JPH0368488B2 - - Google Patents

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JPH0368488B2
JPH0368488B2 JP28988886A JP28988886A JPH0368488B2 JP H0368488 B2 JPH0368488 B2 JP H0368488B2 JP 28988886 A JP28988886 A JP 28988886A JP 28988886 A JP28988886 A JP 28988886A JP H0368488 B2 JPH0368488 B2 JP H0368488B2
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Japan
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semiconductive
tube
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mixture
weight
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Takashi Maeda
Susumu Takahashi
Kenji Nagai
Toshio Niwa
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Fujikura Ltd
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Fujikura Ltd
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  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Cable Accessories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

「産業上の利用分野」 この発明は、電力ケーブルの接続などの際に用
いられる半導電性混和物およびその混和物からな
る半導電性収縮チユーブに関するものである。 「従来の技術」 電力ケーブル、特に高圧用電力ケーブルの中に
は、その導線の直上ならびに絶縁被覆の外側に半
導電性混和物で被覆をなしたものが提供されてい
る。 従来、このような目的に使用される半導電性混
和物としては、ゴムあるいはエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体(EVA)等の樹脂に導電性カーボン
ブラツクを配合した半導電性混和物が使用されて
いる。また、上記ケーブルを接続する際、この接
続部に半導電性被覆を形成するには、ケーブル接
続の施工を容易にするために、加熱することによ
り収縮を起こすチユーブ状の半導電性収縮チユー
ブが多用されている。 この従来の半導電性収縮チユーブは、上記
EVA樹脂等に導電性カーボンブラツクを配合し
た半導電性混和物をチユーブ状に成形したもの
で、ケーブルの導線接続部の直上や絶縁被覆の外
側などの所定部分にこの半導電性収縮チユーブを
嵌挿し、これをバーナなどで加熱することによつ
て収縮を起こさせ、目的箇所に半導電性の被覆を
形成するようになつている。 「発明が解決しようとする問題点」 ところで、電力ケーブル、特に高圧用電力ケー
ブルとしては、物理的、機械的性能が優れており
信頼度が大きく、許容電流を大きくとれるなどの
優れた性能を持つたCVケーブル(架橋ポリエチ
レン電力ケーブル)が多用される趨勢にある。 これに対して従来の半導電性混和物はEVA樹
脂等をベースにしているために、上記CVケーブ
ルの絶縁材料に使用されているポリエチレンとの
接着性が悪く、ポリエチレン製絶縁体と半導電性
被覆とが緊密に接着できないという大きな問題が
あつた。 また、従来の半導電性混和物をチユーブ状に成
形した半導電性収縮チユーブは、収縮率が良好に
得られず、ケーブル接続の際、目的箇所に対して
緊密な被覆を行なうのが難しいという問題があつ
た。 この発明は上述の問題点を解消し、CVケーブ
ルなどの絶縁材料に用いられるポリエチレンとの
接着性が良好に得られると共に、チユーブ状に成
形したものの収縮率が良好に得られる半導電性混
和物およびこれからなる半導電性収縮チユーブを
提供することを目的としている。 「問題点を解決するための手段」 この発明では、エチルアクリレート含有量が10
〜20%であり、かつMFRが2以下であるエチレ
ン−エチルアクリレート共重合体60〜80重量部
と、MFRが5以下の直鎖状低密度ポリエチレン
40〜20重量部とからなる樹脂100重量部に、導電
性カーボンブラツクを40〜70重量部配合した混和
物を半導電性混和物とすること、またその混合物
をシート状に成形し、これを架橋したのちチユー
ブ状に成形したものを半導電性収縮チユーブとす
ることをその解決手段とする。 以下、この発明の半導電性混和物(第1発明)
と、その混合物からなる半導電性収縮チユーブ
(第2発明)とを詳細に説明する。 第1発明の半導電性混和物に用いられるエチレ
ン−エチルアクリレート共重合体(以下、EEA
と記す)は、EEA中のエチルアクリレート含有
量が10〜20%であり、かつMFRが2以下のもの
である。エチルアクリレート含有量が10%未満の
ものは、半導電性混和物の伸びが不足し、また、
エチルアクリレート含有量が20%を超えるものは
半導電性混和物の延伸性が悪化する。また、
EEAのMFRが2を超えるものは半導電性混和物
の伸びが不足して延伸性が悪化する。 半導電性混和物に用いられる直鎖状低密度ポリ
エチレン(以下、L−LDPEと記す)は、MFR
が5以下のものである。MFRが5を超えるもの
は、半導電性混和物の伸びが不足する。 上記EEAとL−LDPEとは、EEAが60〜80重
量部、L−LDPEが40〜20重量部とを混合して用
いられる。この混合樹脂中のL−LDPEが40重量
部を超えるものは半導電性混和物の伸びが不足す
ると共に、柔軟性が悪化する。また、L−LDPE
が20重量部以下のものでは半導電性混和物の体積
抵抗率が高くなつてしまう。 半導電性混和物に用いられる導電性カーボンブ
ラツク(以下、カーボンと略記する)は、アセチ
レンブラツク、フアーネス系ブラツクなどの市販
品で良く、例示すると、デンカブラツク(電気化
学工業社製)、バルカンXC−72(キユボツト社製)
等が好適に使用される。このカーボンは、上記
EEAとL−LDPEとの混合樹脂100重量部に、40
〜70重量部配合する。このカーボン配合量が40重
量部未満であると半導電性混和物の導電性が不足
する。また、カーボン配合量が70重量部を超える
と半導電性混和物の伸びが不足すると共に、柔軟
性が悪化してしまう。 この第1発明の半導電性混和物は、上記した各
成分が各々の配合率に従つて配合されていれば良
く、上記各成分の他、例えば架橋剤、老化防止
剤、加工助剤などの他の成分を配合しても良い。 この第1発明の半導電性混和物は、従来の半導
電性混和物に比べ、ポリエチレンとの接着性が良
く、伸びが良好で、収縮チユーブとしたときの収
縮性が良いなどの点で優れており、特にCVケー
ブルなどのポリエチレンで絶縁被覆されたケーブ
ルの半導電性被覆用として優秀な性能を発揮す
る。また、この半導電性混和物の使用目的は上記
ケーブルの半導電性被覆用に限定されず、例えば
この混和物をシート状に成形し、帯電防止シート
として利用することもできる。 次に、第2発明を図面を参照して説明する。第
2発明は、上記第1発明の半導電性混和物をシー
ト状(或いはテーブル状)に成形し、これを架橋
したのちチユーブ状に成形してなる半導電性収縮
チユーブであり、この形状はチユーブ状であれば
良く、またチユーブ状に成形する方法についても
限定されないが、次にこの第2発明の半導電性収
縮チユーブを例示して、第2発明を具体的に説明
する。 第1図は第2発明の半導電性収縮チユーブの一
例を示すものである。この図において符号1は半
導電性収縮チユーブ(以下、チユーブと略称す
る)である。このチユーブ1は、上記第1発明で
説明した半導電性混和物からなるもので、円筒状
のチユーブ本体2と、このチユーブ本体2の外周
部にこれに一体的に設けられた係止突条3とから
なるものである。係止突条3は、チユーブ本体2
の長手方向に沿つて延び、その断面形状がT字形
のものである。また、係止突条3の中央部にはチ
ユーブ本体2の内周面にとどく切開〓4がその長
手方向に沿つて形成されている。このチユーブ1
は、その切開〓4を開くことにより割裂可能であ
り、これを押し拡げてケーブル、管路、棒などの
目的物の上にチユーブ本体2を被覆したうえ、係
止突条3にフアスナ5を止めつけて固定し、チユ
ーブ本体2をバーナなどで加熱することにより、
チユーブ本体2が収縮し、ケーブル等の目的物を
緊密に被覆するものである。このようなチユーブ
1は、第2図ないし第4図に示すようにして製造
される。まず、押出機により第2図に示すような
断面形状の長尺のシート6を押し出す。このシー
ト6の幅方向の両端部は、かぎ状に折り曲げら
れ、係止突条3の一方となる係止部7,7になつ
ている。ついで、このシート6を架橋する。架橋
は、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチル
パーオキシ)ヘキシン−3,ジクミルパーオキサ
イド等の有機過酸化物架橋剤を添加して加熱する
方法の他に、電子線を照射して行なう方法が採用
できる。この架橋後のシート6は、その両端部の
係止部7,7を把持し、シート6の幅方向に引つ
張り、幅寸法を約1.2〜2倍程度延伸し、この延
伸状態を維持したまま冷却し、第3図に示すよう
な延伸シート8を得る。その後、この延伸シート
8を適宜な長さに切断し、係止部7,7が外側に
なるように曲げ、係止部7,7を合致させること
により、切開〓4が形成され、第4図に示したよ
うなチユーブ1となる。 第5図は第2発明の半導電性収縮チユーブの他
の例を示すものである。この図に示されるチユー
ブ9は、上述の第1発明の半導電性混和物を用い
て円筒状に成形したものである。このチユーブ9
は、ケーブル、管路、棒などの目的物に嵌挿し、
チユーブ9をバーナなどで加熱して収縮させ、ケ
ーブル等の目的物を緊密に被覆するものである。 このチユーブ9は次のようにして製造される。
まず、上述の第1発明の半導電性混和物をフイル
ム状に押出成形する。ついでこのフイルムを架橋
する。架橋の方法としては、上述した架橋剤を添
加して加熱する方法や、電子線を照射する方法に
よつて行なわれる。ついでこの架橋フイルムを長
手方向に延伸して延伸フイルムとする。ついで、
この延伸フイルムをテープ状に裁断し、第6図に
示すようにしてチユーブ状に成形する。すなわ
ち、上記テープ10をテーピング機11で円形芯
金12に多重に巻きつけ、所望の厚さにする。つ
いで半導電性混和物の融点以上に加熱して、テー
プ10を溶融一体化した後、冷却して芯金12を
取り除いてチユーブ9を得る。 この第2発明のチユーブ1,9は、上述の第1
発明の半導電性混和物を用いてチユーブ状に成形
したので、従来の半導電性収縮チユーブでは緊密
な被覆ができなかつたCVケーブルなどのポリエ
チレンで絶縁被覆されたケーブルに対して、良好
な接着性を示す半導電性被覆を形成することがで
きる。また、チユーブ1,9は収縮性が良好に得
られるので、目的箇所に対して緊密な状態で半導
電性被覆を形成することができる。 以下にこの発明の実施例を示す。 「実施例」 この発明の実施例(3例)ならびに比較例(2
例)の各々の半導電性混和物を、第1表に示す配
合量に従つて製造した。
"Industrial Application Field" The present invention relates to a semiconductive mixture used for connecting power cables, and a semiconductive shrink tube made of the mixture. ``Prior Art'' Some power cables, particularly high-voltage power cables, are provided with a semiconducting mixture coated directly above the conductor wire and outside the insulation coating. Conventionally, semiconductive mixtures used for such purposes include conductive carbon black mixed with rubber or resin such as ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). There is. In addition, in order to form a semiconductive coating on the connection part when connecting the above cable, a tube-shaped semiconductive shrink tube that shrinks when heated is used to facilitate cable connection. It is widely used. This conventional semi-conducting shrink tube is
A semi-conductive mixture of EVA resin and other conductive carbon black is molded into a tube shape, and this semi-conductive shrink tube is fitted into a designated area, such as directly above the cable conductor connection or outside the insulation coating. The device is inserted and heated with a burner to cause it to shrink, forming a semiconductive coating on the target area. ``Problems to be solved by the invention'' By the way, power cables, especially high-voltage power cables, have excellent physical and mechanical performance, are highly reliable, and can handle a large amount of current. The trend is for CV cables (cross-linked polyethylene power cables) to be used more frequently. On the other hand, because conventional semiconductive mixtures are based on EVA resin, etc., they have poor adhesion with the polyethylene used as the insulating material for the CV cables mentioned above. A major problem was that the coating could not be tightly bonded. In addition, conventional semiconducting shrink tubes made of semiconducting compounds molded into tubes do not have a good shrinkage rate, making it difficult to tightly cover the target area when connecting cables. There was a problem. This invention solves the above-mentioned problems, and provides a semiconductive mixture that has good adhesion with polyethylene used in insulating materials such as CV cables, and also has good shrinkage when molded into a tube shape. It is an object of the present invention to provide a semiconductive shrink tube comprising the same. "Means for solving the problem" In this invention, the ethyl acrylate content is 10
~20% and 60 to 80 parts by weight of an ethylene-ethyl acrylate copolymer with an MFR of 2 or less, and linear low-density polyethylene with an MFR of 5 or less
A semiconductive mixture is prepared by blending 40 to 70 parts by weight of conductive carbon black with 100 parts by weight of a resin consisting of 40 to 20 parts by weight. The solution is to make a semiconductive shrinkable tube by crosslinking and forming it into a tube shape. Hereinafter, the semiconductive mixture of this invention (first invention)
and a semiconductive shrink tube (second invention) made of a mixture thereof will be explained in detail. Ethylene-ethyl acrylate copolymer (hereinafter referred to as EEA) used in the semiconductive mixture of the first invention
) has an ethyl acrylate content of 10 to 20% in EEA and an MFR of 2 or less. If the ethyl acrylate content is less than 10%, the elongation of the semiconductive mixture is insufficient, and
If the ethyl acrylate content exceeds 20%, the drawability of the semiconductive mixture deteriorates. Also,
If the EEA MFR exceeds 2, the elongation of the semiconductive mixture will be insufficient and the drawability will deteriorate. Linear low-density polyethylene (hereinafter referred to as L-LDPE) used for semiconductive mixtures is MFR
is 5 or less. If the MFR exceeds 5, the semiconductive mixture has insufficient elongation. The above EEA and L-LDPE are used by mixing 60 to 80 parts by weight of EEA and 40 to 20 parts by weight of L-LDPE. If the L-LDPE in the mixed resin exceeds 40 parts by weight, the elongation of the semiconductive mixture will be insufficient and the flexibility will deteriorate. Also, L-LDPE
If the amount is less than 20 parts by weight, the volume resistivity of the semiconductive mixture becomes high. The conductive carbon black (hereinafter abbreviated as carbon) used in the semiconductive mixture may be a commercially available product such as acetylene black or furnace black. Examples include Denka Black (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and Vulcan XC. -72 (manufactured by Kiyubotsu)
etc. are preferably used. This carbon is
40 parts by weight of mixed resin of EEA and L-LDPE
~70 parts by weight is blended. If the carbon content is less than 40 parts by weight, the conductivity of the semiconductive mixture will be insufficient. Furthermore, if the carbon content exceeds 70 parts by weight, the elongation of the semiconductive mixture will be insufficient and the flexibility will deteriorate. The semiconductive mixture of the first invention may contain the above-mentioned components in accordance with their respective compounding ratios, and in addition to the above-mentioned components, for example, a crosslinking agent, an anti-aging agent, a processing aid, etc. Other ingredients may also be mixed. The semiconductive mixture of the first invention is superior to conventional semiconductive mixtures in that it has good adhesion to polyethylene, good elongation, and good shrinkability when made into a shrink tube. It exhibits excellent performance especially as a semiconductive coating for cables coated with polyethylene insulation such as CV cables. Further, the purpose of use of this semiconductive mixture is not limited to the semiconductive coating of the above-mentioned cable; for example, this mixture can be formed into a sheet and used as an antistatic sheet. Next, the second invention will be explained with reference to the drawings. A second invention is a semiconductive shrink tube formed by forming the semiconductive mixture of the first invention into a sheet shape (or table shape), crosslinking this, and then forming it into a tube shape, and this shape is Any shape may be used as long as it is in the shape of a tube, and the method for forming the tube into the shape is not limited. Next, the second invention will be specifically explained by exemplifying the semiconductive shrinkable tube of the second invention. FIG. 1 shows an example of the semiconductive shrink tube of the second invention. In this figure, reference numeral 1 denotes a semiconductive shrink tube (hereinafter abbreviated as tube). This tube 1 is made of the semiconductive mixture described in the first invention, and includes a cylindrical tube body 2 and a locking protrusion integrally provided on the outer periphery of the tube body 2. It consists of 3. The locking protrusion 3 is attached to the tube body 2
It extends along the longitudinal direction and has a T-shaped cross section. Further, an incision 4 extending to the inner circumferential surface of the tube body 2 is formed in the center of the locking protrusion 3 along its longitudinal direction. This tube 1
The tube body 2 can be split by opening the incision 4, and the tube body 2 is spread out to cover the object such as a cable, conduit, or rod, and the fastener 5 is attached to the locking protrusion 3. By fastening and fixing the tube body 2 and heating it with a burner etc.,
The tube body 2 contracts to tightly cover an object such as a cable. Such a tube 1 is manufactured as shown in FIGS. 2 to 4. First, a long sheet 6 having a cross-sectional shape as shown in FIG. 2 is extruded using an extruder. Both ends of the sheet 6 in the width direction are bent into a hook shape to form locking portions 7, 7, which are one of the locking protrusions 3. This sheet 6 is then crosslinked. Crosslinking can be achieved by adding an organic peroxide crosslinking agent such as 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)hexyne-3 or dicumyl peroxide and heating, or by electron beam. A method of irradiating with light can be adopted. This cross-linked sheet 6 was gripped by the locking parts 7, 7 at both ends thereof and pulled in the width direction of the sheet 6 to stretch the width by about 1.2 to 2 times, and this stretched state was maintained. This is then cooled to obtain a stretched sheet 8 as shown in FIG. Thereafter, this stretched sheet 8 is cut to an appropriate length, bent so that the locking parts 7, 7 are on the outside, and the locking parts 7, 7 are aligned to form an incision 4, and a fourth The tube 1 will be as shown in the figure. FIG. 5 shows another example of the semiconductive shrink tube of the second invention. The tube 9 shown in this figure is formed into a cylindrical shape using the semiconductive mixture of the first invention described above. This tube 9
can be inserted into objects such as cables, conduits, rods, etc.
The tube 9 is heated with a burner or the like to shrink and tightly cover an object such as a cable. This tube 9 is manufactured as follows.
First, the semiconductive mixture of the first invention described above is extruded into a film. This film is then crosslinked. Crosslinking can be carried out by adding the above-mentioned crosslinking agent and heating it, or by irradiating it with an electron beam. This crosslinked film is then stretched in the longitudinal direction to form a stretched film. Then,
This stretched film is cut into tape shapes and formed into tube shapes as shown in FIG. That is, the tape 10 is wound multiple times around the circular core metal 12 using a taping machine 11 to obtain a desired thickness. Next, the tape 10 is melted and integrated by heating above the melting point of the semiconductive mixture, and then cooled and the core bar 12 is removed to obtain the tube 9. The tubes 1 and 9 of the second invention are similar to the tubes 1 and 9 of the above-mentioned first invention.
Since the semiconductive mixture of the invention is molded into a tube shape, it has good adhesion to cables coated with polyethylene insulation, such as CV cables, which could not be tightly coated with conventional semiconductive shrink tubes. It is possible to form a semiconductive coating exhibiting properties. Further, since the tubes 1 and 9 have good shrinkability, it is possible to form a semiconductive coating tightly on the target location. Examples of this invention are shown below. "Example" Examples (3 examples) and comparative examples (2 examples) of this invention
Each of the semiconducting mixtures in Example) was prepared according to the blending amounts shown in Table 1.

【表】【table】

【表】 上記各配合成分は、EEAが日石レクスロン
EEA A−1150(エチルアクリレート含有量15%、
MFR0.75)、EEAが日石レクスロンEEA A−
270(エチルアクリレート含有量15%、MFR1.5)、
EEAが日石レクスロンEEA A−4200(エチル
アクリレート含有量20%、MFR5、以上の各
EEAはいずれも日本石油化学社製)、EVAは三
井・デユポンポリケミカル社製、L−LDPEが日
本ユニカー社製(MFR3.8)、カーボンがデンカ
カーボン(電気化学工業社製)、老化防止剤がノ
クラツク300(大内新興社製)、加工助剤がステア
リン酸亜鉛を用いた。 各半導電性混和物は、上記の各成分をバンバリ
ーミキサーにより加熱下に混練して製造し、これ
によつて得られた各々の半導電性混和物を用いて
次の各試験を行なつた。 これらの半導電性混和物を用いて、まず各々の
伸びを、JIS K7113−1981により測定した。 次に、各々の半導電性混和物を0.5mm幅のシー
トに加工し、ついで照射架橋装置を使用して架橋
度がゲル分率で約50%(カーボン成分抜きで求め
たもの)となるように架橋した。ついで架橋済み
の各々のシートを延伸装置で延伸した。この延伸
操作の際に、連続的に安定して延伸することがで
きた最大延伸倍率を測定し、これをもつて延伸性
とした。 ついで、最大延伸倍率で延伸した各々のシート
を用いて収縮チユーブを作成し、各々の収縮チユ
ーブを200℃で1時間加熱し、加熱前のチユーブ
の直径に対する収縮後(加熱後)のチユーブの直
径の割合を測定し、これをもつて収縮性とした。 また、上記各収縮チユーブをCVケーブル
(6.6KV、200mm2)のポリエチレン絶縁体上に150
℃程度に加熱して収縮させ、ついで200℃で1時
間加熱してポリエチレン絶縁体に接着させた。こ
れに10mm幅の傷を付け、収縮チユーブを剥離する
ことにより、収縮チユーブの接着性を調べた。こ
の接着性の判断基準は、収縮チユーブが剥離しな
かつたものを良とし、収縮チユーブが剥離したも
のを不良とした。 以上の各試験の結果を第2表に示す。
[Table] The EEA of each of the above ingredients is Nisseki Rexron.
EEA A-1150 (ethyl acrylate content 15%,
MFR0.75), EEA is Nisseki Rexron EEA A-
270 (ethyl acrylate content 15%, MFR1.5),
EEA is Nisseki Rexron EEA A-4200 (ethyl acrylate content 20%, MFR5, each of the above
EEA is manufactured by Nippon Petrochemicals Co., Ltd.), EVA is manufactured by Mitsui-Dupont Polychemicals, L-LDPE is manufactured by Nippon Unicar (MFR3.8), carbon is Denka Carbon (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and anti-aging agent. Nokrac 300 (manufactured by Ouchi Shinko Co., Ltd.) was used, and zinc stearate was used as a processing aid. Each semiconductive mixture was manufactured by kneading the above components under heating using a Banbury mixer, and the following tests were conducted using each of the semiconductive mixtures obtained thereby. . Using these semiconductive mixtures, the elongation of each was first measured according to JIS K7113-1981. Next, each semiconductive mixture was processed into a sheet with a width of 0.5 mm, and then a irradiation crosslinking device was used to adjust the degree of crosslinking to approximately 50% (calculated without carbon components) in terms of gel fraction. was cross-linked. Each crosslinked sheet was then stretched using a stretching device. During this stretching operation, the maximum stretching ratio at which continuous and stable stretching was possible was measured, and this was taken as the stretchability. Next, shrink tubes were created using each sheet stretched at the maximum stretching ratio, and each shrink tube was heated at 200°C for 1 hour to determine the diameter of the tube after shrinkage (after heating) relative to the diameter of the tube before heating. The ratio was measured, and this was taken as contractility. Also, attach each of the above shrink tubes to the polyethylene insulation of the CV cable (6.6KV, 200mm 2 ).
It was heated to about 0.degree. C. to shrink, and then heated to 200.degree. C. for 1 hour to adhere to the polyethylene insulator. The adhesion of the shrink tube was examined by making a 10 mm wide scratch on this and peeling off the shrink tube. The adhesion criteria were as follows: A sample in which the shrink tube did not peel off was considered good, and a sample in which the shrink tube peeled off was judged to be poor. The results of each of the above tests are shown in Table 2.

【表】 第2表からも明らかなように、この発明の半導
電性混和物は、従来の半導電性混和物を意図して
作成した比較例Aに比べ伸びが良く、また収縮チ
ユーブとしたときの収縮性およびポリエチレンと
の接着性も優れていることが確認された。 これに対して従来の半導電性混和物を意図して
作成した比較例Aでは収縮チユーブにしたときの
収縮性が悪いと共に、ポリエチレンとの接着性が
得られなかつた。 また、比較例Bは、EEAのMFRが2以上のも
のを配合したときの例を示すものであるが、ポリ
エチレンとの接着性は良いものの、収縮性が十分
得られず、良好な収縮チユーブは得られない。 「発明の効果」 以上説明したように、この発明の半導電性混和
物およびその混和物をチユーブ状に成形した半導
電性収縮チユーブは、この混和物とポリエチレン
製の絶縁体との接着性が良好に得られるので、従
来の半導電性混和物では被覆が難しかつたポリエ
チレン絶縁体に対して、接着性の良い半導電性被
覆を形成することができる。 また、この発明の半導電性収縮チユーブは、収
縮性が良好なので、ケーブルの接続の際などに、
被覆目的箇所に対して容易に緊密な被覆をするこ
とができる。
[Table] As is clear from Table 2, the semiconducting mixture of the present invention has better elongation than Comparative Example A, which was prepared with the intention of making a conventional semiconducting mixture, and was also made into a shrink tube. It was confirmed that the shrinkage properties and adhesion to polyethylene were also excellent. On the other hand, Comparative Example A, which was intended to be a conventional semiconducting mixture, had poor shrinkability when made into a shrink tube and failed to exhibit adhesion to polyethylene. In addition, Comparative Example B shows an example in which an EEA with an MFR of 2 or more is blended, but although the adhesiveness with polyethylene is good, sufficient shrinkability is not obtained, and a good shrink tube is not obtained. I can't get it. "Effects of the Invention" As explained above, the semiconductive mixture of the present invention and the semiconductive shrink tube formed from the mixture into a tube shape have excellent adhesiveness between the mixture and the polyethylene insulator. Since it can be obtained well, it is possible to form a semiconductive coating with good adhesion on polyethylene insulators, which has been difficult to coat with conventional semiconductive mixtures. In addition, the semiconductive shrink tube of this invention has good shrinkability, so it can be used when connecting cables, etc.
A tight coating can be easily applied to the target area.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の半導電性収縮チユーブの一
例を示す斜視図、第2図ないし第4図は第1図に
示した半導電性収縮チユーブの製造工程を工程順
に示す断面図、第5図および第6図はこの発明の
半導電性収縮チユーブの他の例を示す図であつ
て、第5図は半導電性収縮チユーブの斜視図、第
6図は製造工程を示す側面図である。 1,9……チユーブ(半導電性収縮チユーブ)、
6……シート。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of the semiconductive shrink tube of the present invention, FIGS. 2 to 4 are sectional views showing the manufacturing process of the semiconductive shrink tube shown in FIG. 1 in order of process, and FIG. 6 and 6 are views showing other examples of the semiconductive shrink tube of the present invention, in which FIG. 5 is a perspective view of the semiconductive shrink tube, and FIG. 6 is a side view showing the manufacturing process. . 1, 9...Tube (semi-conductive contraction tube),
6...Sheet.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 エチルアクリレート含有量が10〜20%であ
り、かつMFRが2以下であるエチレン−エチル
アクリレート共重合体60〜80重量部と、MFRが
5以下の直鎖状低密度ポリエチレン40〜20重量部
とからなる樹脂100重量部に、導電性カーボンブ
ラツクを40〜70重量部配合してなる半導電性混和
物。 2 エチルアクリレート含有量が10〜20%であ
り、かつMFRが2以下であるエチレン−エチル
アクリレート共重合体60〜80重量部と、MFRが
5以下の直鎖状低密度ポリエチレン40〜20重量部
とからなる樹脂100重量部に、導電性カーボンブ
ラツクを40〜70重量部配合してなる半導電性混和
物の架橋シート状物をチユーブ状に成形してなる
半導電性収縮チユーブ。
[Scope of Claims] 1. 60 to 80 parts by weight of an ethylene-ethyl acrylate copolymer having an ethyl acrylate content of 10 to 20% and an MFR of 2 or less, and a linear low density having an MFR of 5 or less. A semiconductive mixture comprising 40 to 70 parts by weight of conductive carbon black mixed with 100 parts by weight of a resin consisting of 40 to 20 parts by weight of polyethylene. 2 60 to 80 parts by weight of an ethylene-ethyl acrylate copolymer having an ethyl acrylate content of 10 to 20% and an MFR of 2 or less, and 40 to 20 parts by weight of linear low-density polyethylene having an MFR of 5 or less. A semiconductive shrink tube formed by molding a crosslinked sheet-like material of a semiconductive mixture, which is made by blending 40 to 70 parts by weight of conductive carbon black into 100 parts by weight of a resin consisting of the following, into a tube shape.
JP28988886A 1986-12-05 1986-12-05 Semiconductive blend and semiconducting shrinkage tube comprising the same Granted JPS63143704A (en)

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