JPH0381331A - フタロシアニンポリマーおよびその製造方法 - Google Patents
フタロシアニンポリマーおよびその製造方法Info
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- JPH0381331A JPH0381331A JP1218823A JP21882389A JPH0381331A JP H0381331 A JPH0381331 A JP H0381331A JP 1218823 A JP1218823 A JP 1218823A JP 21882389 A JP21882389 A JP 21882389A JP H0381331 A JPH0381331 A JP H0381331A
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、電子産業等の分野に釦いて機能性有機材料
として用いられるフタロシアニンポリマーおよびその製
造方法に関する。
として用いられるフタロシアニンポリマーおよびその製
造方法に関する。
従来の技術
フタロシアニンは、物理的、化学的に非常に安定な物質
であり、光機能性、電気機能性に優れていて、最近、そ
の機能を応用するための研究が盛んに行われている。こ
の場合、構成分子の配向状態が大変に重要である。例え
ば、フタロシアニンの導電性についてみてみると、通常
のα型結晶あるいはβ型結晶においては、フタロシアニ
ン環のπ軌道の重なり合いが小さいので、せいぜい１Ｏ
−１０Ｓ／ｃｒ！Ｌ程度の導電率でしかない。しかし、
フタロシアニンの中心金属をドナー性分子や酸素原子等
で架橋した一次元構造をとるフタロシアニンポリマーに
かいては、π軌、道の重なうが大きいために伝導バンド
幅が広がり、その結果、１０ Ｓ／工程度の半導電性
を有するようになる０ただ、この−次元構造をとるフタ
ロシアニンポリマーは、製造が困難である等のことから
、実用性に乏しい。
であり、光機能性、電気機能性に優れていて、最近、そ
の機能を応用するための研究が盛んに行われている。こ
の場合、構成分子の配向状態が大変に重要である。例え
ば、フタロシアニンの導電性についてみてみると、通常
のα型結晶あるいはβ型結晶においては、フタロシアニ
ン環のπ軌道の重なり合いが小さいので、せいぜい１Ｏ
−１０Ｓ／ｃｒ！Ｌ程度の導電率でしかない。しかし、
フタロシアニンの中心金属をドナー性分子や酸素原子等
で架橋した一次元構造をとるフタロシアニンポリマーに
かいては、π軌、道の重なうが大きいために伝導バンド
幅が広がり、その結果、１０ Ｓ／工程度の半導電性
を有するようになる０ただ、この−次元構造をとるフタ
ロシアニンポリマーは、製造が困難である等のことから
、実用性に乏しい。
発明が解決しようとする課題
一方、側鎖にフタロシアニン誘導体の置換基を有するフ
タロシアニンポリマーが提案されているが、このものは
、い１だ十分な機能性をもつには到っていない。これは
、ポリマー内にかいてフタロシアニン誘導体の置換基の
配置が十分に制御されておらずランダムな状態となって
いるからである。特に、導電率に関しては、伝導バンド
の形成がπ軌道の重なうによるものであるため、フタロ
シアニン誘導体の置換基の配置状態の影響が顕著である
。フタロシアニン誘導体の置換基同士の配置状態が十分
に制御されていない場合、性能のバラツキも大きい。
タロシアニンポリマーが提案されているが、このものは
、い１だ十分な機能性をもつには到っていない。これは
、ポリマー内にかいてフタロシアニン誘導体の置換基の
配置が十分に制御されておらずランダムな状態となって
いるからである。特に、導電率に関しては、伝導バンド
の形成がπ軌道の重なうによるものであるため、フタロ
シアニン誘導体の置換基の配置状態の影響が顕著である
。フタロシアニン誘導体の置換基同士の配置状態が十分
に制御されていない場合、性能のバラツキも大きい。
この発明は、上記の事情に鑑み、十分な機能性が備わる
とともに、性能のバラツキの少ないフタロシアニンポリ
マーおよびその製造方法を提供することを課題とする。
とともに、性能のバラツキの少ないフタロシアニンポリ
マーおよびその製造方法を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するため、請求項１記載のフタロシアニ
ンポリマーは、主鎖が燐−窒素の結合より成り、側鎖に
フタロシアニン誘導体の置換基を有する構成となってい
る。
ンポリマーは、主鎖が燐−窒素の結合より成り、側鎖に
フタロシアニン誘導体の置換基を有する構成となってい
る。
具体的には、下記のような構造を有するものが挙げられ
るが、勿論、これに限らない。
るが、勿論、これに限らない。
ＣＰｃはフタロシアニン基を表し、Ｘは原子または原子
団を表す〕 この場合、フタロシアニン間の間隔が３Ａ弱であるから
、フタロシアニン環のπ軌道の重なりが大きい。
団を表す〕 この場合、フタロシアニン間の間隔が３Ａ弱であるから
、フタロシアニン環のπ軌道の重なりが大きい。
請求項１記載のフタロシアニンポリマーｔ−得ルには、
例えば、請求項２記載の製造方法のように、フタロシア
ニン誘導体の置換基を有するホスファゼンを開環重合す
ればよい。
例えば、請求項２記載の製造方法のように、フタロシア
ニン誘導体の置換基を有するホスファゼンを開環重合す
ればよい。
具体的には、例えば、下記式で表される環状３量体の塩
化ホスファセンを、 フタロシアニン誘導体と反応させ、下記式で表される、
７タロシアニン誘導体の置換基を有するホスフアゼンを
得て、 これを開環重合するようにすれば、上記フタロシアニン
ポリマーが得られる。
化ホスファセンを、 フタロシアニン誘導体と反応させ、下記式で表される、
７タロシアニン誘導体の置換基を有するホスフアゼンを
得て、 これを開環重合するようにすれば、上記フタロシアニン
ポリマーが得られる。
請求項１の７タロシアニンボリマーを得るには、咬た、
例えば、請求項３記載の製造方法のように。
例えば、請求項３記載の製造方法のように。
ホスファゼン開環重合させた後にフタロシアニン誘導体
と反応させるようにしてもよいのであるＯ 具体的には、例えば、下記式で表される環状３量体の塩
化ホスファゼンを。
と反応させるようにしてもよいのであるＯ 具体的には、例えば、下記式で表される環状３量体の塩
化ホスファゼンを。
開環重合させて、下記式で表されるポリマーを得た後に
、 このポリマーとフタロシアニン誘導体と反応させるよう
にすればよいのである。
、 このポリマーとフタロシアニン誘導体と反応させるよう
にすればよいのである。
この発明におけるフタロシアニン誘導体としては、ＯＨ
基、または、ＮＨ２基を有するものが好ましい。
基、または、ＮＨ２基を有するものが好ましい。
この発明のポリマーが有するフタロシアニン基は、鉄７
タｏシアニン基以外に銅フタロシアニン基、鉛フタロシ
アニン基、シリコンフタロシアニン基等他の金属フタロ
シアニン基等であってもよい。勿論、これに限らない。
タｏシアニン基以外に銅フタロシアニン基、鉛フタロシ
アニン基、シリコンフタロシアニン基等他の金属フタロ
シアニン基等であってもよい。勿論、これに限らない。
作 用
請求項１記載のフタロシアニンポリマーテハ、ポリマー
内のフタロシアニン誘導体の置換基の配置状態が十分に
制御され規則正しくなっているため、諸機能が十分に発
揮され、筐た、性能のバラツキも少なくて実用性が高く
なっている。
内のフタロシアニン誘導体の置換基の配置状態が十分に
制御され規則正しくなっているため、諸機能が十分に発
揮され、筐た、性能のバラツキも少なくて実用性が高く
なっている。
請求項２．３記載の製造方法により得られたフタロシア
ニンポリマーでは、フタロシアニン間の間隔が狭いため
、導電率が高くなる。
ニンポリマーでは、フタロシアニン間の間隔が狭いため
、導電率が高くなる。
実施例
続いて、この発明の詳細な説明する。
一実施例１−
下記式で表される、フタロシアニン誘導体の置換基を有
するホスファゼン約１２ｇを耐圧重合管中に入れ、窒素
置換をした後、窒素気流下で溶封する〇 （ＦｅＰｃは鉄フタロシアニン基を表す。以下同じ。〕 溶封した後、加熱（３００°Ｃ１６時間）し、開環重合
させた。重合後、重合管を冷却して開封し、生成物を取
り出し、フタロシアニンポリマーを得た。
するホスファゼン約１２ｇを耐圧重合管中に入れ、窒素
置換をした後、窒素気流下で溶封する〇 （ＦｅＰｃは鉄フタロシアニン基を表す。以下同じ。〕 溶封した後、加熱（３００°Ｃ１６時間）し、開環重合
させた。重合後、重合管を冷却して開封し、生成物を取
り出し、フタロシアニンポリマーを得た。
このフタロシアニンポリマーは下記式で表される０
実ＭＩＪＩＩの７タロシアニンボリマーの導電率を測定
したところ、 ２ ｘ １０ ””８７ｃｍであった。
したところ、 ２ ｘ １０ ””８７ｃｍであった。
この値は、酸素原子で架橋したシリコンフタロシアニン
ポリマーの導電率に匹敵する。このように、実施例１の
フタロシアニンポリマーの導電率が十分に高いのは、Ｆ
ｅフタロシアニン基が３Ｘ弱の間隔で規則正しく配列し
たことにより、π軌道の重なりが増加したからと考えら
れる。
ポリマーの導電率に匹敵する。このように、実施例１の
フタロシアニンポリマーの導電率が十分に高いのは、Ｆ
ｅフタロシアニン基が３Ｘ弱の間隔で規則正しく配列し
たことにより、π軌道の重なりが増加したからと考えら
れる。
一実施例２−
ホスファゼンが下記式で表されるものである他は、実施
例１と同様にして開環重合させポリマーを得た。
例１と同様にして開環重合させポリマーを得た。
得られたポリマーは下記式で表される。
このポリマーを、大過剰のテトラヒドロキシフタロシア
ニン鉄（フタロシアニン誘導体）と少駄のピリジンを加
えた無水トルエン中で反応（温度１００’Ｃ、窒素雰囲
気下）させ、下式で表てれるフタロシアニンポリマーを
得す。
ニン鉄（フタロシアニン誘導体）と少駄のピリジンを加
えた無水トルエン中で反応（温度１００’Ｃ、窒素雰囲
気下）させ、下式で表てれるフタロシアニンポリマーを
得す。
実施例２のフタロシアニンポリマーの導電率を測定した
ところ、６Ｘ１０””８７ｃｍと高かった。
ところ、６Ｘ１０””８７ｃｍと高かった。
この場合も、実施例１と同様、π軌道の重なうが大きい
ことによるものと考えられる。
ことによるものと考えられる。
発明の効果
以上に述べたように、請求項１のフタロシアニンポリマ
ーは、ポリマー内でフタロシアニン誘導体の置換基が規
則的に配列しているため、確実に十分な機能が備わると
ともに性能のバラツキが少なく実用性が高い。
ーは、ポリマー内でフタロシアニン誘導体の置換基が規
則的に配列しているため、確実に十分な機能が備わると
ともに性能のバラツキが少なく実用性が高い。
さらに、請求項２ｔたは３の製造方法によれば。
容易に上記有用なフタロシアニンポリマーｔ−得ること
ができ、しかも得られたポリマーは十分に高い導電率を
有している。
ができ、しかも得られたポリマーは十分に高い導電率を
有している。
Claims (3)
- （１）主鎖が燐−窒素の結合より成り、側鎖にフタロシ
アニン誘導体の置換基を有するフタロシアニンポリマー
。 - （２）フタロシアニン誘導体の置換基を有するホスファ
ゼンを開環重合することにより、請求項１記載のフタロ
シアニンポリマーを得るフタロシアニンポリマーの製造
方法。 - （３）ホスファゼンを開環重合させた後、フタロシアニ
ン誘導体と反応させることにより、請求項１記載のフタ
ロシアニンポリマーを得るフタロシアニンポリマーの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218823A JPH0381331A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | フタロシアニンポリマーおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218823A JPH0381331A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | フタロシアニンポリマーおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0381331A true JPH0381331A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16725909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218823A Pending JPH0381331A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | フタロシアニンポリマーおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0381331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020084644A (ko) * | 2001-05-04 | 2002-11-09 | 오존스코리아 주식회사 | 네온램프를 이용한 오존발생장치 |
| WO2021189530A1 (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种色阻材料、滤光片及其制备方法 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1218823A patent/JPH0381331A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020084644A (ko) * | 2001-05-04 | 2002-11-09 | 오존스코리아 주식회사 | 네온램프를 이용한 오존발생장치 |
| WO2021189530A1 (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种色阻材料、滤光片及其制备方法 |
| US11732137B2 (en) | 2020-03-24 | 2023-08-22 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Color resist material, filter, and preparation method thereof |
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