JPH0351747A - Pattern inspecting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレティクル、マスクなどのパターンの形成状態
を検査する技術、特に、設計データ比較検査及びパター
ン比較検査を併用した外観検査に用いて効果のある技術
に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is a technique for inspecting the formation state of patterns of reticles, masks, etc., and is particularly effective when used for visual inspection using a combination of design data comparison inspection and pattern comparison inspection. It is about a certain technology.
マスクあるいはレチクル上に形成されたパターンは、設
計データの通りに忠実に描かれていることが理想である
が、描画装置の誤動作、材料欠陥、プロセス中に発生す
る欠陥などのために設計データの通りにならない場合が
ある。このような不良が発生した場合、LSI(大規模
集積回路)の素子構成に悪影響を及ぼし、歩留りや信頼
性の低下を招くことになる。このため、形状・欠陥検査
は最も重要な検査となっている。Ideally, the pattern formed on a mask or reticle should be faithfully drawn according to the design data, but due to malfunctions in the drawing equipment, material defects, defects that occur during the process, etc. It may not be possible to pass the street. If such a defect occurs, it will have an adverse effect on the element configuration of an LSI (Large Scale Integrated Circuit), leading to a decrease in yield and reliability. For this reason, shape/defect inspection has become the most important inspection.
このような外観検査に関する技術は、例えば、昭和63
年12月lO日、株式会社工業調査会発行、「電子材料
別冊、超LSI製造・試験装置ガイドブック」159頁
〜167頁に記載がある。Techniques related to such visual inspections were developed, for example, in 1983.
It is described on pages 159 to 167 of "Electronic Materials Separate Volume, Ultra-LSI Manufacturing and Testing Equipment Guidebook," published by Kogyo Chosenkai Co., Ltd., December 10, 2015.
ところで、本発明者は、マスクなどの外観検査の不良に
ついて検討した。By the way, the present inventor has studied defects in appearance inspection of masks and the like.
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。The following are the techniques studied by the present inventor, and the outline thereof is as follows.
すなわち、欠陥検査装置の形態としては、主に次の2種
類がある。That is, there are mainly two types of defect inspection apparatuses as follows.
(1)マスクのパターン描画に用いた設計データとマス
クのパターンとを直接比較する設計データ比較検査法を
用いたもの。(1) A design data comparison inspection method that directly compares the design data used to draw the mask pattern and the mask pattern.
(2)マスク内或いはマスク間のチップパターン同士を
比較するパターン比較検査(2チップ比較検査)法を用
いたもの。(2) A pattern comparison inspection (two-chip comparison inspection) method that compares chip patterns within a mask or between masks.
現在、マスクの外観検査では、前記2つの方法を採用し
ている。また、レティクルにおいては通常(1)のみで
あるが、マルチパターン(同一パターンデータが2つ以
上存在する)の場合には、前記(2)の検査も行ってい
る。Currently, the above two methods are used for mask appearance inspection. In addition, for reticles, usually only (1) is inspected, but in the case of multi-patterns (two or more pieces of the same pattern data exist), the above (2) is also inspected.
ところが、前記の如(設計データ比較検査法及びパター
ン比較検査法の2つの検査を行った場合には、検査のた
めに多大の時間を要するという問題が本発明者によって
見い出された。However, the inventor of the present invention has found that when the above-mentioned two tests (design data comparison test method and pattern comparison test method) are performed, a large amount of time is required for the test.
そこで、本発明の目的は、設計データ比較検査とパター
ン比較検査を同時に行えるようにして、検査時間の短縮
を図ることのできるパターン検査技術を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, it is an object of the present invention to provide a pattern inspection technique that allows design data comparison inspection and pattern comparison inspection to be performed simultaneously, thereby reducing inspection time.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願にふいて開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、遮光パターンを有する検査対象物に複数の光
を同時に照射し、その反射光または透過光を生成する光
学系と、前記反射光または透過光の1つから設計データ
比較用の検出パターンを得る第1の検出部と、前記設計
データ比較用に用いた反射光または透過光とは異なる2
つから2チップ比較用の検出パターンを得る第2の検出
部と、前記第1の検出部によって得られた検出パターン
と設計データに基づく基準パターンとを比較するデータ
比較部と、前記第2の検出部によって得られた2つの検
出パターンの相違を比較して微小欠陥を検出する微小欠
陥検出部とを設けたものである。That is, an optical system that simultaneously irradiates a plurality of lights onto an inspection target having a light-shielding pattern and generates reflected or transmitted light, and obtains a detection pattern for design data comparison from one of the reflected or transmitted lights. The first detection unit and the reflected light or transmitted light used for the design data comparison are different from each other.
a second detection unit that obtains a detection pattern for two-chip comparison from the first detection unit; a data comparison unit that compares the detection pattern obtained by the first detection unit with a reference pattern based on design data; A micro defect detection section is provided for detecting a micro defect by comparing the difference between two detection patterns obtained by the detection section.
上記した手段によれば、設計データ比較検査用とパター
ン比較検査用の各々に対する光学系及びパターン検出系
が同時に形成され、データ比較及びパターン比較が独立
に、かつ同時進行の形で実行される。したがって、従来
のように1つの検査対象物に対する2つの検査を2工程
に分けて行う必要が無く、検査時間の短縮を図ることが
可能になる。According to the above-described means, the optical system and pattern detection system for design data comparison inspection and pattern comparison inspection are formed simultaneously, and data comparison and pattern comparison are performed independently and simultaneously. Therefore, there is no need to perform two inspections on one inspection object in two steps as in the past, and it is possible to shorten inspection time.
第1図は本発明によるパターン検査装置の一実ステージ
直上にはクロムパターンの形成されたマスク2がセット
され、このマスク2の真上に光源となるランプ3が設置
されている。ランプ3の発する光は、マスク2上に配設
された検査レンズ4.5.6に不図示の光路形成手段に
よって分光される。ここで、検査レンズ4はデータ比較
検査用に用いられ、検査レンズ5及び6はパターン比較
検査用に用いられる。ランプ3と検査レンズ4゜5.6
より成る組合せが、光学系を形成している。FIG. 1 shows a pattern inspection apparatus according to the present invention. A mask 2 on which a chrome pattern is formed is set directly above the stage, and a lamp 3 serving as a light source is installed directly above the mask 2. The light emitted by the lamp 3 is split into spectra by an optical path forming means (not shown) into an inspection lens 4.5.6 disposed on the mask 2. Here, the inspection lens 4 is used for data comparison inspection, and the inspection lenses 5 and 6 are used for pattern comparison inspection. Lamp 3 and inspection lens 4゜5.6
A combination of these forms an optical system.
なお、検査レンズ4,5.6を出射した光は、マスク2
を透過させて検査を行う場合と、マスク2より反射させ
た光を検出して検査を行う場合とがある。ここでは、マ
スク2での反射光を用い、その反射光が再び検査レンズ
4.5.6を介してCOD (電荷結合素子)などの撮
像素子を用いたパターン検出センサ7 (第1の検出部
)、8及び9(第2の検出部)に入射する例を示してい
る。Note that the light emitted from the inspection lenses 4, 5.6 passes through the mask 2.
In some cases, the inspection is carried out by transmitting the light, and in some cases, the inspection is carried out by detecting the light reflected from the mask 2. Here, the reflected light from the mask 2 is used, and the reflected light is passed through the inspection lens 4.5.6 again to the pattern detection sensor 7 (first detection section) using an image sensor such as a COD (charge coupled device). ), 8 and 9 (second detection unit).
このために、検査レンズ4.5.6を通したパターン画
像がパターン検出センサ7.8.9に正しく肉5像され
る必要があり、その結像手段にオートフォーカス(自動
合焦)制御系10が設けられている。このオートフォー
カス制御系10は、カメラなどのオートフォーカス機構
と同様のものが用いられる。For this purpose, the pattern image passed through the inspection lens 4.5.6 needs to be accurately imaged on the pattern detection sensor 7.8.9, and the image forming means is equipped with an autofocus control system. 10 are provided. This autofocus control system 10 is similar to an autofocus mechanism of a camera or the like.
ステージlは、マスク2の検査対象を光学系の中に入れ
るためにX−Y方向に自在に移動できる必要がある。こ
の移動制御を行うために、ステージ制御系11が設けら
れている。The stage 1 needs to be able to move freely in the X-Y directions in order to place the mask 2 to be inspected into the optical system. A stage control system 11 is provided to perform this movement control.
パターン検出センサ7には、その検出信号と設計データ
とを比較するデータ比較回路12(データ比較部)が接
続されている。このデータ比較回路12には、データ供
給手段である磁気ディスク装置13、磁気テープ14あ
るいはフロッピーディスク15からデータを読み込んで
データ比較回路12へ出力するためのCPU制御部16
が接続されている。The pattern detection sensor 7 is connected to a data comparison circuit 12 (data comparison section) that compares the detection signal with design data. This data comparison circuit 12 includes a CPU control unit 16 for reading data from a magnetic disk device 13, a magnetic tape 14, or a floppy disk 15, which are data supply means, and outputting the data to the data comparison circuit 12.
is connected.
一方、パターン検出センサ8及び9には、各々の検出パ
ターンを比較し、その相違部分の検出をもって微小欠陥
を判定する微小欠陥検出部17がターン検出センサ8.
9で検出した各クロムパターンを比較参照する左右像比
較回路18及びこの左右像比較回路18の比較結果に基
づいて微小欠陥(異物付着、接触、断線、欠落など)を
検出する微小欠陥検出回路19より構成される。On the other hand, the pattern detection sensors 8 and 9 include a micro defect detection unit 17 that compares each detection pattern and determines a micro defect by detecting a difference between the patterns.
A left-right image comparison circuit 18 compares and refers to each chrome pattern detected in step 9, and a minute defect detection circuit 19 detects minute defects (adhesion of foreign matter, contact, disconnection, missing wire, etc.) based on the comparison results of the left-right image comparison circuit 18. It consists of
さらに、データ比較回路12及び微小欠陥検出部17に
は、各々より出力される比較結果及び欠陥検出結果を記
憶保存するための欠陥情報メモリ20が接続されている
。Further, a defect information memory 20 is connected to the data comparison circuit 12 and the minute defect detection section 17 for storing the comparison results and defect detection results output from each.
次に、以上の構成による実施例の動作について第2図の
フローチャートを参照して説明する。Next, the operation of the embodiment with the above configuration will be explained with reference to the flowchart of FIG.
検査に際しては、マスク2をセットしたステージ1をX
−Y方向にステージ制御系11によってスキャン制御し
ながら行う。位置決めが完了した時点で(ステップ21
.22)、まず、設計データ比較検査の場合、ランプ3
と検査レンズ4の光学系及びパターン検出センサ7より
成る検出系によって検査対象部位のパターン形成状態が
検出される。一方、設計データは、予め磁気ディスク装
置13、磁気テープ14あるいはフロッピーディスク1
5のいずれかに書き込まれている。このいずれかからデ
ータを読み込んだCPU制御部16は、これを検査用デ
ータに変換してデータ比較回路12へ送出する。データ
比較回路12は、CPU制御部16から与えられた検査
用データ及びパターン検出センサ7より出力される検査
データを読み込み(ステップ23)、両者を比較(ステ
ップ24)し、両者に相違が有るか否かを判定する。During inspection, stage 1 with mask 2 set is
This is performed while scanning is controlled by the stage control system 11 in the −Y direction. When positioning is completed (step 21
.. 22), First, in the case of design data comparison inspection, lamp 3
A detection system comprising an optical system of the inspection lens 4 and the pattern detection sensor 7 detects the pattern formation state of the inspection target site. On the other hand, the design data is stored in advance in the magnetic disk device 13, magnetic tape 14 or floppy disk 1.
It is written in one of 5. The CPU control unit 16 that has read data from either of these converts it into test data and sends it to the data comparison circuit 12. The data comparison circuit 12 reads the inspection data given from the CPU control unit 16 and the inspection data output from the pattern detection sensor 7 (step 23), compares the two (step 24), and determines whether there is a difference between the two. Determine whether or not.
その判定は、欠陥情報メモリ20に格納されろくステッ
プ25)。The determination is stored in the defect information memory 20 (step 25).
一方、前記設計データ比較検査に並行して、パターン比
較検査が実施される。On the other hand, a pattern comparison inspection is performed in parallel with the design data comparison inspection.
この場合、ランプ3と検査レンズ5.6による光学系及
びパターン検出センサ8,9が用いられ、この検出結果
は微小欠陥検出部17に送出される(ステップ27)。In this case, an optical system including the lamp 3 and the inspection lens 5.6 and the pattern detection sensors 8 and 9 are used, and the detection results are sent to the minute defect detection section 17 (step 27).
そして、検査レンズ5.6は、隣接する二つのクロムパ
ターンの真上に位置している。この検査レンズ5,6を
介して得られた検出パターン同士を左右像比較回路18
によって比て微小欠陥検出回路19は、2つの検出パタ
ーンが全く同一であれば、欠陥は無いものと判定し、相
違があれば欠陥があるものと判定する。この微小欠陥検
出回路19による判定結果は、欠陥情報メモリ20に格
納される(ステップ30)。The inspection lens 5.6 is located directly above the two adjacent chrome patterns. A left and right image comparison circuit 18 compares the detection patterns obtained through the inspection lenses 5 and 6 with each other.
If the two detection patterns are exactly the same, the minute defect detection circuit 19 determines that there is no defect, and if there is a difference, it determines that there is a defect. The determination result by this minute defect detection circuit 19 is stored in the defect information memory 20 (step 30).
なお、1回の検査対象に対する検査の終了が判定される
と(ステップ26.30)、マスク2の全チップに対す
る検査が終了したか否かを判定(ステップ31)する。Note that when it is determined that the inspection for one inspection target has been completed (step 26.30), it is determined whether or not the inspection for all chips of the mask 2 has been completed (step 31).
全チップに対する検査が未終了の場合、処理をステップ
22に戻し、上記した処理を繰り返し実行する。If all chips have not been tested yet, the process returns to step 22 and the above process is repeated.
以上のように、設計データ比較検査とパターン比較検査
とを同時に行うことができるので、2つの検査方法のう
ち、どちらか一方の検査時間(長くかかる方の時間)で
2つの検査を同時に行うことができる。例えば、従来、
設計データ比較検査に60分〜90分、パターン比較検
査に30分を要していたが、本発明の実施例によれば、
設計データ比較検査に要する時間で2つの検査を完了す
ることができ、少なくともパターン比較検査に要してい
た時間分だけ検査を短縮することができる。As mentioned above, the design data comparison inspection and the pattern comparison inspection can be performed at the same time, so it is possible to perform the two inspections at the same time using the inspection time of either one of the two inspection methods (the longer one takes longer). I can do it. For example, conventionally,
It used to take 60 to 90 minutes for design data comparison inspection and 30 minutes for pattern comparison inspection, but according to the embodiment of the present invention,
Two tests can be completed in the time required for the design data comparison test, and the test can be shortened by at least the time required for the pattern comparison test.
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでは無く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。Above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. stomach.
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野である1対lの等信置光に用いられる
マスクの外観検査に適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、例えば、5対lの縮小
露光用のレティクルの外観検査にも適用可能である。In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the visual inspection of a mask used for 1:1 isostatic light, which is the field of application of the invention.
The present invention is not limited to this, and can also be applied to, for example, the visual inspection of a reticle for 5:1 reduction exposure.
また、以上においては、外観検査を対象としたが、異物
検査に用いることも可能である。さらに、上記実施例で
は、lステージの例を示したが、これを複数にし、その
各々に図示した本発明の光学系、微小欠陥検出部17及
び微小欠陥検出回路19を設けることにより、複数の検
査対象を同時に検査することができるので、検査処理数
を増大させることが可能になる。Furthermore, although the above description has been directed to visual inspection, it is also possible to use it for foreign matter inspection. Further, in the above embodiment, an example of an l stage is shown, but by making a plurality of stages and providing each of them with the illustrated optical system of the present invention, micro defect detection section 17, and micro defect detection circuit 19, a plurality of stages can be used. Since the objects to be inspected can be inspected simultaneously, it is possible to increase the number of inspections to be processed.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical ones are as follows.
すなわち、遮光パターンを有する検査対象物に複数の光
を同時に照射し、その反射光または透過光を生成する光
学系と、前記反射光または透過光の1つから設計データ
比較用の検出パターンを得る第1の検出部と、前記設計
データ比較用に用いた反射光または透過光とは異なる2
つから2チップ比較用の検出パターンを得る第2の検出
部と、前記第1の検出部によって得られた検出パターン
と設計データに基づく基準パターンとを比較するデータ
比較部と、前記第2の検出部によって得られた2つの検
出パターンの相違を比較して微小欠陥を検出する微小欠
陥検出部とを設けたので、設計データ比較検査及びパタ
ーン比較検査を同時に処理することができ、1つの検査
対象に費やす検査時間を大幅に短縮することができる。That is, an optical system that simultaneously irradiates a plurality of lights onto an inspection target having a light-shielding pattern and generates reflected or transmitted light, and obtains a detection pattern for design data comparison from one of the reflected or transmitted lights. The first detection unit and the reflected light or transmitted light used for the design data comparison are different from each other.
a second detection unit that obtains a detection pattern for two-chip comparison from the first detection unit; a data comparison unit that compares the detection pattern obtained by the first detection unit with a reference pattern based on design data; Since it is equipped with a micro-defect detection section that detects micro-defects by comparing the differences between two detection patterns obtained by the detection section, design data comparison inspection and pattern comparison inspection can be processed simultaneously, making it possible to perform one inspection. The inspection time spent on the target can be significantly reduced.
第1図は本発明によるパターン検査装置の一実施例にお
ける構成図、
第2図はこの実施例の動作を示すフローチャートである
。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a pattern inspection apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart showing the operation of this embodiment.
1・・・ステージ、2・・・マスク、3・・・ランプ、
4.5.6・・・検査レンズ、7,8゜9・・・パター
ン検出センサ、10・・・オートフォーカス制御系、1
1・・・ステージ制御系、12・・・データ比較回路、
13・・・磁気ディスク装置、15・・・フロッピーデ
ィスク、16・・・CPU制御部、17・・・微小欠陥
検出部、18・・・左右像比較回路、19・・・微小欠
陥検出回路、20・・・欠陥情報メモリ。1... Stage, 2... Mask, 3... Lamp,
4.5.6...Inspection lens, 7,8°9...Pattern detection sensor, 10...Autofocus control system, 1
1... Stage control system, 12... Data comparison circuit,
13... Magnetic disk device, 15... Floppy disk, 16... CPU control section, 17... Minute defect detection section, 18... Left and right image comparison circuit, 19... Minute defect detection circuit, 20...Defect information memory.
Claims (1)
に照射し、その反射光または透過光を生成する光学系と
、前記反射光または透過光の1つから設計データ比較用
の検出パターンを得る第1の検出部と、前記設計データ
比較用に用いた反射光または透過光とは異なる2つから
2チップ比較用の検出パターンを得る第2の検出部と、
前記第1の検出部によって得られた検出パターンと設計
データに基づく基準パターンとを比較するデータ比較部
と、前記第2の検出部によって得られた2つの検出パタ
ーンの相違を比較して微小欠陥を検出する微小欠陥検出
部とを具備することを特徴とするパターン検査装置。 2、前記光学系は、前記用途に応じて光源からの光を前
記遮光パターンの異なる部位に対して同時に照射する複
数の検査用レンズを備えて構成されることを特徴とする
請求項1記載のパターン検査装置。[Claims] 1. Comparison of design data from an optical system that simultaneously irradiates a plurality of lights onto an object to be inspected having a light-shielding pattern and generates reflected light or transmitted light, and one of the reflected light or transmitted light. a first detection unit that obtains a detection pattern for two-chip comparison from two different reflected lights or transmitted lights that are different from the reflected light or transmitted light used for the design data comparison;
A data comparison section that compares the detection pattern obtained by the first detection section with a reference pattern based on design data, and a data comparison section that compares the difference between the two detection patterns obtained by the second detection section and detects minute defects. 1. A pattern inspection device comprising: a minute defect detection section that detects. 2. The optical system is configured to include a plurality of inspection lenses that simultaneously irradiate light from a light source to different parts of the light shielding pattern depending on the application. Pattern inspection equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1184625A JPH0351747A (en) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | Pattern inspecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1184625A JPH0351747A (en) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | Pattern inspecting apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0351747A true JPH0351747A (en) | 1991-03-06 |
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ID=16156511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1184625A Pending JPH0351747A (en) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | Pattern inspecting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0351747A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
US6064484A (en) * | 1996-03-13 | 2000-05-16 | Fujitsu Limited | Pattern inspection method and system |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1184625A patent/JPH0351747A/en active Pending
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