JPH0363823B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0363823B2 JPH0363823B2 JP20582184A JP20582184A JPH0363823B2 JP H0363823 B2 JPH0363823 B2 JP H0363823B2 JP 20582184 A JP20582184 A JP 20582184A JP 20582184 A JP20582184 A JP 20582184A JP H0363823 B2 JPH0363823 B2 JP H0363823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- heat conductive
- substrate
- rod
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4338—Pistons, e.g. spring-loaded members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はLSIパツケージ等の集積回路冷却構造
に関するものである。
に関するものである。
従来プリント配線板あるいはセラミツク基板等
に実装されたICを冷却する手段として使用され
てきた方法はICのケースあるいはケースに取り
付けられた放熱板（以下ヒートシンクと称す）に
フアンを用いて常温の空気、もしくは冷却装置に
よつて温度を下げた空気を吹きつける事によつて
実現して来た。しかしながらICから発散される
熱を機器の外部に運び出す冷媒としての空気は必
ずしも最良のものではない。なぜならば第１の理
由として、固体であるICのケース、もしくはヒ
ートシンクと空気の間の熱抵抗が大きく、この間
の温度差が大きくなつてしまい、ICの温度を下
げるためには冷媒としての空気の温度を下げなけ
ればならない。情報処理装置（以下装置と称す）
を例にとれば設置する部屋の空気の温度を下げる
ために大がかりな空気調和設備を必要としてい
た。
に実装されたICを冷却する手段として使用され
てきた方法はICのケースあるいはケースに取り
付けられた放熱板（以下ヒートシンクと称す）に
フアンを用いて常温の空気、もしくは冷却装置に
よつて温度を下げた空気を吹きつける事によつて
実現して来た。しかしながらICから発散される
熱を機器の外部に運び出す冷媒としての空気は必
ずしも最良のものではない。なぜならば第１の理
由として、固体であるICのケース、もしくはヒ
ートシンクと空気の間の熱抵抗が大きく、この間
の温度差が大きくなつてしまい、ICの温度を下
げるためには冷媒としての空気の温度を下げなけ
ればならない。情報処理装置（以下装置と称す）
を例にとれば設置する部屋の空気の温度を下げる
ために大がかりな空気調和設備を必要としてい
た。
次に第２の理由は、空気は熱容量が小さく、少
しの熱量で温度が上つてしまうので、装置内部か
ら大量の熱を運び出すためには、大量の空気を装
置に送り込まなければならない。しかしながら近
年、高性能情報処理装置においては、その処理速
度を高めるために高集積度化、高電力化による
ICの動作速度の向上、あるいは実装の高密度化
による信号の伝播遅延時間の縮小が図られてお
り、結果として発生熱量、発熱密度の増大を招い
ている。従つて従来技術で冷却するために装置を
設置する部屋に於ては高い冷却能力の空気調和設
備を必要とし、装置内部に於ては実装密度の向上
に起因する装置内の空気通路の減少をおぎなうた
めと大量の熱を装置外部へ排出するために高風
量、高吐出圧力の送風機を必要とする。この事は
装置から発生する送風騒音を異常に大きくするの
みでなく、大風量高風速の空気流を装置内部で均
等に分布させる事は非常に困難なためICの冷却
不足による温度上昇が生じ、装置の信頼性をも低
下させるといつた欠点があつた。
しの熱量で温度が上つてしまうので、装置内部か
ら大量の熱を運び出すためには、大量の空気を装
置に送り込まなければならない。しかしながら近
年、高性能情報処理装置においては、その処理速
度を高めるために高集積度化、高電力化による
ICの動作速度の向上、あるいは実装の高密度化
による信号の伝播遅延時間の縮小が図られてお
り、結果として発生熱量、発熱密度の増大を招い
ている。従つて従来技術で冷却するために装置を
設置する部屋に於ては高い冷却能力の空気調和設
備を必要とし、装置内部に於ては実装密度の向上
に起因する装置内の空気通路の減少をおぎなうた
めと大量の熱を装置外部へ排出するために高風
量、高吐出圧力の送風機を必要とする。この事は
装置から発生する送風騒音を異常に大きくするの
みでなく、大風量高風速の空気流を装置内部で均
等に分布させる事は非常に困難なためICの冷却
不足による温度上昇が生じ、装置の信頼性をも低
下させるといつた欠点があつた。
さらにこれらの欠点を解決すべく第５図に示す
様な液体を冷媒とした冷却構造が提案されてい
る。すなわち基板２０に実装された半導体チツプ
２１にはばね２５によつてピストン２３が押圧さ
れており、半導体チツプ２１で発生した熱はピス
トン２３→微少間隙２４→熱伝導板２６へと伝え
られ、熱伝導板２６は冷媒取入口２８から注入さ
れ排出口２９から排出される冷媒２７によつて冷
却されている。
様な液体を冷媒とした冷却構造が提案されてい
る。すなわち基板２０に実装された半導体チツプ
２１にはばね２５によつてピストン２３が押圧さ
れており、半導体チツプ２１で発生した熱はピス
トン２３→微少間隙２４→熱伝導板２６へと伝え
られ、熱伝導板２６は冷媒取入口２８から注入さ
れ排出口２９から排出される冷媒２７によつて冷
却されている。
しかしながら第５図に示す冷却構造にも重大な
欠点が存在する。それはまず第１に半導体チツプ
２１と金属製のピストン２３とが機械的に接触し
ているため、冷媒２７と半導体チツプ２１間が電
気的に絶縁できないことである。冷媒２７は熱交
換器等を経て圧縮機や冷媒送出ポンプのアースに
繋がつているが、このアースは非常にノイズが多
く冷媒２７に水以外の絶縁体を使用しない限り半
導体チツプ２１にとつては非常に危険な状態とな
る。第２にピストン２３がばね２５の弾性力で押
されているためピストン２３とばね２５で w0＝√なる振動系を形成する。
欠点が存在する。それはまず第１に半導体チツプ
２１と金属製のピストン２３とが機械的に接触し
ているため、冷媒２７と半導体チツプ２１間が電
気的に絶縁できないことである。冷媒２７は熱交
換器等を経て圧縮機や冷媒送出ポンプのアースに
繋がつているが、このアースは非常にノイズが多
く冷媒２７に水以外の絶縁体を使用しない限り半
導体チツプ２１にとつては非常に危険な状態とな
る。第２にピストン２３がばね２５の弾性力で押
されているためピストン２３とばね２５で w0＝√なる振動系を形成する。
ここでw0は共振角周波数、ｋはばね２５のば
ね定数、ｍはピストン２３の質量を示す。従つて
共振周波数成分を含む衝撃等の外力が加わつた場
合ピストン２３が振動して半導体チツプ２１を破
壊しかねない。第３に基板２０との接続用のはん
だ２２に常に圧力がかかるためクリープ変形を生
ずる。特に低温はんだを使用した場合に著しい。
ね定数、ｍはピストン２３の質量を示す。従つて
共振周波数成分を含む衝撃等の外力が加わつた場
合ピストン２３が振動して半導体チツプ２１を破
壊しかねない。第３に基板２０との接続用のはん
だ２２に常に圧力がかかるためクリープ変形を生
ずる。特に低温はんだを使用した場合に著しい。
本発明は、冷媒として用いられた空気がそれほ
ど効率の良いものでなく、そのため高い能力の空
気調和装置を必要としたり、あるいは半導体チツ
プとピストンとを機械的に接触させる例ではそれ
らを電気的に絶縁できない等の諸種の従来の問題
点を解決し、半導体チツプから発生する熱を半導
体チツプもしくはそのケースに固体を接触させる
ことなく、かつ冷媒として効率の悪い空気を介在
させることなく、効率良く、装置外部に排出する
熱抵抗の小さい冷却構造とするものである。
ど効率の良いものでなく、そのため高い能力の空
気調和装置を必要としたり、あるいは半導体チツ
プとピストンとを機械的に接触させる例ではそれ
らを電気的に絶縁できない等の諸種の従来の問題
点を解決し、半導体チツプから発生する熱を半導
体チツプもしくはそのケースに固体を接触させる
ことなく、かつ冷媒として効率の悪い空気を介在
させることなく、効率良く、装置外部に排出する
熱抵抗の小さい冷却構造とするものである。
本発明の集積回路冷却構造は、基板と、該基板
上に実装された集積回路と、該集積回路と微小な
間隙をへだてて対向する底面及び前記基板に対し
垂直方向に穿たれためねじ部をもつ円すい型熱伝
導棒と、前記基板に対し垂直方向に摺動可能なす
べり対偶の一機素となる中心に前記熱伝導棒と摺
動可能な円すい穴を有し且つ前記熱伝導棒の軸心
を通り前記めねじ方向と平行に穿たれた切込み部
を有する円筒型熱伝導棒と、該熱伝導棒の円筒面
とですべり対偶を形成する穴を有する熱伝導板
と、前記熱伝導棒のめねじ部に挿入されたおねじ
とからなるものとすることにより、上記従来の問
題点を解決している。
上に実装された集積回路と、該集積回路と微小な
間隙をへだてて対向する底面及び前記基板に対し
垂直方向に穿たれためねじ部をもつ円すい型熱伝
導棒と、前記基板に対し垂直方向に摺動可能なす
べり対偶の一機素となる中心に前記熱伝導棒と摺
動可能な円すい穴を有し且つ前記熱伝導棒の軸心
を通り前記めねじ方向と平行に穿たれた切込み部
を有する円筒型熱伝導棒と、該熱伝導棒の円筒面
とですべり対偶を形成する穴を有する熱伝導板
と、前記熱伝導棒のめねじ部に挿入されたおねじ
とからなるものとすることにより、上記従来の問
題点を解決している。
次に本発明の一実施例について第１図〜第４図
を参照して詳細に説明する。第１図に本発明の一
実施例を断面図で示す。
を参照して詳細に説明する。第１図に本発明の一
実施例を断面図で示す。
第１図を参照すると基板１２に実装された集積
回路１１に微小間隙１４を隔てて熱伝導棒１の底
面が対向している。
回路１１に微小間隙１４を隔てて熱伝導棒１の底
面が対向している。
本発明において冷却能力を決定する最大の要因
は微小間隙１４の厚みでありこれを薄くする事が
最も重要な課題となる。ところが一般に集積回路
１１は接続用のはんだ１３によつて基板１２に取
り付けられるためはんだの厚みが大きくぱらつき
その範囲は100μｍを超えるのが通常であり微小
間隙１４もこの値以下にすることは不可能であ
る。
は微小間隙１４の厚みでありこれを薄くする事が
最も重要な課題となる。ところが一般に集積回路
１１は接続用のはんだ１３によつて基板１２に取
り付けられるためはんだの厚みが大きくぱらつき
その範囲は100μｍを超えるのが通常であり微小
間隙１４もこの値以下にすることは不可能であ
る。
そこで本発明においては基板１１に集積回路１
２をはんだ付けした後１１の上に極薄膜等のスペ
ーサをのせ基板枠１８と熱伝導板１７をねじ１９
にて固定し熱伝導棒１，２を挿入して１１上のス
ペーサに押し付けたままで熱伝導棒１のめねじ部
７に挿入されているおねじ１６を締めつける事に
よつて円筒型熱伝導棒２を熱伝導板１７に固定し
た後基板固定ねじ１９をはずして熱伝導板１７と
基板枠１８を分離し前述のスペーサを取り去り再
度組み立てる事によつてスペーサの厚みと同じ微
小間隙を実現する事が可能となる。
２をはんだ付けした後１１の上に極薄膜等のスペ
ーサをのせ基板枠１８と熱伝導板１７をねじ１９
にて固定し熱伝導棒１，２を挿入して１１上のス
ペーサに押し付けたままで熱伝導棒１のめねじ部
７に挿入されているおねじ１６を締めつける事に
よつて円筒型熱伝導棒２を熱伝導板１７に固定し
た後基板固定ねじ１９をはずして熱伝導板１７と
基板枠１８を分離し前述のスペーサを取り去り再
度組み立てる事によつてスペーサの厚みと同じ微
小間隙を実現する事が可能となる。
ここで熱伝導棒２が熱伝導板１７に固定される
メカニズムについて詳述する。第２図はおねじ１
６を取り去つた状態での熱伝導棒１本を構成する
要素を拡大した図であり、前記集積回路１１と対
向する底面３及び中心にめねじ部７を有する円す
い型熱伝導棒１と円筒状で内部に前記熱伝導棒１
が摺動する円すい穴８を有し中心を通る切溝９が
切られ、わずかに切り残し部がある円筒型熱伝伝
導棒２とから構成される。
メカニズムについて詳述する。第２図はおねじ１
６を取り去つた状態での熱伝導棒１本を構成する
要素を拡大した図であり、前記集積回路１１と対
向する底面３及び中心にめねじ部７を有する円す
い型熱伝導棒１と円筒状で内部に前記熱伝導棒１
が摺動する円すい穴８を有し中心を通る切溝９が
切られ、わずかに切り残し部がある円筒型熱伝伝
導棒２とから構成される。
さらに熱伝導棒１，２を組み合せめねじ７にお
ねじ１６を挿入した状態での熱伝導棒２の挙動を
示した図が第３図であり、第３図で示す様におね
じとめねじの嵌合で熱伝導棒２が熱伝導棒１の円
すい軸を摺動しながら押し下げられてゆき、円す
い軸壁面に密着固定され、締付けを完了すると第
４図に示す様に面が接触し、接触圧力５が発生す
る。この接触圧力５の半径方向成分４が熱伝導棒
２の切り溝９の厚みを拡げる方向に作用するため
熱伝導棒２の円筒面と熱伝導板１７の穴の内面と
で圧力を生じ摩擦によつて固定されることにな
る。
ねじ１６を挿入した状態での熱伝導棒２の挙動を
示した図が第３図であり、第３図で示す様におね
じとめねじの嵌合で熱伝導棒２が熱伝導棒１の円
すい軸を摺動しながら押し下げられてゆき、円す
い軸壁面に密着固定され、締付けを完了すると第
４図に示す様に面が接触し、接触圧力５が発生す
る。この接触圧力５の半径方向成分４が熱伝導棒
２の切り溝９の厚みを拡げる方向に作用するため
熱伝導棒２の円筒面と熱伝導板１７の穴の内面と
で圧力を生じ摩擦によつて固定されることにな
る。
第１図に戻つてさらに本実施例では前述の手段
で全ての集積回路に対して微小間隙１４を設定し
た後、熱伝導板１７の上面に水冷ジヤケツト２０
を固定し水冷ジヤケツト内に水３０を流して冷却
することによつて集積回路１１に対して電気的に
微小間隙１４を隔てて水とは絶縁された、かつ振
動系を含まない機械的に安全な低熱抵抗の冷却構
造を実現することができる。
で全ての集積回路に対して微小間隙１４を設定し
た後、熱伝導板１７の上面に水冷ジヤケツト２０
を固定し水冷ジヤケツト内に水３０を流して冷却
することによつて集積回路１１に対して電気的に
微小間隙１４を隔てて水とは絶縁された、かつ振
動系を含まない機械的に安全な低熱抵抗の冷却構
造を実現することができる。
また微小間隙１４に電気絶縁性の熱伝導性充て
ん剤を充てんすればさらに熱抵抗の低い冷却構造
を実現する事も可能である。
ん剤を充てんすればさらに熱抵抗の低い冷却構造
を実現する事も可能である。
本発明の集積回路冷却構造は、基板と、該基板
上に実装された集積回路と、該集積回路と微小な
間隙をへだてて対向する底面及び前記基板に対し
垂直方向に穿たれためねじ部をもつ円すい型熱伝
導棒と、前記基板に対し垂直方向に摺動可能なす
べり対偶の一機素となる中心に前記熱伝導棒と摺
動可能な円すい穴を有し且つ前記熱伝導棒の軸心
を通り前記めねじ方向と平行に穿たれた切込み部
を有する円筒型熱伝導棒と、該熱伝導棒の円筒面
とですべり対偶を形成する穴を有する熱伝導板
と、前記熱伝導棒のめねじ部に挿入されたおねじ
とからなるものとしたため、冷媒として効率の悪
い空気を介在させることなく、しかも半導体チツ
プ等に固体を接触させることなく、半導体チツプ
から生じる熱を効率良く装置外部に排出でき、熱
抵抗の小さい冷却構造を提供することができると
いう効果がある。
上に実装された集積回路と、該集積回路と微小な
間隙をへだてて対向する底面及び前記基板に対し
垂直方向に穿たれためねじ部をもつ円すい型熱伝
導棒と、前記基板に対し垂直方向に摺動可能なす
べり対偶の一機素となる中心に前記熱伝導棒と摺
動可能な円すい穴を有し且つ前記熱伝導棒の軸心
を通り前記めねじ方向と平行に穿たれた切込み部
を有する円筒型熱伝導棒と、該熱伝導棒の円筒面
とですべり対偶を形成する穴を有する熱伝導板
と、前記熱伝導棒のめねじ部に挿入されたおねじ
とからなるものとしたため、冷媒として効率の悪
い空気を介在させることなく、しかも半導体チツ
プ等に固体を接触させることなく、半導体チツプ
から生じる熱を効率良く装置外部に排出でき、熱
抵抗の小さい冷却構造を提供することができると
いう効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第
２図イ，ロは、各々円すい型及び円筒型熱伝導棒
の平面及び側面の構成図、第３図は、円筒型熱伝
導棒１の挙動を示す説明図、第４図は、熱伝導棒
におねじを挿入した時の円すい斜面に働く力を示
す説明図、そして、第５図は、従来技術の冷却構
造を示す断面図である。 １……円すい型熱伝導棒、２……円筒型熱伝導
棒、７……めねじ部、８……円すい穴、９……切
り溝、１１……集積回路、１２……基板、１６…
…おねじ、１７……熱伝導板。
２図イ，ロは、各々円すい型及び円筒型熱伝導棒
の平面及び側面の構成図、第３図は、円筒型熱伝
導棒１の挙動を示す説明図、第４図は、熱伝導棒
におねじを挿入した時の円すい斜面に働く力を示
す説明図、そして、第５図は、従来技術の冷却構
造を示す断面図である。 １……円すい型熱伝導棒、２……円筒型熱伝導
棒、７……めねじ部、８……円すい穴、９……切
り溝、１１……集積回路、１２……基板、１６…
…おねじ、１７……熱伝導板。
Claims (1)
- １ 基板と、該基板上に実装された集積回路と、
該集積回路と微小な間隙をへだてて対向する底面
及び前記基板に対し垂直方向に穿たれためねじ部
をもつ円すい型熱伝導棒と、前記基板に対し垂直
方向に摺動可能なすべり対偶の一機素となる中心
に前記熱伝導棒と摺動可能な円すい穴を有し且つ
前記熱伝導棒の軸心を通り前記めねじ方向と平行
に穿たれた切込み部を有する円筒型熱伝導棒と、
該熱伝導棒の円筒面とですべり対偶を形成する穴
を有する熱伝導板と、前記熱伝導棒のめねじ部に
挿入されたおねじとからなる集積回路冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20582184A JPS6184044A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 集積回路冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20582184A JPS6184044A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 集積回路冷却構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184044A JPS6184044A (ja) | 1986-04-28 |
| JPH0363823B2 true JPH0363823B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=16513257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20582184A Granted JPS6184044A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 集積回路冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184044A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH063831B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1994-01-12 | 株式会社日立製作所 | 冷却装置及びそれを用いた半導体装置 |
| US5161089A (en) * | 1990-06-04 | 1992-11-03 | International Business Machines Corporation | Enhanced multichip module cooling with thermally optimized pistons and closely coupled convective cooling channels, and methods of manufacturing the same |
| EP2811515A1 (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-10 | Alcatel Lucent | Thermal connector and heat distribution device for a thermal connector |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP20582184A patent/JPS6184044A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184044A (ja) | 1986-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7209354B2 (en) | Ball grid array package with heat sink device | |
| US4685211A (en) | Method of producing a cooled electronic assembly | |
| US6807061B1 (en) | Stack up assembly | |
| US4697205A (en) | Heat pipe | |
| US6870736B2 (en) | Heat sink and package surface design | |
| US5966286A (en) | Cooling system for thin profile electronic and computer devices | |
| JP2926537B2 (ja) | マルチチップモジュ−ルの冷却装置 | |
| JPH07106477A (ja) | 熱伝導板付きヒートシンクアセンブリ | |
| JPS60126853A (ja) | 半導体デバイス冷却装置 | |
| JPH07106475A (ja) | ヒートシンク・アセンブリ | |
| EP0001153B1 (en) | Cooling heat generating electrical components in an electrical apparatus | |
| US6667885B2 (en) | Attachment of a single heat dissipation device to multiple components with vibration isolation | |
| US7254033B2 (en) | Method and apparatus for heat dissipation | |
| US10522442B2 (en) | Dissipating heat from an electronic device in a protective housing | |
| US7842553B2 (en) | Cooling micro-channels | |
| JPS6132819B2 (ja) | ||
| JPH0363823B2 (ja) | ||
| JPH0352222B2 (ja) | ||
| JPS59130450A (ja) | Ｉｃパツケ−ジの冷却構造 | |
| US20030112602A1 (en) | Structure and designing method of composite heat-dissipating structure | |
| JPS6136958A (ja) | 集積回路冷却構造 | |
| JPS6184045A (ja) | 集積回路冷却構造 | |
| US20080266786A1 (en) | Method and apparatus for heat dissipation | |
| KR930004251B1 (ko) | 전력 반도체 패키지 | |
| JP3395409B2 (ja) | 半導体モジュール |