JPH0350322B2 - - Google Patents

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JPH0350322B2
JPH0350322B2 JP55173261A JP17326180A JPH0350322B2 JP H0350322 B2 JPH0350322 B2 JP H0350322B2 JP 55173261 A JP55173261 A JP 55173261A JP 17326180 A JP17326180 A JP 17326180A JP H0350322 B2 JPH0350322 B2 JP H0350322B2
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JP
Japan
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magnetoresistive element
head
magnetoresistive
amplifier circuit
input section
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Japanese (ja)
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Takaharu Noguchi
Takao Arai
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/02Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気抵抗効果を用いた磁気ヘツド用
の再生増幅回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a regenerative amplifier circuit for a magnetic head using the magnetoresistive effect.

テープレコーダなどの磁気記録再生装置に使用
されている磁気ヘツドとしては、従来から電磁誘
導形のものが主として採用されていたが、近年に
到り薄膜技術の進歩に伴なつて磁気抵抗効果素子
(MR素子という)を用いた磁気ヘツドが使用さ
れるようになつてきた。
The magnetic heads used in magnetic recording and reproducing devices such as tape recorders have traditionally been of the electromagnetic induction type, but in recent years, with advances in thin film technology, magnetoresistive elements ( Magnetic heads using MR elements (MR elements) have come into use.

この磁気ヘツドはパーマロイなどの強磁性体薄
膜の磁界による抵抗変化を利用したもので、MR
ヘツドとも呼ばれる。その磁気ヘツドの一例を第
1図に示す。
This magnetic head utilizes the resistance change caused by the magnetic field of a thin film of ferromagnetic material such as permalloy.
Also called head. An example of such a magnetic head is shown in FIG.

第1図において、1および2は金属電極、3は
強磁性薄膜、4は記録媒体、MTは記録媒体4の
磁化ベクトル、Mは強磁性薄膜3の磁化ベクト
ル、は強磁性薄膜3の電流ベクトルであり、金
属電極1,2間に電流を流すように構成され、外
部磁界がないときは電流ベクトルと強磁性薄膜
3の磁化ベクトルMとのなす角度θは45゜となつ
ている。なお、10はMRヘツドの全体を示した
ものである。
In FIG. 1, 1 and 2 are metal electrodes, 3 is a ferromagnetic thin film, 4 is a recording medium, M T is the magnetization vector of the recording medium 4, M is the magnetization vector of the ferromagnetic thin film 3, and is the current of the ferromagnetic thin film 3. The current vector is configured to flow a current between the metal electrodes 1 and 2, and when there is no external magnetic field, the angle θ between the current vector and the magnetization vector M of the ferromagnetic thin film 3 is 45°. Note that 10 indicates the entire MR head.

このようなMRヘツド10に外部信号磁化ベク
トルMTが△MTだけ変化する磁気記録用の記録媒
体4が接したときに、磁化ベクトルMTの磁界に
より強磁性薄膜3の磁化ベクトルMと電流ベクト
ルとの角度θが磁化ベクトルMTの変化△MT
応じて変化し、第2図に示すように、記録媒体4
の磁化ベクトルMTの変化△MTに応じた強磁性薄
膜3の抵抗変化△Rが得れる。そこで、この抵抗
変化△Rを金属電極1と2との間の電位差として
検出することにより、記録媒体4に記録されてい
る信号を電気信号として読み出すことができる。
When such a MR head 10 comes into contact with a magnetic recording medium 4 whose external signal magnetization vector M T changes by ΔM T , the magnetic field of the magnetization vector M T changes the magnetization vector M of the ferromagnetic thin film 3 and the current. The angle θ with the vector changes according to the change ΔM T in the magnetization vector M T , and as shown in FIG.
A resistance change ΔR of the ferromagnetic thin film 3 corresponding to a change ΔM T in the magnetization vector M T can be obtained. Therefore, by detecting this resistance change ΔR as a potential difference between the metal electrodes 1 and 2, the signal recorded on the recording medium 4 can be read out as an electrical signal.

従つて、このようなMRヘツド10による記録
信号の読み取り再生のためには、MRヘツド10
に定電流を流す駆動電流回路と、MR素子の抵抗
変化△Rを検出する再生増幅回路とを必要とす
る。
Therefore, in order for the MR head 10 to read and reproduce recorded signals, the MR head 10 must be
This requires a drive current circuit that supplies a constant current to the MR element, and a regenerative amplifier circuit that detects the resistance change ΔR of the MR element.

そのため、従来技術ではこれらを別々に構成し
た、例えば第3図に示す第1の従来例が用いられ
ていた。
Therefore, in the prior art, the first conventional example shown in FIG. 3, for example, in which these components are configured separately, has been used.

第3図に記載される回路において、10はMR
ヘツド、11はトランジスタ、12は演算増幅器
(オペアンプ)、13〜16はコンデンサ、17〜
22は抵抗、23は直流電源端子、24は出力信
号端子である。この回路において、トランジスタ
11はMRヘツド10の電流駆動用であり、抵抗
17〜19および直流電源端子23に供給される
電源電圧Vc.c.で駆動電流が定まる。MRヘツド1
0を定電流で駆動すれば、MRヘツド10に印加
される外部磁界に比例してMRヘツド10の抵抗
が変化するため、トランジスタ11のコレクタ電
圧が変化し、この電圧変化を演算増幅器12、コ
ンデンサ14〜16、抵抗20〜22で構成され
る再生増幅回路によより増幅して取り出せば、記
録媒体4からの信号が読み出せる。
In the circuit shown in Figure 3, 10 is MR
Head, 11 is a transistor, 12 is an operational amplifier, 13-16 are capacitors, 17-
22 is a resistor, 23 is a DC power supply terminal, and 24 is an output signal terminal. In this circuit, the transistor 11 is used to drive the current of the MR head 10, and the drive current is determined by the power supply voltage Vc.c. supplied to the resistors 17 to 19 and the DC power supply terminal 23. MR head 1
If 0 is driven with a constant current, the resistance of the MR head 10 changes in proportion to the external magnetic field applied to the MR head 10, so the collector voltage of the transistor 11 changes, and this voltage change is transferred to the operational amplifier 12 and the capacitor. The signal from the recording medium 4 can be read by amplifying and extracting it by a reproduction amplification circuit composed of resistors 14 to 16 and resistors 20 to 22.

しかしながら、この第1の従来例では、電流駆
動回路と再生増幅回路とが独立に設けられている
ため、構成が複雑であるという欠点がある。しか
も、このようなMRヘツド10によつて読み出さ
れる信号は、一般に極めて低レベルの信号となつ
ているので、S/N比を必要なレベルににまで向
上させて保つためには回路系の雑音(N)レベル
を充分に低いレベルに抑える必要がある。しかし
ながら、上記した第1の従来例では雑音源がMR
ヘツド10の抵抗雑音と演算増幅器12内のトラ
ンジスタによる雑音に加えて、抵抗19,21な
どによる熱雑音及びトランジスタ11の雑音など
の多くのものが含まれる。このため、低雑音化が
困難で充分なS/N比を保つことができないとい
う欠点がある。
However, in this first conventional example, the current drive circuit and the regenerative amplifier circuit are provided independently, so there is a drawback that the configuration is complicated. Moreover, the signals read out by such an MR head 10 are generally extremely low-level signals, so in order to improve and maintain the S/N ratio to the required level, it is necessary to eliminate noise in the circuit system. (N) It is necessary to suppress the level to a sufficiently low level. However, in the first conventional example described above, the noise source is MR.
In addition to the resistance noise of the head 10 and the noise caused by the transistor in the operational amplifier 12, many other things are included, such as thermal noise caused by the resistors 19, 21, etc., and noise from the transistor 11. For this reason, there is a drawback that it is difficult to reduce the noise and it is impossible to maintain a sufficient S/N ratio.

ところで、MRヘツド10はその抵抗特性に大
きな温度依存性があり、そのために、例えば第3
図に示した第1の従来例では温度変化△Tによつ
て出力レベルやS/N比が大きく変化する。
By the way, the resistance characteristics of the MR head 10 have a large temperature dependence, and therefore, for example, the third
In the first conventional example shown in the figure, the output level and S/N ratio change greatly depending on the temperature change ΔT.

即ち、第3図の回路において、MRヘツド10
に流す電流をIM,MRヘツド10の抵抗値をRM
抵抗21,22の抵抗値をそれぞれR21,R22
すると、演算増幅器12のバイアス電流(入力部
に流れる電流)は一般に極め小さいので、出力信
号(交流信号)V1は(1)式で示される。
That is, in the circuit of FIG.
The current flowing through the head is I M , the resistance value of the MR head 10 is R M ,
Assuming that the resistance values of the resistors 21 and 22 are R 21 and R 22 respectively, the bias current (current flowing to the input section) of the operational amplifier 12 is generally extremely small, so the output signal (AC signal) V 1 is expressed by equation (1). shown.

V1=IM・RM・(1+R22/R21) ……(1) また、周囲温度Tの変化のためにMRヘツド1
0の温度TMが△Tだけ変化したときの出力信号
V2は(2)式で示される。
V 1 = I MRM・(1+R 22 /R 21 )...(1) Also, due to the change in the ambient temperature T, the MR head 1
Output signal when 0 temperature T M changes by △T
V 2 is expressed by equation (2).

V2=IM・RM・f(△T)・(1+R22/R21) ……(2) この(2)式において、f(△T)はMRヘツド1
0の抵抗値RMの温度度TM(またはT)に関係す
る関数(倍率)である。
V 2 = I MRM・f(△T)・(1+R 22 /R 21 )...(2) In this equation (2), f(△T) is the MR head 1
It is a function (multiplying factor) related to the temperature T M (or T) of the resistance value R M of 0.

これら(1)式,(2)式から明らかなように、第3図
に記載される第1の従来例の回路では、温度変化
△Tによつて出力信号のレベルがf(△T)をも
つて変化するという欠点がある。
As is clear from these equations (1) and (2), in the first conventional circuit shown in FIG. The disadvantage is that it changes over time.

また、この種の磁気ヘツド用の再生増幅回路と
して関連するものには、例えば特開昭55−1698号
公報(以下、第2の従来例という。)に示唆され
る回路が挙げられる。
Further, a related regenerative amplifier circuit for this type of magnetic head includes, for example, a circuit suggested in Japanese Patent Laid-Open No. 1698/1983 (hereinafter referred to as the second conventional example).

この第2の従来例を第8図に示して簡単に説明
する。第8図ににおいて、61はMRヘツドを成
す第1の磁気抵抗効果素子である。この第8図に
記載される再生増幅回路の場合には、磁気抵抗効
果素子61に予じめ与えるバイアス磁界が誤つた
極性を取ることによつて生ずる不安定性を防ぐこ
とが出来るように回路が構成されている。
This second conventional example is shown in FIG. 8 and will be briefly described. In FIG. 8, 61 is a first magnetoresistive element forming the MR head. In the case of the regenerative amplifier circuit shown in FIG. 8, the circuit is designed to prevent instability caused by the bias magnetic field applied to the magnetoresistive element 61 having the wrong polarity. It is configured.

電流源66と磁気抵抗効果素子61の直列回路
と、電流源66′と抵抗R3の直列回路とはブリツ
ジ回路を構成している。磁気抵抗効果素子61お
よび抵抗R3を有するブリツジ回路は、演算増幅
器65の2つの入力部に接続される。ここで、電
流源66は図示の如く電流i3を供給し、電流源6
6′は同様に電流i4を供給する。この電流i4によつ
て演算増幅器65の出力信号が負となり、抵抗
R5、トランジスタT1よび抵抗R4を経て負帰還ワ
イヤ63へと負電流を流すように制御がなされ
る。トランジスタT1は負電流のみを流し得るの
で、安定領域においてのみ調整が可能である。抵
抗R6によつて微小の負のバイアス電流が調整さ
れるものである。
The series circuit of the current source 66 and the magnetoresistive element 61 and the series circuit of the current source 66' and the resistor R3 constitute a bridge circuit. A bridge circuit having a magnetoresistive element 61 and a resistor R 3 is connected to two inputs of an operational amplifier 65 . Here, the current source 66 supplies current i 3 as shown, and the current source 66
6' likewise supplies current i4 . This current i4 causes the output signal of the operational amplifier 65 to become negative, and the resistance
Control is performed so that a negative current flows to the negative feedback wire 63 via R 5 , transistor T 1 and resistor R 4 . Transistor T 1 can only carry negative current, so adjustment is possible only in the stable region. A minute negative bias current is adjusted by the resistor R6 .

なお、演算増幅器65の第1の負帰還回路(抵
抗R1と磁気抵抗効果素子61、および電流源6
6から構成される負帰還回路。)において、磁気
抵抗効果素子61が共通電位0の位置との間に接
続されている。だたし、電流源66はあくまでも
磁気抵抗効果素子61を駆動するためのものであ
る。また抵抗R3は演算増幅器65の非反転
(+:プラス)入力部と共通電位0の位置との間
に接続されている。
Note that the first negative feedback circuit of the operational amplifier 65 (resistor R1 , magnetoresistive element 61, and current source 6
Negative feedback circuit consisting of 6. ), the magnetoresistive element 61 is connected between the position of the common potential 0 and the position where the common potential is 0. However, the current source 66 is only for driving the magnetoresistive element 61. Further, the resistor R 3 is connected between the non-inverting (+: plus) input part of the operational amplifier 65 and the position of the common potential 0.

ところで、この第2の従来例においては、熱的
安定性を得るために、前記の抵抗R3もまた第1
の磁気抵抗効果素子61と同一基板上に設けた第
2磁気抵抗効果素子とすることが示唆されてい
る。しかしながら、抵抗R3を磁気抵抗効果素子
に置き換えても、磁気抵抗効果素子61の温度特
性は充分に補償することができない。そこで、以
下にこの点について説明する。
By the way, in this second conventional example, in order to obtain thermal stability, the above-mentioned resistor R 3 is also the first one.
It has been suggested that the second magnetoresistive element be provided on the same substrate as the magnetoresistive element 61. However, even if the resistor R 3 is replaced with a magnetoresistive element, the temperature characteristics of the magnetoresistive element 61 cannot be sufficiently compensated for. Therefore, this point will be explained below.

さて、第8図によれば、演算増幅器65の入力
インピーダンスは一般に非常に大きいので、抵抗
R3には電流源66′から流れ出る電流i4の全てが
供給されるものとみなせる。そこで、抵抗R3
よる逆起電圧をV+とすると、この逆起電圧V+
が、そのまま演算増幅器65の非反転(+:プラ
ス)入力部に、非反転入力電圧として供給され
る。
Now, according to FIG. 8, the input impedance of the operational amplifier 65 is generally very large, so the resistance
It can be assumed that R 3 is supplied with all of the current i 4 flowing out from the current source 66'. Therefore, if the back electromotive force due to resistor R 3 is V + , then this back electromotive voltage V +
is directly supplied to the non-inverting (+: plus) input section of the operational amplifier 65 as a non-inverting input voltage.

また、電流源66から流れ出る電流i3は、磁気
抵抗効果素子61側へ供給される電流i5と、演算
増幅器65の反転(−:マイナス)入力部側へ供
給される電流i6とに分流される。そして、演算増
幅器65の入力インピーダンスは一般に非常に大
きいので、演算増幅器65の出力部と反転入力部
との間に設けられた負帰還用の抵抗R1に、電流i6
の全てが供給される。
Further, the current i 3 flowing from the current source 66 is divided into a current i 5 supplied to the magnetoresistive element 61 side and a current i 6 supplied to the inverting (-: minus) input part side of the operational amplifier 65. be done. Since the input impedance of the operational amplifier 65 is generally very large, a current i 6 is applied to the negative feedback resistor R 1 provided between the output section and the inverting input section of the operational amplifier 65.
All of the above will be provided.

そこで、今、磁気抵抗素子62の抵抗をRM
し、演算増幅器65の出力電圧が、Vuである時
に反転入力部に生じる反転入力電圧をV-とする
とイマジナルシヨートによつてV+=V-となるの
で、 出力電圧Vuは、 V+=i4・R3 i6=i3−i5=(V-−Vu)/R1 V-=i5・RM ∴Vu=i4・R3・(1+R1/RM)−i3・R =i4・(RM+R1)・R3/RM−i3・R1 ……(3) で表わされる。ここで、周囲温度Tの変化△Tに
よつて、上記(3)式における磁気抵抗素子61の抵
抗値RMと抵抗値R3とが、それぞれf(△T)倍に
なつたと仮定すると、この場合の出力電圧Vuは、 Vu=i4・{RM・f(△T)+R1} ・R3・f(△T)/RM・f(△T)・i3・R1=i4・{
RM ・f(△T)+R1}・R3/RM−i3・R1 ……(4) で表わされる。
Therefore, if the resistance of the magnetoresistive element 62 is R M and the inverting input voltage generated at the inverting input section is V - when the output voltage of the operational amplifier 65 is Vu, then V + = V due to the imaginary short. - , so the output voltage Vu is V + = i 4・R 3 i 6 = i 3 −i 5 = (V −Vu)/R 1 V = i 5・R M ∴Vu=i 4・It is expressed as R 3 ·(1+R 1 /R M )−i 3 ·R = i 4 ·( RM + R 1 ) ·R 3 /R M −i 3 ·R 1 (3). Here, assuming that due to the change ΔT in the ambient temperature T, the resistance value R M and the resistance value R 3 of the magnetoresistive element 61 in the above equation (3) are respectively increased by f(ΔT) times, The output voltage Vu in this case is Vu=i 4・{R M・f (△T) + R 1 } ・R 3・f (△T) / RM・f (△T) ・i 3・R 1 = i 4・{
It is expressed as R M ·f(△T)+R 1 }·R 3 /R M −i 3 ·R 1 (4).

したがつて、上記(4)式で表わされる出力電圧
Vuによれば、第8図において抵抗R3を同一基板
上に設けた磁気抵抗素子と設定したとしても、出
力電圧Vuが抵抗R3と抵抗RMとの単なる比に比例
するわけではない。(依然として関数f(△T)が
存在する。)ので、磁気抵抗素子61温度特性を
充分に補償することができない。
Therefore, the output voltage expressed by equation (4) above
According to Vu, even if the resistor R 3 in FIG. 8 is set as a magnetoresistive element provided on the same substrate, the output voltage Vu is not proportional to the mere ratio of the resistor R 3 and the resistor RM . (The function f(ΔT) still exists.) Therefore, the temperature characteristics of the magnetoresistive element 61 cannot be sufficiently compensated for.

しかも、上式で表わされる出力電圧Vuによれ
ば、電流源66′から供給される電流i4と電流源
66から供給される電流i3とが、それぞれ個々に
雑音を発生したり、温度特性によつて電流値が変
動した場合には、出力電圧VuのS/N比が低下
し、温度特性が劣化する。
Moreover, according to the output voltage Vu expressed by the above equation, the current i 4 supplied from the current source 66' and the current i 3 supplied from the current source 66 may each individually generate noise or have temperature characteristics. When the current value fluctuates due to this, the S/N ratio of the output voltage Vu decreases, and the temperature characteristics deteriorate.

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除
き、回路構成が簡単な上に、低雑音化が容易で高
いS/Nが得られ、かつMRヘツドの温度特性を
補償された磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再生増幅
回路を提供することににある。
The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, have a simple circuit configuration, easily reduce noise, obtain a high S/N ratio, and provide a magnetoresistance effect that compensates for the temperature characteristics of an MR head. An object of the present invention is to provide a regenerative amplifier circuit for a magnetic head.

上記の目的を達成するために、本発明の磁気抵
抗効果形磁気ヘツド用再生増幅回路は、情報を記
録された記録媒体から磁気的に情報を検出するた
めの第1の磁気抵抗素子と、その第1の磁気抵抗
効果素子と電気的に直列に接続されるとともに、
物理的に近傍に配置されて第1の磁気抵抗効果素
子の温度補償を行なう第2の磁気抵抗素子と、出
力部から入力部への帰還部を有する増幅回路とを
備え、そして前記帰還部は、第1の磁気抵抗効果
素子と第2の磁気抵抗効果素子との中の少なくと
も一方を備える。
In order to achieve the above object, the reproducing amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head of the present invention includes a first magnetoresistive element for magnetically detecting information from a recording medium on which information is recorded, and a first magnetoresistive element for magnetically detecting information from a recording medium on which information is recorded. electrically connected in series with the first magnetoresistive element;
a second magnetoresistive element that is physically arranged in the vicinity of the first magnetoresistive element to perform temperature compensation of the first magnetoresistive element; and an amplifier circuit having a feedback section from an output section to an input section; , at least one of a first magnetoresistive element and a second magnetoresistive element.

また上記の目的を効果的に達成するために、前
記増幅回路は、非反転入力部と反転入力部とを有
し、これら入力部の一方をほぼ一定の電位に保つ
ことにより他方の入力部にほぼ一定の電位が現わ
れるように構成されるとともに、前記他方の入力
部と共通電位との間に磁気ヘツドを成す前記第1
の磁気抵抗効果素子を設けられ、そして第1の磁
気抵抗素子に対する駆動電流の供給と再生された
信号の増幅とを共通に行なうように構成される。
Furthermore, in order to effectively achieve the above object, the amplifier circuit has a non-inverting input part and an inverting input part, and by keeping one of these input parts at a substantially constant potential, the other input part is connected to the non-inverting input part. The first input terminal is configured such that a substantially constant potential appears, and forms a magnetic head between the other input section and a common potential.
The first magnetoresistive element is provided with a magnetoresistive element, and is configured to commonly supply a drive current to the first magnetoresistive element and amplify the reproduced signal.

以下、本発明によるMRヘツド用再生増幅回路
の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
Embodiments of the regenerative amplifier circuit for an MR head according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第4図は本発明の第1の実施例を示す図であつ
て、第4図において、10はMRヘツド、12は
演算増幅器、16はコンデンサ、23は直流電源
端子、24は出力信号端子、25は温度補償用
MR素子、26はコンデンサ、27,28は抵抗
である。ここで、温度補償用MR素子25は、
MRヘツド10と同じように作られ、かつMRヘ
ツド10と電気的に直列に接続されるとともに、
物理的にMRヘツド10の近傍に配置され、それ
によつてMRヘツド10と同じ温度抵抗特性を持
つように構成された素子である。
FIG. 4 is a diagram showing the first embodiment of the present invention, in which 10 is an MR head, 12 is an operational amplifier, 16 is a capacitor, 23 is a DC power supply terminal, 24 is an output signal terminal, 25 is for temperature compensation
In the MR element, 26 is a capacitor, and 27 and 28 are resistors. Here, the temperature compensation MR element 25 is
It is made in the same way as the MR head 10, and is electrically connected in series with the MR head 10, and
This element is physically located in the vicinity of the MR head 10 and is therefore configured to have the same temperature resistance characteristics as the MR head 10.

第4図において、演算増幅器12のオープンル
ープの利得がクローズドループの利得に比べて十
分に高く、また周波数特性が十分に高域までのび
ていれば、イマジナルシヨートにより、温度補償
用MR素子25とMRヘツド10との接続点の電
圧V-が、抵抗27と抵抗28との接続点の電圧
V+に等しくなるように温度補償用MR素子25
を介して演算増幅器12の出力部からMRヘツド
10に電流IMが供給される。ここで、演算増幅器
12のバイアス電流が一般に極めて小さいので、
温度補償用MR素子25とMRヘツド10とには
同一の電流IMが流れるものとみなすことができ
る。したがつて、供給される電流IMによる温度補
償用MR素子25の発熱量と、MRヘツド10の
発電量とは所定の比を保つことが明らかである。
In FIG. 4, if the open-loop gain of the operational amplifier 12 is sufficiently higher than the closed-loop gain, and the frequency characteristics extend to a sufficiently high range, the temperature compensation MR element 25 The voltage V - at the connection point between and the MR head 10 is the voltage at the connection point between the resistors 27 and 28.
MR element 25 for temperature compensation so that it is equal to V +
A current I M is supplied to the MR head 10 from the output of the operational amplifier 12 via. Here, since the bias current of the operational amplifier 12 is generally extremely small,
It can be considered that the same current I M flows through the temperature compensation MR element 25 and the MR head 10. Therefore, it is clear that the amount of heat generated by the temperature compensation MR element 25 due to the supplied current I M and the amount of power generated by the MR head 10 maintain a predetermined ratio.

またMRヘツド10に印加される外部磁界によ
りMRヘツド10の抵抗値RMが変化すれば、MR
ヘツド10と温度補償用MR素子25との接続点
の電圧(反転入力電圧)V-は常に抵抗27と抵
抗28との接続点の電圧(非反転入力電圧)V+
に等しくなるように帰還電流(IM)が変化するた
め、温度補償用MR素子25の両端にはMRヘツ
ド10の抵抗変化に比例した出力電圧(Vu−
V-)が得られる。((なお、演算増幅器12の出
力部に発生する出力信号をVuとする。)そして第
4図に示した第1の実施例によれば、周囲温度T
の変化によりMRヘツド10の抵抗値RMが、f
(△T)だけ変化したとしても、温度補償用MR
素子25の抵抗RMSも同じくf(△T)だけ変化
するため、MRヘツド用再生増幅回路の電圧利得
は常に一定となり、周囲温度Tの変化に関係なく
一定の振幅の出力信号Voが得られる。
Furthermore, if the resistance value R M of the MR head 10 changes due to the external magnetic field applied to the MR head 10, the MR
The voltage at the connection point between the head 10 and the temperature compensation MR element 25 (inverting input voltage) V - is always the voltage at the connection point between the resistor 27 and the resistor 28 (non-inverting input voltage) V +
Since the feedback current (I M ) changes to be equal to , an output voltage (Vu-
V - ) is obtained. ((It should be noted that the output signal generated at the output section of the operational amplifier 12 is Vu.) According to the first embodiment shown in FIG. 4, the ambient temperature T
Due to the change in the resistance value R M of the MR head 10, f
Even if the temperature compensation MR changes by (△T),
Since the resistance R MS of the element 25 also changes by f(△T), the voltage gain of the regenerative amplifier circuit for the MR head is always constant, and an output signal Vo with a constant amplitude can be obtained regardless of changes in the ambient temperature T. .

この点について、前記(3)式と(4)式に対応させ
て、本発明を以下に説明する。
Regarding this point, the present invention will be explained below in correspondence with the above equations (3) and (4).

さて、第4図において、第1の磁気抵抗素子
(MRヘツド)10に流す電流をIM、第1の磁気
抵抗素子10の抵抗値をRM、演算増幅器12の
非反転(+:プラス)入力部に供給される非反転
入力電圧をV+(V+は直流電源端子23に供給さ
れる直流電圧Vc.c.を分圧した電圧であつて、コン
デンサ26により安定な電圧となつている。)、演
算増幅器12の出力部と反転(−:マイナス)入
力部との間に設けられた温度補償用の第2の磁気
抵抗素子25の抵抗値をRMSとする。そして、演
算増幅器12の出力部の出力電圧がVu′である時
に反転入力部に生じる反転入力電圧がV-である
とすると、演算増幅器12の入力インピーダンス
は一般に非常に大きいので、またイマジナルシヨ
ートによつてV+=V-となるので、電流IMと出力
電圧Vu′は、 IM=V+/RM Vu′=(1+RMS/RM)・V+ ……(5) で表わされる。ここで、周囲温度Tの変化△Tに
よつて、上記(5)式における2つの磁気抵抗果素子
10,25のそれぞれの抵抗値RMとRMSとが、f
(△T)倍になつたと仮定すると、この場合の出
力電圧Vu′は、 Vu′={1+RMS・f(△T)/RM・f(△T)}・V
+ =(1+RMS/RM)・V+ ……(6) と表わされ、前述の(5)式と同一になる。
Now, in FIG. 4, the current flowing through the first magnetoresistive element (MR head) 10 is I M , the resistance value of the first magnetoresistive element 10 is R M , and the operational amplifier 12 is non-inverting (+: plus). The non-inverting input voltage supplied to the input section is V + (V + is a voltage obtained by dividing the DC voltage Vc.c. supplied to the DC power supply terminal 23, and is made stable by the capacitor 26. ), the resistance value of the second magnetoresistive element 25 for temperature compensation provided between the output section and the inverting (-: minus) input section of the operational amplifier 12 is assumed to be RMS . If the output voltage at the output section of the operational amplifier 12 is Vu' and the inverting input voltage generated at the inverting input section is V - , then since the input impedance of the operational amplifier 12 is generally very large, the imaginal short Therefore, current I M and output voltage Vu ' are expressed as I M = V + / R M Vu' = (1 + R MS /R M )・V + ...(5) It will be done. Here, due to the change ΔT in the ambient temperature T, the respective resistance values R M and R MS of the two magnetoresistive elements 10 and 25 in the above equation (5) become f
(△T) times, the output voltage Vu′ in this case is Vu′={1+ RMS・f(△T)/ RM・f(△T)}・V
+ =(1+ RMS / RM )·V + ...(6), which is the same as equation (5) above.

つまり、上記の(6)式で表わされる出力電圧
Vu′によれば、第2の従来例の場合の(4)式に比べ
て、周囲温度Tによる関数f(△T)が除かれて
温度補償がなされ、かつ因子が少なくなるので雑
音の発生が減つてS/N比が向上する。
In other words, the output voltage expressed by equation (6) above is
According to Vu', compared to equation (4) in the case of the second conventional example, the function f(△T) due to the ambient temperature T is removed, temperature compensation is performed, and the number of factors is reduced, so noise is generated. is reduced and the S/N ratio is improved.

従つて、この第4図に示した第1の実施例によ
れば、温度補償用MR素子25を用いることによ
り簡単に、しかも、ほぼ完全に温度補償を行なう
ことができる。
Therefore, according to the first embodiment shown in FIG. 4, by using the temperature compensating MR element 25, it is possible to easily and almost completely compensate for the temperature.

ところで、この第1の実施例では、MRヘツド
10に対する駆動電流IMが演算増幅器12によつ
て供給され、独立した駆動電流回路が不要になる
ので構成が簡単になり、且つ、雑音源となるのが
MRヘツド10の抵抗雑音と演算増幅器12のト
ランジスタによる雑音だけとなるから、演算増幅
器12を構成する初段のトランジスタに低雑音の
ものを使用するだけで低雑音化することができ、
高いS/N比のMRヘツド用再生増幅回路を得る
ことができる。
By the way, in this first embodiment, the drive current I M for the MR head 10 is supplied by the operational amplifier 12, which eliminates the need for an independent drive current circuit, which simplifies the configuration and eliminates the need for a noise source. Noga
Since only the resistance noise of the MR head 10 and the noise caused by the transistors of the operational amplifier 12 are generated, the noise can be reduced simply by using low-noise transistors for the first-stage transistors constituting the operational amplifier 12.
A regenerative amplifier circuit for an MR head with a high S/N ratio can be obtained.

さて、MRヘツド10の温度補償を正しく行な
うためには、温度補償用MR素子25の特性を充
分にMRヘツド10の特性に合わせることが必要
であるが、さらに、これらの温度TMが常に等し
くなるようにする必要がある。第5図は、この点
を考慮した本発明で用いる温度補償用MR素子2
5とMRヘツド10の一実施例を示す図である。
Now, in order to correctly perform temperature compensation of the MR head 10, it is necessary to sufficiently match the characteristics of the temperature compensation MR element 25 to the characteristics of the MR head 10, but it is also necessary to ensure that these temperatures T M are always equal. It is necessary to make it happen. Figure 5 shows the temperature compensation MR element 2 used in the present invention taking this point into consideration.
5 is a diagram showing an embodiment of the MR head 10.

第5図において、1,2,29は金属電極、
3′は強磁性薄膜、4は記録媒体、10は記録媒
体4に記録されている信号磁化検出用のMRヘツ
ド、25は温度補償用MR素子である。
In FIG. 5, 1, 2, 29 are metal electrodes,
3' is a ferromagnetic thin film, 4 is a recording medium, 10 is an MR head for detecting signal magnetization recorded on the recording medium 4, and 25 is an MR element for temperature compensation.

この第5図から明らかなように、温度補償用
MR素子25はMRヘツド10の近傍に設けら
れ、周囲温度Tの影響がほぼ同じように与えれる
ようにしてある。なお、温度補償用MR素子25
と記録媒体4との距離は、MRヘツド10と記録
媒体4との距離の5倍以上に設計する。この様に
設計した場合には、温度補償用MR素子25が検
出してしまう信号成分はMRヘツド10が検出す
る信号の5%未満であるため、実用上の問題を生
じない。
As is clear from this Figure 5, for temperature compensation
The MR element 25 is provided near the MR head 10 so that the influence of the ambient temperature T is applied almost equally. In addition, the temperature compensation MR element 25
The distance between the MR head 10 and the recording medium 4 is designed to be at least five times the distance between the MR head 10 and the recording medium 4. When designed in this way, the signal component detected by the temperature compensating MR element 25 is less than 5% of the signal detected by the MR head 10, so that no practical problem occurs.

従つて、周囲温度Tが△T変化した場合、信号
磁化検出用のMRヘツド10および温度補償用
MR素子25の温度TMも同じように変化し、そ
れらの抵抗値RM,RMSは、それぞれf(△T)だ
け同一の温度特性により変化する。そこで、第4
図に記載される第1の実施例において、金属電極
1を演算増幅器12の帰還部を構成する−(マイ
ナス)入力端端子(反転入力端子)に、金属電極
2をアースに、金属電極29を演算増幅器12の
出力部(コンデンサ16の入力側)にそれぞれ接
続することにより、周囲温度Tの変化に関係なく
常に一定の出力Voを与えるMRヘツド10用の
再生増幅回路を得ることができる。ここで出力信
号Voは、出力信号端子24に発生する信号であ
つて、演算増幅器12の出力部から出力される出
力信号Vuの交流成分である。
Therefore, when the ambient temperature T changes by △T, the MR head 10 for signal magnetization detection and the temperature compensation
The temperature T M of the MR element 25 changes in the same way, and their resistance values R M and R MS each change by f (ΔT) due to the same temperature characteristic. Therefore, the fourth
In the first embodiment shown in the figure, the metal electrode 1 is connected to the - (minus) input terminal (inverting input terminal) constituting the feedback section of the operational amplifier 12, the metal electrode 2 is connected to the ground, and the metal electrode 29 is connected to the negative input terminal (inverting input terminal). By connecting each to the output section of the operational amplifier 12 (the input side of the capacitor 16), it is possible to obtain a regenerative amplifier circuit for the MR head 10 that always provides a constant output Vo regardless of changes in the ambient temperature T. Here, the output signal Vo is a signal generated at the output signal terminal 24 and is an alternating current component of the output signal Vu output from the output section of the operational amplifier 12.

なお、第4図,第5図に記載の第1の実施例
は、いずれも1チヤンネルの場合であるが、多チ
ヤンネルの場合にも同様に適用可能である。
Note that the first embodiment shown in FIGS. 4 and 5 is a case of one channel, but can be similarly applied to a case of multiple channels.

次に、第6図に本発明の第2の実施例を示す。 Next, FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention.

この第2の実施例は駆動電源の供給と信号の増
幅をエミツタ入力形(ベース接地形)のトランジ
スタで構成したものである。第6図ににおいて、
30はトランジスタであり、その他の構成要素は
第4図に記載の実施例の場合と同様である。すな
わち、MRヘツド10はトランジスタ30のエミ
ツタに挿入されている。また、温度補償用MR素
子25はトランジスタ30のコレクタに挿入さ
れ、トランジスタ30のコレクゼ負荷抵抗を形成
している。ここで、トランジスタ30のベース電
流はコレクタ電流よりも十分に小さいので、温度
補償用MR素子25とMRヘツド10とにはほぼ
同一の電流が流れている。したがつて、供給され
る電流による温度補償用MR素子25の発熱量
と、MRヘツド10の発熱量とは所定の比を保つ
ことが明らかである。つまり、コレクタ電流の状
態が変動しても、実用上の問題は生じない。
In this second embodiment, driving power supply and signal amplification are performed using emitter input type (base grounded type) transistors. In Figure 6,
30 is a transistor, and the other components are the same as in the embodiment shown in FIG. That is, the MR head 10 is inserted into the emitter of the transistor 30. Further, the temperature compensation MR element 25 is inserted into the collector of the transistor 30 and forms a collector load resistance of the transistor 30. Here, since the base current of the transistor 30 is sufficiently smaller than the collector current, almost the same current flows through the temperature compensating MR element 25 and the MR head 10. Therefore, it is clear that the amount of heat generated by the temperature compensation MR element 25 due to the supplied current and the amount of heat generated by the MR head 10 maintain a predetermined ratio. In other words, even if the state of the collector current fluctuates, no practical problem occurs.

ままた、温度補償用MR素子25をトランンジ
スタ30のコレクタ負荷抵抗として用いることに
より、MRヘツド10の温度変化△Tによる抵抗
変化を相殺して温度補償を行なうようになつてお
り、温度TMが変化しても出力信号のレベルが変
らない安定な再生増幅回路を得ることができる。
ここで、温度補償用MR素子25は、トランジス
タ30を介してMRヘツド10と電気的に直列に
接続されるとともに、物理的にMRヘツド10の
近傍に配置されている。
Furthermore, by using the temperature compensation MR element 25 as the collector load resistance of the transistor 30, temperature compensation is performed by offsetting the resistance change due to the temperature change ΔT of the MR head 10 . It is possible to obtain a stable regenerative amplifier circuit in which the level of the output signal does not change even if the signal changes.
Here, the temperature compensating MR element 25 is electrically connected in series with the MR head 10 via a transistor 30, and is physically located near the MR head 10.

トランジスタ30のベース電圧VBは抵抗27,
28によつて直流電源電圧Vc.c.わ分圧した概略一
定のの電圧に保たれている。このため、そのエミ
ツタにも概略一定の電圧VE(≒VB−0.7v)が現わ
れる。従つて、MRヘツド10には駆動電流IM
供給されることになる。そして、MRヘツド10
の抵抗RMが記録媒体4(第1図,第5図参照)
などによる外部磁界によつて変化すれば、トラン
ジスタ30のコレクタ電流Ic(≒IM)も変化し、
コンデンサ16を介して出力信号端子24に出力
信号Voを得ることができる。
The base voltage V B of the transistor 30 is the resistor 27,
28, the DC power supply voltage Vc.c. is maintained at a substantially constant voltage. Therefore, an approximately constant voltage V E (≈V B −0.7v) also appears at the emitter. Therefore, the MR head 10 is supplied with the drive current I M. And MR head 10
The resistance R M of the recording medium 4 (see Figures 1 and 5)
If the collector current Ic (≒ IM ) of the transistor 30 changes due to the external magnetic field caused by the
An output signal Vo can be obtained at the output signal terminal 24 via the capacitor 16.

なお、この第2実施例は、トランジスタ30が
ベースとエミツタをそれぞれ入力とする増幅信号
を構成し、それらの一方、つまりベース入力信号
(電圧)をほぼ一定の電位(電圧)に保つことに
よりMRヘツド10に対する駆動電流IMの供給
と信号の増幅とを行なうようにしたものである。
この第2の実施例によつても、第4図に記載され
る第1の実施例と同じように、構成の簡略化と雑
音源の減少による低雑音化が可能である。
In this second embodiment, the transistor 30 constitutes an amplified signal whose base and emitter are respectively input, and one of them, that is, the base input signal (voltage) is kept at a substantially constant potential (voltage) to achieve MR. The drive current IM is supplied to the head 10 and the signal is amplified.
Also in this second embodiment, as in the first embodiment shown in FIG. 4, it is possible to simplify the configuration and reduce noise by reducing noise sources.

従つて、この第6図に記載される実施例によれ
ば、極めて簡単な回路構成の磁気抵抗効果形磁気
(MR)ヘツド用再生増幅回路を得ることができ
る。
Therefore, according to the embodiment shown in FIG. 6, it is possible to obtain a regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive (MR) head with an extremely simple circuit configuration.

次に、第7図は本発明の第3の実施例を示す図
で、第6図に記載される第2の実施例に直流増幅
回路を付加してリニアリテイの改善を計つたもの
である。
Next, FIG. 7 shows a third embodiment of the present invention, in which a DC amplifier circuit is added to the second embodiment shown in FIG. 6 to improve linearity.

第7図において、35〜37はランジスタ、3
8,39はレベルシフトダイオード、40はコン
デンサ、41〜45は抵抗である。なお、その他
は第6図に記載される第2の実施例と同様である
が、トランジスタ30のコレクタには抵抗41が
接続され、トランジスタ30のコレクタに現われ
た信号はトランジスタ35〜37からなる直流増
幅器で増幅されてから出力信号端子24に出力信
号として供給されるようになつている。さらに、
この直流増幅器の出力部から温度補償用MR素子
25を介してトランジスタ30のエミツタに負帰
還を掛けてMRヘツド10の温度補償を行なうよ
うにしている。ここで、温度補償用MR素子25
は、MRヘツド10と電気的に直列に接続される
とともに、物理的にMRヘツド10の近傍に配置
されている。
In FIG. 7, 35 to 37 are transistors, 3
8 and 39 are level shift diodes, 40 is a capacitor, and 41 to 45 are resistors. The rest of the embodiment is the same as the second embodiment shown in FIG. The signal is amplified by an amplifier and then supplied to the output signal terminal 24 as an output signal. moreover,
Negative feedback is applied from the output of this DC amplifier to the emitter of the transistor 30 via the temperature compensating MR element 25 to compensate for the temperature of the MR head 10. Here, the temperature compensation MR element 25
is electrically connected in series with the MR head 10 and physically located near the MR head 10.

従つて、この第3の実施例によれば、第6図に
記載される第2の実施例より優れたリニアリテイ
を有するMRヘツド10の再生増幅回路を得るこ
とができる。ただし、温度補償用MR素子25を
介してMRヘツド10に流れる電流IAに対する、
MRヘツド10に流れる駆動電流IMの比が第6図
に記載される第2の実施例の場合よりも劣化す
る。しかしながら、MRヘツド10に流れる駆動
電流IMに占める、温度補償MR素子25を流れる
電流IAの割合は依然として大きいので、電流IA
状態が変動する場合にはは、それに基づいて、駆
動電流IMも変動する。従つて、実用上の問題が生
じない。また、電流IAによる温度補償用MR素子
25の発熱量と、同じくMRヘツド10の発熱量
とが所定の比を保つことは明らかである。
Therefore, according to the third embodiment, it is possible to obtain a regenerative amplifier circuit for the MR head 10 having better linearity than the second embodiment shown in FIG. However, for the current IA flowing into the MR head 10 via the temperature compensation MR element 25,
The ratio of the drive current I M flowing through the MR head 10 is worse than in the second embodiment shown in FIG. However, the ratio of the current I A flowing through the temperature compensation MR element 25 to the drive current I M flowing through the MR head 10 is still large, so if the state of the current I A fluctuates, the drive current IM also fluctuates. Therefore, no practical problems arise. It is also clear that the amount of heat generated by the temperature compensation MR element 25 due to the current I A and the amount of heat generated by the MR head 10 maintain a predetermined ratio.

なお、以上の実施例においいては、MRヘツド
10に対する駆動電流IMの供給と、MRヘツド1
0の出力信号の増幅とを共通の増幅回路で行なう
ことができるから、構成が簡単で雑音が少なく、
MRヘツド10の温度補償もほぼ完全に行なうこ
とのできるMRヘツド(磁気抵抗効果形磁気ヘツ
ド)用再生増幅回路を得ることができる。
In the above embodiment, the supply of the drive current I M to the MR head 10 and the supply of the drive current I M to the MR head 1
Since the amplification of the 0 output signal can be performed using a common amplifier circuit, the configuration is simple and there is less noise.
It is possible to obtain a regenerative amplifier circuit for an MR head (magnetoresistive head) which can almost completely compensate the temperature of the MR head 10.

また、以上の実施例のMRヘツド用再生増幅回
路において、MRヘツド10と温度補償用MR素
子25との接続位置を入れ替えて構成しても温度
補償が行行なえることは明白であり、設計上の問
題である。
Furthermore, in the regenerative amplifier circuit for the MR head of the above embodiment, it is clear that temperature compensation can be performed even if the connection positions of the MR head 10 and the temperature compensation MR element 25 are exchanged; This is a problem.

以上説明したように、本発明によれば、MRヘ
ツド(磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘツド)の
温度補償は、MRヘツドの等価回路がほぼ純抵抗
のみなせることと、薄膜技術によつてMRヘツド
と同じ温度特性のMR素子(磁気抵抗効果素子)
は極めて容易に作れることとを利用しているの
で、優れた温度補償を与えることができ、動作が
安定で特性変化の少ない磁気抵抗効果形磁気ヘツ
ド用再生増幅回路を提供することができる。
As explained above, according to the present invention, the temperature compensation of the MR head (a magnetic head using a magnetoresistive element) is achieved by the fact that the equivalent circuit of the MR head can be regarded as almost a pure resistance, and by using thin film technology. MR element (magnetoresistive element) with the same temperature characteristics as the head
Since it is extremely easy to manufacture, it is possible to provide a regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head that can provide excellent temperature compensation, has stable operation, and has little change in characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は磁気抵抗効果形磁気ヘツドの一例を示
す概略図、第2図は第1図に記載の磁気ヘツドの
動作を説明するための特性図、第3図は従来の磁
気抵抗効果形磁気ヘツド用再生増幅回路の構成を
示す回路図、第4図は本発明の第1の実施例を示
す回路図、第5図は第4図に記載される第1の実
施例において用いられる磁気抵抗効果形磁気ヘツ
ドの概略図、第6図は本発明の第2の実施例の構
成を示す回路図、第7図は本発明の第3の実施例
の構成を示す回路図、第8図は磁気抵抗効果形磁
気ヘツド用再生増幅回路の第2の従来例を示す回
路図である。 10……磁気抵抗効果形磁気(MR)ヘツド、
25……温度補償用の磁気抵抗効果(MR)素
子、12……演算増幅器、30……駆動電流の供
給と信号の増幅を行なうトランジスタ。
Fig. 1 is a schematic diagram showing an example of a magnetoresistive magnetic head, Fig. 2 is a characteristic diagram for explaining the operation of the magnetic head shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a conventional magnetoresistive magnetic head. A circuit diagram showing the configuration of a regenerative amplifier circuit for a head, FIG. 4 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a magnetic resistance used in the first embodiment described in FIG. A schematic diagram of an effective magnetic head, FIG. 6 is a circuit diagram showing the configuration of a second embodiment of the invention, FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of a third embodiment of the invention, and FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of a third embodiment of the invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing a second conventional example of a regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head. 10... Magnetoresistive magnetic (MR) head,
25... Magnetoresistive (MR) element for temperature compensation, 12... Operational amplifier, 30... Transistor for supplying drive current and amplifying signals.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 情報を記録された記録媒体から磁気的に情報
を検出するための第1の磁気抵抗効果素子と、 該第1の磁気抵抗効果素子と電気的に直列に接
続されるとともに、物理的に近傍に配置されて前
記第1の磁気抵抗効果素子の温度補償を行なう第
2の磁気抵抗効果素子と、 ほぼ一定の電位に設定された入力部と出力部と
を有するとともに、該出力部から前記入力部への
帰還部を有する増幅回路と を備える磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再生増幅回
路であつて、 前記帰還部は、 前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気
抵抗効果素子とのいずれか一方を備える ことを特徴とする磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再
生増幅回路。 2 特許請求の範囲第1項において、 前記増幅回路は、 非反転入力部と反転入力部とを有し、これら入
力部の一方をほぼ一定の電位に保つことにより他
方の入力部にほぼ一定の電位が現われるように構
成されるとともに、 前記他方の入力部と共通電位との間に、磁気ヘ
ツドをなす前記第1の磁気抵抗効果素子が設けら
れ、 前記第1の磁気抵抗効果素子に対する駆動電流
の供給と再生された信号の増幅とを共通に行なう
ように構成される ことを特徴とする磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再
増幅回路。 3 特許請求の範囲第2項において、 前記他方の入力部ににほぼ一定の電位が現われ
る前記増幅回路は、 演算増幅器と、 該演算増幅器の非反転入力部にほぼ一定の直流
電圧を供給する回路と、 前記演算増幅器の出力部と反転入力部との間に
接続された前記第2の磁気抵抗効果素子とからな
り、 反転入力部と共通電位との間に前記第1の磁気
抵抗効果素子が設けられる ことを特徴とする磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再
生増幅回路。 4 特許請求の範囲第2項において、 前記他方の入力部にほぼ一定の電位が現われる
前記増幅回路は第1のトランジスタを有し、 該第1のトランジスタは、ベース電圧がほぼ一
定に保たれ、コレクタ負荷抵抗として前記第2の
磁気抵抗効果素子が設けられ、エミツタと共通電
位との間に前記第1の磁気抵抗効果素子が設けら
れる ことを特徴とする磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再
生増幅回路。 5 特許請求の範囲第2項において、 前記他方の入力部にほぼ一定の電位が現われる
前記増幅回路は、 ベース電位がほぼ一定に保たれた第1のトラン
ジスタと、 該第1のトランジスタのコレクタ出力信号を反
転増幅する直流増幅器と、 該直流増幅器の出力部と前記第1のトランジス
タのエミツタとの間に設けられた前記第2の磁気
低抗効果素子とを備え、 前記第1のトランジスタのエミツタとの共通電
位との間に前記第1の磁気抵抗効果素子が設けら
れる ことを特徴とする磁気抵抗効果形磁気ヘツド用再
生増幅回路。
[Claims] 1. A first magnetoresistive element for magnetically detecting information from a recording medium on which information is recorded; and a first magnetoresistive element electrically connected in series with the first magnetoresistive element. It also has a second magnetoresistive element that is physically placed nearby and performs temperature compensation for the first magnetoresistive element, and an input section and an output section that are set to a substantially constant potential, A regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head, comprising: an amplifier circuit having a feedback section from the output section to the input section, the feedback section including the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element. 1. A regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head, characterized by comprising either one of a magnetoresistive element and a magnetoresistive element. 2. In claim 1, the amplifier circuit has a non-inverting input section and an inverting input section, and by keeping one of these input sections at a substantially constant potential, the other input section is provided with a substantially constant potential. The first magnetoresistive element, which serves as a magnetic head, is arranged between the other input section and the common potential, and the first magnetoresistive element is configured such that a potential appears, and a drive current for the first magnetoresistive element is provided. 1. A re-amplification circuit for a magnetoresistive magnetic head, characterized in that it is configured to commonly supply a signal and amplify a reproduced signal. 3. In claim 2, the amplifier circuit in which a substantially constant potential appears at the other input section includes: an operational amplifier; and a circuit that supplies a substantially constant DC voltage to a non-inverting input section of the operational amplifier. and the second magnetoresistive element connected between the output section of the operational amplifier and the inverting input section, and the first magnetoresistive element connected between the inverting input section and a common potential. A regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head, characterized in that it is provided with a regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive magnetic head. 4. In claim 2, the amplifier circuit in which a substantially constant potential appears at the other input portion includes a first transistor, the first transistor has a base voltage kept substantially constant, A regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive head, characterized in that the second magnetoresistive element is provided as a collector load resistor, and the first magnetoresistive element is provided between the emitter and a common potential. . 5. In claim 2, the amplifier circuit in which a substantially constant potential appears at the other input section includes: a first transistor whose base potential is kept substantially constant; and a collector output of the first transistor. a DC amplifier that inverts and amplifies a signal; and the second magnetic low drag effect element provided between the output section of the DC amplifier and the emitter of the first transistor, and the emitter of the first transistor. 1. A regenerative amplifier circuit for a magnetoresistive head, characterized in that said first magnetoresistive element is provided between a common potential and a common potential.
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JPS5153843A (en) * 1974-11-06 1976-05-12 Nippon Kokan Kk KYORISOKUTEIHOHO
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