JPH0357632B2 - - Google Patents
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- JPH0357632B2 JPH0357632B2 JP18552688A JP18552688A JPH0357632B2 JP H0357632 B2 JPH0357632 B2 JP H0357632B2 JP 18552688 A JP18552688 A JP 18552688A JP 18552688 A JP18552688 A JP 18552688A JP H0357632 B2 JPH0357632 B2 JP H0357632B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はエキシマガスレーザ発振装置に関す
る。Detailed Description of the Invention [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an excimer gas laser oscillation device.
（従来の技術）
ガスレーザ発振装置には、例えば希ガスハイラ
ンドエキシマレーザ発振装置やCO2レーザ発振装
置があるが、これらレーザ発振装置に使用される
ガスレーザ媒質は一般に数種類のガス組成からな
りレーザ発振の毎にその組成が変化する。例え
ば、Xe；１％以下、HCl；0.2％以下、残りをHe
又はNeとした混合ガスをレーザ媒質としたXeCl
エキシマレーザ発振装置のようにガスレーザ媒質
にハロゲンドナーを１つの組成として使用してい
るものでは、レーザ発振の毎にハロゲンドナーの
濃度が低下する。このように濃度が低下して例え
ば第４図に示すように0.1％以下になると、レー
ザ発振出力は急激に低下する。従つて、XeClエ
キシマレーザ発振装置等では、ハロゲンドナー濃
度の変化によるレーザ出力変動への影響を少なく
するため、ハロゲンドナー濃度が常に所定値とな
るように制御が行われている。(Prior art) Gas laser oscillation devices include, for example, a rare gas highland excimer laser oscillation device and a CO 2 laser oscillation device, but the gas laser medium used in these laser oscillation devices generally has several types of gas composition and is used for laser oscillation. Its composition changes each time. For example, Xe: 1% or less, HCl: 0.2% or less, and the rest is He.
Or XeCl using a mixed gas with Ne as the laser medium
In an excimer laser oscillation device that uses a halogen donor as one component in the gas laser medium, the concentration of the halogen donor decreases each time the laser oscillates. When the concentration decreases to 0.1% or less, for example, as shown in FIG. 4, the laser oscillation output sharply decreases. Therefore, in XeCl excimer laser oscillation devices and the like, control is performed so that the halogen donor concentration always remains at a predetermined value in order to reduce the influence of changes in the halogen donor concentration on laser output fluctuations.
そこで、このハロゲンドナー濃度の変化による
出力変動を制御する方法として一定量ハロゲン注
入法及び注入エネルギー増加法が行われている。
第５図は一定量ハロゲン注入法を適用したエキシ
マレーザ発振装置の構成図であつて、エキシマレ
ーザ発振器１にはハロゲン注入弁２を介してハロ
ゲンガスボボンベ３が接続されている。又、レー
ザ発振する毎にカウントを行なう動作シヨツト数
カウンタ４が設けられ、このカウント値が注入コ
ントローラ５に送出されている。そして、この注
入コントローラ４は動作シヨツト数が所定数に達
するとハロゲン注入弁２に開の操作信号を送出し
て一定量のハロゲンドナーをエキシマレーザ発振
器１に供給する機能を有している。なお、６はエ
キシマレーザ発振器１の各主放電電極間に高電圧
を印加する高圧電源である。しかるに、ハロゲン
ドナーが供給されない状態には第６図に示すよう
にレーザ発振の毎にハロゲンドナー濃度が次第に
低下するとともにレーザ出力が次第に低下する。
そうして、動作シヨツト数が所定値に達すると、
ハロゲン注入弁２が開かれてハロゲンドナーがエ
キシマレーザ発振器１に供給される。しかるに、
このときハロゲンドナーの濃度が高くなるととも
にレーザ出力も大きくなる。 Therefore, as a method of controlling output fluctuations due to changes in the halogen donor concentration, a fixed amount halogen injection method and an injection energy increasing method are used.
FIG. 5 is a block diagram of an excimer laser oscillator to which a fixed amount halogen injection method is applied, and a halogen gas cylinder 3 is connected to the excimer laser oscillator 1 via a halogen injection valve 2. Further, an operation shot number counter 4 is provided which counts each time the laser oscillates, and this count value is sent to the injection controller 5. The injection controller 4 has a function of supplying a fixed amount of halogen donor to the excimer laser oscillator 1 by sending an opening operation signal to the halogen injection valve 2 when the number of operating shots reaches a predetermined number. Note that 6 is a high voltage power supply that applies a high voltage between each main discharge electrode of the excimer laser oscillator 1. However, when the halogen donor is not supplied, the halogen donor concentration gradually decreases and the laser output gradually decreases each time the laser oscillates, as shown in FIG.
Then, when the number of operating shots reaches a predetermined value,
The halogen injection valve 2 is opened and halogen donor is supplied to the excimer laser oscillator 1. However,
At this time, as the concentration of the halogen donor increases, the laser output also increases.
又、第７図は注入エネルギー増加法を適用した
エキシマレーザ発振装置の構成図であつて、注入
コントローラ７は動作シヨツト数カウンタ４のカ
ウント値増加に応じて高圧電源６から各主放電電
極間に印加する電圧レベルを高く制御する機能を
有している。つまり、第８図に示すように動作シ
ヨツト数の増加とともに各主放電電極間に印加す
る電圧レベルつまり注入エネルギーが増加して、
レーザ出力が一定となるようにしている。 FIG. 7 is a block diagram of an excimer laser oscillation device to which the injection energy increasing method is applied, in which the injection controller 7 generates a signal from the high voltage power source 6 between each main discharge electrode in response to an increase in the count value of the operating shot number counter 4. It has a function of highly controlling the applied voltage level. In other words, as shown in FIG. 8, as the number of operating shots increases, the voltage level applied between each main discharge electrode, that is, the injection energy increases.
The laser output is kept constant.
しかしながら、上記各方法では次のような問題
がある。先ず、一定量ハロゲン注入法ではハロゲ
ンドナーが間欠的に供給されるために第６図に示
すようにハロゲンドナー濃度がある範囲内で上下
し、このためレーザ出力は変動して不安定となつ
ている。さらに、この方法では各毎に注入される
ハロゲンドナー量が経験によつて定められている
ので、レーザ出力を大きく変化させる場合等の動
作条件の大きな変化に対しては対応できない。と
りわけ、この方法では直接ハロゲンドナー濃度を
検出していないので、ハロゲンドナー濃度制御に
対する信頼性は低い。 However, each of the above methods has the following problems. First, in the fixed amount halogen injection method, the halogen donor is supplied intermittently, so the halogen donor concentration fluctuates within a certain range, as shown in Figure 6, and as a result, the laser output fluctuates and becomes unstable. There is. Furthermore, in this method, the amount of halogen donor to be injected for each injection is determined by experience, so it cannot cope with large changes in operating conditions, such as when the laser output is changed significantly. In particular, since this method does not directly detect the halogen donor concentration, the reliability of controlling the halogen donor concentration is low.
又、注入エネルギー増加法は強制的に各主放電
電極間に印加する電圧レベルを高くするので、最
適な動作条件でレーザ光を発振させるものとはな
つていない。従つて、レーザ発振の回数が増加す
るにともなつて印加される電圧が高くなり、これ
によつてレーザ発振装置の寿命が短くなるととも
に安定性及び信頼性が低下し、そのうえレーザ発
振の効率も低下する。 Furthermore, since the injection energy increasing method forcibly increases the voltage level applied between each main discharge electrode, it is not possible to oscillate laser light under optimal operating conditions. Therefore, as the number of laser oscillations increases, the applied voltage increases, which shortens the life of the laser oscillation device, reduces stability and reliability, and also reduces the efficiency of laser oscillation. descend.
なお、実際には上記各方法を組み合せてハロゲ
ンドナー濃度やレーザ出力の制御が行われている
が、たとえ組み合せたとしても上記各問題が生じ
る。 Note that, in practice, the halogen donor concentration and laser output are controlled by combining the above methods, but even if they are combined, the above problems still occur.
（発明が解決しようとする課題）
以上のようにハロゲントナー濃度つまりガスレ
ーザ媒質の組成又はレーザ出力を一定に制御する
方法が行われているが、上記の如くハロゲンドナ
ー濃度を常に所定値に制御できるものでなく、又
レーザ発振装置の寿命や安定性、信頼性を低下さ
せるものであつた。(Problem to be Solved by the Invention) As described above, methods have been used to control the halogen toner concentration, that is, the composition of the gas laser medium or the laser output, to a constant value, but as described above, the halogen donor concentration can always be controlled to a predetermined value. Moreover, the life span, stability, and reliability of the laser oscillation device were reduced.
そこで本発明は、ガスレーザ媒質の組成比が常
に所定値となるように制御できる高安定性で高信
頼性のエキシマガスレーザ発振装置を提供するこ
とを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a highly stable and reliable excimer gas laser oscillation device that can control the composition ratio of a gas laser medium to always be at a predetermined value.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、ガスレーザ管内にエキシマガスレー
ザ媒質を封入しガスレーザ管内に対向配置した各
主放電電極間に主放電を発生させてレーザ発振す
るガスレーザ発振装置において、ガスレーザ媒質
を組成するハロゲンドナーの光吸収帯域における
波長の光をガスレーザ管内に照射する発光素子
と、この発光素子で照射された光を受光して受光
量に応じた電気信号に変換する受光素子と、この
受光素子からの電気信号を受けてガスレーザ管内
におけるハロゲンドナーの濃度が所定値となるよ
うにこのハロゲンドナーのガスレーザ管への供給
量を制御するガス供給制御手段とを備えて上記目
的を達成しようとするエキシマガスレーザ発振装
置である。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides a gas laser oscillation system in which an excimer gas laser medium is sealed in a gas laser tube and a main discharge is generated between main discharge electrodes disposed facing each other in the gas laser tube to oscillate a laser. The device includes a light emitting element that irradiates the inside of the gas laser tube with light of a wavelength in the optical absorption band of the halogen donor that composes the gas laser medium, and a light emitting element that receives the irradiated light and converts it into an electrical signal according to the amount of light received. The above-mentioned device comprises a light receiving element and a gas supply control means for receiving an electric signal from the light receiving element and controlling the amount of halogen donor supplied to the gas laser tube so that the concentration of the halogen donor in the gas laser tube becomes a predetermined value. This is an excimer gas laser oscillation device that aims to achieve this goal.
（作用）
このような手段を備えたことにより、発光素子
からエキシマガスレーザ媒質を組成するハロゲン
ドナーの光吸収帯域における波長の光が照射さ
れ、この光が受光素子で受光されて受光量に応じ
た電気信号に変換される。そして、この受光素子
からの電気信号を受けてガス供給制御手段はガス
レーザ管内におけるハロゲンドナーの濃度が所定
値となるようにこのハロゲンドナーのガスレーザ
管への供給量を制御する。(Function) By providing such a means, light having a wavelength in the light absorption band of the halogen donor that composes the excimer gas laser medium is emitted from the light emitting element, and this light is received by the light receiving element and is adjusted according to the amount of light received. converted into an electrical signal. Then, in response to the electric signal from the light receiving element, the gas supply control means controls the amount of halogen donor supplied to the gas laser tube so that the concentration of the halogen donor within the gas laser tube becomes a predetermined value.
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図はエキシマガスレーザ発振装置の全体構
成図であつて、ガスレーザ管１０の内部にはガス
レーザ媒質としてハロゲンドナーを組成の一部と
するエキシマが封入されている。さらに、このガ
スレーザ管１０の内部にはそれぞれ対向配置され
た各主放電電極１１，１２が設けられ、かつこれ
ら各主放電電極１１，１２の長手方向の各端部側
にはそれぞれ光共振器を構成する全反射ミラー１
３及び出力ミラー１４が設けられている。なお、
各主放電電極１１，１２の間には高圧電源１５が
接続されて、直流高電圧＋HVが印加されるよう
になつている。又、このガスレーザ管１０にはハ
ロゲン注入弁１６を介してハロゲンガスボンベ１
７が接続されている。 FIG. 1 is an overall configuration diagram of an excimer gas laser oscillation device, in which an excimer having a halogen donor as a part of its composition is sealed inside a gas laser tube 10 as a gas laser medium. Furthermore, main discharge electrodes 11 and 12 are provided inside the gas laser tube 10 and are arranged opposite each other, and an optical resonator is provided at each end of each of the main discharge electrodes 11 and 12 in the longitudinal direction. Total reflection mirror 1
3 and an output mirror 14 are provided. In addition,
A high-voltage power supply 15 is connected between each main discharge electrode 11 and 12 to apply a DC high voltage +HV. Further, a halogen gas cylinder 1 is connected to the gas laser tube 10 via a halogen injection valve 16.
7 is connected.
さて、このガスレーザ管１０の長手方向の一端
側には発光素子としてのダイオードレーザ２０が
設けられてダイオードレーザコントローラ２１に
よつて発光制御されるようになつている。そし
て、このダイオードレザー２０はその発光波長が
ハロゲンドナーの光吸収帯域における波長、
XeClエキシマレーザのようにハロゲンドナーと
してHClを用いる場合、波数5664〜8347cm-1に設
定されている。又、ガスレーザ管１０の長手方向
の他端側つまりダイオードレーザ２０の対向位置
には受光素子としてのPbs半導体セル２２が設け
られている。このPbs半導体セル２２はダイオー
ドレーザ２０から放射されエキシマ雰囲気中を進
行してきたダイオードレーザ光を受光し、この受
光量に応じた電圧レベルの電気信号を出力するも
のである。そして、この電気信号は濃度コントロ
ーラ２３に送られるようになつている。この濃度
コントローラ２３はPbs半導体セル２２からの電
気信号を受けてその電圧レベルから現在のハロゲ
ンドナー濃度を求め、この濃度と基準濃度とを比
較してハロゲンドナー濃度が基準濃度となるよう
な開度の操作信号を逐次ハロゲン注入弁１６に送
出する機能を有している。 A diode laser 20 as a light emitting element is provided at one end of the gas laser tube 10 in the longitudinal direction, and its light emission is controlled by a diode laser controller 21. The diode laser 20 has an emission wavelength in the light absorption band of the halogen donor.
When HCl is used as a halogen donor like a XeCl excimer laser, the wave number is set to 5664 to 8347 cm -1 . A Pbs semiconductor cell 22 as a light receiving element is provided at the other end of the gas laser tube 10 in the longitudinal direction, that is, at a position facing the diode laser 20. This Pbs semiconductor cell 22 receives diode laser light emitted from the diode laser 20 and traveling through the excimer atmosphere, and outputs an electrical signal of a voltage level corresponding to the amount of received light. This electrical signal is then sent to the concentration controller 23. This concentration controller 23 receives an electric signal from the Pbs semiconductor cell 22, determines the current halogen donor concentration from the voltage level, compares this concentration with a reference concentration, and determines the opening degree so that the halogen donor concentration becomes the reference concentration. It has a function of sequentially sending operation signals to the halogen injection valve 16.
次に上記の如く構成された装置の作用について
説明する。 Next, the operation of the apparatus configured as described above will be explained.
各主放電電極１１，１２の間に高圧電源１５か
ら高電圧が印加されてこれら主放電電極１１，１
２の間に主放電が発生すると、全反射ミラー１３
と出力ミラー１４との間に光共振が発生して出力
ミラー１４からレーザ光が出力される。このよう
にしてレーザ光が発振されると第４図に示すよう
にハロゲンドナーの濃度が次第に低下し、これと
ともにレーザ出力が小さくなる。 A high voltage is applied between each main discharge electrode 11, 12 from a high voltage power supply 15, and these main discharge electrodes 11, 1
When the main discharge occurs between 2 and 2, the total reflection mirror 13
Optical resonance occurs between the output mirror 14 and the output mirror 14, and a laser beam is output from the output mirror 14. When the laser beam is oscillated in this manner, the concentration of the halogen donor gradually decreases as shown in FIG. 4, and the laser output decreases accordingly.
ところが、本装置ではダイオードレーザコント
ローラ２１によつてダイオードレーザ２０はハロ
ゲンの光吸収帯域と同一波長の光を常に発光して
いる。しかるに、このダイオードレーザ光はガス
レーザ媒質中を通過してPbs半導体セル２２に到
達する。従つて、ダイオードレーザ光はガスレー
ザ媒質中を通過する間にハロゲンドナーの濃度に
応じてその一部が吸収される。しかるに、Pbs半
導体セル２２はダイオードレーザ光を受光し、そ
の受光量に応じた電圧レベルの電気信号を出力す
る。この電気信号は濃度コントローラ２３に送ら
れ、この濃度コントローラ２３は電気信号の電圧
レベルからハロゲンドナー濃度を求めて基準濃度
と比較し、ハロゲンドナー濃度が基準濃度となる
ような開度の操作信号を作成してハロゲン注入弁
１６に送出する。この結果、ガスレーザ媒質を組
成するハロゲンドナーの濃度は常に所定値に制御
される。第２図は以上のようなハロゲンドナー濃
度制御を行なつた場合のハロゲンドナー濃度とレ
ーザ出力とを示す図であつて、ハロゲンドナー濃
度は常に一定で、そのときのレーザ出力は動作シ
ヨツト数が105以上となつてもほぼ一定となつて
いる。又、レーザ発振の効率を見ると、第３図に
示すように本装置は一定量ハロゲン注入法及び注
入エネルギ増加法と比較して高効率であることが
分かる。 However, in this device, the diode laser controller 21 causes the diode laser 20 to always emit light of the same wavelength as the light absorption band of halogen. However, this diode laser light passes through the gas laser medium and reaches the Pbs semiconductor cell 22. Therefore, while the diode laser light passes through the gas laser medium, a portion of the diode laser light is absorbed depending on the concentration of the halogen donor. However, the Pbs semiconductor cell 22 receives the diode laser light and outputs an electrical signal with a voltage level corresponding to the amount of the received light. This electric signal is sent to the concentration controller 23, which determines the halogen donor concentration from the voltage level of the electric signal, compares it with the reference concentration, and sends an operation signal for the opening such that the halogen donor concentration becomes the reference concentration. It is prepared and sent to the halogen injection valve 16. As a result, the concentration of the halogen donor constituting the gas laser medium is always controlled to a predetermined value. Figure 2 shows the halogen donor concentration and laser output when the halogen donor concentration is controlled as described above.The halogen donor concentration is always constant, and the laser output at that time varies depending on the number of operating shots. It remains almost constant even when the value exceeds 105 . Furthermore, when looking at the efficiency of laser oscillation, as shown in FIG. 3, it can be seen that the present apparatus is highly efficient compared to the fixed amount halogen injection method and the injection energy increasing method.
このように上記一実施例においては、ダイオー
ドレーザ２０からガスレーザ媒質を組成するハロ
ゲンドナーの光吸収帯域における波長の光を照射
してこの光をPbs半導体セル２２で受光し、この
受光量に応じて濃度コントーラ２３によつてハロ
ゲンドナーのガスレーザ管１０への供給量を制御
する構成としたので、常にハロゲンドナー濃度を
モニタできて濃度が低下した場合、この低下した
ときにハロゲンドナーを供給してハロゲンドナー
濃度を所定値に保てる。従つて、レーザ出力はレ
ーザ発振の回数に関係無く常に安定した状態にで
きる。又、ハロゲン濃度の測定はダイオードレー
ザ２０により放射される光を用いるので、測定に
よるガスレーザ管１０内へのガス汚染等の影響を
与えることが無く、逆にガスレーザ媒質によるハ
ロゲン濃度測定装置（センサ）の腐蝕等のトラブ
ル防止も簡単にできる。 In this way, in the above embodiment, the diode laser 20 irradiates light with a wavelength in the optical absorption band of the halogen donor that composes the gas laser medium, and this light is received by the Pbs semiconductor cell 22, and depending on the amount of light received. Since the concentration controller 23 is configured to control the amount of halogen donor supplied to the gas laser tube 10, the halogen donor concentration can be constantly monitored, and when the concentration decreases, halogen donor is supplied to remove the halogen. Donor concentration can be maintained at a predetermined value. Therefore, the laser output can always be kept stable regardless of the number of laser oscillations. Furthermore, since the halogen concentration is measured using the light emitted by the diode laser 20, the measurement does not affect the inside of the gas laser tube 10, such as gas contamination. You can easily prevent problems such as corrosion.
［発明の効果］
以上詳記したように本発明によれば、エキシマ
ガスレーザ媒質の組成比が常に所定値となるよう
に制御できる高安定性で高信頼性のエキシマガス
レーザ発振装置を提供できる。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, it is possible to provide a highly stable and highly reliable excimer gas laser oscillation device that can control the composition ratio of the excimer gas laser medium to always be at a predetermined value.
第１図乃至第３図は本発明に係わるエキシマガ
スレーザ発振装置の一実施例を説明するための図
であつて、第１図は全体構成図、第２図は動作シ
ヨツト数に対するハロゲンドナー濃度及びレーザ
出力を示す図、第３図は動作シヨツト数に対する
効率を示す図、第４図はハロゲンドナー濃度に対
するレーザ出力を示す図、第５図乃至第８図は従
来技術を説明するための図である。
１０……ガスレーザ管、１１，１２……主放電
電極、１３……全反射ミラー、１４……出力ミラ
ー、１５……高圧電源、１６……ハロゲン注入
弁、１７……ハロゲンガスボンベ、２０……ダイ
オードレーザ、２１……ダイオードレーザコント
ローラ、２２……Pbs半導体セル、２３……濃度
コントローラ。
1 to 3 are diagrams for explaining one embodiment of an excimer gas laser oscillation device according to the present invention, in which FIG. 1 is an overall configuration diagram, and FIG. 2 is a diagram showing the halogen donor concentration and the number of operating shots. FIG. 3 is a diagram showing the laser output, FIG. 3 is a diagram showing the efficiency with respect to the number of operating shots, FIG. 4 is a diagram showing the laser output with respect to the halogen donor concentration, and FIGS. 5 to 8 are diagrams for explaining the conventional technology. be. 10... Gas laser tube, 11, 12... Main discharge electrode, 13... Total reflection mirror, 14... Output mirror, 15... High voltage power supply, 16... Halogen injection valve, 17... Halogen gas cylinder, 20... Diode laser, 21... diode laser controller, 22... Pbs semiconductor cell, 23... concentration controller.
Claims (1)
封入し前記ガスレーザ管内に対向配置した各主放
電電極間に主放電を発生させてレーザ発振するエ
キシマガスレーザ発振装置において、前記ガスレ
ーザ媒質を組成するハロゲンドナーの光吸収帯域
における波長の光を前記ガスレーザ管内に照射す
る発光素子と、この発光素子で照射された光を受
光して受光量に応じた電気信号に変換する受光素
子と、この受光素子からの電気信号を受けて前記
ガスレーザ管内における前記ハロゲンドナーの濃
度が所定値となるようにこのハロゲンドナーの前
記ガスレーザ管への供給量を制御するガス供給制
御手段とを具備したことを特徴とするエキシマガ
スレーザ発振装置。1. In an excimer gas laser oscillation device that encloses an excimer gas laser medium in a gas laser tube and generates a main discharge between main discharge electrodes arranged oppositely in the gas laser tube to oscillate the laser, the optical absorption band of the halogen donor that composes the gas laser medium a light emitting element that irradiates light of a wavelength within the gas laser tube; a light receiving element that receives the light irradiated by the light emitting element and converts it into an electrical signal according to the amount of received light; and a light receiving element that receives the electrical signal from the light receiving element. 1. An excimer gas laser oscillation device comprising: gas supply control means for controlling the amount of halogen donor supplied to the gas laser tube so that the concentration of the halogen donor in the gas laser tube becomes a predetermined value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18552688A JPH0236583A (en) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | Excimer gas laser oscillating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18552688A JPH0236583A (en) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | Excimer gas laser oscillating device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236583A JPH0236583A (en) | 1990-02-06 |
| JPH0357632B2 true JPH0357632B2 (en) | 1991-09-02 |
Family
ID=16172342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18552688A Granted JPH0236583A (en) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | Excimer gas laser oscillating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0236583A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6490307B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-12-03 | Lambda Physik Ag | Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters |
| JP2007239213A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toyo Exterior Co Ltd | Folding door locking device |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP18552688A patent/JPH0236583A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0236583A (en) | 1990-02-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |