JPH0355293A - Optical recording medium and manufacture thereof - Google Patents

Optical recording medium and manufacture thereof

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JPH0355293A
JPH0355293A JP1102937A JP10293789A JPH0355293A JP H0355293 A JPH0355293 A JP H0355293A JP 1102937 A JP1102937 A JP 1102937A JP 10293789 A JP10293789 A JP 10293789A JP H0355293 A JPH0355293 A JP H0355293A
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JP
Japan
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recording
recording film
film
recording medium
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP1102937A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisaharu Hihashi
樋端 久治
Mitsuyuki Kuroiwa
光之 黒岩
Akira Todo
昭 藤堂
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To extend the life of an optical recording film and to enlarge a recording margin by forming the recording film from a thin film based on Te and containing Cr, C and H and specifying the containing ratio of Cr and C contained in the recording film. CONSTITUTION:A recording film is composed of a thin film based on Te and containing Cr, C and H and the containing ratio of Cr and C in the recording film is set so that Cr is 0.1-40 atomic% to the total number of atoms constituting the recording film and C is 5below 50 atomic%. By this method, the oxidation resistance and durability of the recording film are enhanced and the life of an optical recording medium is extended and excellent recording sensitivity is obtained and a recording margin is enlarged.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光あるいは熱等のエネルギービームの照射に
より基板上の記録膜にビットを形或してt,’f報を記
録するようにした光記録媒体およびその製造方法に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to an optical recording device in which t, 'f information is recorded by forming bits on a recording film on a substrate by irradiating energy beams such as light or heat. It relates to a medium and its manufacturing method.

発明の技術的背景ならびにその問題点 光記録媒体には、エネルギービームの照射により、記録
膜の一部に穴もしくは凹郎等の物理的変化部を形或する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性(屈折率、反
射率など)を変化させた光学特性変化部を形戊する方式
のものとがある。
Technical Background of the Invention and Problems There are two types of optical recording media: one in which a physical change such as a hole or a groove is formed in a part of the recording film by irradiation with an energy beam, and the other in which a part of the recording film is physically changed by irradiation with an energy beam. There is a method in which an optical property changing part is formed by changing the optical properties (refractive index, reflectance, etc.) in the part.

いずれの方式の光記録媒体における記録膜としても、テ
ルル(Tθ)等の低融点金属を主成分とする記録膜が従
来から知られている(特開昭58−71195号公報、
特開昭58−9234号公報)。低融点金属膜として代
表的なTell[は、非常に低いエネルギーで所望の物
理的変化部もしくは光学特性変化部(以下、総称して、
rビット」と称す)を形或でき、高感度材料として極め
て有望である。ここで感度とは単位面積当りのビット形
或に要するエネルギー(sJ/cj)で定義される。
As a recording film for any type of optical recording medium, a recording film mainly composed of a low melting point metal such as tellurium (Tθ) has been known (Japanese Patent Application Laid-open No. 71195/1983,
(Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-9234). Tell [, a typical low melting point metal film, is a material that can produce desired physical changes or optical property changes with very low energy (hereinafter collectively referred to as
It is extremely promising as a highly sensitive material. Sensitivity here is defined in terms of bits per unit area or required energy (sJ/cj).

しかしながら、Toは大気中に放置された場合、酸素あ
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう。このようなTeを紀録膜として使用する
場合、膜厚は数百λ程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う。すなわち、膜が酸化されると融解温度および蒸発温
度が上昇するとともに、透明化により光等のエネルギー
の吸収が少なくなるため、ビット形或に要するエネルギ
ーが大きくなり、感度の著しい低下を来たす。
However, when To is left in the atmosphere, it is oxidized by oxygen or moisture, increasing its light transmittance and becoming transparent. When such Te is used as a recording film, the film thickness is extremely thin, on the order of several hundred λ, so if the light transmittance increases due to oxidation of the film, the sensitivity will drop significantly. That is, when the film is oxidized, its melting temperature and evaporation temperature rise, and because it becomes transparent, it absorbs less energy such as light, so the energy required to form a bit increases, resulting in a significant decrease in sensitivity.

たとえばTe膜を温度70℃、相対湿度85%の雰囲気
に放置した場合、約5時間で感度が約20%低下し、約
15時間で約50%低下してしまう。
For example, when a Te film is left in an atmosphere with a temperature of 70° C. and a relative humidity of 85%, the sensitivity decreases by about 20% in about 5 hours and by about 50% in about 15 hours.

このような問題点を解決するため、T e 膜の酸化防
止のために種々の対策がとられている。その1つとして
安定無機物質でTell%をコーティングする方法が知
られているが、この方広は、Tθ膜の酸化防止には有効
であるが、感度を低下させてしまい、また高価であるた
め、実用化されていない。一方、Te@をプラスチック
コーティングする方法も知られているが、この方法はプ
ラスチックの熱伝導率が小さいことから感度を損なう度
合が小さく有利であるが、酸素や水を比較的容易に透過
させるため、Tell[の酸化防止にはあまり役立たな
い。
In order to solve these problems, various measures have been taken to prevent oxidation of the T e film. One known method is to coat Tell% with a stable inorganic substance, but although this coating is effective in preventing oxidation of the Tθ film, it reduces sensitivity and is expensive. Not put into practical use. On the other hand, a method of coating Te@ with plastic is also known, but this method is advantageous because the thermal conductivity of plastic is low, so it does not impair sensitivity to a small extent, but it allows oxygen and water to pass through relatively easily. , Tell[ is not very useful in preventing oxidation.

また、Te膜中にCおよびHを含ませる(特公昭59−
33320号公報)ことにより、記録層としてのTel
ljlの酸化を防止するようにした技術も提案されてい
るが、この技術ではCの含有量が少ないときには耐酸化
性がいまだ不充分であり、耐酸化性を向上させるために
、Cの含有量を多くすると、情報再生時におけるC/N
比が低下するという不都合を有している。
In addition, C and H are included in the Te film (Japanese Patent Publication No. 1983-
33320), Tel as a recording layer.
A technique to prevent oxidation of ljl has also been proposed, but this technique still has insufficient oxidation resistance when the C content is low. When increasing the C/N during information reproduction,
This has the disadvantage that the ratio decreases.

また上記のような問題点を解決するため、特開昭59−
63,038号公報には、Teを主成分としてCrを含
有する記録膜を具備する光記録媒体が開示されている。
In addition, in order to solve the above-mentioned problems,
No. 63,038 discloses an optical recording medium having a recording film containing Te as a main component and Cr.

この公報に開示されているように、Teを主成分とする
記録膜中にCrを含有させると、その含有量に対応して
記録膜の耐酸化性が向上し、光記録媒体の長寿命化が図
られることが知られている。
As disclosed in this publication, when Cr is contained in a recording film whose main component is Te, the oxidation resistance of the recording film improves in proportion to the content, extending the life of the optical recording medium. It is known that this can be achieved.

しかしながら、Toを主成分としてCrを含有する記録
膜を具備する光記録媒体にあっては、Crが多量に含ま
れると、記録感度が低下するという不都合を有している
。そこで、Teを主成分とする記録膜中に含まれるCr
の含有量は、耐酸化性向上および記録感度向上の観点か
ら、特開昭59−63.0.38号公報に示すように、
記録膜11のTeに対してCrが5〜15重量%となる
ように決定されるのが一般的であった。
However, an optical recording medium having a recording film containing To as a main component and Cr has the disadvantage that recording sensitivity decreases if a large amount of Cr is contained. Therefore, Cr contained in the recording film whose main component is Te.
From the viewpoint of improving oxidation resistance and recording sensitivity, the content of
Generally, Cr was determined to be 5 to 15% by weight relative to Te in the recording film 11.

ところが、Crが5〜15重量%の量で含まれるTe系
の記録膜を具備する光記録媒体の記録感度は、Tell
l単独の記録膜に比較して依然として低いことが本発明
者等によって見出された。本発明者等は、このようなT
eを主成分としてCrを含む記録膜を具備する光記録媒
体について鋭意検討したところ、特定量のCrを含有す
ると共にCおよびHを含ませたTeを主成分とする記録
膜を具備する光記録媒体は、耐酸化性が向上するにもか
かわらず、記録感度が、Crを多量に含有するTo系記
録膜と比較して著しく向上すると共に、記録マージンが
広がることを見出した。また、本発明者等は、このよう
にCr,CおよびHを含有し、Teを主成分とする記録
膜を基坂上に成膜した後に、熱処理を行なえば、さらに
記録感度が向上し、しかも記録マージンが広がることを
見出した。
However, the recording sensitivity of an optical recording medium equipped with a Te-based recording film containing 5 to 15% by weight of Cr is
The inventors have found that this is still lower than that of a recording film containing only l. The inventors have proposed that such T
After intensive study on optical recording media having a recording film containing e as a main component and Cr, it was found that an optical recording medium having a recording film mainly containing Te containing a specific amount of Cr and containing C and H was found. It has been found that although the medium has improved oxidation resistance, the recording sensitivity is significantly improved compared to a To-based recording film containing a large amount of Cr, and the recording margin is widened. In addition, the present inventors have found that if a heat treatment is performed after forming a recording film containing Cr, C, and H and mainly composed of Te on the substrate, the recording sensitivity can be further improved. It was found that the recording margin was widened.

発明の目的 本発明は、このような新たな知見に基づきなされたもの
であり、特に高温高湿下での記録膜の耐酸化性を向上さ
せ、光記録膜の長寿命化を図ると共に、小さいエネルギ
ーで情報の記録が可能であり、しかも高感度で記録マー
ジンの広い光記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
Purpose of the Invention The present invention was made based on such new knowledge, and aims to improve the oxidation resistance of the recording film, especially under high temperature and high humidity conditions, to extend the life of the optical recording film, and to reduce the size of the optical recording film. An object of the present invention is to provide an optical recording medium on which information can be recorded using energy, high sensitivity, and a wide recording margin, and a method for manufacturing the same.

発明の概要 このような目的を達成するために、本発明に係る光記録
媒体は、基板と、この基板上に形成された記録膜とから
なり、この記録膜にエネルギービームを照射することに
より、この記録膜にビットを形戊して情報を記録するよ
うにした光記録媒体において、 前記記録膜は、Teを主成分としてCrSCおよびHを
含む薄膜であり、 前記記録膜に含まれるCrおよびCの含有割合が、記録
膜を溝戊する全原子数に対して、Crについては0.1
〜40原子%の範囲にあり、Cについては5〜40原子
%の範囲にあることを特徴としている。
Summary of the Invention In order to achieve the above object, an optical recording medium according to the present invention includes a substrate and a recording film formed on the substrate, and by irradiating the recording film with an energy beam, In an optical recording medium in which information is recorded by forming bits in this recording film, the recording film is a thin film containing Te as a main component and CrSC and H, and Cr and C contained in the recording film. The content ratio of Cr is 0.1 to the total number of atoms forming grooves in the recording film.
The content of C is in the range of 5 to 40 atomic %, and the content of C is 5 to 40 atomic %.

また、本発明に係る光記録媒体は、基板と、この基板上
に形成された記録膜とからなり、この記録膜にエネルギ
ービームを照射することにより、この記録漠にビットを
形戊して情報を記録するようにした光記録媒体において
、 前記記録膜は、Toを主成分としてCr,CおよびHを
含む薄膜であり、 前記記録膜に含まれるCrの含有割合が、記録膜中のT
oおよびCrの合計原子数に対して、0.1〜40原子
%の範囲にあり、前記記録膜に含まれるCの含有割合が
、記録膜中のTe,CrおよびCの合計原子数に対して
、5〜40原子%の範囲にあることを特徴としている。
Further, the optical recording medium according to the present invention is composed of a substrate and a recording film formed on the substrate, and by irradiating the recording film with an energy beam, bits are formed in the recording area to form information. In an optical recording medium for recording, the recording film is a thin film containing To as a main component and Cr, C, and H, and the content ratio of Cr contained in the recording film is higher than the T in the recording film.
The content ratio of C contained in the recording film is in the range of 0.1 to 40 at% with respect to the total number of atoms of Te, Cr and C in the recording film. It is characterized by being in the range of 5 to 40 atomic %.

このような本発明に係る光記録媒体によれば、Teを主
成分とする記録膜にCrSCおよびHを含有させるよう
にしているので、記録膜の耐酸化性が向上し、光記録媒
体の長寿命化が期待できる。
According to the optical recording medium according to the present invention, since the recording film containing Te as a main component contains CrSC and H, the oxidation resistance of the recording film is improved and the length of the optical recording medium is increased. You can expect a longer lifespan.

しかも、本発明では、Cの含有量を、記録膜の全原子数
または記録膜中のTe,CrおよびCの合{1原子数に
対して、5〜40原子%の範囲にしてあるため、特に高
温高湿下での耐酸化性を著しく向上させることができる
。また、本発明で、記録膜中におけるCrの含有量を、
記録膜の全原子数または記録膜中のTeおよびCrの合
計原子数に対して、0.1〜40原子%、特に0,5〜
10原子%と、従来に比較して低い値に設定すると、従
来のCr含有量が多いTO膜に比較して優れた記録感度
を有することになる。
Moreover, in the present invention, the content of C is set in the range of 5 to 40 atomic % based on the total number of atoms in the recording film or the total number of atoms of Te, Cr, and C in the recording film. In particular, oxidation resistance under high temperature and high humidity conditions can be significantly improved. In addition, in the present invention, the content of Cr in the recording film is
0.1 to 40 atomic %, especially 0.5 to 40 atomic %, based on the total number of atoms in the recording film or the total number of Te and Cr atoms in the recording film.
If the value is set to 10 atomic %, which is lower than the conventional value, the recording sensitivity will be superior to that of the conventional TO film with a high Cr content.

また、前記目的を達成するために、本発明に係る光記録
媒体の製造方法は、前述した記録膜を前記基板上に戊膜
した後に、この記録膜を熱処理することを特徴としてい
る。
Further, in order to achieve the above object, the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention is characterized in that after the above-described recording film is formed on the substrate, the recording film is heat-treated.

前記熱処理は、70〜300℃の温度で5秒以上行なう
ことが好ましい。
The heat treatment is preferably performed at a temperature of 70 to 300°C for 5 seconds or more.

このような本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば
、成膜された記録膜を熱処理しているので、記録用エネ
ルギー出力の微小変動によっても記録膜に形成されるビ
ット形状を均一なものとすることができ、記録マージン
が広がると共にC/N比が向上し、また得られる光記録
媒体の記録感度が向上する。
According to the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention, since the formed recording film is heat-treated, the bit shape formed on the recording film can be made uniform even by minute fluctuations in the recording energy output. The recording margin is widened, the C/N ratio is improved, and the recording sensitivity of the resulting optical recording medium is improved.

なお本発明において記録マージンが狭いとは記録用エネ
ルギー出力の変動に応じてC/N比が変化することをい
う(以下同様の意味に用いる)。
In the present invention, a narrow recording margin means that the C/N ratio changes in accordance with fluctuations in the recording energy output (hereinafter used with the same meaning).

すなわち記録マージンが狭いとは記録用エネルギー出力
を大きくした際にC/N比の低下がみられ、一定のC/
N比を示す記録用エネルギー出力の範囲が狭いことをい
う。また、C/N比とは、情報再生時における雑音の少
なさを示し、これが高い程良い。
In other words, when the recording margin is narrow, there is a decrease in the C/N ratio when the recording energy output is increased, and a constant C/N ratio is observed.
This means that the range of recording energy output that indicates the N ratio is narrow. Further, the C/N ratio indicates the amount of noise during information reproduction, and the higher the C/N ratio, the better.

発明の具体的説明 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will now be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

第1図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention.

第1図に示すように、本発明に係る光記録媒体10は、
基板11と、この基板の表面に形成された記録@12と
から構威されている。
As shown in FIG. 1, the optical recording medium 10 according to the present invention includes:
It consists of a substrate 11 and a record @12 formed on the surface of this substrate.

基板11としては、たとえばガラスあるいはアルミニウ
ム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ボ
リカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのボ
リマーアロイ、たとえばエチレンと1.4,5.8−ジ
メタノーt,2,!1,4.4a.5,8.8a−オク
タヒド口ナフタレン(テトラシク口ドデセン)との共重
合体、エチレンと2−メチル−1.4.5.8−ジメタ
ノ−1.2.3.4.4a,5.8.8a−オクタヒド
ロナフタレン(メチルテトラシク口ドデセン)との共重
合体、エチレンと2−エチル−1.4,5.8−ジメタ
ノ−l,2.3,4,4a.5,8.8a−オクタヒド
ロナフタレンとの共重合体などの米国特許第46147
78号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン、
ポリ4ーメチル−1−ベンテン、エボキシ樹脂、ポリエ
ーテルサルフオン、ポリサルフオン、ポリエーテルイミ
ド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の有機
材料を用いることができる。この基板11の厚みは、記
録媒体10全体に適度な剛性を付与するのに十分な厚さ
であれば良く、好ましくは0 .  5 〜2 .  
5 mm ,特に好ましくは1〜1.5關程度である。
In addition to inorganic materials such as glass or aluminum, the substrate 11 may also be made of polymethyl methacrylate, polycarbonate, a polymer alloy of polycarbonate and polystyrene, such as ethylene and 1,4,5,8-dimethanol t,2,! 1,4.4a. 5,8.8a-Copolymer of octahyde-naphthalene (tetracyclododecene), ethylene and 2-methyl-1.4.5.8-dimethano-1.2.3.4.4a,5.8. Copolymer of 8a-octahydronaphthalene (methyltetracyclododecene), ethylene and 2-ethyl-1.4,5.8-dimethanol-l, 2.3,4,4a. U.S. Patent No. 46147, such as a copolymer with 5,8.8a-octahydronaphthalene.
Amorphous polyolefin as shown in No. 78 specification,
Organic materials such as poly4-methyl-1-bentene, epoxy resin, polyethersulfone, polysulfone, polyetherimide, and ethylene/tetracyclododecene copolymer can be used. The thickness of this substrate 11 is sufficient as long as it provides appropriate rigidity to the entire recording medium 10, and is preferably 0.25 mm thick. 5-2.
5 mm, particularly preferably about 1 to 1.5 mm.

本発明に係る記録膜12は、Teを主成分としてCr、
CおよびHを少なくとも含む薄膜であり、Te以外の低
融点元素、ないしはその他の成分を含んでも良い。紀録
膜12中に含ませることが可能なTe以外の元素として
は、TI,Mn..NiZr,Nb,TasAfiSP
tSSm,  BiIn.Se,Pb.CO% S[ 
  Pd,Sn,Zn等が例示される。
The recording film 12 according to the present invention has Te as a main component, Cr,
It is a thin film containing at least C and H, and may also contain low melting point elements other than Te or other components. Elements other than Te that can be included in the recording film 12 include TI, Mn. .. NiZr, Nb, TasAfiSP
tSSm, BiIn. Se, Pb. CO% S[
Examples include Pd, Sn, and Zn.

このような記録膜12に含まれるCrの含有割合は、記
録膜中に含まれる全原子数に対して、0.1〜40原子
%、好ましくは0.5〜10原子%、特に好ましくは1
〜4原子%の範囲にあるか、または記録膜中のTeおよ
びCrの合計原子数に対してのCrの含有割合が、0,
1〜6o原子%、好ましくは0.5〜15原子%,,特
に好ましくは1〜6原子%の範囲にあることが好ましい
The content ratio of Cr contained in such a recording film 12 is 0.1 to 40 atomic %, preferably 0.5 to 10 atomic %, particularly preferably 1 atomic %, based on the total number of atoms contained in the recording film.
~4 at%, or the content ratio of Cr to the total number of Te and Cr atoms in the recording film is 0,
It is preferably in the range of 1 to 6 atomic %, preferably 0.5 to 15 atomic %, and particularly preferably 1 to 6 atomic %.

このような範囲でCrを含ませることによって、記録膜
12の耐酸化性を向上させるにもかかわらず、記録感度
が低下せず、場合によっては記録感度を向上させること
ができるからである。
This is because by including Cr in such a range, even though the oxidation resistance of the recording film 12 is improved, the recording sensitivity does not decrease, and in some cases, the recording sensitivity can be improved.

また、記録膜12中のCの含有量は、記録膜の寿命及び
記録感度の向上の点から、記録膜全体の原子数に対し、
5〜40原子%、好ましくは5〜20原子%、さらに好
ましくは5〜10原子%または記録膜中のTe,Crお
よびCの合計原子数に対して、5〜40原子%、好まし
くは5〜20原子%、さらに好ましくは5〜10原子%
であることが望ましい。このような範囲でCを含有させ
ることにより、記録感度および記録マージンをそれ程低
下させずに、特に高温高湿下での耐酸化性を向上させる
ことができる。
In addition, the content of C in the recording film 12 is determined based on the number of atoms in the entire recording film from the viewpoint of improving the life of the recording film and recording sensitivity.
5 to 40 atomic %, preferably 5 to 20 atomic %, more preferably 5 to 10 atomic %, or 5 to 40 atomic %, preferably 5 to 40 atomic %, based on the total number of atoms of Te, Cr and C in the recording film. 20 at%, more preferably 5 to 10 at%
It is desirable that By containing C in such a range, oxidation resistance, especially under high temperature and high humidity conditions, can be improved without significantly lowering recording sensitivity and recording margin.

また、記録膜12中のHの含有量は、寿命等の点から全
体に対して5〜40原子%好ましくは5〜25原子%で
あることが望ましい。なお、紀録膜12中に含まれる各
元素の含有量は、本発明においては金属元素(To,C
rなど)についてはICP発光分析注(誘導結合型プラ
ズマ発光分析法)によって、またCについてはX線光電
子分光法(XPS)、(ESCA) 、Hについては有
機元素分析法によって測定される。
Further, the content of H in the recording film 12 is desirably 5 to 40 atomic %, preferably 5 to 25 atomic %, based on the entire recording film 12 from the viewpoint of life span and the like. In addition, in the present invention, the content of each element contained in the record film 12 is defined as metal elements (To, C).
r, etc.) by ICP emission spectrometry (inductively coupled plasma emission spectrometry), C by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), (ESCA), and H by organic elemental analysis.

上記のような組成を有する記録膜12に情報を書込むに
は、記録すべき情報に応じて変調(オン●オフ)された
レーザビーム等のエネルギービームを該記録18112
に照射することにより、その照1.1部分にビットを形
成すればよい。このピッ1・は、穴や凹部等のような物
理的変化部であっても良いし、屈折率や反射率等の光学
的特性を変化させた光学特性変化部であっても良い。
In order to write information on the recording film 12 having the above composition, an energy beam such as a laser beam that is modulated (on/off) depending on the information to be recorded is applied to the recording film 18112.
A bit may be formed in the irradiated area 1.1 by irradiating the area. This pin 1 may be a physically changed part such as a hole or a recess, or it may be an optical property changed part in which optical properties such as refractive index or reflectance are changed.

このような記録II!I12の膜厚は、十分な光反射率
を得る程度に厚く、かつ感度を損なわない程度に薄いこ
とが必要である。具体的には、記録膜12に穴などの物
理的変化部を形成する場合には、紀録膜の膜厚は100
λ〜1μm好ましくは100〜5000入さらに好まし
くは150〜500λ程度である。また記録@12に反
射率または屈折率などの光学的特性変化部を形成する場
合には、記録膜の膜厚は100λ〜1μm好ましくは1
00〜5000人さら1こ好ましくは200〜2000
λ程度である。
Such a record II! The film thickness of I12 needs to be thick enough to obtain sufficient light reflectance and thin enough not to impair sensitivity. Specifically, when forming a physically changed part such as a hole in the recording film 12, the film thickness of the recording film is 100 mm.
λ to 1 μm, preferably 100 to 5000, more preferably about 150 to 500 λ. In addition, when forming an optical characteristic change part such as reflectance or refractive index in recording@12, the film thickness of the recording film is 100λ to 1μm, preferably 1μm.
00-5000 people, preferably 200-2000 people
It is about λ.

このような記録膜12を基板11の表面に威膜するには
、たとえば次のようにして行なうことができる。
The recording film 12 of this type can be deposited on the surface of the substrate 11 in the following manner, for example.

まず、TeおよびCrをそれぞれ別々のターゲットとし
て、もしくはTe−Cr合金をターゲットとし、Cおよ
びHを含む有機ガス、たとえばCH  やC2H2ガス
と、Arガスとの混合ガス4 中で、マグネトロンスパッタリング法により、基板11
,上に、CおよびHを含むTe−Cr合金薄膜から成る
紀録膜12を成膜する。また、スパッタリング法を用い
ることなく、CH4とTe−Cr合金の蒸気とをプラズ
マ状にして基板にCおよびHを含むTe−Cr合金薄膜
からなる記録膜12を成膜することも可能である。また
、気相成長またはプラズマ気相成長によっても、同様の
記録膜12を形戊することが可能である。さらに他の方
法としてTeSCr,C,H原子の一部または全部をイ
オン化してビーム状として基板上に積もらせるようにし
てもよい。
First, using Te and Cr as separate targets or a Te-Cr alloy as a target, magnetron sputtering was performed in a mixed gas of Ar gas and an organic gas containing C and H, such as CH or C2H2 gas. , substrate 11
, a diary film 12 made of a Te--Cr alloy thin film containing C and H is formed. It is also possible to form the recording film 12 made of a Te-Cr alloy thin film containing C and H on the substrate by forming CH4 and Te-Cr alloy vapor into plasma without using the sputtering method. A similar recording film 12 can also be formed by vapor phase epitaxy or plasma vapor phase epitaxy. As another method, some or all of the TeSCr, C, and H atoms may be ionized and deposited on the substrate in the form of a beam.

このようなCおよびHを含むTe−Cr合金薄膜から成
る記録膜12中のTeおよびCrの含有原子数比は、T
eとCrとを同時スパッタする際には、それぞれの印加
電圧によって、合金ターゲットを用いる場合には合金組
成によって自由に制御される。また、Te−Cr合金薄
膜から成る記録膜12中のCおよびHの含有量は、CH
4とArとの混合比および印加高周波電力により自由に
制御できる。この場合、膜が化学的に最も安定するHの
含有量はCの含有量によって決まる。ここでは膜中に水
素ガス(H2)が発生するほど多量に含有させない限り
、H含有量は任意に選ぶことができる。さらに膜厚はス
パッタリング時間に比例するので、自由に制御できる。
The atomic ratio of Te and Cr in the recording film 12 made of such a Te-Cr alloy thin film containing C and H is T
When sputtering e and Cr simultaneously, it can be freely controlled by the respective applied voltages, and if an alloy target is used, by the alloy composition. Further, the content of C and H in the recording film 12 made of a Te-Cr alloy thin film is CH
It can be freely controlled by the mixing ratio of 4 and Ar and the applied high frequency power. In this case, the H content at which the film is most chemically stable is determined by the C content. Here, the H content can be arbitrarily selected as long as it is not so large that hydrogen gas (H2) is generated in the film. Furthermore, since the film thickness is proportional to the sputtering time, it can be freely controlled.

このようにして形成されるCおよびHを含有するTe−
Cr合金薄膜から成る記録膜12における反射率あるい
は消衰係数などの光学特性は、CとHとの含有量によっ
て異なり、情報記録用とじて利用するには、上記のよう
な光学特性に応じて膜厚が決定される。
Te-containing C and H formed in this way
The optical properties such as reflectance or extinction coefficient of the recording film 12 made of a Cr alloy thin film vary depending on the content of C and H, and in order to use it for information recording, it is necessary to The film thickness is determined.

なお、記録膜を成膜する際に薄膜製造装置内に導入され
る炭化水素としては、前述のメタンやアセチレンの他に
エタンなども用いられるがメタンが最も好ましい。この
ような炭化水素は、通常、不活性ガスとともに薄膜製造
装置内に導入されるが、この際用いられる不活性ガスと
し゜Cは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリブトンな
どが挙げられるが、このうち特にアルゴンが好ましい。
In addition to the above-mentioned methane and acetylene, ethane and the like may also be used as the hydrocarbon introduced into the thin film manufacturing apparatus when forming the recording film, but methane is most preferred. Such hydrocarbons are usually introduced into thin film production equipment together with an inert gas. Examples of the inert gas used at this time include helium, neon, argon, krybton, etc. Argon is preferred.

上記のような条件で形成した記録膜12は、Toなどの
低融点金属単体で形成した膜に比べて著しく耐酸化性お
よび記録感度が向上している。
The recording film 12 formed under the above conditions has significantly improved oxidation resistance and recording sensitivity compared to a film formed from a single low-melting point metal such as To.

たとえば、Cr.CおよびHを含有するTe記録膜では
、70℃、85%RH(相対湿度)の条件下で100時
間経過後の反射率の変化は、Crの含有量が多い程少な
く、To単独の記録膜に比較して、本発明に係る記録膜
の耐酸化性が向上していることが実験により確認された
For example, Cr. In a Te recording film containing C and H, the change in reflectance after 100 hours under conditions of 70°C and 85% RH (relative humidity) is smaller as the Cr content increases; It has been confirmed through experiments that the oxidation resistance of the recording film according to the present invention is improved compared to the above.

また、たとえば本発明に係る記録膜によれば、記録用エ
ネルギー出力が比較的小さ<、記録感度が向上している
ことが実験により確認された。
Further, it has been experimentally confirmed that, for example, the recording film according to the present invention has a relatively small recording energy output and an improved recording sensitivity.

さらに、第2図に示すように、本発明に係る光記録媒体
(図中、曲線A)は、従来のCおよびHを含むTe膜を
有する光記録媒体(図中、IIII線B)に比較して、
記録用エネルギー出力の微小変動Vに対してC/N比が
ほとんど変化せず、記録マージンが広いことが確認され
た。
Furthermore, as shown in FIG. 2, the optical recording medium according to the present invention (curve A in the figure) is compared to the conventional optical recording medium having a Te film containing C and H (line III B in the figure). do,
It was confirmed that the C/N ratio hardly changes with respect to minute fluctuations V in the recording energy output, and the recording margin is wide.

さらにまた、第3図に示すように、本発明に係る光記録
媒体(図中、曲線A)は、従来のCおよびHを含むTe
膜を有する光記録媒体(図中、曲線B)に比較して、反
射率の経時的変化がほとんどなく、耐久性が向上するこ
とも確認された。このことは表2からも明らかである。
Furthermore, as shown in FIG. 3, the optical recording medium according to the present invention (curve A in the figure) is different from the conventional Te
It was also confirmed that, compared to an optical recording medium having a film (curve B in the figure), there was almost no change in reflectance over time and the durability was improved. This is also clear from Table 2.

また本発明では、上述したように基板11上に記録膜1
2を成膜した後、必要に応じて、この記録膜12または
紀録膜12と基板11を、不活性ガス、還元性ガス、も
しくは酸素を含んだガス雰囲気中で、熱処理することも
できる。熱処理温度は、紀録膜中に含まれるTeの融点
以下であることが必要であり、好ましくは70〜300
℃特に90〜150℃の温度範囲が良い。また熱処理時
間は好ましくは5秒以上、特に好ましくは5秒〜10時
間、最も好ましくは5分〜2時間である。
Further, in the present invention, as described above, the recording film 1 is placed on the substrate 11.
After forming the recording film 2, the recording film 12 or the journal film 12 and the substrate 11 can be heat-treated in an inert gas, reducing gas, or oxygen-containing gas atmosphere, if necessary. The heat treatment temperature needs to be below the melting point of Te contained in the diary film, preferably 70 to 300
℃, especially a temperature range of 90 to 150℃ is preferable. The heat treatment time is preferably 5 seconds or more, particularly preferably 5 seconds to 10 hours, and most preferably 5 minutes to 2 hours.

このように、記録II!12を基板11上に形成した後
に記録膜12または記録膜12と基板11を熱処理する
ことで、紀録膜における記録感度が向上すると共に、記
録マージンが広がる。
In this way, Record II! By heat-treating the recording film 12 or the recording film 12 and the substrate 11 after forming the recording film 12 on the substrate 11, the recording sensitivity of the recording film is improved and the recording margin is widened.

なお、本発明は、第1図に示す実施例に限定されず、本
発明の範囲内で種々に改変することができる。
Note that the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 1, and can be variously modified within the scope of the present invention.

たとえば、第4図に示すように、基板11と記録膜12
この間に、下地層13を積層させるようにしてもよい。
For example, as shown in FIG.
During this time, the base layer 13 may be laminated.

下地層13としては、たとえばフッ化マグネシウム(M
g F2)などからなるフッ化物膜、酸化ケイ素(S1
 0  , Sl O)も2 しくは窒化ケイ素(Sl 3N,)などからなるケイ素
化合物膜、Ti  NI  Cr,ANまたはN 1−
C rなどからなる金属薄膜、ポリテトラフルオ口エチ
レン(PTFE)薄膜などのフッ素置換の炭化水素化合
物および/またはそのボリマーの薄膜、Cr−C−H薄
膜(Cr,CおよびHを含む膜)などが用いられる。下
地層13の膜厚は、その材質によっても異なるが、一般
に、10〜1000大、好ましくは50〜500人であ
る。
As the base layer 13, for example, magnesium fluoride (M
g F2), etc., silicon oxide (S1
0, SlO) or 2 or a silicon compound film made of silicon nitride (Sl3N,), TiNICr,AN or N1-
Metal thin films made of Cr etc., thin films of fluorine-substituted hydrocarbon compounds and/or their polymers such as polytetrafluoroethylene (PTFE) thin films, Cr-C-H thin films (films containing Cr, C and H), etc. is used. The thickness of the base layer 13 varies depending on its material, but is generally 10 to 1,000 thick, preferably 50 to 500 thick.

このような膜厚に設定することで、透明性を維持するこ
とができると共に、下地層14としての種々の特性を発
褌することができる。
By setting the film thickness in this manner, transparency can be maintained and various characteristics as the base layer 14 can be developed.

このような下地層13を基板11の表面に形成するには
、記録層12を形成する場合と同様に、マグネトロンス
パッタリング法、気相戊長法、プラズマ気相成長法、蒸
着法またはスビンコ−1・法などの塗布によって行なえ
ばよい。
In order to form such an underlayer 13 on the surface of the substrate 11, as in the case of forming the recording layer 12, magnetron sputtering method, vapor phase elongation method, plasma vapor phase epitaxy method, vapor deposition method, or Subinco-1 method can be used.・This can be done by applying a method.

このような下地層13を、基板11と記録膜12との間
に設ければ、記録感度がさらに向上し、場合によっては
記録マージンもさらに広がることになる。
If such an underlayer 13 is provided between the substrate 11 and the recording film 12, the recording sensitivity will be further improved and, in some cases, the recording margin will be further expanded.

また、本発明によれば、第1図または第4図に示す光記
録媒体10における記録膜12の表面に表面層を形成す
るようにしてもよい。表面層を形成する材質としては、
記録膜の元素、St、T1等の酸化物、窒化物、金属な
どが用いられる。表面層の膜厚は、その材質によっても
異なるが、5〜100大、好ましくは10〜50大であ
る。
Further, according to the present invention, a surface layer may be formed on the surface of the recording film 12 in the optical recording medium 10 shown in FIG. 1 or 4. The material forming the surface layer is
Elements of the recording film, oxides such as St and T1, nitrides, metals, etc. are used. The thickness of the surface layer varies depending on the material, but is 5 to 100 mm, preferably 10 to 50 mm.

発明の効果 本発明では、Teを主成分とする記録膜にCr,Cおよ
びHを含有させるようにしているので、記録膜の耐酸化
性ないし耐久性が向上し、光記録媒体の長寿命化が期待
できる。しかも、本発明では、Cの含有量を、紀録膜を
構成する全原子数または記録膜中のTo、CrおよびC
の合計原子数に対して、5〜40原子%の範囲にしてあ
るため、特に高温高湿下での耐酸化性を著しく向上させ
ることができる。特に記録膜中におけるCrの含有量を
、記録膜を構成する全原子数に対して0.1〜40原子
%、特に0.1〜10原子%または記録膜中のTeおよ
びCrの合計原子数に対して、0.1〜60原子%、特
に0.1〜15原子%と従来に比較して低い値に設定す
ると優れた記録感度が得られる。
Effects of the Invention In the present invention, since Cr, C, and H are contained in the recording film mainly composed of Te, the oxidation resistance and durability of the recording film are improved, and the life of the optical recording medium is extended. can be expected. Moreover, in the present invention, the C content is determined by the total number of atoms constituting the recording film or the To, Cr, and C content in the recording film.
Since the amount is in the range of 5 to 40 atomic % based on the total number of atoms, the oxidation resistance can be significantly improved, especially under high temperature and high humidity. In particular, the content of Cr in the recording film is set to 0.1 to 40 at%, especially 0.1 to 10 at%, or the total number of Te and Cr atoms in the recording film, based on the total number of atoms constituting the recording film. On the other hand, excellent recording sensitivity can be obtained by setting it to a value lower than conventional values, such as 0.1 to 60 atomic %, especially 0.1 to 15 atomic %.

また、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば、記
録膜の成膜後に熱処理するようにしているので、記録膜
に形成されるビット形状を均一かつ小さなものとするこ
とができ、記録用エネルギー出力の範囲を広くとれ(記
録マージンが広がる)、また得られる光記録媒体の記録
感度が向上する等の優れた効果を奏する。
Further, according to the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention, since the heat treatment is performed after the recording film is formed, the bit shape formed on the recording film can be made uniform and small, and the recording film can be made uniform and small. This has excellent effects such as widening the range of energy output (widening the recording margin) and improving the recording sensitivity of the resulting optical recording medium.

[実施例] 以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[Examples] The present invention will be described below based on more specific examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例1 真空容器を排気後、ArガスおよびCH4ガスを導入し
、内部圧力を6 X 1 0””’Tnrrと(7た(
 A r / C H 4 − 2 / 8 :ガス流
量比)。次に、ToおよびCrをターゲットとし、同時
スバッタを行なった。その際、各々のターゲットに与え
る電圧を制御し、かつスバッタ時間を制御することによ
りTe53Cr2C15H3oの組戊の記録膜を膜厚2
50入で非品質ポリオレフィン基板上に得た。
Example 1 After evacuating the vacuum container, Ar gas and CH4 gas were introduced, and the internal pressure was set to 6 X 10""'Tnrr (7
Ar/CH4-2/8: gas flow rate ratio). Next, simultaneous sputtering was performed using To and Cr as targets. At that time, by controlling the voltage applied to each target and controlling the spatter time, the recording film of Te53Cr2C15H3o was formed to a thickness of 2.
50 pieces were obtained on a non-quality polyolefin substrate.

実施例2 ガス流量比をA r / C H i, − 8 / 
2とした以外は、実施例1と同様にしてT (3 go
 C r 3C e H t t、膜厚240大の記録
膜を非晶質ポリオレフィン基板上に得た。
Example 2 The gas flow rate ratio is A r / C H i, - 8 /
T (3 go
A recording film of C r 3C e H t t and a film thickness of 240 mm was obtained on an amorphous polyolefin substrate.

実施例3 ガス流量比をAr /CH,−8/2とした以外は、実
施例1と同様にしてT +3 82C r x C e
 H tt、膜厚220大の記録膜を非晶質ポリオレフ
ィン基板上に得た。
Example 3 T +3 82C r x C e in the same manner as in Example 1 except that the gas flow ratio was Ar /CH, -8/2
A recording film with a thickness of 220 mm was obtained on an amorphous polyolefin substrate.

比較例1 ガス流量比をA r / C H 4 − 9 / 1
とし、T oのターゲットを用いて実施例1と同様にし
てTo  C  H  ,膜厚250大の記録膜を非晶
質8947 ポリオレフィン基板上に得た。
Comparative Example 1 Gas flow rate ratio A r / C H 4-9 / 1
A recording film having a thickness of 250 mm was obtained on an amorphous 8947 polyolefin substrate in the same manner as in Example 1 using a target of To C H .

参考例1 導入するガスをArのみとし実施例1と同様にしてTe
  Cr  、膜厚250大の記録膜を非晶973 質ポリオレフィン基板上に得た。
Reference Example 1 In the same manner as in Example 1, only Ar was introduced, and
A recording film made of Cr and having a film thickness of 250 mm was obtained on an amorphous 973 polyolefin substrate.

実施例1〜3の記録媒体(記録膜)を各々100℃の温
度でN2雰囲気下で20分間熱処理を施した。
The recording media (recording films) of Examples 1 to 3 were each subjected to heat treatment at a temperature of 100°C for 20 minutes in an N2 atmosphere.

参考例2 ガス流量比をA r / C H i, − 9 / 
1とした以外は、実施例1と同様にしてTe 88Cr
 ,C,H7、膜厚220大の記録膜を非品質ポリオレ
フィン基板上に得て、その記録媒体(記録膜)を実施例
4〜6と同様にして熱処理を施した。
Reference example 2 Gas flow rate ratio is A r / C H i, - 9 /
Te 88Cr was prepared in the same manner as in Example 1 except that
, C, H7, a recording film having a film thickness of 220 mm was obtained on a non-quality polyolefin substrate, and the recording medium (recording film) was heat-treated in the same manner as in Examples 4-6.

[試験結果] (1)1800r叩でディスクを回転させ3.7Mll
zの周波数でレーザー光を照射し、記録特性を調べた。
[Test results] (1) Rotate the disk at 1800 r and generate 3.7 Mll
The recording characteristics were examined by irradiating laser light at a frequency of z.

ここでC/Nmaxとはレーザーバワーを変えた際のC
/N比の最大値を示す。記録感度はC/N>C/N I
laxXO.9となるレーザーバワーの最小値を表わし
、マージンとはC/N>C/Nmax X0.9となる
レーザーパワーの範囲を表わす。結果を表1に示す。
Here, C/Nmax is the C when changing the laser power.
/N ratio maximum value. Recording sensitivity is C/N>C/N I
laxXO. 9, and the margin represents the range of laser power where C/N>C/Nmax X0.9. The results are shown in Table 1.

表1 (2)温度70℃、相対湿度85%の環境下に500時
間放置した後の反射f$Rを当初の反射率Roと比較し
た場合の試験結果を表2に示す。
Table 1 (2) Table 2 shows the test results when the reflection f$R was compared with the initial reflectance Ro after being left in an environment with a temperature of 70° C. and a relative humidity of 85% for 500 hours.

表 2table 2

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図、第2,3図は本発明に係る光記録媒体と従来の光記
録媒体との作用効果上の相違を示すグラフ、第4図は本
発明の他の実施例に係る光記録媒体の概略断面図である
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are graphs showing differences in function and effect between the optical recording medium according to the present invention and a conventional optical recording medium. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an optical recording medium according to another embodiment of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)基板と、この基板上に形成された記録膜とからなり
、この記録膜にエネルギービームを照射することにより
、この記録膜にピットを形成して情報を記録するように
した光記録媒体において、前記記録膜は、Teを主成分
としてCr、CおよびHを含む薄膜であり、前記記録膜
に含まれるCrおよびCの含有割合が、記録膜を構成す
る全原子数に対して、Crについては0.1〜40原子
%の範囲にあり、Cについては5〜40原子%の範囲に
あることを特徴とする光記録媒体。 2)基板と、この基板上に形成された記録膜とからなり
、この記録膜にエネルギービームを照射することにより
、この記録膜にピットを形成して情報を記録するように
した光記録媒体において、前記記録膜は、Teを主成分
としてCr、CおよびHを含む薄膜であり、前記記録膜
に含まれるCrの含有割合が、記録膜中のTeおよびC
rの合計原子数に対して、0.1〜60原子%の範囲に
あり、前記記録膜に含まれるCの含有割合が、記録膜中
のTe、CrおよびCの合計原子数に対して、5〜40
原子%の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。 3)請求項第1項または第2項に記載の記録膜を前記基
板上に成膜した後に、この記録膜を熱処理することを特
徴とする光記録媒体の製造方法。 4)前記熱処理は、70〜300℃の温度で5秒以上行
なうことを特徴とする請求項第3項に記載の光記録媒体
の製造方法。
[Scope of Claims] 1) Consisting of a substrate and a recording film formed on the substrate, the recording film is irradiated with an energy beam to form pits in the recording film and record information. In the optical recording medium made of On the other hand, an optical recording medium characterized in that Cr is in the range of 0.1 to 40 atomic % and C is in the range of 5 to 40 atomic %. 2) In an optical recording medium consisting of a substrate and a recording film formed on the substrate, information is recorded by forming pits in the recording film by irradiating the recording film with an energy beam. , the recording film is a thin film containing Te as a main component and Cr, C, and H, and the content ratio of Cr contained in the recording film is greater than the Te and C in the recording film.
The content ratio of C contained in the recording film is in the range of 0.1 to 60 at% with respect to the total number of atoms of r, 5-40
An optical recording medium characterized by being in the atomic percent range. 3) A method for manufacturing an optical recording medium, which comprises forming the recording film according to claim 1 or 2 on the substrate and then subjecting the recording film to heat treatment. 4) The method for manufacturing an optical recording medium according to claim 3, wherein the heat treatment is performed at a temperature of 70 to 300°C for 5 seconds or more.
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