JPH0352169B2 - - Google Patents
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- JPH0352169B2 JPH0352169B2 JP58009456A JP945683A JPH0352169B2 JP H0352169 B2 JPH0352169 B2 JP H0352169B2 JP 58009456 A JP58009456 A JP 58009456A JP 945683 A JP945683 A JP 945683A JP H0352169 B2 JPH0352169 B2 JP H0352169B2
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- aperture
- electron beam
- anode
- diameter
- cathode
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 49
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical class [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/485—Construction of the gun or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野及び従来技術の説明
本発明は動作中感光ターゲツト上にスポツトを
形成するよう集束されると共に該ターゲツトを走
査する電子ビームを発生する電子銃を排気管器内
に具え、該電子銃は電子ビーム伝播方向に見て順
にカソード、グリツド、アノード及び絞りを有す
る円筒電極を具え、そのカソードとアノードとの
間に電子ビームのクロスオーバを生じ、アノード
の一部分が電子ビームに略々垂直に延在し、その
垂直部分にアパーチヤを有し、該アパーチヤをタ
ーゲツト側において電子ビームの位置にアパーチ
ヤを有する第1金属箔で覆い、このアパーチヤは
0.15mm以下であつてこの電子ビーム位置における
電子ビームの直径以上の直径にして成るテレビジ
ヨン撮像管に関するものである。
形成するよう集束されると共に該ターゲツトを走
査する電子ビームを発生する電子銃を排気管器内
に具え、該電子銃は電子ビーム伝播方向に見て順
にカソード、グリツド、アノード及び絞りを有す
る円筒電極を具え、そのカソードとアノードとの
間に電子ビームのクロスオーバを生じ、アノード
の一部分が電子ビームに略々垂直に延在し、その
垂直部分にアパーチヤを有し、該アパーチヤをタ
ーゲツト側において電子ビームの位置にアパーチ
ヤを有する第1金属箔で覆い、このアパーチヤは
0.15mm以下であつてこの電子ビーム位置における
電子ビームの直径以上の直径にして成るテレビジ
ヨン撮像管に関するものである。
斯るテレビジヨン撮像管は米国特許第3928784
号明細書から既知である。そのターゲツト上に光
学像を投射するとその上に電位分布が形成され、
電子ビームでターゲツトを走査すると、前記光学
像に対応する信号が得られる。感光ターゲツトは
通常は信号板上に設けられた光導電層で形成され
る。光導電層は多数の画素から成るものとみなす
ことができる。各画素は、電流源に並列に接続さ
れ当該画素の入射強度に略々比例する電流を発生
するコンデンサとみなせる。各コンデンサの電荷
は入射光強度が一定のときは時間とともに直線的
に減少する。走査の結果として電子ビームが各画
素を周期的に通り、コンデンサを再び充電する。
これは各画素が周期的にカソードの電位に等しく
されることを意味する。コンデンサを周期的に充
電するのに必要な電荷量は関連する画素の入射光
強度に比例する。この充電電流は信号抵抗を経て
全画素に共通の信号板に流れる。その結果、信号
抵抗の両端間に変化電圧が発生し、時間の関数と
してのこの電圧は各画素の位置の関数としての光
像の光強度を表わす。上述の動作を有するテレビ
ジヨン撮像管はビデイコン管と呼ばれている。上
述したように各画素は周期的にカソード電位(零
ボルト)にされる。画素がカソード電位にされる
やいなや電子ビームの電子はこの画素の到達し得
なくなる。これら電子の速度は零に減少し、斯る
後に逆方向に加速される。これら電子のいくつか
が一次(走査)電子ビームと同じように偏向され
るいわゆる戻りビームを形成する。この戻りビー
ムはある瞬時に電子銃の全ての電極のアパーチヤ
を通過してカソードとアノードとの間の空間に到
達し得ることが確かめられている。多くの電子は
一般に零ボルトであるカソードの到達するに充分
なエネルギーを有しないため、再び逆方向に加速
される。これらの電子は二次電子ビームを構成
し、この二次電子ビームは一次電子ビームと一緒
に光導電層を走査するが、アノードのアパーチヤ
内における一次ビームと二次ビームとの間の距離
に応じて一次電子ビームとは異なる位置を走査す
る。この結果、妨害信号が発生し、これが表示画
像中に現われる。
号明細書から既知である。そのターゲツト上に光
学像を投射するとその上に電位分布が形成され、
電子ビームでターゲツトを走査すると、前記光学
像に対応する信号が得られる。感光ターゲツトは
通常は信号板上に設けられた光導電層で形成され
る。光導電層は多数の画素から成るものとみなす
ことができる。各画素は、電流源に並列に接続さ
れ当該画素の入射強度に略々比例する電流を発生
するコンデンサとみなせる。各コンデンサの電荷
は入射光強度が一定のときは時間とともに直線的
に減少する。走査の結果として電子ビームが各画
素を周期的に通り、コンデンサを再び充電する。
これは各画素が周期的にカソードの電位に等しく
されることを意味する。コンデンサを周期的に充
電するのに必要な電荷量は関連する画素の入射光
強度に比例する。この充電電流は信号抵抗を経て
全画素に共通の信号板に流れる。その結果、信号
抵抗の両端間に変化電圧が発生し、時間の関数と
してのこの電圧は各画素の位置の関数としての光
像の光強度を表わす。上述の動作を有するテレビ
ジヨン撮像管はビデイコン管と呼ばれている。上
述したように各画素は周期的にカソード電位(零
ボルト)にされる。画素がカソード電位にされる
やいなや電子ビームの電子はこの画素の到達し得
なくなる。これら電子の速度は零に減少し、斯る
後に逆方向に加速される。これら電子のいくつか
が一次(走査)電子ビームと同じように偏向され
るいわゆる戻りビームを形成する。この戻りビー
ムはある瞬時に電子銃の全ての電極のアパーチヤ
を通過してカソードとアノードとの間の空間に到
達し得ることが確かめられている。多くの電子は
一般に零ボルトであるカソードの到達するに充分
なエネルギーを有しないため、再び逆方向に加速
される。これらの電子は二次電子ビームを構成
し、この二次電子ビームは一次電子ビームと一緒
に光導電層を走査するが、アノードのアパーチヤ
内における一次ビームと二次ビームとの間の距離
に応じて一次電子ビームとは異なる位置を走査す
る。この結果、妨害信号が発生し、これが表示画
像中に現われる。
この戻りビームの悪影響を低減するために、前
記米国特許第3928784号明細書にはアノードに金
属泊を設け、この箔に電子ビームの位置に0.150
mm以下であつてこの電子ビーム位置における電子
ビームの直径以上のアパーチヤを設けることが開
示されている。電子ビームの直径はこの電子ビー
ム区域におけるビームの最小横断面積の直径であ
る。アノードのこのアパーチヤは一次電子ビーム
はインターセプトすることなく戻りビームの大部
分をインターセプトするようできるだけ小さく選
択する。従つてアノードは一次電子ビームに対し
何の絞り作用も有しない。実際上前記米国特許明
細書に開示された手段は戻りビームに帰因する妨
害を低減するが不充分であることを確かめた。
記米国特許第3928784号明細書にはアノードに金
属泊を設け、この箔に電子ビームの位置に0.150
mm以下であつてこの電子ビーム位置における電子
ビームの直径以上のアパーチヤを設けることが開
示されている。電子ビームの直径はこの電子ビー
ム区域におけるビームの最小横断面積の直径であ
る。アノードのこのアパーチヤは一次電子ビーム
はインターセプトすることなく戻りビームの大部
分をインターセプトするようできるだけ小さく選
択する。従つてアノードは一次電子ビームに対し
何の絞り作用も有しない。実際上前記米国特許明
細書に開示された手段は戻りビームに帰因する妨
害を低減するが不充分であることを確かめた。
発明の概要
これがため、本願発明の目的は戻りビームに帰
因する妨害を一層良好に抑制する手段を講じたテ
レビジヨン撮像管を提供することにある。
因する妨害を一層良好に抑制する手段を講じたテ
レビジヨン撮像管を提供することにある。
本発明は上述した種類のテレビジヨン撮像管に
おいて、アノードのアポーチヤをカソード側にお
いて電子ビームの位置にアパーチヤを有する第2
金属箔で覆い、この第2金属箔のアパーチヤは前
記第1金属箔のアパーチヤの直径より小さく当該
電子ビーム位置における電子ビームの直径(当該
電子ビーム位置における最小ビーム断面積の直
径)以上の直径を有するものとしたことを特徴と
する。
おいて、アノードのアポーチヤをカソード側にお
いて電子ビームの位置にアパーチヤを有する第2
金属箔で覆い、この第2金属箔のアパーチヤは前
記第1金属箔のアパーチヤの直径より小さく当該
電子ビーム位置における電子ビームの直径(当該
電子ビーム位置における最小ビーム断面積の直
径)以上の直径を有するものとしたことを特徴と
する。
発明の効果
前記第2金属箔は前記第1金属箔より電子ビー
ムのクロスオーバに近接して位置するため、この
第2金属箔のアパーチヤは第1金属箔のアパーチ
ヤより小さくすることができる。その結果、戻り
ビームの一層大きな部分をアノードでインターセ
プトすることができる。ただし、戻りビームの大
部分は幾分集束された状態でアノードに衝突して
二次電子放出の結果として二次電子を発生する。
今、第1金属箔を省略したものとすると、アノー
ドが戻りビームで走査されることにより所定の強
度及び方向を持つた二次電子がアノードのターゲ
ツト側で発生すると共に、これと異なる強度及び
方向を持つた二次電子がターゲツトからもつと離
れた深い位置にある第2金属箔で発生される。発
生された二次電子のいくらかは戻りビームの電子
と略々同程度の運動エネルギーを有するため、こ
れら二次電子は本来の(一次)電子ビームと一緒
に光導電層を走査するが一次電子ビームとは異な
る位置を走査する二次ビームを形成する。その理
由は、二次電子ビームは偏向磁界を一度ではなく
三度通過した電子から成るためである。第1金属
箔を省略した場合に起こるアノードの異なる部分
の二次電子放出の差のために、表示画像に現われ
る妨害信号が形成される。第1金属箔を使用し続
けると、二次電子は略々平坦な表面でのみ発生さ
れることになり、その結果、上記の妨害は第1金
属箔を省略した場合より実際上著しく小さくな
る。従つて、本発明によれば戻りビームによる撮
像画像の妨害を二次電子による妨害を増大するこ
となく著しく低減することができる。
ムのクロスオーバに近接して位置するため、この
第2金属箔のアパーチヤは第1金属箔のアパーチ
ヤより小さくすることができる。その結果、戻り
ビームの一層大きな部分をアノードでインターセ
プトすることができる。ただし、戻りビームの大
部分は幾分集束された状態でアノードに衝突して
二次電子放出の結果として二次電子を発生する。
今、第1金属箔を省略したものとすると、アノー
ドが戻りビームで走査されることにより所定の強
度及び方向を持つた二次電子がアノードのターゲ
ツト側で発生すると共に、これと異なる強度及び
方向を持つた二次電子がターゲツトからもつと離
れた深い位置にある第2金属箔で発生される。発
生された二次電子のいくらかは戻りビームの電子
と略々同程度の運動エネルギーを有するため、こ
れら二次電子は本来の(一次)電子ビームと一緒
に光導電層を走査するが一次電子ビームとは異な
る位置を走査する二次ビームを形成する。その理
由は、二次電子ビームは偏向磁界を一度ではなく
三度通過した電子から成るためである。第1金属
箔を省略した場合に起こるアノードの異なる部分
の二次電子放出の差のために、表示画像に現われ
る妨害信号が形成される。第1金属箔を使用し続
けると、二次電子は略々平坦な表面でのみ発生さ
れることになり、その結果、上記の妨害は第1金
属箔を省略した場合より実際上著しく小さくな
る。従つて、本発明によれば戻りビームによる撮
像画像の妨害を二次電子による妨害を増大するこ
となく著しく低減することができる。
図面につき本発明を説明する。
第1図は本発明を具体化したテレビジヨン撮像
管の縦断面図を示し、この撮像管は一端の窓2の
内面に感光ターゲツト3が設けられたガラス管器
1を具える。このターゲツト3は光導電層と該光
導電層と窓の間に介在する透明な導電性の信号板
とから成る。光導電層は特に活性化した酸化鉛か
ら主として成り、信号板は導電性の酸化錫から成
る。ガラス管器1の反対側端には管の接続ピン4
がある。更に、管の中心軸線に沿つて心合わせさ
れた電子銃6を具えると共に、電子ビームをター
ゲツト3上に垂直にランデイングさせるためのメ
ツシユ電極7を具える。偏向コイル8は電子銃6
により発生された電子ビームを互に直交する二方
向に変更してターゲツト3上をラスタ走査せしめ
るものである。集束コイル9は電子ビームをター
ゲツト3上に集束するものである。本発明によれ
ば電子銃6については第3図を参照して詳細に説
明する。
管の縦断面図を示し、この撮像管は一端の窓2の
内面に感光ターゲツト3が設けられたガラス管器
1を具える。このターゲツト3は光導電層と該光
導電層と窓の間に介在する透明な導電性の信号板
とから成る。光導電層は特に活性化した酸化鉛か
ら主として成り、信号板は導電性の酸化錫から成
る。ガラス管器1の反対側端には管の接続ピン4
がある。更に、管の中心軸線に沿つて心合わせさ
れた電子銃6を具えると共に、電子ビームをター
ゲツト3上に垂直にランデイングさせるためのメ
ツシユ電極7を具える。偏向コイル8は電子銃6
により発生された電子ビームを互に直交する二方
向に変更してターゲツト3上をラスタ走査せしめ
るものである。集束コイル9は電子ビームをター
ゲツト3上に集束するものである。本発明によれ
ば電子銃6については第3図を参照して詳細に説
明する。
第2図は従来の電子銃(米国特許第3928784号
明細書に開示されているもの)の縦断面図であ
る。この電子銃は陰極20、グリツド21及びア
ノード22を具える。グリツド21は0.6mmの直
径を有するアパーチヤ23を有する。アノード2
2は0.6mmの直径を有するアパーチヤ24を有す
る。この電子銃は更に0.6mmの直径のアパーチヤ
27を有する絞り26を有する円筒電極25を具
える。カソード20から出た電子ビーム28はカ
ーソド20、グリツド21、アノード22及び電
極25の電圧の影響の下でクロスオーバ29を形
成する。このクロスオーバ29は集束レンズ、例
えば集束コイル(第1図の集束コイル9)により
撮像管のターゲツト上に集束される。点として線
図的に示すこのクロスオーバ29の直径は実際上
所望のものより遥かに大きいため、電子ビーム3
0の断面積を制限する必要がある。電子ビーム3
1のみを通すことができる絞り26のアパーチヤ
27はこの目的を達成するものである。戻りビー
ム32をできるだけインターセプトするためにア
ノード22はアパーチヤ34を有する箔33を有
する。このアパーチヤ34の直径は0.1mmであつ
て、これは戻りビーム38をできるだけ大きくイ
ンターセプトするが一次ビーム28は全て通すよ
うに選択されている。それにもかかわらず、実際
上戻りビーム32はアパーチヤ34を通過するこ
とを確かめた。アパーチヤ34をもつと小さくす
ることは、その場合には一次電子ビーム28の一
部がインターセプトされることになるので不可能
である。
明細書に開示されているもの)の縦断面図であ
る。この電子銃は陰極20、グリツド21及びア
ノード22を具える。グリツド21は0.6mmの直
径を有するアパーチヤ23を有する。アノード2
2は0.6mmの直径を有するアパーチヤ24を有す
る。この電子銃は更に0.6mmの直径のアパーチヤ
27を有する絞り26を有する円筒電極25を具
える。カソード20から出た電子ビーム28はカ
ーソド20、グリツド21、アノード22及び電
極25の電圧の影響の下でクロスオーバ29を形
成する。このクロスオーバ29は集束レンズ、例
えば集束コイル(第1図の集束コイル9)により
撮像管のターゲツト上に集束される。点として線
図的に示すこのクロスオーバ29の直径は実際上
所望のものより遥かに大きいため、電子ビーム3
0の断面積を制限する必要がある。電子ビーム3
1のみを通すことができる絞り26のアパーチヤ
27はこの目的を達成するものである。戻りビー
ム32をできるだけインターセプトするためにア
ノード22はアパーチヤ34を有する箔33を有
する。このアパーチヤ34の直径は0.1mmであつ
て、これは戻りビーム38をできるだけ大きくイ
ンターセプトするが一次ビーム28は全て通すよ
うに選択されている。それにもかかわらず、実際
上戻りビーム32はアパーチヤ34を通過するこ
とを確かめた。アパーチヤ34をもつと小さくす
ることは、その場合には一次電子ビーム28の一
部がインターセプトされることになるので不可能
である。
実施例の説明
第3図は本発明による電子銃6の縦断面であ
る。この電子銃はカソード40、グリツド41及
びアノード42を具える。グリツド41は0.6mm
の直径を有するアパーチヤ43を有する。アノー
ド42は0.6mmの直径を有するアパーチヤ44を
有する。この電子銃は更に0.6mmの直径のアパー
チヤ47を有する絞り46を有する円筒電極45
を具える。カソード40から出た電子ビーム48
はカソード40、グリツド41、アノード42及
び電極45の電圧の影響の下でクロスオーバ49
を形成する。クロスオーバ49は集束レンズ、例
えば集束コイル(第1図の集束コイル9)により
ターゲツト上に集束される。点として線図的に示
すこのクロスオーバ49の直径は所望のものより
遥かに大きいため、電子ビーム50の断面積を制
限する必要がある。電子ビーム51のみを通す絞
り46のアパーチヤ47はこの目的を達成するも
のである。アノード42はアパーチヤ54を有す
る箔53とアパーチヤ56を有する箔55を具え
る。アパーチヤ54の直径は0.12mmであり、アパ
ーチヤ56の直径は0.08mmである。アパーチヤ5
6の大きさは第2図のアパーチヤ34の大きさよ
り遥かに小さいため、第2図の電子銃の場合より
戻りビームを充分にさえぎることができる。この
際箔53を省略することはできない。その理由は
その場合にはアノードはターゲツトから見て平坦
でなくなり、アノードが集束された戻りビームで
走査されるときにアパーチヤ44が始まる区域で
ステツプ状の二次電子放出を生じ、箔53及び5
5の厚さは0.05mmである。グリツド41の厚さは
0.2mmである。グリツド41とアノード42の間
隔は0.25mmである。アノード42の厚さは0.2mm
である。電極45の内径は10mmである。アパーチ
ヤ54と47との間隔は12mmである。光導電層を
電子ビームで操作中の各電極の電圧は次の通りで
ある。
る。この電子銃はカソード40、グリツド41及
びアノード42を具える。グリツド41は0.6mm
の直径を有するアパーチヤ43を有する。アノー
ド42は0.6mmの直径を有するアパーチヤ44を
有する。この電子銃は更に0.6mmの直径のアパー
チヤ47を有する絞り46を有する円筒電極45
を具える。カソード40から出た電子ビーム48
はカソード40、グリツド41、アノード42及
び電極45の電圧の影響の下でクロスオーバ49
を形成する。クロスオーバ49は集束レンズ、例
えば集束コイル(第1図の集束コイル9)により
ターゲツト上に集束される。点として線図的に示
すこのクロスオーバ49の直径は所望のものより
遥かに大きいため、電子ビーム50の断面積を制
限する必要がある。電子ビーム51のみを通す絞
り46のアパーチヤ47はこの目的を達成するも
のである。アノード42はアパーチヤ54を有す
る箔53とアパーチヤ56を有する箔55を具え
る。アパーチヤ54の直径は0.12mmであり、アパ
ーチヤ56の直径は0.08mmである。アパーチヤ5
6の大きさは第2図のアパーチヤ34の大きさよ
り遥かに小さいため、第2図の電子銃の場合より
戻りビームを充分にさえぎることができる。この
際箔53を省略することはできない。その理由は
その場合にはアノードはターゲツトから見て平坦
でなくなり、アノードが集束された戻りビームで
走査されるときにアパーチヤ44が始まる区域で
ステツプ状の二次電子放出を生じ、箔53及び5
5の厚さは0.05mmである。グリツド41の厚さは
0.2mmである。グリツド41とアノード42の間
隔は0.25mmである。アノード42の厚さは0.2mm
である。電極45の内径は10mmである。アパーチ
ヤ54と47との間隔は12mmである。光導電層を
電子ビームで操作中の各電極の電圧は次の通りで
ある。
カソード40 0V
グリツド41 −40V
アノード42 300V
電極45 300V
第1図は本発明を具体化したテレビジヨン撮像
管の縦断面図、第2図は従来のテレビジヨン撮像
管の電子銃の縦断面図、第3図は本発明を具体化
したテレビジヨン撮像管の電子銃の縦断面図であ
る。 1……ガラス管器、2……窓、3……ターゲツ
ト、4……接続ピン、5……管軸、6……電子
銃、7……メツシユ電極、8……偏向コイル、9
……集束コイル、40……カソード、41……グ
リツド、42……アノード、45……円筒電極、
46……絞り、43,44,47……アパーチ
ヤ、48,50,51……電子ビーム、49……
クロスオーバ、53……第1金属箔、55……第
2金属箔、54,56……アパーチヤ。
管の縦断面図、第2図は従来のテレビジヨン撮像
管の電子銃の縦断面図、第3図は本発明を具体化
したテレビジヨン撮像管の電子銃の縦断面図であ
る。 1……ガラス管器、2……窓、3……ターゲツ
ト、4……接続ピン、5……管軸、6……電子
銃、7……メツシユ電極、8……偏向コイル、9
……集束コイル、40……カソード、41……グ
リツド、42……アノード、45……円筒電極、
46……絞り、43,44,47……アパーチ
ヤ、48,50,51……電子ビーム、49……
クロスオーバ、53……第1金属箔、55……第
2金属箔、54,56……アパーチヤ。
Claims (1)
- 1 動作中感光ターゲツト上にスポツトを形成す
るよう集束されると共に該ターゲツトを走査する
電子ビームを発生する電子銃を排気管器内に具
え、該電子銃は電子ビーム伝播方向に見て順にカ
ソード、グリツド、アノード及び絞りを有する円
筒電極を具え、そのカソードとアノードとの間に
電子ビームのクロスオーバを生じ、アノードの一
部分が電子ビームに略々垂直に延在し、その垂直
部分にアパーチヤを有し、該アパーチヤをターゲ
ツト側において電子ビームの位置にアパーチヤを
有する第1金属箔で覆い、このアパーチヤは0.15
mm以下であつてこの電子ビーム位置における電子
ビームの直径以上の直径にして成るテレビジヨン
撮像管において、前記アノードのアパーチヤをカ
ソード側において電子ビームの位置にアパーチヤ
を有する第2金属箔で覆い、該第2金属箔のアパ
ーチヤは前記第1金属箔のアパーチヤの直径より
小さく当該電子ビーム位置における電子ビームの
直径以上の直径を有するものとしたことを特徴と
するテレビジヨン撮像管。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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NL8200253 | 1982-01-25 | ||
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JPS58129729A JPS58129729A (ja) | 1983-08-02 |
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- 1983-01-21 ES ES519165A patent/ES8400633A1/es not_active Expired
- 1983-01-25 JP JP58009456A patent/JPS58129729A/ja active Granted
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101444386B1 (ko) * | 2013-03-06 | 2014-09-26 | 삼성중공업 주식회사 | 로봇 핸드의 다중 링크 핑거 모듈 |
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