JPH0372307A - オプトエレクトロニク変換装置 - Google Patents

オプトエレクトロニク変換装置

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JPH0372307A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、変換器の直前の光路にレンズ支持体を備えた
レンズが配置され、レンズ支持体はレンズと共に固定膜
を介して変換器の光軸に対し調整されて固定部材に固定
され、この固定部材は変換器の共通支持体の一部分であ
るレンズ結合光学要素付きオプトエレクトロニク変換器
に関する。
〔従来の技術〕
この種の光送信デバイスまたは光受信デバイスおよび特
にそれらの製造方法ならびにこの方法を実施するための
装置はヨーロッパ特許出願公開第０２４２２４号公報に
よって既に公知である。特に光導波路に結合するために
使用されるこのデバイスにおいては、結合光学要素とし
てレンズが半導体材料から成る基体を介して支持体上に
直接固定され得る。レンズの調整および固定は固定材料
、特に、レンズ支持体として使用される固体の調整およ
び固定のために該固体の加熱によって液状に溶融され次
いで冷却されるろうによって行われる。
〔発明が解決しようとする課題〕
例えば光導波路形送信装置または受信装置に使用され、
例えばガラスファイバーの形態の光導波路内へ変ＷＡ器
から発せられた光を入射させるために、または例えばガ
ラスファイバーの形態の光導波路から変換器によって受
信されるべき光を出射させるために結合光学要素として
レンズ、例えば球形レンズが使用されるこのようなオプ
トエレクトロニク変換器においては、とりわけ、レンズ
の調整および固定が問題となっている。このことは、光
結合が例えば光導波路、例えば単一モード形ガラスファ
イバーによって行われなくてはならない場合には、変換
器の直前の正確に規定された位置にレンズの取付けが行
われなくてはならず、しかもこの取付けは長時間が経過
してもサブミクロン範囲の公差で維持されるようにする
ことが特に考慮される。さらに、レンズの最も簡単で短
時間の調整にて、最適な入射もしくは出射が得られるよ
うにしなければならない、さらにまた、レンズ取付け、
例えば機械的応力による変換器ないし能動半導体チップ
への被害が回避されなければならない、最後に、変換器
の外形寸法をレンズ結合光学要素の存在にも拘わらず出
来る限り小さく保持することが望ましい。
そこで、本発明は、変換器の直前の光路に配置されたレ
ンズを出来る限り簡単に実現可能な方法で正確に調整し
、その後に固定することができ、それゆえ変換器が精密
かつ省スペースなレンズ配置に基づいて特に先導波路形
送信デバイスまたは受信デバイスとしてもならびに所定
の放射特性を有する個別光源としても特に適するように
、冒頭で述べた種類のレンズ結合光学要素付きオプトエ
レクトロニク変換器を構成することを課題とする。
〔課題を解決するための手段〕
このような課題を解決するために、本発明は、オプトエ
レクトロニク変換器とレンズを備えたレンズ支持体とは
、変換器の光軸が固定膜によって形成された面上に垂直
に立つような空間関係にて共通支持体上に互いに固定さ
れることを特徴とする。
本発明の有利な構成は請求項２以降に記載されている。
本発明により得られる利点は、共通支持体上に変換器デ
バイスとレンズ支持体とを特別に配置することによって
デバイスの著しくコンパクトな構成が可能となる点であ
る。コンパクトな構成は結合光学要素付き変換器の所要
スペースを低減させ、従ってデバイスを小形化させる。
しかしながら、変換器の僅かな調整公差によって特にモ
ジュール構成の光導波路伝送目的置または受信装置への
使用がレンズの付加的な調整労力を要することなく可能
となるような精密さでもって、レンズを変換器デバイス
の直前で簡単かつ迅速に調整しその後固定し得るように
することは特に有利である。
変換器の光軸が固定膜によって形成された面上に垂直に
立つように変換器を配置するという本発明によれば、光
軸方向への調整は固定膜の厚さ変更によって行うことが
でき、そして結合光学要素に著しく大きく影響する行う
べき微細調整は受信面つまり固定膜によって形成された
ないし固定された面にて行われる　ｉｌｌｌ補整手段と
しては変換器、例えばレーザーダイオード、ＬＥＤまた
は■ＲＥＤから放出された光が有利に使用される。結合
光学要素として支持体上に固定されるレンズは特に球形
レンズまたは円筒状レンズである。
特に装置のコンパクト化のために、および調整および固
定に要する費用の低減化のために、円筒体、球、半球ま
たは球切片の形態のレンズを支持体に組込むことは特に
有利でる。このような措置は、支持体とレンズとが同一
材料、例えばシリコンから威り、一体的に形成される場
合には特に有利である。小片から成りレンズが組込まれ
ているレンズ支持体の代わりに、結合光学要素としてミ
ラーを使用することは有利である。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
第１図および第２図に図示されたオプトエレクトロニク
変換器はレンズ結合光学要素を備えたレーザーダイオー
ドｌから主として構成されており、レンズ結合光学要素
においてはレーザーダイオードｌの直前の光路にレンズ
３、この例では球形レンズが例えばシリコンから成るレ
ンズ支持体２上に配置されている０球形レンズ３はレン
ズ支持体２の特に台形状開口部に固定されている。この
ような開口部はレンズ支持体２の材料としてシリコンを
使用する場合には異方性エツチングによって有利に製作
することが出来る。開口部内へのレンズの固定は例えば
ろう付けまたは接着によって行われる。レンズ３を備え
たレンズ支持体２は固定膜６、特に軟ろうによって変換
器（レーザーダイオード１）の光線軸に対して調整され
、−次いで例えばガラスから構成されて熱阻止体として
作用する固定部材４に固定される。固定部材４はオプト
エレクトロニク変換器、即ちこの例ではレーザーダイオ
ードｌに対する共通支持体５の一部分である。変換器要
素としてレーザーダイオード１が使用されるこの場合に
は、共通支持体５をレーザーダイオード１のヒートシン
クとしてｆｌｌ或することは特に好都合である。変換器
要素としてのレーザーダイオード１とレンズ３を備えた
レンズ支持体２とは共通支持体５上に、レーザーダイオ
ード１の光軸が固定膜６によって構成された面上に垂直
に立つような空間関係にて互いに固定される。
中心ユニットとして動作するレーザーダイオードｌのこ
の例においで使用されているモジュール構成を条件とし
て、特に光導波路伝送目的のための光エネルギーを一定
に調節するためにさらにモニターダイオード９が設けら
れ、このモニターダイオード９は例えばセラミックスか
ら威る２個の間隔部材１０上でレーザーダイオード１の
背面側光路に固定されている０間隔部材１０は台座部材
ｌｌ上に設置されており、能動デバイス即ちレーザーダ
イオード１とモニターダイオード９との電気リード線１
２が台座部材１１をハーメチックシールにて貫通案内さ
れている。
第１図にはさらにレンズ３またはレンズ支持体２の調整
および固定のために使用される加熱および調整装置が概
略的に図示されている。
加熱および調整装置は加熱電流■８を送ることができか
つ図示されていないＸ、Ｙ、Ｚマニュピユレータに固定
されている２個の鉗子状電極１３から主として構成され
ている。レンズ３を備えたレンズ支持体２の調整のため
に、このレンズ支持体２は２つの電極１３内に挟持され
る。特に軟ろうから成る固定膜６を溶解させるために加
熱電流ＩＮが流れる際のレンズ支持体２の損失エネルギ
、すなわちその際形成される金属−半導体（シジッＦ・
キー）接触と使用材料の通路抵抗とによる損失エネルギ
ーが使用される。レンズ間隔調整は、オプトエレクトロ
ニク変換器の光軸、即ちこの例ではレーザーダイオード
ｌの光軸と一致する２方向に行われる。微細調整は固定
膜６によって形成されている面の平面内で、即ちＸ方向
およびｙ方向に行われる。
レンズ３とレンズ支持体２とが２個の個別部品を形成し
、従って先ずレンズ３がレンズ支持体２上で調整され、
その後このレンズ支持体２が固定部材４上で固定膜６を
介して調整され次いで固定される場合には、支持体２上
へのレンズ固定のために固定膜６の融点よりも高い融点
を持つろう、ガラスろうまたは接着剤を使用することは
特に好都合である。それによって、固定部材４上でレン
ズ支持体２の調整および固定を行う際にレンズ３はレン
ズ支持体２の開口部内への係着が再び解かれないように
することができる。
第２図に図示された実施例においては、第１図に関連し
て説明した装置はキャップ状容器７によってハーメチッ
クシールに囲繞されており、従って擾乱作用する周囲の
影響から遮蔽されている。
容器７は例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ溶融合金から構成され
、その上部に光出射口としてこの例では平坦窓８を有し
ており、この平坦窓８はガラス体１４によって容器７に
固定されている。窓８の平坦面は変換器として使用され
ているレーザーダイオード１の光軸に対して垂直または
角度αにて延在し、かつレンズ支持体２と固定部材４と
の間に存在する固定膜６に対して平行または角度βにて
延在する。
レンズ結合光学′Ｖ素を備えた第３図に図示されている
オプトエレクトロニク変換器は、光線検出器ｌとして構
成されキャップ状容器７によって包囲され、このキャッ
プ状容器７は電気リード線１２を設けられた台座部材１
１にハーメチックシールにて固定されている。キャップ
状容器７内にはその上部に光入射口として平坦窓８がガ
ラス体１４によって取付けられている。窓８の平坦面は
検出器ｌの光軸に垂直に立ち、かつレンズ３を備えたレ
ンズ支持体２の調整および固定のために使われる固定Ｉ
ｔ！Ｊ６に対して平行に延在する。オプトエレクトロニ
ク変換器として使用される検出器要素はこの実施例にお
いてはフォトダイオード１である。フォトダイオード１
は球形レンズ３を備えたレンズ支持体２に対して、フォ
トダイオード１の光軸が固定膜６、特に軟ろう膜によっ
て形成された面上に垂直に立つような空間関係にて共通
支持体５上に固定されている。固定膜６つまり調整ろう
はレンズ支持体２とこの例では共通支持体５の構成要素
である固定部材４との間に設けられている。固定部材４
を備えた共通支持体５は例えば金属またはセラミックス
部材である。共通支持体５は台座部材１１上に固定され
ている。共通支持体５は間隔部材つまり高さ間隔保持体
および据付はブロックとしても働く、フォトダイオード
１は絶縁体１５、例えばＡＩｚＯｓ絶縁材に固定され、
従って特に共通支持体５が金属から構成される場合には
この共通支持体５に対して絶縁される。レンズ３を備え
たレンズ支持体２を共通支持体５の固定部材４上で固定
膜６によって調整および固定することは、第１図に関連
して述べた方法およびこの方法を実施するために使用さ
れる装置によって有利に行われる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるレーザーモジュールの形態のオプ
トエレクトロニク変換器の正面図、第２図は容器を備え
た第１図のレーザーモジュールの側面図、第３図は本発
明による検出器の形態の他のオプトエレクトロニク変換
器の側面図である。 １・・・オプトエレクトロニク変換器 ２・・・レンズ支持体 ３・・・レンズ ４・・・固定部材 ５・・・共通支持体 ６・・・固定数 ７・・・キャップ状容器 ８・・・平坦窓 ９・・・モニターダイオード １０・・・間隔部材 １１・・・台座部材 １２・・・リード線 ＦｊＧ？

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）変換器の直前の光路にレンズ支持体を備えたレン
    ズが配置され、前記レンズ支持体は前記レンズと共に固
    定膜を介して前記変換器の光軸に対し調整されて固定部
    材に固定され、この固定部材は前記変換器の共通支持体
    の一部分であるレンズ結合光学要素付きオプトエレクト
    ロニク変換器において、前記オプトエレクトロニク変換
    器（１）と前記レンズ（３）を備えたレンズ支持体（２
    ）とは、前記変換器（１）の光軸が前記固定膜（６）に
    よって形成された面上に垂直に立つような空間関係にて
    前記共通支持体（５）上に互いに固定されることを特徴
    とするオプトエレクトロニク変換器。
  2. （２）前記レンズ（３）は球形レンズまたは円柱状レン
    ズまたは平凸レンズであることを特徴とする請求項１記
    載の変換器。
  3. （３）前記レンズ（３）は前記レンズ支持体（２）の一
    部分を形成することを特徴とする請求項１または２記載
    の変換器。
  4. （４）前記レンズ（３）は球形レンズまたは円柱状レン
    ズであり、前記レンズ支持体（２）の開口部内に固定さ
    れることを特徴とする請求項１または２記載の変換器。
  5. （５）前記レンズ支持体（２）はシリコンから成ること
    を特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の変換器。
  6. （６）前記固定膜（６）は可変厚みを持つ膜であること
    を特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の変換器。
  7. （７）前記固定膜（６）はろう膜であることを特徴とす
    る請求項１ないし６の１つに記載の変換器。
  8. （８）前記変換器（１）はキャップ状容器（７）によっ
    てハーメチックシールにて囲繞され、前記キャップ状容
    器（７）はその上部に平坦窓（８）を有し、その平坦面
    は前記変換器（１）の光軸に対して垂直または角度αに
    て延在しかつ前記レンズ支持体（２）と固定部材（４）
    との間に存在する固定膜（６）に対して平行または角度
    βにて延在することを特徴とする請求項１ないし７の１
    つに記載の変換器。
  9. （９）前記変換器（１）はレーザーダイオードであり、
    前記共通支持体（５）はヒートシンクとして使われるこ
    とを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載の変換器
    。
  10. （１０）前記変換器（１）はＬＥＤまたはＩＲＥＤであ
    ることを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載の変
    換器。
  11. （１１）前記変換器（１）はフォトダイオードであるこ
    とを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載の変換器
    。
  12. （１２）前記変換器は光源として使用されることを特徴
    とする請求項１ないし１０の１つに記載の変換器。
  13. （１３）前記変換器は光導波路形送信モジュールとして
    使用されることを特徴とする請求項１ないし１０の１つ
    に記載の変換器。
  14. （１４）前記変換器は光導波路形受信モジュールとして
    使用されることを特徴とする請求項１ないし８の１つま
    たは請求項１１に記載の変換器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879557A (en) * 1993-09-22 1999-03-09 Seitz-Filter-Werke Gmbh Und Co. Procedure for filtration of fluids using MF modules
JP2015075632A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 三菱電機株式会社 光源装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0706070A3 (de) * 1994-10-04 1997-04-02 Siemens Ag Verfahren zum Trockenätzen eines Halbleitersubstrats
DE19527026C2 (de) * 1995-07-24 1997-12-18 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
US5925898A (en) * 1996-07-18 1999-07-20 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic transducer and production methods

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4741796A (en) * 1985-05-29 1988-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for positioning and bonding a solid body to a support base
EP0259018B1 (en) * 1986-09-02 1991-10-16 Amp Incorporated Optoelectronics package for a semiconductor laser

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879557A (en) * 1993-09-22 1999-03-09 Seitz-Filter-Werke Gmbh Und Co. Procedure for filtration of fluids using MF modules
JP2015075632A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 三菱電機株式会社 光源装置

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Publication number Publication date
EP0412184A1 (de) 1991-02-13
DE58909311D1 (de) 1995-07-27
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EP0412184B1 (de) 1995-06-21

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