JPH0366098A - Optical storage device - Google Patents

Optical storage device

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JPH0366098A
JPH0366098A JP20263889A JP20263889A JPH0366098A JP H0366098 A JPH0366098 A JP H0366098A JP 20263889 A JP20263889 A JP 20263889A JP 20263889 A JP20263889 A JP 20263889A JP H0366098 A JPH0366098 A JP H0366098A
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JP
Japan
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waveguide
tap
information
optical
optical pulse
Prior art date
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Pending
Application number
JP20263889A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Takaragawa
宝川 幸司
Atsushi Takada
篤 高田
Seiji Nakagawa
清司 中川
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To attain ultrahigh speed access by providing a tap guide path corresponding to information to be stored in the guide path to write the information, introducing an ultra-short optical pulse to the guide path and reading the information with an optical signal extracted through the tap guide path. CONSTITUTION:Taps T1, T2,...Tn are provided or not provided corresponding to information to be written in address positions P1, P2,...Pn of a waveguide 2, and when installed, '1' is detected by a detector 5 in the case of readout operation and when not provided, '0' is detected. A trigger pulse is supplied in the readout timing to an optical pulse generator 1, from which an ultrashort optical pulse is generated, the optical pulse is introduced to the guide path 2 and propagated in the guide path 2 and the information is read out in response to the propagation speed of the optical path in the guide path 2. Through the constitution above, since the information is accessed in response to the propagation speed of the optical pulse in the waveguide path 2, very high speed access is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は極めて高速なアクセスが可能な光記憶装置に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] This invention relates to an optical storage device that allows extremely high-speed access.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、光記憶装置としては、写真技術に立脚したマイク
ロフィッシュ技術のように情報を直接記録する方式、あ
るいはフーリエ変換像である回折像をホログラムの形で
記憶する方式など、種々の方式が提案されている。その
中で通信や情報処理用として、特に注目されているもの
としては、書き込み(記憶)および読み出しく再生)に
レーザビームを用いる光デイスク装置がある。この種の
光デイスク装置としては、コンパクトディスクやビデオ
ディスクなどのように民生用の装置として広く普及して
いるものから、大型計算機の大容量記憶媒体として開発
段階にあるものまで種々のものがある。その基本動作原
理は、 ■円盤上の特定箇所にレーザ光を照射することによって
、光損傷、光構造変化、磁気的転移などにより周囲とは
反射率が異なるスポットを生成し、このスポットの有無
、スポットの密度などによって情報を蓄積する。
Conventionally, various methods have been proposed for optical storage devices, such as methods for directly recording information such as microfiche technology based on photographic technology, and methods for storing diffraction images, which are Fourier transformed images, in the form of holograms. ing. Among these, an optical disk device that is attracting particular attention for use in communications and information processing is an optical disk device that uses a laser beam for writing (storage), reading, and reproduction. There are a variety of optical disk devices of this type, from those that are widely used as consumer devices such as compact disks and video disks, to those that are in the development stage as large-capacity storage media for large computers. . The basic operating principle is: ■ By irradiating a specific spot on the disk with laser light, a spot with a different reflectance from the surrounding area is generated due to optical damage, optical structure changes, magnetic transition, etc., and the presence or absence of this spot is determined by Information is accumulated based on spot density, etc.

■スポットあるいはスポットが存在すべき位置にレーザ
光を照射し、その反射光の強度変化により情報の読み出
しを行う。
(2) A laser beam is irradiated onto a spot or a position where a spot should exist, and information is read out by changing the intensity of the reflected light.

■アドレスに対応する情報の存在する空間の走査は、デ
ィスクの回転とヘッドの半径方向への移動という機械的
走査によって行われる。
(2) Scanning of the space where the information corresponding to the address exists is performed by mechanical scanning by rotating the disk and moving the head in the radial direction.

■非可逆的な構造変化を伴う記憶方法の場合、読み出し
専用の記憶装置となるが、磁気的転移などを利用すると
書き換え可能な記憶装置となる。
■In the case of a storage method that involves irreversible structural changes, the storage device becomes a read-only storage device, but if magnetic transition is used, it becomes a rewritable storage device.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、上述した従来の光記憶装置は、磁気記憶装置
に比べ、大容量、周辺回路の簡易化、非接触による長寿
命性など優れた特徴を有している。
By the way, the above-mentioned conventional optical storage device has superior features, such as large capacity, simplified peripheral circuitry, and long life due to non-contact, as compared to magnetic storage devices.

しかしながら上述したように情報のアクセスには機械的
走査を伴うため、極めて低速なアクセスしか期待できな
い。すなわち従来の光記憶装置は、2次記憶媒体として
は有効であるものの、半導体のキャッシュメモリに代表
されるような高速アクセスを要する記憶装置としては到
底使用できるものではなかった。
However, as described above, since accessing information involves mechanical scanning, only extremely slow access can be expected. That is, although conventional optical storage devices are effective as secondary storage media, they cannot be used as storage devices that require high-speed access, such as semiconductor cache memories.

この発明は、従来のように機械的走査を一切必要とせず
、超高速アクセスが可能な光記憶装置を実現することを
目的としている。
The object of the present invention is to realize an optical storage device that does not require any mechanical scanning as in the past and is capable of ultra-high-speed access.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明は、光信号を導く導波路と、前記導波路の記憶
すべき情報に対応した各位置から、該導波路内を伝播す
る光信号の一部を取り出すタップ用導波路と、前記導波
路に極短いパルス幅の光パルスを導入する光パルス発生
手段と、前記タップ用導波路で取り出された光信号を記
憶情報として検出する検出手段とを具備することを特徴
としている。
This invention provides a waveguide for guiding an optical signal, a tap waveguide for extracting a part of the optical signal propagating within the waveguide from each position of the waveguide corresponding to information to be stored, and a tap waveguide for guiding the optical signal. The device is characterized by comprising an optical pulse generating means for introducing an optical pulse with an extremely short pulse width into the tap waveguide, and a detecting means for detecting the optical signal taken out by the tap waveguide as stored information.

また、前記導波路およびタップ用導波路を電気光学効果
の大きな材料によって構成すると共に、前記導波路と前
記タップ用導波路とが結合する部分に電極を設置し、こ
の電極に電圧を印加することによって、前記導波路と前
記タップ用導波路との間の結合効率を変化させることを
特徴している。
Further, the waveguide and the tap waveguide are constructed of a material having a large electro-optic effect, and an electrode is installed at a portion where the waveguide and the tap waveguide are coupled, and a voltage is applied to the electrode. Accordingly, the coupling efficiency between the waveguide and the tap waveguide is changed.

〔作用〕[Effect]

上記構成によれば、情報蓄積領域である導波路に記憶す
べき情報に対応してタップ用導波路を設置することによ
って情報が書き込まれ、この情報の読み出しは、導波路
に極短光パルスを導入し、導波路内を伝播させ、各タッ
プ用導波路で取り出された光信号を検出することによっ
て行われる。
According to the above configuration, information is written by installing a tap waveguide corresponding to the information to be stored in the waveguide, which is an information storage area, and this information is read by sending an extremely short optical pulse to the waveguide. This is done by introducing the optical signal, propagating it in the waveguide, and detecting the optical signal taken out in each tap waveguide.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照し、この発明の実施例について説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はこの発明の第1実施例による読み出し専用光記
憶装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a read-only optical storage device according to a first embodiment of the present invention.

この図において、lは極短いパルス幅の光パルスを発生
する光パルス発生器であり、例えばモード同期型レーザ
、利得スイッチを有する半導体レーザ、あるいは光ゲー
トを用いた装置などのように、極短光あるいは超短光パ
ルスを発生できるものであればどの様なものでも構わな
い。2は例えば光ファイバ、あるいは平面導波路によっ
て構成され、光パルス発生器lから光パルスが導入され
る導波路であり、後述するタップT r 、 T * 
、・・・、Tnが設置された箇所以外の部分において光
パルス信号を歪なくかつ低損失に伝播させることが可能
であればどの様なものでも構わない。3.3.・・・は
導波路2の記憶すべき情報に対応した位置に各々配置さ
れ、導波路2内を伝播する光信号の一部を取り出すタッ
プ用導波路、5.5.・・・は各タップ用導波路3.3
゜・・・によって取り出された光信号を各々検出する検
出器である。そして、導波路2に沿って一定間隔で設定
されたアドレス位置P 、、P 、、・・・+Pnの内
、記憶すべき情報に対応した位置に、導波路2とタップ
用導波路3,3.・・・が結合するタップ’r、、T、
、・・・Tnが設置されている。すなわち、タップT 
、、T t+・・・4nは、導波路2と、この導波路2
内を伝播する波動と弱い結合を持つタップ用導波路3と
によって構成され、例えば、光ファイバの場合、局所的
な曲げなどによる応力が加えられた部分から漏れ出す光
をタップ導波路3と結合させて実現することが可能であ
る。またニオブ酸リチウムにチタンを拡散して得られる
誘電体導波路や半導体ガイドなどの場合は、導波路2に
タップ用導波路3を隣接して配置し、これら2つの導波
路の結合モードを利用して実現すればよい。また、各タ
ップT1Tx、・・・、Tnにおける結合係数は特に限
定するものでないが記憶容量を大きくとる場合できるだ
け小さい方がよい。
In this figure, l is an optical pulse generator that generates optical pulses with an extremely short pulse width, such as a mode-locked laser, a semiconductor laser with a gain switch, or a device using an optical gate. Any device that can generate light or ultrashort optical pulses may be used. Reference numeral 2 denotes a waveguide constructed of, for example, an optical fiber or a planar waveguide, into which the optical pulse is introduced from the optical pulse generator l, and taps T r , T * to be described later.
. . . Any type of device may be used as long as it is possible to propagate the optical pulse signal without distortion and with low loss in a portion other than the location where Tn is installed. 3.3. . . . are tap waveguides disposed at positions corresponding to information to be stored in the waveguide 2 and extracting a portion of the optical signal propagating within the waveguide 2; 5.5. ... is a waveguide for each tap 3.3
These are detectors that detect the optical signals extracted by ゜.... Then, the waveguide 2 and the tap waveguides 3 and 3 are placed at a position corresponding to the information to be stored among the address positions P , , P , . . . +Pn set at regular intervals along the waveguide 2. .. The tap 'r,,T, that ... is connected to is
,...Tn are installed. That is, tap T
,,T t+...4n is the waveguide 2 and this waveguide 2
For example, in the case of an optical fiber, light leaking from a portion where stress is applied due to local bending is coupled to the tap waveguide 3. It is possible to realize this by In addition, in the case of dielectric waveguides or semiconductor guides obtained by diffusing titanium into lithium niobate, tap waveguide 3 is placed adjacent to waveguide 2, and the coupling mode of these two waveguides is utilized. Just do it and make it happen. Furthermore, the coupling coefficients at each tap T1Tx, .

次に、上述した第1実施例の動作について説明する。Next, the operation of the first embodiment described above will be explained.

「書き込み動作」 情報の書き込みは、導波路2に沿って一定間隔で設定さ
れた各アドレス位置P 、、P 、、・・・+Pnの内
、記憶すべき情報に対応した位置に、導波路2とンツブ
用導波路3.3.・・・が結合するタップT11Ttl
・・・Tnを設置することによって行う。この実施例で
は、導波路2の各アドレス位置Pt、Pt、・・・、P
nに、書き込むべき情報の“l”または“0”に対応し
て、タップT1.T、・・・、Tnを設置または不設置
とし、タップT 、、T 、、・・・+Tnが設置され
ていれば、後の読み出し動作の際に検出器5によって“
l”が検出され、タップ’rl、’rt、・・・、Tn
が設置されていなければ、検出器5で“0″が検出され
る。アドレスは各タップT + 、 T t 、・・・
、Tnが設置されたアドレス位置P1.Pa、・・・、
Pnによって決まり、各アドレス毎に!ビットの情報が
記憶される。
“Writing Operation” Information is written by writing the waveguide 2 to a position corresponding to the information to be stored among the address positions P , , P , . . . +Pn set at regular intervals along the waveguide 2. Waveguide for Totsubu 3.3. ... is connected to the tap T11Ttl
...This is done by installing Tn. In this embodiment, each address position Pt, Pt, ..., P of the waveguide 2 is
n, the tap T1.n corresponds to "l" or "0" of the information to be written. If T,...,Tn are installed or not, and if taps T,,T,,...+Tn are installed, the detector 5 will read "" during the subsequent readout operation.
l” is detected and taps 'rl,'rt,...,Tn
If it is not installed, the detector 5 detects "0". The address is each tap T + , T t ,...
, Tn are installed at the address position P1. Pa...
Determined by Pn, for each address! Bits of information are stored.

「読み出し動作」 情報の読み出しは、読み出しタイミングに応じて、光パ
ルス発生器lにトリガパルスを供給する。
"Reading Operation" To read information, a trigger pulse is supplied to the optical pulse generator 1 according to the read timing.

このトリガパルスが供給された光パルス発生器lは極短
光パルスを発生し、この光パルスが導波路2に導入され
、導波路2内を伝播し、各タップT11Ttl・・・、
 T nが設置された部分に達する。これらタップ’r
l、’I’!、・・・、Tnが設置された部分では、透
過係数の小さいため、光パルス信号のエネルギのほとん
どはそのまま伝播するが、その一部はタップ用導波路3
に伝播することになる。この際、タップT + 、 T
 * 、・・・、Tnの構造や伝播する光パルスの姿態
によっては若干の波形の乱れはあるが、入射した光パル
スはほとんどその形態を保ったまま2つに分かれ一方は
そのまま導波路2内を伝播し、他方はタップ用導波路3
に伝播する。導波路2内を伝播する光パルスは次々とタ
ップT 、、T !、・・・、Tnを通過し、各タップ
T + 、 T * 、・・・、Tnで出力信号を発生
する。この場合、アドレス位置P 、、P 、、・・・
PnとタップTr、Tx、・・・+Tnが各々対応して
いるので、光パルスが次々とタップT、T□・・・、T
nを通過し、タップT 、、T t、・・・、Tnが設
置された部分では検出器5によって“1”が検出され、
タップT、、T、、・・・、Tnが設置されていない部
分では“O”が検出され、これにより、情報が読み出さ
れることになる。すなわち、トリガパルスの供給に応じ
て光パルス発生器lが光パルスを発生してから時間τ。
The optical pulse generator l supplied with this trigger pulse generates an extremely short optical pulse, which is introduced into the waveguide 2, propagates within the waveguide 2, and is transmitted to each tap T11Ttl...
Reach the part where T n is installed. These tap'r
l,'I'! , ..., in the part where Tn is installed, most of the energy of the optical pulse signal propagates as is because the transmission coefficient is small, but a part of it is transmitted through the tap waveguide 3.
It will spread to At this time, tap T +, T
* , ..., depending on the structure of Tn and the shape of the propagating optical pulse, the waveform may be slightly disturbed, but the incident optical pulse is divided into two parts while maintaining most of its shape, and one part remains in the waveguide 2. and the other tap waveguide 3
propagate to. The optical pulses propagating in the waveguide 2 tap T ,,T ! one after another. , . . . , Tn to generate an output signal at each tap T + , T * , . In this case, address positions P ,,P ,,...
Since Pn corresponds to the taps Tr, Tx, . . . +Tn, the light pulses are sequentially applied to the taps T, T
n, the detector 5 detects "1" at the part where the taps T,, Tt,...,Tn are installed,
"O" is detected in the portions where the taps T, , T, . . . , Tn are not installed, and thereby information is read out. That is, the time τ after the optical pulse generator l generates the optical pulse in response to the supply of the trigger pulse.

+nτ(ただし、τ。は一定値、nはタップの順に対応
する整数、τ=L/C,Lはアドレス位置間隔、Cは光
の導波路内伝播速度)が経過する毎に、各検出器5で光
パルスが存在するか否か検出される。そして、光パスル
の有無が、各タップTt、’r t、・・・、Tnの有
無、すなわ1ち情報の“夏”、“0”に対応しているの
で、上述した動作によって情報の読み出しが行われたこ
とになる。
Each detector At step 5, the presence or absence of a light pulse is detected. Since the presence or absence of the optical pulse corresponds to the presence or absence of each tap Tt, 'r t, ..., Tn, that is, the information "summer" or "0", the information is This means that reading has been performed.

二二で1上記読み出し動作に要する時間は、光パルスが
導波路2の入力端に導入されてから一番遠いタップT、
まで伝播する時間に略等しい。つまり、入力端側のアド
レスは即座に読み出されるが、他端例の読み出しは最後
になるので、これが読み出されるまでの時間が全体の読
み出し時間となる。この読み出し時間は、例えば、入力
される光パルス信号としてフェムトセカンド程度の短光
パルスを用いるものとし、アドレス位置間隔をlOμ鋼
程度とすると、τ=  to−’ =±x 10−I3
3xlO@3 であるから、τ−0、1ps程度となる。記憶容量をl
Kbとすると、アドレス位置P 、、P 、、・・・、
Pnの数は1000であるから、アクセス時間は、10
00xO,I=100ρ8程度という高速なものとなる
22:1 The time required for the above readout operation is the tap T that is farthest from the time when the optical pulse is introduced into the input end of the waveguide 2;
approximately equal to the time it takes to propagate up to In other words, the address on the input end side is read immediately, but the other end is read last, so the time until this address is read becomes the entire read time. For example, if a short optical pulse of about femtoseconds is used as the input optical pulse signal, and the address position interval is about 10μ steel, then τ = to-' = ±x 10-I3
Since it is 3xlO@3, it becomes τ-0, about 1 ps. storage capacity l
If Kb is the address position P,,P,,...
Since the number of Pn is 1000, the access time is 10
The speed is about 00xO,I=100ρ8.

次に、第2図はこの発明の第2実施例による読み出し専
用光記憶装置の構成を示すブロック図である。
Next, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a read-only optical storage device according to a second embodiment of the present invention.

上述した第1実施例においては、情咋の読み出しを全て
並列に処理する構成としたが、この第2実施例において
は、一部あるいは全ての情報を直列に検出するようにし
た。すなわち、全てのタップ’r 、、T 、、・・・
、Tnが単一のタップ用導波路10に結合された構造、
言い換えると、導波路2とタップ用導波路3が複数の箇
所で互いに結合された構造となっている。この場合、第
1実施例とは異なり、検出器15は1個で済む。
In the first embodiment described above, the reading of information was all processed in parallel, but in the second embodiment, some or all of the information was detected in series. That is, all taps 'r,,T,,...
, Tn are coupled to a single tap waveguide 10,
In other words, the waveguide 2 and the tap waveguide 3 are coupled to each other at multiple locations. In this case, unlike the first embodiment, only one detector 15 is required.

このような構造では、例えばタップT、に到達した光パ
ルスは、導波路2とタップ用導波路3の各タップT r
 、 T t 、・・・、Tn間の距離の差ΔLを伝播
するに要する時間差ΔL/Cが経過した時点で次のタッ
プT、に到達する。すなわち、検出器15は各タップT
 + 、 T x 、・・・、Tnからのパルス列を検
出することになる。導波路2とタップ用導波路3が結合
されているタップT 、、T 、、・・・、’rnから
は“l”が検出され、その他の結合されていないところ
からは“0”が検出され、検出器15においては、各ア
ドレス位置P+、Pt、・・・、りnからの光パルス信
号がilI 列内に届くので、これらを順次検出すれば
よい。ただし、実際には基準となる同期信号が必要とな
る。この第2実施例における読み出し時間は導波路2を
伝播するのに要する時間によって略決定され、従って、
第1実施例と同様に、極めて高速なアクセスが可能であ
る。
In such a structure, for example, the optical pulse reaching the tap T is transmitted to each tap T r of the waveguide 2 and the tap waveguide 3.
, T t , . . . , the next tap T is reached when the time difference ΔL/C required to propagate the distance difference ΔL between Tn has elapsed. That is, the detector 15 detects each tap T
+, T x , . . . , pulse trains from Tn are detected. “l” is detected from the taps T , , T , . . . In the detector 15, the optical pulse signals from each address position P+, Pt, . However, in reality, a reference synchronization signal is required. The readout time in this second embodiment is approximately determined by the time required to propagate through the waveguide 2, and therefore:
As in the first embodiment, extremely high-speed access is possible.

次に、第3図はこの発明の第3実施例による書き換え可
能な光記憶装置の要部の構成を示す図である。
Next, FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a main part of a rewritable optical storage device according to a third embodiment of the present invention.

上述した第!および第2実施例においては、情報の“l
”0”に対応してタップT t 、 T * 、・・・
、Tnを設置するか、しないかによって情報を書き込む
構成であったので、読み出し専用であったが、各タップ
T、Tt、・・・、Tnの結合効率を可変にできる方向
性結合器を用いることによって書き換え可能な光記憶装
置を実現することができる。すなわち、第3図において
、導波路2およびタップ用導波路3としてはLiNbO
5にTiをドープしたものを用い、導波路2に隣接して
タップ用導波路3を設け、これら導波路2とタップ用導
波路3とが結合する部分に、電極Eと接地電極GNDを
設けた構造となっている。そして、これらの電極Eと接
地電極GNDに電圧を印加し、導波路2および3に電界
を印加することにより、電気光学効果による屈折率変化
を生じさせ、一方の導波路の伝播常数を変化せしめる。
The above mentioned number! And in the second embodiment, the information “l”
Tap T t , T *, ... corresponding to "0"
, Tn was configured to write information depending on whether or not it was installed, so it was read-only, but a directional coupler was used that could vary the coupling efficiency of each tap T, Tt, ..., Tn. This makes it possible to realize a rewritable optical storage device. That is, in FIG. 3, the waveguide 2 and the tap waveguide 3 are made of LiNbO.
5 doped with Ti, a tap waveguide 3 is provided adjacent to the waveguide 2, and an electrode E and a ground electrode GND are provided at the portion where the waveguide 2 and the tap waveguide 3 are coupled. It has a similar structure. Then, by applying a voltage to these electrodes E and the ground electrode GND and applying an electric field to the waveguides 2 and 3, a refractive index change is caused by the electro-optic effect, and the propagation constant of one of the waveguides is changed. .

この場合、隣接する導波路の結合係数(一方の導波路内
を伝播してい光信号が結合している他方の導波路に移る
割合)は、結合長または伝播常数の差に依存して変化す
る。したがって、光信号の波長、素子の寸法および電界
強度を適宜設定することにより、電界を印加しないとき
には結合係数がOとなり、電界を印加したときには小さ
な結合効率を持たせ、あるいはその逆に電界を印加した
ときには結合係数が0となるようにすることは容易に実
現できる。
In this case, the coupling coefficient of adjacent waveguides (the rate at which an optical signal propagating in one waveguide transfers to the other coupled waveguide) changes depending on the difference in coupling length or propagation constant. . Therefore, by appropriately setting the wavelength of the optical signal, the dimensions of the element, and the electric field strength, the coupling coefficient becomes O when no electric field is applied, and a small coupling efficiency when an electric field is applied, or vice versa. It is easy to realize that the coupling coefficient becomes 0 when this happens.

この第3実施例においては、情報の“1”0”に応じて
、電界を印加するか、あるいはしないかによって情報の
書き込みを行うことができる。屈折率は電界をかけると
変化するが、電界をかけるのをやめると元に戻る。従っ
てこの第3実施例では冑換え可能な光記憶装置が実現で
きる。情報の書き込みは全ビットを並列に、従って高速
に書き込むことが可能になる。情報の読み出し動作は第
1実施例と全く同じであり、高速アクセスが可能である
In this third embodiment, information can be written depending on whether an electric field is applied or not depending on whether the information is "1" or "0".The refractive index changes when an electric field is applied, but the electric field When the multiplication is stopped, it returns to the original state.Therefore, in this third embodiment, a removable optical storage device can be realized.Information can be written in all bits in parallel, so it is possible to write at high speed. The read operation is exactly the same as in the first embodiment, and high-speed access is possible.

なお、装置の構成、基本動作が略同様なので詳細は省略
するが、半導体の導波路を用いても上述した各実施例と
同様の構造で同様の装置を実現することができる。また
半導体ガイドを用いた場合は、モノリシックに駆動回路
などの周辺回路を構成することができる。
Note that since the configuration and basic operation of the device are substantially the same, the details will be omitted, but even if a semiconductor waveguide is used, a similar device can be realized with the same structure as each of the above-described embodiments. Furthermore, when a semiconductor guide is used, peripheral circuits such as a drive circuit can be configured monolithically.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、この発明によれば、従来のような
機械的走査を一切必要とせず、導波路内における光の伝
播速度に応じて決まる極めて高速なアクセスが可能な光
記憶装置を実現することができるという効果が得られる
As explained above, according to the present invention, it is possible to realize an optical storage device that does not require any conventional mechanical scanning and is capable of extremely high-speed access determined by the propagation speed of light within the waveguide. You can get the effect that you can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1実施例の構成を示すブロック図
、第2図はこの発明の第2実施例の構成を示すブロック
図、第3図はこの発明の第3実施例の要部の構成を示す
図である。 l・・・・・・光パルス発生器、 2・・・・・・導波路、 3・・・・・・タップ用導波路、 TIT!、・・・、Tn・・・・・・タップ、P 、、
P !、・・・、Pn・・・・・・アドレス位置、5.
15・・・・・・検出器、 E・・・・・・電極、GND・・・・−・・接地電極。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of this invention, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a second embodiment of this invention, and FIG. 3 is a main part of a third embodiment of this invention. FIG. 1... Optical pulse generator, 2... Waveguide, 3... Tap waveguide, TIT! ,..., Tn...Tap, P ,,
P! ,...,Pn...address position, 5.
15...Detector, E...Electrode, GND...--Grounding electrode.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光信号を導く導波路と、前記導波路の記憶すべき
情報に対応した各位置から、該導波路内を伝播する光信
号の一部を取り出すタップ用導波路と、前記導波路に極
短いパルス幅の光パルスを導入する光パルス発生手段と
、前記タップ用導波路で取り出された光信号を記憶情報
として検出する検出手段とを具備することを特徴とする
光記憶装置。
(1) A waveguide that guides an optical signal, a tap waveguide that extracts a part of the optical signal propagating within the waveguide from each position of the waveguide corresponding to information to be stored, and An optical storage device comprising: an optical pulse generating means for introducing an optical pulse with an extremely short pulse width; and a detecting means for detecting an optical signal taken out by the tap waveguide as stored information.
(2)前記導波路およびタップ用導波路を電気光学効果
の大きな材料によって構成すると共に、前記導波路と前
記タップ用導波路とが結合する部分に電極を設置し、こ
の電極に電圧を印加することによって、前記導波路と前
記タップ用導波路との間の結合効率を変化させることを
特徴とする請求項1記載の光記憶装置。
(2) The waveguide and the tap waveguide are constructed of a material with a large electro-optic effect, and an electrode is installed at a portion where the waveguide and the tap waveguide are coupled, and a voltage is applied to this electrode. 2. The optical storage device according to claim 1, wherein the coupling efficiency between the waveguide and the tap waveguide is changed by changing the coupling efficiency between the waveguide and the tap waveguide.
JP20263889A 1989-08-04 1989-08-04 Optical storage device Pending JPH0366098A (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61259235A (en) * 1985-05-14 1986-11-17 Nec Corp Optical shift register circuit
JPS62232625A (en) * 1986-04-02 1987-10-13 Nec Corp Detecting circuit for coincidence of optical digital signal

Patent Citations (2)

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