JPH0369080B2 - - Google Patents

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JPH0369080B2
JPH0369080B2 JP12923283A JP12923283A JPH0369080B2 JP H0369080 B2 JPH0369080 B2 JP H0369080B2 JP 12923283 A JP12923283 A JP 12923283A JP 12923283 A JP12923283 A JP 12923283A JP H0369080 B2 JPH0369080 B2 JP H0369080B2
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JP
Japan
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container
gas
ions
electrode
radioactive gas
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JP12923283A
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Japanese (ja)
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JPS6021496A (en
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Masashi Iimura
Tomotaka Terasawa
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は核分裂生成ガス中の放射性ガスをイオ
ン化して金属基体中に注入する放射性ガスの固定
化処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a radioactive gas immobilization processing apparatus that ionizes radioactive gas in a nuclear fission product gas and injects it into a metal substrate.

[発明の技術的背景] 核燃料再処理工場などの原子力施設は有害な量
の放射能が環境に放出された場合、その影響が広
範囲かつ長期間にわたる可能性があるために安全
性の確保を他の一般産業に比べて格段に厳しく義
務づけられている。再処理工場では、使用済燃料
からウランとプルトニウムを回収するが、同時に
髄伴する核分裂生成物などを含む放射性廃棄物を
適切に処理しなければならない。放射性廃棄物の
うち、気体廃棄物はクリプトン85(以下Kr−85と
記す)のみであるが、これは半減期が107年と長
寿命であるため、今後の原子力発電量の増加を見
込むと、将来には地球規模の汚染につながる恐れ
がある。そこで回収技術とともに重要な課題は回
収したKr−85をいかに安全に貯蔵あるいは処分
するかである。従来、放射性廃棄ガスはボンベな
どの圧力容器に封入して永久保存する方法が考え
られている。
[Technical Background of the Invention] Nuclear fuel reprocessing plants and other nuclear facilities require other measures to ensure safety because if harmful amounts of radioactivity are released into the environment, the effects may be wide-ranging and long-lasting. The requirements are much stricter than in general industry. Reprocessing plants recover uranium and plutonium from spent fuel, but at the same time they must properly dispose of radioactive waste, including nuclear fission products. Among radioactive wastes, the only gaseous waste is krypton-85 (hereinafter referred to as Kr-85), which has a long half-life of 107 years, so if nuclear power generation is expected to increase in the future, There is a risk that it will lead to global pollution in the future. Therefore, in addition to recovery technology, an important issue is how to safely store or dispose of recovered Kr-85. Conventionally, methods have been considered to permanently preserve radioactive waste gas by sealing it in pressure vessels such as cylinders.

[背景技術の問題点] しかしながら、圧力容器に封入する方法は長期
間にわたる安全貯蔵の点で問題がある。たとえば
圧力容器は定期的な耐圧試験が法令で義務づけら
れており、その郁度、貯蔵ガスの移し替えなど煩
雑で危険な作業が要求される欠点がある。
[Problems with Background Art] However, the method of sealing in a pressure vessel has problems in terms of safe storage over a long period of time. For example, pressure vessels are required by law to undergo periodic pressure tests, which have the disadvantage of requiring complicated and dangerous work such as the need to transfer stored gas.

一方、気体廃棄物Kr−85の処理は前記ボンベ
などの圧力容器への貯蔵法の他に、ゼオライトに
吸着させる方法、イオン化注入固定法などが提案
されている。しかしながら、ボンベ貯蔵法および
ゼオライト法は実用化には幾多の改善すべき問題
がある。またイオン化注入法は実用化の可能性が
高い反面、大量の放射性ガスをイオン化し基材に
効率良くイオン化注入されているとはいえない。
On the other hand, for the treatment of gaseous waste Kr-85, in addition to the method of storing it in a pressure vessel such as a cylinder, methods of adsorption on zeolite, ionization injection fixing method, etc. have been proposed. However, the cylinder storage method and the zeolite method have many problems that need to be improved before they can be put into practical use. Furthermore, although the ionization implantation method has a high possibility of being put to practical use, it cannot be said that a large amount of radioactive gas is ionized and ionized and implanted into the base material efficiently.

[発明の目的] 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的は核燃料再処理の際に生じる放射性ガス例
えばKr−85収容の円筒状容器を用いて、核容器
と電極間に印加する高電圧の極性を一定時間ごと
に交互に切り換えて印加することによりイオンボ
ンバードメントの注入するとともに電極のスパツ
タリングによるコーテイングを行う装置におい
て、前記円筒状容器の外部または内部に磁石を配
置するものでKr−85ガスのイオン化密度を高め、
該放射性ガスのイオン化注入処分効率を向上する
ことにある。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to use a cylindrical container containing radioactive gas, such as Kr-85, generated during nuclear fuel reprocessing, to apply an electric current between the nuclear container and the electrodes. A device that injects ion bombardment and coats electrodes by sputtering by alternately switching and applying the polarity of a high voltage at regular intervals, in which a magnet is placed outside or inside the cylindrical container. Increase the ionization density of Kr-85 gas,
The object of the present invention is to improve the efficiency of ionization injection and disposal of the radioactive gas.

[発明の概要] 即ち本発明の放射性ガスの固定化処理装置は放
射性ガスが導入される円筒状容器内に配置された
円筒状電極と、前記容器との間に予め定められた
時間ごとに交互に極性の異なる高電圧を印加する
ことにより、前記放射性ガスイオン化し、該イオ
ンを前記容器の内面にイオン化注入し、前記電極
の表面を放射性ガスイオンによるスパツタリング
を行つて、前記容器の内面にコーテイングし、こ
の作用を交互に行うことにより、イオンとコーテ
イング層を累積捕捉させる装置において、前記容
器の外部または内部に磁石を配置させて、前記放
射性ガスのイオン化密度を高めるようにしたこと
を特徴とする。
[Summary of the Invention] That is, the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention has a cylindrical electrode disposed in a cylindrical container into which radioactive gas is introduced, and a cylindrical electrode arranged in the cylindrical container into which the radioactive gas is introduced. The radioactive gas is ionized by applying a high voltage of different polarity to the ions, the ions are ionized and implanted into the inner surface of the container, and the surface of the electrode is sputtered with radioactive gas ions to coat the inner surface of the container. In the apparatus for cumulatively trapping ions and the coating layer by performing this action alternately, the ionization density of the radioactive gas is increased by disposing a magnet outside or inside the container. do.

[発明の実施例] 以下第1図を参照しながら、本発明の放射性ガ
スの固定化処理装置に係る一実施例を詳細に説明
する。円筒状容器1内に設けられたイオン化室2
には冷却間3およびリード線4が取りつけられた
円筒型電極5がその中央部に配置されている。前
記冷却管3およびリード線4はハーメチツクシー
ル6によつて上蓋7と絶縁封じされている。また
前記容器1の上蓋にはKr−85ガスを導入するた
めのパイプ9がバルブ8を介して接続されるとと
もに、前記容器1内を排気するためのパイプ11
がバルブ10を介して接続されている。また前記
容器1の外周面には冷却パイプ12が巻回されて
おり、このパイプ12の外面には例えばフエライ
トマグネツト等の円筒状の磁石13が配置されて
いる。なお、符号14はイオン注入されたKr−
85イオン層と電極がスパツタリングしたコーテイ
ングからなる累積槽であり、第2図および第3図
中符号15はKr−85イオン、16は電極5から
飛び出すスパツタイオンをそれぞれ示している。
第2図および第3図は第1図の横断面図を示すも
ので、第2図はKr−85イオンを注入している過
程を、第3図は電極をスパツタリングしている過
程をそれぞれ拡大し模式的に示している。つぎに
上記装置においてKr−85ガスを固定化処分する
方法を説明する。すなわち、第1図において、容
器1内は排気用パイプ11に接続される図示して
ない排気装置で所望の真空度に排気された後、バ
ルブ10を閉じて容器1内を一定圧力に維持した
後バルブ8を開いてパイプ9に接続された図示し
てないボンベ等からKr−85ガスを供給し容器1
内に一定圧力のKr−85ガスが封入されたバルブ
8を閉じる。また、冷却パイプ3および12に冷
媒例えば水を流して電極5および容器1を冷却す
る。容器1と電極5に接続されたリード線4の間
にKr−85を注入し植えつけるのに充分なエネル
ギーでボンバード出来る高電圧の極性を交互に変
換できる図示してない直流高電圧電源により、電
極5に印加する。電極5にプラスの電圧が印加さ
れている時はイオン化されたKr−85イオン15
は第2図に示すように容器1の内面に注入して植
えつけられる。一方、第3図に示したように電極
5にマイナス電圧が印加されている時はKr−85
イオン15が電極5の表面にボンバードメントさ
れてスパツタリングし、このスパツタリングした
スパツタイオンが容器1の内面に植えつけられた
Kr−85イオン15面上にコーテイングされる。
このように電極5にプラスの電圧、マイナスの電
圧を一定間隔で印加することにより、円筒状容器
1の内表面にKr−85イオン層と金属コーテイン
グ層を累積させて、累積層を形成させる。すなわ
ち本発明に係る磁石13を容器1の外周面に配置
することによりイオン化室には磁場が発生するの
でKr−85イオンのイオン化密度を高めることに
なり、容器1内面に従来より効率良くKr−85イ
オンの植えつけができ、また電極5のスパツタ効
率も高くなり、全体としてKr−85ガスイオンの
イオン注入効率を増大させることができる。この
ように本発明装置によつて多量のKr−85ガスを
効率良く固定化処理ができる。
[Embodiment of the Invention] Hereinafter, an embodiment of the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Ionization chamber 2 provided within the cylindrical container 1
A cylindrical electrode 5 to which a cooling chamber 3 and lead wires 4 are attached is arranged at its center. The cooling pipe 3 and the lead wires 4 are insulated and sealed to the upper lid 7 by a hermetic seal 6. Further, a pipe 9 for introducing Kr-85 gas is connected to the upper lid of the container 1 via a valve 8, and a pipe 11 for exhausting the inside of the container 1 is connected.
are connected via a valve 10. A cooling pipe 12 is wound around the outer peripheral surface of the container 1, and a cylindrical magnet 13 such as a ferrite magnet is arranged on the outer surface of the pipe 12. Note that reference numeral 14 indicates ion-implanted Kr-
This is an accumulation tank consisting of a sputtered coating of an 85 ion layer and an electrode. In FIGS. 2 and 3, reference numeral 15 indicates Kr-85 ions, and 16 indicates sputtered ions flying out from the electrode 5.
Figures 2 and 3 are cross-sectional views of Figure 1. Figure 2 shows an enlarged view of the process of implanting Kr-85 ions, and Figure 3 shows an enlarged view of the process of sputtering electrodes. It is shown schematically. Next, a method for fixing and disposing Kr-85 gas in the above apparatus will be explained. That is, in FIG. 1, the inside of the container 1 was evacuated to a desired degree of vacuum by an exhaust device (not shown) connected to an exhaust pipe 11, and then the valve 10 was closed to maintain the inside of the container 1 at a constant pressure. After that, open the valve 8 and supply Kr-85 gas from a cylinder, etc. (not shown) connected to the pipe 9.
The valve 8, which is filled with Kr-85 gas at a constant pressure, is closed. Further, a coolant such as water is flowed through the cooling pipes 3 and 12 to cool the electrode 5 and the container 1. A DC high voltage power source (not shown) capable of alternating the polarity of the high voltage that can be bombarded with sufficient energy to inject and plant Kr-85 between the container 1 and the lead wire 4 connected to the electrode 5 is used. is applied to the electrode 5. When a positive voltage is applied to the electrode 5, ionized Kr-85 ions 15
is injected into the inner surface of the container 1 and planted as shown in FIG. On the other hand, when a negative voltage is applied to the electrode 5 as shown in Figure 3, Kr-85
The ions 15 were bombarded and sputtered on the surface of the electrode 5, and the sputtered ions were planted on the inner surface of the container 1.
Coated on 15 Kr-85 ion faces.
By applying a positive voltage and a negative voltage to the electrode 5 at regular intervals in this manner, the Kr-85 ion layer and the metal coating layer are accumulated on the inner surface of the cylindrical container 1 to form a cumulative layer. That is, by arranging the magnet 13 according to the present invention on the outer circumferential surface of the container 1, a magnetic field is generated in the ionization chamber, thereby increasing the ionization density of Kr-85 ions, and the Kr-85 ions are more efficiently distributed inside the container 1 than before. 85 ions can be implanted, the sputtering efficiency of the electrode 5 is also increased, and the ion implantation efficiency of Kr-85 gas ions can be increased as a whole. As described above, the apparatus of the present invention can efficiently immobilize a large amount of Kr-85 gas.

また、容器内のKr−85ガスが容器1の内面へ
の注入捕捉により希薄になつたときは先に説明し
た方法により、容器1内へ01ガスを封入すればよ
い。
Furthermore, when the Kr-85 gas in the container becomes diluted by being injected into the inner surface of the container 1 and captured, 01 gas may be sealed into the container 1 by the method described above.

第4図から第6図まではそれぞれ本発明の他の
実施例を示す縦断面図で各回とも第1図と同一部
分は同一符号で示して重複する部分の説明を省略
する。すなわち、第4図は円筒状容器1の上部と
下部にヨーク19を配置しかつコイル20を巻回
して磁石を構成し、その磁石を付勢してイオン化
室2内に磁場を発生させてイオン化密度を高める
ようにした例である。第5図は容器1内にその上
下両端板1a,1bを介してフイラメント17と
アノード18を取付けてフイラメントとアノード
18は間に電圧を印加し、Kr−85ガス放電を起
こしてイオン化させ、さらに一層イオン化密度を
高めてイオン注入量を大きくした例である。第6
図は第5図に示した装置にさらに第4図の装置の
ように上下方向に磁石を付勢した例である。また
第7図は電極5の内部に字磁石13を埋め込むこ
とによつてイオン化室2に磁場を発生させるよう
に構成した例である。第8図は第7図の装置にさ
らに第5図の装置におけるフイラメント17とア
ノード18とを両端板1a,1bに設けた例であ
る。この実施例では電子が放出されるのでさらに
イオン化密度を高めることができる効果がある。
4 to 6 are longitudinal cross-sectional views showing other embodiments of the present invention, and in each case, the same parts as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the explanation of the overlapping parts will be omitted. That is, in FIG. 4, a yoke 19 is arranged at the upper and lower parts of the cylindrical container 1 and a coil 20 is wound around it to form a magnet, and the magnet is energized to generate a magnetic field in the ionization chamber 2 to ionize it. This is an example of increasing the density. Fig. 5 shows that a filament 17 and an anode 18 are installed inside the container 1 through the upper and lower end plates 1a and 1b, and a voltage is applied between the filament and the anode 18 to cause Kr-85 gas discharge and ionization. This is an example in which the ionization density is further increased and the ion implantation amount is increased. 6th
The figure shows an example in which the device shown in FIG. 5 is further energized by a magnet in the vertical direction like the device shown in FIG. 4. Further, FIG. 7 shows an example in which a magnetic field is generated in the ionization chamber 2 by embedding a letter magnet 13 inside the electrode 5. FIG. 8 shows an example in which the device shown in FIG. 7 is further provided with the filament 17 and anode 18 of the device shown in FIG. 5 on both end plates 1a and 1b. In this embodiment, since electrons are emitted, the ionization density can be further increased.

第9図は円筒状容器1の上下両端板1a,1b
を貫通し対向して一対のカソード18を設けると
ともに該容器1内にその側面中央部を貫通しアノ
ード21をリード線22を介して設けた例であ
る。
FIG. 9 shows upper and lower end plates 1a and 1b of a cylindrical container 1.
In this example, a pair of cathodes 18 are provided facing each other through the container 1, and an anode 21 is provided inside the container 1 via a lead wire 22, which extends through the center of the side surface of the container 1.

アノード21はカソード18に対して正の電位
(例えば+5000V)を印加する。カソード18は
熱電子を放出するフイラメントまたは電子を放出
する冷陰極である。カソード18から放出された
電子はアノード21の電位によつて生じる電界お
よび軸方向の磁界によりら旋運動しながら中心部
へ向つて加速される。中心部を通過した電子はさ
らに旋運動を続け対向するカソード18に向つて
進むが逆方向の電界のため減速され、カソード1
8の直前で反撥されて、その後は逆方向に加速さ
れることになる。しかして、カソード18から放
出された電子はカソード18−アノード21−カ
ソード18間を往復ら旋運動することによりガス
放電のイオン化密度を飛躍的に増大させることが
でき、上記イオン注入固定化処分能率を向上させ
ることができる。
The anode 21 applies a positive potential (for example, +5000V) to the cathode 18. The cathode 18 is a filament that emits hot electrons or a cold cathode that emits electrons. The electrons emitted from the cathode 18 are accelerated toward the center while moving spirally by the electric field generated by the potential of the anode 21 and the axial magnetic field. The electrons that have passed through the center continue their circular motion and move toward the opposing cathode 18, but are decelerated due to the electric field in the opposite direction, and the cathode 1
It will be repulsed just before the point 8, and then it will be accelerated in the opposite direction. Therefore, the electrons emitted from the cathode 18 make a reciprocating spiral motion between the cathode 18 - the anode 21 - the cathode 18, thereby dramatically increasing the ionization density of the gas discharge, thereby increasing the ion implantation and immobilization disposal efficiency. can be improved.

以上の説明した各実施例では磁石としてフエラ
イトマグネツトを使用した例と、第4図および第
6図については電磁石を使用した場合について説
明したが本発明は磁場を発生する磁石であればそ
の種類に限定されないことはもちろんである。ま
た、電極はスパツタリングしやすい金属例えば
Ni−La、Ni−Yなどのアモルフアス金属、Ni、
Cu、Tiなどの単独金属または合金などを使用す
ることが出来る。さらにイオンを注入しやすい金
属例えばCu、ステンレス鋼などイオン注入に適
した金属を使用することができる。なお、上記実
施例では主としてKr−85ガスをイオン化して固
定化処理する場合について説明したが、イオン化
されるガスはKr−85に限定されるものではなく
放射性ガス例えばトリチウム、沃素などのガスに
も適用されることはもちろんである。また円筒型
電極にリード線を取りつけた場合について説明し
たが、冷却パイプ3自身をリード線として使用す
ることができることももちろんであるし、冷却媒
体は水を使用した場合について説明したが、冷却
媒体は水に限定されないことももちろんである。
In each of the above-described embodiments, a ferrite magnet is used as the magnet, and in FIGS. 4 and 6, an electromagnet is used. Of course, it is not limited to. Also, the electrodes should be made of metals that are prone to sputtering, e.g.
Amorphous metals such as Ni-La and Ni-Y, Ni,
Single metals such as Cu and Ti or alloys can be used. Furthermore, metals suitable for ion implantation such as metals into which ions can be easily implanted, such as Cu and stainless steel, can be used. In the above example, the case where Kr-85 gas is ionized and fixed is mainly explained, but the gas to be ionized is not limited to Kr-85, and radioactive gases such as tritium, iodine, etc. Of course, this also applies. In addition, although we have explained the case where lead wires are attached to the cylindrical electrode, it goes without saying that the cooling pipe 3 itself can be used as the lead wire, and we have explained the case where water is used as the cooling medium. Of course, it is not limited to water.

[発明の効果] 以上説明したように本発明の放射性ガスの固定
化処理装置によれば磁石を配置することによつて
イオン化室内に磁場を発生させるのでKr−85ガ
スのイオン化密度を高めることができる。よつ
て、容器の内面へのイオン注入効率、電極のスパ
ツタ効率即ち、コーテイング効率が高くなるので
Kr−85ガスの固定化処理効率が著しく高まり、
実用的に大なる効果を奏する。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention, the ionization density of Kr-85 gas can be increased because a magnetic field is generated in the ionization chamber by arranging the magnet. can. Therefore, the efficiency of ion implantation into the inner surface of the container and the sputtering efficiency of the electrode, that is, the coating efficiency, are increased.
The immobilization processing efficiency of Kr-85 gas has been significantly increased,
It has great practical effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の放射性ガスの固定化処理装置
の一実施例を説明するための縦断面図、第2図お
よび第3図は第1図の装置における作用を説明す
るための横断面図、第4図から第9図までは本発
明の他の実施例を示す縦断面図である。 1…円筒型容器、2…イオン化室、3…冷却パ
イプ、4…リード線、5…円筒型電極、6…ハー
メチツクシール、7…上ブタ、8…バルブ、9…
Kr−85導入パイプ、10…バルブ、11…排気
用パイプ、12…冷却パイプ、13…磁石、14
…Kr−85イオン累積層、15…Kr−85イオン、
16…スパツタイオン。
FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view for explaining an embodiment of the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views for explaining the operation of the apparatus shown in FIG. 1. , FIG. 4 to FIG. 9 are longitudinal sectional views showing other embodiments of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Cylindrical container, 2...Ionization chamber, 3...Cooling pipe, 4...Lead wire, 5...Cylindrical electrode, 6...Hermetic seal, 7...Upper lid, 8...Valve, 9...
Kr-85 introduction pipe, 10...Valve, 11...Exhaust pipe, 12...Cooling pipe, 13...Magnet, 14
...Kr-85 ion cumulative layer, 15...Kr-85 ion,
16...Spatsutaion.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 放射性ガスが導入される円筒状容器内に配置
された円筒状電極と前記容器との間に極性の異な
る高電圧を印加して前記放射性ガスをイオン化
し、該イオンを前記容器内面にイオン化注入して
イオン化層を形成するとともに前記電極の表面を
放射性ガスイオンでスパツタリングを行つて前記
容器の内面にコーテイングしてコーテイング層を
形成して前記イオン層とコーテイング層を交互に
累積捕捉させる放射性ガスの固定化処分装置にお
いて、前記容器の外部または内部に磁石を配置し
たことを特徴とする放射性ガスの固定化処分装
置。
1. Applying high voltages of different polarities between a cylindrical electrode placed in a cylindrical container into which radioactive gas is introduced and the container, ionizing the radioactive gas, and ionizing and injecting the ions into the inner surface of the container. The surface of the electrode is sputtered with radioactive gas ions to coat the inner surface of the container to form a coating layer, and the ion layer and the coating layer are alternately used to cumulatively trap radioactive gas. An immobilization and disposal device for radioactive gas, characterized in that a magnet is disposed outside or inside the container.
JP12923283A 1983-07-15 1983-07-15 Device for fixing and treating radioactive gas Granted JPS6021496A (en)

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