JPH0346526A - Wavelength detecting device - Google Patents

Wavelength detecting device

Info

Publication number
JPH0346526A
JPH0346526A JP18167889A JP18167889A JPH0346526A JP H0346526 A JPH0346526 A JP H0346526A JP 18167889 A JP18167889 A JP 18167889A JP 18167889 A JP18167889 A JP 18167889A JP H0346526 A JPH0346526 A JP H0346526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
etalon
detected
reference light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18167889A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Wakabayashi
理 若林
Masahiko Kowaka
雅彦 小若
Yukio Kobayashi
小林 諭樹夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP18167889A priority Critical patent/JPH0346526A/en
Publication of JPH0346526A publication Critical patent/JPH0346526A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014Monitoring arrangements not otherwise provided for

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To execute the wavelength detection with high accuracy by controlling the position of interference fringes of a reference light so as to be always in a prescribed state. CONSTITUTION:A monitor etalon 32 is irradiated with a reference light 21 generated from a reference light source 20 and light 11 to be detected, and the light which transmits therethrough forms a first and a second interference fringes 33a, 33b corresponding to each wavelength on the detection surface of a photodetector 33. By detecting them by the detector 33, wavelength of the light 11 to be detected is detected. In this case, a signal for showing the detected interference fringes 33a, 33b is inputted to a CPU 40. Subsequently, information of the interference fringe 33a is extracted therefrom and based thereon, by driving a regulator 50 so that the interference fringe 33a become a prescribed position, pressure in an air gap of the etalon 32 is controlled, and by driving a heater or a cooler 60, an ambient temperature of the etalon 32 is controlled. By such a control, the interference fringe 33b shows absolute wavelength of the light 11 to be detected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はレーザ等の波長を検出する波長検出装置に関
し、特に半導体装置製造用の縮小投影露光装置の光源と
してエキシマレーザを用いる場合の波長検出に採用して
好適な波長検出装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a wavelength detection device for detecting the wavelength of a laser or the like, and particularly to wavelength detection when an excimer laser is used as a light source in a reduction projection exposure device for manufacturing semiconductor devices. The present invention relates to a wavelength detection device suitable for use in.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置製造用の縮小投影露光装置(以下ステッパと
いう)の光源としてエキシマレーザの利用が注目されて
いる。これはエキシマレーザの波長が短い(K r F
レーザの波長は約248.4nm)ことから光露光の限
界を0.5μm以下に延ばせる可能性があること、同じ
解像度なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比
較して黒点深度が深いこと、レンズの開口数(NA)が
小さくてすみ、露光領域を大きくてきること、大きなパ
ワーが得られること等の多くの優れた利点が期待できる
からである。
BACKGROUND ART The use of excimer lasers as light sources for reduction projection exposure apparatuses (hereinafter referred to as steppers) for manufacturing semiconductor devices is attracting attention. This is due to the short wavelength of excimer laser (K r F
Since the wavelength of the laser is approximately 248.4 nm), it is possible to extend the limit of light exposure to 0.5 μm or less, and with the same resolution, the sunspot depth is lower than that of the conventionally used g-line and i-line of mercury lamps. This is because many excellent advantages can be expected, such as being deep, requiring a small numerical aperture (NA) of the lens, increasing the exposure area, and obtaining high power.

ところでエキシマレーザの波長は248.4nmと短い
ため、この波長を透過する月料が石英、CaF2および
MaF2’:’;Lか4′71Eせず、しかも均一性お
よび加工精度等の点てレンズ素材として石英しか用いる
ことができない。このため色収差補正をした縮小投影レ
ンズの設計は非常に困難である。したがって、エキシマ
レーザをステッパの光源として用いる場合、この色収差
が無視しうる程度まで、エキシマレーザの出力レーザ光
を狭帯域化する必要があり、この狭帯域化された出力レ
ーザ光の波長を高精度に安定化制御する必要がある。
By the way, the wavelength of excimer laser is as short as 248.4 nm, so the material that transmits this wavelength is quartz, CaF2 and MaF2':'; Only quartz can be used as a material. For this reason, it is extremely difficult to design a reduction projection lens with chromatic aberration correction. Therefore, when using an excimer laser as a light source for a stepper, it is necessary to narrow the band of the excimer laser's output laser light to the extent that this chromatic aberration can be ignored. It is necessary to perform stabilization control.

従来、狭帯域発振エキシマレーザ等の出力光の波長線幅
を31測したり、波長を検出したりするためにモニタエ
タロンが用いられている。モニタエタロンは部分反射ミ
ラーを所定の空隙をあけて対向配設したエアギャップエ
タロンを用いて構成されるものでこのエアギャップエタ
ロンの透過波長は次のように表わされる。
Conventionally, a monitor etalon has been used to measure the wavelength line width or detect the wavelength of output light from a narrowband oscillation excimer laser or the like. The monitor etalon is constructed using an air gap etalon in which partially reflecting mirrors are disposed opposite to each other with a predetermined gap, and the transmission wavelength of this air gap etalon is expressed as follows.

mλ−2ndcosθ ただし、mは整数、dはエタロンの部分反射ミラー間の
距離、nは部分反射ミラー間の屈折率、θはエタロンの
法線と入射光の光軸とのなす角度である。
mλ−2nd cos θ where m is an integer, d is the distance between the partially reflecting mirrors of the etalon, n is the refractive index between the partially reflecting mirrors, and θ is the angle between the normal to the etalon and the optical axis of the incident light.

この式より、n、d、mが一定とすれば、波長が変化す
るとθが変化することが解る。モニタエタロンではこの
性質を利用して被検出光の波長を検出している。ところ
で、上述したモニタエタロンにおいて、エアギャップ内
の圧力および周囲温度が変化してしまうと波長が一定で
も上述した角θが変化してしまう。そこでモニタエタロ
ンを用いる場合、エアギャップ内の圧力および周囲温度
を一定に制御して波長検出を行なっていた。
From this equation, it can be seen that if n, d, and m are constant, θ changes as the wavelength changes. The monitor etalon uses this property to detect the wavelength of the detected light. By the way, in the above-mentioned monitor etalon, if the pressure in the air gap and the ambient temperature change, the above-mentioned angle θ will change even if the wavelength is constant. Therefore, when a monitor etalon is used, wavelength detection is performed by controlling the pressure within the air gap and the ambient temperature to be constant.

しかし、エアギャップ1ノコの圧力および周囲温度を高
精度に制御することは困難であり、このため充分な高精
度で絶対波長を検出することはできなかった。
However, it is difficult to control the pressure and ambient temperature of the air gap saw with high precision, and therefore it has not been possible to detect the absolute wavelength with sufficiently high precision.

そこで、被検出光とともに予め波長がわかっている基準
光をモニタエタロンに人力し、この基準光に対する被検
出光の相対波長を検出することにより被検出光の絶対波
長を検出する装置が提案されている。
Therefore, a device has been proposed that detects the absolute wavelength of the detected light by inputting a reference light whose wavelength is known in advance together with the detected light into a monitor etalon and detecting the relative wavelength of the detected light with respect to this reference light. There is.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、モニタエタロンのエアギャップ内の圧力また
は周囲温度が変化すると、これに応じて基準光の干渉縞
の位置(干渉縞の径)が変化する。ここで干渉縞の径が
小さくなると隣接する縞とうしの重なりが大きくなり、
ピーク位置の検出精度は低下する。したがって、基準光
の干渉縞は検出精度の高い、所定の大きな径の状態に保
つのが好ましい。しかしながら、従来の装置においては
モニタエタロンのエアギャップ内の圧力または周囲温度
の変化によって基準光の干渉縞の位置が変化しくこれに
ともなって被検出光の干渉縞の位置も変化する)、その
結果常に高い検出精度を保つことができなかった。
By the way, when the pressure in the air gap of the monitor etalon or the ambient temperature changes, the position of the interference fringes of the reference light (the diameter of the interference fringes) changes accordingly. Here, as the diameter of the interference fringes becomes smaller, the overlap between adjacent fringes increases,
The detection accuracy of the peak position decreases. Therefore, it is preferable that the interference fringes of the reference light be maintained at a predetermined large diameter with high detection accuracy. However, in conventional devices, the position of the interference fringes of the reference light changes due to changes in the pressure in the air gap of the monitor etalon or the ambient temperature, and the position of the interference fringes of the detected light also changes accordingly). It was not possible to always maintain high detection accuracy.

そこで、この発明においては基明光を用いつつ、かつ常
に安定した高精度で波長の検出を行うことができる波長
検出装置を提供するととを目的とする。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a wavelength detection device that can always perform stable and highly accurate wavelength detection while using base light.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明では上記目的を達成するため、基準光による干
渉縞の位置(干渉縞の径)を常に充分な検出精度が得ら
れる所定の状態に保持し、これによって常に安定した高
精度の波長検出精度が得られるようにしている。
In order to achieve the above object, the present invention maintains the position of the interference fringes (diameter of the interference fringes) by the reference light at a predetermined state that always provides sufficient detection accuracy, thereby always achieving stable and highly accurate wavelength detection accuracy. I'm trying to get that.

すなわちこの発明によれば、h(準光源から発生される
基準光と被検出光とをエタロンに照射し、該エタロンを
透過した光によってそれぞれ形成される前記基準光に対
応する第1の干渉縞と被検出光に対応する第2の干渉縞
を光検出手段で検出することにより前記被検出光の波長
を検出する波長検出装置において、前記基準光に対応す
る第]の干渉縞を検出し、この第1の干渉縞が所定の形
状になるように前記エタロンの特性を制御する制御手段
を具えて構成される。
That is, according to the present invention, h (the first interference fringes corresponding to the reference light that are formed by the light that irradiates the etalon with the reference light and the detected light generated from the quasi-light source and are transmitted through the etalon); and a wavelength detection device that detects the wavelength of the detected light by detecting a second interference fringe corresponding to the detected light with a light detection means, detecting a second interference fringe corresponding to the reference light, The apparatus includes a control means for controlling the characteristics of the etalon so that the first interference fringes have a predetermined shape.

〔作 用〕[For production]

基準光の干渉縞の位置(干渉縞の径)は常に−定の状態
になるように制御され、これによって波長検出精度を常
に高精度に保つことができる。
The position of the interference fringes of the reference light (the diameter of the interference fringes) is controlled so as to always be constant, thereby making it possible to always maintain high wavelength detection accuracy.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明に係わる波長検出装置の実施例をit 
(−1図面を参11((して計則に説明する。
Hereinafter, embodiments of the wavelength detection device according to the present invention will be described.
(See 11 (-1) for detailed explanation.

第1図はこの発明に係わる波長検出装置の一実施例を示
したものである。この実施例では被検出光として狭帯域
発振エキシマレーザ10の出力光11が用いられる。
FIG. 1 shows an embodiment of a wavelength detection device according to the present invention. In this embodiment, the output light 11 of the narrow band oscillation excimer laser 10 is used as the light to be detected.

また、基準光源20としては例えば、波長632.8n
mのHe−Neレーザまたは波長496゜5nmのAr
レーザ等を用いることができる。
Further, as the reference light source 20, for example, the wavelength is 632.8n.
He-Ne laser with a wavelength of 496° or Ar with a wavelength of 496°5 nm
A laser or the like can be used.

狭・:(シ域発振エキシマレーザ10から出力されたレ
ーザ光11の一部はビームスプリッタ12によってサン
プリングされ、このサンプリング光はビームスプリッタ
13に照射される。
Narrow: (A part of the laser light 11 output from the beam oscillation excimer laser 10 is sampled by the beam splitter 12, and this sampling light is irradiated onto the beam splitter 13.

また基準光源20から出力された基準光21はビームス
プリッタ13の他の面に照射される。
Further, the reference light 21 output from the reference light source 20 is irradiated onto the other surface of the beam splitter 13.

ビームスプリッタ13は、ビームスプリッタ12でサン
プリングされたサンプリング光の一部を透過させ、また
基準光源20から出力された基準光21の一部を反射さ
せ、これにより、サンプリング光と基準光とを台底する
。このビームスプリッタ13によって合成されたサンプ
リング光と址べCI光との含酸光はモニタエタロン波長
検III 謂30に入力され、集光レンズ311を介し
てモニタエタロン32に照射する。
The beam splitter 13 transmits a portion of the sampling light sampled by the beam splitter 12 and reflects a portion of the reference light 21 output from the reference light source 20, thereby separating the sampling light and the reference light. Bottom out. The acid-containing light of the sampling light and the static CI light combined by the beam splitter 13 is input to a monitor etalon wavelength detector III (so-called 30), and is irradiated onto the monitor etalon 32 via a condenser lens 311.

モニタエタロン32は内側の面が部分反射ミラーとされ
た2枚の透明板32a、32bから構成され、モニタエ
タロン32に対する入11光の角度に対応してそれぞれ
透過波長か異なるものである。
The monitor etalon 32 is composed of two transparent plates 32a and 32b whose inner surfaces are partially reflecting mirrors, and each has a different transmission wavelength depending on the angle of the incident light to the monitor etalon 32.

このモニタエタロン32を透過した光は光位置検出器3
3に照射され、この光検出器33の検出面上に基準光の
波長に対応した第]の干渉縞33aおよび被検出光の波
長に対応した第2の干渉縞33bを形成する。
The light transmitted through this monitor etalon 32 is transmitted to the optical position detector 3.
A first interference fringe 33a corresponding to the wavelength of the reference light and a second interference fringe 33b corresponding to the wavelength of the detected light are formed on the detection surface of the photodetector 33.

光検出器33てはこの第1および第2の干渉縞33a、
33bを検出する。
The photodetector 33 has these first and second interference fringes 33a,
33b is detected.

なお、光検出器64としては一次元または二次元のイメ
ージセンサ、ダイオードアレイまたはPS D (1)
O3ITION 5ENSIT!VEDETPJCTO
R)等を用イテ構成することができる。
Note that the photodetector 64 may be a one-dimensional or two-dimensional image sensor, a diode array, or a PSD (1).
O3ITION 5ENSIT! VEDETPJCTO
R), etc. can be configured.

光検出器33で検出された第1の−1;渉縞33aおよ
び第2の1゛渉縞33bを示ずf≦号は中央処即装置(
CPU)40に人力される。
The first -1; interference fringe 33a and the second 1゜ interference fringe 33b detected by the photodetector 33 are not shown;
CPU) 40 is manually powered.

CPU40は入力された信号から基準光に対応する第1
の干渉縞33aに関する情報を抽出し、この情報にもと
づき第1の干渉縞33aが所定の位置(所定の径)とな
るようにレギュレータ50を駆動してモニタエタロンの
エアギャップ内の圧力を制御し、また加熱または冷却器
60を駆動してモニタエタロン32の周囲温度を制御す
る。
The CPU 40 selects the first signal corresponding to the reference light from the input signal.
Based on this information, the pressure in the air gap of the monitor etalon is controlled by driving the regulator 50 so that the first interference fringe 33a is at a predetermined position (predetermined diameter). , and also controls the ambient temperature of the monitor etalon 32 by driving the heating or cooling device 60 .

このような制御によって、光検出器33て検出された被
検出光に対応する第2の干渉縞33bは被検出光の絶対
波長を表わすことになる。
With such control, the second interference fringe 33b corresponding to the light to be detected detected by the photodetector 33 represents the absolute wavelength of the light to be detected.

そこで、CPU40ては入力された信号から被検出光に
対応する第2の干渉縞33bに関する情報を抽出し、こ
の抽出した情報にもとづき被検出光の絶対波長を検出す
ることができる。
Therefore, the CPU 40 can extract information regarding the second interference fringe 33b corresponding to the detected light from the input signal, and detect the absolute wavelength of the detected light based on this extracted information.

第2図は、ビームスプリッタ12てサンプリングした被
検出光を光ファイバ]6を用いて導入するとともに、基
準光源として水銀ランプ(波長253、 7 n m)
を用いた、この発明の他の実施例を示したものである。
In FIG. 2, the detected light sampled by the beam splitter 12 is introduced using an optical fiber 6, and a mercury lamp (wavelength 253, 7 nm) is used as a reference light source.
This figure shows another embodiment of the present invention using the following.

この実施例の現金、ビームスプリッタ12てサンプリン
グされた被検出光はレンズ]4、スリーブ15を介して
光フアイバ16内に人力され、光ファイバ16を伝達し
た被検出光はスリーブ17を介して出力され、このスリ
ーブ17の出力光はビームスプリッタ13を照射し、こ
のビームスプリッタ13の透過光によってモニタエタロ
ン波長検出器30のコリメータレンズ31の前側焦点面
19を照明する。
In this embodiment, the detected light sampled by the beam splitter 12 is input into the optical fiber 16 through the lens 4 and the sleeve 15, and the detected light transmitted through the optical fiber 16 is outputted through the sleeve 17. The output light from the sleeve 17 illuminates the beam splitter 13, and the transmitted light from the beam splitter 13 illuminates the front focal plane 19 of the collimator lens 31 of the monitor etalon wavelength detector 30.

また基準光源22から発生した基準光23は結像レンズ
25を通り、ビームスプリッタ13で反射され、コリメ
ータレンズ31の前側黒点山j19の手前に基準光源の
像26を結像する。
Further, the reference light 23 generated from the reference light source 22 passes through the imaging lens 25, is reflected by the beam splitter 13, and forms an image 26 of the reference light source in front of the front sunspot peak j19 of the collimator lens 31.

このような構成によると基準光源22を基準光源の像2
6に配置したのと等価となり、コリメータレンズ31の
前側焦点面はスリーブ17から出力された被検出光とこ
の基準光源22の像26か]0 らの、!I!、壁光によって照射されることになる。
According to such a configuration, the reference light source 22 is the image 2 of the reference light source.
6, and the front focal plane of the collimator lens 31 is between the detected light output from the sleeve 17 and the image 26 of this reference light source 22! I! , will be illuminated by wall light.

この照明光はアパーチャ18を介してコリメータレンズ
31に加えられ、このコリメータレンズ31でコリメー
トされ、モニタエタロン32、結像レンズ34を介して
光検出器33の検出面上に基準光と被検出光のそれぞれ
の波長に対応した2つの干渉縞を形成する。
This illumination light is applied to the collimator lens 31 through the aperture 18, is collimated by the collimator lens 31, and passes through the monitor etalon 32 and the imaging lens 34 onto the detection surface of the photodetector 33 to form the reference light and the detected light. Two interference fringes are formed corresponding to the respective wavelengths.

CPU40は、この2つの干渉縞のうち基準光に対応す
る第1の干渉縞にもとづきレギュレータ50を駆動して
、モニタエタロン波長検出器30内の窒素N2の圧力を
制御し、第1の干渉縞の位置(干渉縞の径)が一定に保
持されるようにする。
The CPU 40 drives the regulator 50 based on the first interference fringe corresponding to the reference light among these two interference fringes, controls the pressure of nitrogen N2 in the monitor etalon wavelength detector 30, and controls the pressure of nitrogen N2 in the monitor etalon wavelength detector 30, (diameter of interference fringes) is maintained constant.

また、CPU40はこの2つの干渉縞のうち被検出光に
対応する第2の干渉縞に基づき被検出光の絶対波長を検
出する。
Further, the CPU 40 detects the absolute wavelength of the detected light based on the second interference fringe corresponding to the detected light among these two interference fringes.

なお、第2図において36はモニタエタロン波長検出器
30内の機密を保つためのOリング、35はコリメータ
レンズ31および結像レンズ34を固定するためのボル
トである。
In FIG. 2, reference numeral 36 indicates an O-ring for maintaining confidentiality within the monitor etalon wavelength detector 30, and reference numeral 35 indicates a bolt for fixing the collimator lens 31 and the imaging lens 34.

なお、この実施例ではコリメータレンズ31と1 結像レンズ36で圧力容器を形成しているが、コリメー
タレンズ31と結像レンズ34の代りにウィンドウを使
用して圧力容器を構成するようにし−てもよい。たたし
、この場合コリメータレンズ31および結像レンズ34
はモニタエタロン32の前後に配置しなけらばならない
In this embodiment, the pressure vessel is formed by the collimator lens 31 and the first imaging lens 36, but a window may be used instead of the collimator lens 31 and the imaging lens 34 to form the pressure vessel. Good too. However, in this case, the collimator lens 31 and the imaging lens 34
must be placed before and after the monitor etalon 32.

第3図は、基準光源20からの基準光21も光ファイバ
28を用いて導入するようにした、合流型ファイバを用
いた更に他の実施例を示したものである。この実施例に
おいて、基準光源20からの基準光21はスリーブ27
を介して光フアイバ28内に導入され、この光ファイバ
28を伝達する基準光は光合波器71で、光ファイバ1
6を伝達する被検出光と合波され、この合波された光は
光ファイバ72を通り、スリーブ73を介して出力され
、モニタエタロン波長検出機30のウィンドウ37を介
してモニタエタロン32を照射する。
FIG. 3 shows still another embodiment using a merging type fiber in which the reference light 21 from the reference light source 20 is also introduced using the optical fiber 28. In this embodiment, the reference light 21 from the reference light source 20 is transmitted to the sleeve 27.
The reference light introduced into the optical fiber 28 through the optical fiber 28 and transmitted through the optical fiber 28 is transmitted through the optical multiplexer 71,
The combined light passes through the optical fiber 72 and is output through the sleeve 73, and illuminates the monitor etalon 32 through the window 37 of the monitor etalon wavelength detector 30. do.

そして、このモニタエタロン32を透過した光はウィン
ドウ38を介して光検出器33上にM Nil光と被検
出光のそれぞれの波長に対応した2つの干2 渉縞を形成する。以下の動作は第2図に示したものと同
様である。
The light transmitted through the monitor etalon 32 forms two interference fringes on the photodetector 33 through the window 38, corresponding to the respective wavelengths of the M Nil light and the detected light. The following operations are similar to those shown in FIG.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、以下に示すよう
な効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

(1)基準光源光に対応する第1の干渉縞を検出し、こ
の第1の干渉縞が所定の形状(所定の径)となるように
モニタエタロンの温度またはエアーギャップ内の圧力を
制御するようにしたので、被検出光に対応する第2の干
渉縞のみにもとづき被検出光の絶対波長を検出すること
ができる。
(1) Detecting a first interference fringe corresponding to the reference light source light, and controlling the temperature of the monitor etalon or the pressure in the air gap so that the first interference fringe has a predetermined shape (predetermined diameter). With this configuration, the absolute wavelength of the detected light can be detected based only on the second interference fringe corresponding to the detected light.

(2)また、第1の干渉縞は所定の形状(所定の径)に
、一定に、保持されるので常に高精度で波長選出を行う
かとができる。
(2) Furthermore, since the first interference fringes are kept constant in a predetermined shape (predetermined diameter), wavelength selection can always be performed with high precision.

(3)この発明の波長検出装置を狭帯域発振エキシマレ
ーザに搭載することによって、高精度に波長を安定化す
ることができる。
(3) By mounting the wavelength detection device of the present invention on a narrow band oscillation excimer laser, the wavelength can be stabilized with high precision.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図はこの発
明の他の実施例を示す図、第3図はこの3 発明の更に他の実施例を示す図である。 10・・・狭帯域発振エキシマレーザ、11・・・被検
出光、12.13・・・ビームスプリッタ、14・・・
レンズ、15.17,27.73・・・スリーブ、16
゜28.72・・・光ファイバ、18・・・アパーチャ
、1つ・・・コリメータレンズの前焦点、20.22・
・・県準光源、21.23・・・基準光、24・・・フ
ィルタ、25・・・レンズ、26・・・基準光源の像、
30・・・モニタエタロン波長検出器、31・・・コリ
メータレンズ、32・・・モニタエタロン、34・・・
結像レンズ、33・・・光検出器、37.38・・・ウ
ィンドウ、40・・・CPU、50・・・レギュレータ
、60・・・加熱または冷却器。  4 0 11
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of this invention, FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of this invention, and FIG. 3 is a diagram showing still another embodiment of the three inventions. 10...Narrowband oscillation excimer laser, 11...Detected light, 12.13...Beam splitter, 14...
Lens, 15.17, 27.73...Sleeve, 16
゜28.72...Optical fiber, 18...Aperture, one...Collimator lens front focus, 20.22.
... Prefectural quasi-light source, 21.23... Reference light, 24... Filter, 25... Lens, 26... Image of reference light source,
30... Monitor etalon wavelength detector, 31... Collimator lens, 32... Monitor etalon, 34...
Imaging lens, 33... Photodetector, 37.38... Window, 40... CPU, 50... Regulator, 60... Heating or cooling device. 4 0 11

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基準光源から発生される基準光と被検出光とをエ
タロンに照射し、該エタロンを透過した光によってそれ
ぞれ形成される前記基準光に対応する第1の干渉縞と被
検出光に対応する第2の干渉縞を光検出手段で検出する
ことにより前記被検出光の波長を検出する波長検出装置
において、前記基準光に対応する第1の干渉縞を検出し
、この第1の干渉縞が所定の形状になるように前記エタ
ロンの特性を制御する制御手段を具えたことを特徴とす
る波長検出装置。
(1) A reference light and a detected light generated from a reference light source are irradiated onto an etalon, and the first interference fringes corresponding to the reference light and the detected light are respectively formed by the light transmitted through the etalon. A wavelength detection device detects the wavelength of the detected light by detecting a second interference fringe with a light detection means, which detects a first interference fringe corresponding to the reference light, and detects a first interference fringe corresponding to the reference light. 1. A wavelength detection device comprising control means for controlling characteristics of the etalon so that the etalon has a predetermined shape.
(2)前記制御手段は、前記エタロンの周囲温度を制御
することを特徴とする請求項(1)記載の波長検出装置
(2) The wavelength detection device according to claim 1, wherein the control means controls the ambient temperature of the etalon.
(3)前記制御手段は、前記エタロンのエアギャップ内
の圧力を制御することを特徴とする請求項(1)記載の
波長検出装置。
(3) The wavelength detection device according to claim 1, wherein the control means controls the pressure within the air gap of the etalon.
JP18167889A 1989-07-14 1989-07-14 Wavelength detecting device Pending JPH0346526A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18167889A JPH0346526A (en) 1989-07-14 1989-07-14 Wavelength detecting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18167889A JPH0346526A (en) 1989-07-14 1989-07-14 Wavelength detecting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0346526A true JPH0346526A (en) 1991-02-27

Family

ID=16104960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18167889A Pending JPH0346526A (en) 1989-07-14 1989-07-14 Wavelength detecting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0346526A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2781987B2 (en) Wavelength detector
US6992779B2 (en) Interferometer apparatus for both low and high coherence measurement and method thereof
US5404366A (en) Narrow band excimer laser and wavelength detecting apparatus
JP4464561B2 (en) Spectroscopic measurement system using off-axis spherical mirror and refractive element
US7868997B2 (en) Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
JP2631569B2 (en) Wavelength detector
JP3690632B2 (en) Narrowband module inspection equipment
US20070146724A1 (en) Vibration-resistant interferometer apparatus
JPH05277075A (en) Eye axis length measuring aparatus
JP2002151388A (en) Aligner and method for manufacturing device
JP3219879B2 (en) Wavelength detector
JPS5979104A (en) Optical device
JPH0346526A (en) Wavelength detecting device
JP2000097620A (en) Interferometer
JPS63213928A (en) Exposure system
JP2005003389A (en) Spectroscope and laser device equipped with spectroscope
JP2614768B2 (en) Wavelength detector
JP2001215105A (en) Interferrometer, shape measuring apparatus and aligner and shape measuring method and exposing method
CN113124751B (en) Scattering measurement device and scattering measurement method
JP2821956B2 (en) Wavelength controller and low-pressure mercury lamp for wavelength controller
US20230417684A1 (en) Light-source apparatus, inspection apparatus, and adjustment method
JP2657532B2 (en) Narrow-band oscillation excimer laser device
JP2008016698A (en) Laser light source system, and method of controlling laser light source
JPH11287612A (en) Interferometer
JPS63302519A (en) Projection exposure device