。
1:磁心、2,2:積層トランス部分、3:非
磁性体層、4:貫通孔、5:トリマー、6:フラ
ンジ、7:外部電極、8,10,12,14,1
6:強磁性体層、9,11,13,15:(一次
コイル巻線用)導体層、17:穴、18,20,
22:誘電体層、19,21:導体層、23:積
層トランス部分、24:クラツク防止層、25:
積層コンデンサ部分、26:積層体、27:磁気
コア、28,29:外部電極、30:積層コンデ
ンサ部分、a,c:一次コイル巻線用電極引出し
部、b:中点タツプ用引出し部、d,e:一次コ
イル巻線用電極引出し部、f,g:積層コンデン
サ用電極引出し部。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of a multilayer chip variable intermediate frequency transformer according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line a-a' in FIG. 1. Figure 3 shows the positions A, B, and C of the magnetic core in Figure 2.
FIG. 3 is a graph diagram showing changes in inductance in response to the change in inductance. FIG. 4 is a graph showing frequency selection characteristics due to changes in inductance. FIG. 5 is a perspective view of a multilayer chip variable intermediate frequency transformer according to the present invention. 6 to 11 are plan views showing the manufacturing process of a laminated transformer portion according to the prior art. 12 to 15 are plan views showing the manufacturing process of a multilayer capacitor portion according to the prior art. FIG. 16 is a perspective view showing how a conventional multilayer transformer portion and a multilayer capacitor portion are clamped together. FIG. 17 is a perspective view of a prior art laminated chip variable intermediate frequency transformer after firing. FIG. 18 is a sectional view of a conventional multilayer chip variable intermediate frequency transformer. Figure 19 shows the first
8 is an equivalent circuit diagram of FIG. The names indicated by each number in the figure are listed below. Note that the same numbers indicate the same parts. 1: Magnetic core, 2, 2: Laminated transformer portion, 3: Non-magnetic layer, 4: Through hole, 5: Trimmer, 6: Flange, 7: External electrode, 8, 10, 12, 14, 1
6: Ferromagnetic layer, 9, 11, 13, 15: conductor layer (for primary coil winding), 17: hole, 18, 20,
22: dielectric layer, 19, 21: conductor layer, 23: laminated transformer portion, 24: crack prevention layer, 25:
Multilayer capacitor part, 26: Laminate, 27: Magnetic core, 28, 29: External electrode, 30: Multilayer capacitor part, a, c: Primary coil winding electrode lead-out part, b: Center point tap lead-out part, d , e: Electrode extension part for primary coil winding, f, g: Electrode extension part for multilayer capacitor.
Claims (1)
により構成される積層トランス部分と、 この積層トランス部分の少なくとも一箇所に
形成された非磁性体層と、 磁性体層と非磁性体層を貫通する貫通孔とを
備える積層チツプ可変中間周波トランスであつ
て、 前記貫通孔内の磁気コア部材の移動によりイ
ンダクタンスが調整できることを特徴とする積
層チツプ可変中間周波トランス。 (2) 前記磁気コア部材は、磁心とトリマーとフラ
ンジを備え、トリマーとフランジは非磁性材料
で構成され、フランジに対するトリマーの回転
により磁心が移動する実用新案登録請求の範囲
第1項記載の積層チツプ可変中間周波トラン
ス。 (3) 前記積層チツプ可変中間周波トランスは誘電
体層を備えている実用新案登録請求の範囲第1
項記載の積層チツプ可変中間周波トランス。[Claims for Utility Model Registration] (1) A laminated transformer portion composed of a magnetic layer and a conductor layer formed on the magnetic layer, and a non-magnetic layer formed at at least one location in the laminated transformer portion. A multilayer chip variable intermediate frequency transformer comprising a through hole penetrating a magnetic layer and a nonmagnetic layer, the inductance of which can be adjusted by moving a magnetic core member within the through hole. intermediate frequency transformer. (2) The laminated layer according to claim 1, wherein the magnetic core member includes a magnetic core, a trimmer, and a flange, the trimmer and the flange are made of a non-magnetic material, and the magnetic core moves by rotation of the trimmer with respect to the flange. Chip variable intermediate frequency transformer. (3) The multilayer chip variable intermediate frequency transformer includes a dielectric layer.
The multilayer chip variable intermediate frequency transformer described in Section 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9578385U JPH039302Y2 (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9578385U JPH039302Y2 (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS625619U JPS625619U (en) | 1987-01-14 |
JPH039302Y2 true JPH039302Y2 (en) | 1991-03-08 |
Family
ID=30960774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9578385U Expired JPH039302Y2 (en) | 1985-06-26 | 1985-06-26 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH039302Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112136272A (en) | 2018-05-31 | 2020-12-25 | 三菱电机株式会社 | Noise filter and electric and electronic device |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP9578385U patent/JPH039302Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS625619U (en) | 1987-01-14 |
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