JPH0343876B2 - - Google Patents
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- JPH0343876B2 JPH0343876B2 JP57111650A JP11165082A JPH0343876B2 JP H0343876 B2 JPH0343876 B2 JP H0343876B2 JP 57111650 A JP57111650 A JP 57111650A JP 11165082 A JP11165082 A JP 11165082A JP H0343876 B2 JPH0343876 B2 JP H0343876B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、同期機の界磁過電圧保護装置に係
り、特にサイリスタ整流装置を使用して同期機の
界磁調整を行う励磁制御装置に対し好適な界磁過
電圧保護装置に関する。Detailed Description of the Invention The present invention relates to a field overvoltage protection device for a synchronous machine, and particularly a field overvoltage protection device suitable for an excitation control device that uses a thyristor rectifier to adjust the field of a synchronous machine. Regarding.
同期機においては、その出力側での非対称短
絡、地絡もしくは非同期運転時に、界磁に負の誘
起電流が発生し、しかもサイリスタ等からなる半
導体整流装置はこの電流を阻止するため、界磁回
路に過電圧が発生する。従つて、従来の励磁制御
装置には、前記過電圧によりサイリスタ等からな
る半導体整流装置が破壊されないように過電圧保
護手段が施されている。 In a synchronous machine, a negative induced current is generated in the field during an asymmetric short circuit, ground fault, or asynchronous operation on the output side, and semiconductor rectifiers such as thyristors block this current, so the field circuit Overvoltage occurs. Therefore, conventional excitation control devices are provided with overvoltage protection means to prevent the overvoltage from destroying semiconductor rectifying devices such as thyristors.
従来、この種の過電圧保護装置として、セレン
等の非線形抵抗素子が使用されていたが、励磁装
置の容量が増大するに伴い、サイリスタ等の半導
体整流素子との過電圧協調が困難となり、また非
同期運転時等に発生する界磁誘起電流値が大きく
なることから電流容量的にも非線形抵抗素子によ
る保護は困難となつてきた。 Conventionally, nonlinear resistance elements such as selenium have been used as this type of overvoltage protection device, but as the capacity of the excitation device increases, overvoltage coordination with semiconductor rectifying elements such as thyristors becomes difficult, and asynchronous operation becomes difficult. As the value of field-induced current that occurs at certain times increases, it has become difficult to provide protection using nonlinear resistance elements in terms of current capacity.
このような観点から近時界磁の正極と負極間に
サイリスタスイツチを設け、界磁回路に過電圧が
発生した際前記サイリスタスイツチを導通させて
過電圧を抑制する方式が提案されている。この場
合、一般にサイリスタスイツチと直列に過電圧抑
制抵抗を接続しているが、界磁過電圧の発生原因
がサージ等の電圧源の場合は、過電圧抑制抵抗の
抵抗値が低いほど界磁電圧は低く制限でき、しか
もこの時サイリスタスイツチの電流容量を大きく
する必要があると考えられていた。しかし、界磁
過電圧の発生原因が非対称短絡や非同期運転時等
の界磁誘起電流に基づく電流源である場合は、過
電圧抑制抵抗の抵抗値に関係なくサイリスタスイ
ツチの電流容量を決定する必要がある。しかも、
この場合、過電圧抑制抵抗の抵抗値は低いことが
望ましい。 From this point of view, a method has recently been proposed in which a thyristor switch is provided between the positive and negative poles of the field, and when an overvoltage occurs in the field circuit, the thyristor switch is rendered conductive to suppress the overvoltage. In this case, an overvoltage suppression resistor is generally connected in series with the thyristor switch, but if the cause of the field overvoltage is a voltage source such as a surge, the lower the resistance value of the overvoltage suppression resistor, the lower the field voltage will be limited. However, it was considered necessary to increase the current capacity of the thyristor switch. However, if the cause of field overvoltage is a current source based on field induced current such as during an asymmetric short circuit or asynchronous operation, it is necessary to determine the current capacity of the thyristor switch regardless of the resistance value of the overvoltage suppression resistor. . Moreover,
In this case, it is desirable that the resistance value of the overvoltage suppression resistor is low.
しかしながら、界磁に負の誘起電流が発生した
ことにより界磁過電圧が発生した場合を考える
と、サイリスタスイツチの動作後は励磁装置のサ
イリスタ等からなる半導体整流装置も過電圧抑制
抵抗に電流を流すため、半導体整流装置の電流容
量も考慮する必要が生じる等の難点があつた。 However, considering the case where a field overvoltage occurs due to the generation of a negative induced current in the field, after the thyristor switch operates, the semiconductor rectifier consisting of the thyristor of the excitation device also causes current to flow through the overvoltage suppression resistor. However, there were some difficulties, such as the need to consider the current capacity of the semiconductor rectifier.
そこで、本発明者は、前述した従来の界磁過電
圧保護装置の問題点を全て克服すべく種々検討を
重ねた結果、励磁装置の界磁回路において、一対
のサイリスタスイツチをそれぞれ過電圧抑制抵抗
と共に直列接続してこれを界磁巻線に並列に接続
し、これらサイリスタスイツチの中間接続点と半
導体整流装置の入力交流電圧の一相とを電流抑制
抵抗を介して接続し、自己消弧可能な過電圧保護
装置を構成することにより、過電圧抑制抵抗の抵
抗値を低く設定してもサイリスタスイツチを復帰
するための逆電圧を確保し得ると共に半導体整流
装置の各素子の電流容量を大きくする必要がな
く、前記問題点を解消し得ることを突き止めた。 Therefore, as a result of various studies to overcome all the problems of the conventional field overvoltage protection device described above, the inventor of the present invention discovered that, in the field circuit of the excitation device, a pair of thyristor switches are connected in series together with an overvoltage suppression resistor. This is connected in parallel to the field winding, and the intermediate connection point of these thyristor switches and one phase of the input AC voltage of the semiconductor rectifier are connected via a current suppression resistor to prevent overvoltage that can self-extinguish. By configuring the protection device, even if the resistance value of the overvoltage suppression resistor is set low, it is possible to secure the reverse voltage for restoring the thyristor switch, and there is no need to increase the current capacity of each element of the semiconductor rectifier. It has been found that the above problems can be solved.
従つて、本発明の目的は、界磁過電圧を制限す
るために過電圧抑制抵抗の抵抗値を低く設定して
も半導体整流装置の電流容量を増大することな
く、しかも自己消弧可能な回路構成からなるサイ
リスタスイツチを使用した界磁過電圧保護装置を
提供するにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a circuit configuration that does not increase the current capacity of a semiconductor rectifier even if the resistance value of the overvoltage suppression resistor is set low in order to limit field overvoltage, and can self-extinguish the current. The present invention provides a field overvoltage protection device using a thyristor switch.
前記の目的を達成するため、本発明において
は、同期機の界磁巻線と並列にサイリスタスイツ
チと過電圧抑制抵抗との直列回路を接続し、界磁
に過電圧が発生した際前記サイリスタスイツチを
導通させて界磁巻線および半導体整流装置を過電
圧から保護するよう構成した界磁過電圧保護装置
において、
前記界磁巻線と並列に一対のサイリスタスイツ
チと過電圧抑制抵抗との直列回路を接続し、これ
らサイリスタスイツチの中間接続点と半導体整流
装置の入力交電圧を形成する一相とを過電圧抑制
抵抗と同程度の抵抗値を有する電流抑制抵抗を介
して接続し、サイリスタスイツチを自己消弧可能
とすると共に、サイリスタスイツチが導通した後
に半導体整流装置から流入する電流値を低減する
ように構成したことを特徴とする。 In order to achieve the above object, in the present invention, a series circuit of a thyristor switch and an overvoltage suppression resistor is connected in parallel with the field winding of a synchronous machine, and when an overvoltage occurs in the field, the thyristor switch is turned on. In a field overvoltage protection device configured to protect a field winding and a semiconductor rectifier from overvoltage, a series circuit of a pair of thyristor switches and an overvoltage suppression resistor is connected in parallel with the field winding, The intermediate connection point of the thyristor switch and one phase that forms the input alternating voltage of the semiconductor rectifier are connected via a current suppression resistor having a resistance value similar to that of the overvoltage suppression resistor, so that the thyristor switch can self-extinguish. Additionally, the present invention is characterized in that the current value flowing from the semiconductor rectifier after the thyristor switch becomes conductive is reduced.
また、同期機の界磁巻線と並列にサイリスタス
イツチと過電圧抑制抵抗との直列回路を接続し、
界磁に過電圧が発生した際前記サイリスタスイツ
チを導通させて界磁巻線および半導体整流装置を
過電圧から保護するよう構成した界磁過電圧保護
装置において、
前記界磁巻線と並列に一対のサイリスタスイツ
チと過電圧抑制抵抗との直列回路を接続し、これ
らサイリスタスイツチの中間接続点と半導体整流
装置の入力交流電圧を形成する一相とを過電圧抑
制抵抗と同程度の抵抗値を有する電流抑制抵抗を
介して接続し、サイリスタスイツチを自己消弧可
能とすると共に、サイリスタスイツチが導通した
後に半導体整流装置から流入する電流値を低減す
るように構成し、かつ、
前記一対の過電圧抑制抵抗のいずれかの過電圧
抑制抵抗を急速減磁用抵抗として共用し、この抵
抗を直列に逆方向サイリスタスイツチを接続する
ことにより、界磁遮断器を開く際に前記逆方向サ
イリスタスイツチを導通させて急速減磁を有効に
達成することができる。 In addition, a series circuit of a thyristor switch and an overvoltage suppression resistor is connected in parallel with the field winding of the synchronous machine.
In a field overvoltage protection device configured to make the thyristor switch conductive when an overvoltage occurs in the field to protect the field winding and the semiconductor rectifier from overvoltage, a pair of thyristor switches are arranged in parallel with the field winding. and an overvoltage suppression resistor are connected in series, and the intermediate connection point of these thyristor switches and one phase forming the input AC voltage of the semiconductor rectifier are connected through a current suppression resistor having a resistance value similar to that of the overvoltage suppression resistor. The thyristor switch is connected to the thyristor switch so that it can self-extinguish, and is configured to reduce the value of current flowing from the semiconductor rectifier after the thyristor switch becomes conductive, and the overvoltage of either of the pair of overvoltage suppression resistors is The suppression resistor is also used as a rapid demagnetization resistor, and by connecting a reverse thyristor switch in series with this resistor, the reverse thyristor switch is made conductive when the field circuit breaker is opened, thereby enabling rapid demagnetization. can be achieved.
次に、本発明に係る同期機の界磁過電圧保護装
置の実施例につき、添付図面を参照しながら以下
詳細に説明する。 Next, embodiments of the field overvoltage protection device for a synchronous machine according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
第1図は、本発明装置の一実施例を示す回路図
である。すなわち、第1図において、参照符号1
0は同期機、12は界磁巻線をそれぞれ示す。こ
の界磁巻線12を付勢するための界磁回路は、同
期機10の出力母線14に励磁用変圧器16を介
して半導体整流装置18を接続し、この半導体整
流装置18の出力端に界磁巻線12を接続するこ
とによつて構成される。また、前記半導体整流装
置18は、同期機10の出力母線14に電圧検出
用変圧器20を介して接続される自動電圧調整装
置22によつて位相制御が行われ、出力電圧の制
御が行われる。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the device of the present invention. That is, in FIG.
0 indicates a synchronous machine, and 12 indicates a field winding. The field circuit for energizing the field winding 12 connects a semiconductor rectifier 18 to the output bus 14 of the synchronous machine 10 via an excitation transformer 16, and connects the semiconductor rectifier 18 to the output end of the semiconductor rectifier 18. It is constructed by connecting field windings 12. Further, the semiconductor rectifier 18 is subjected to phase control by an automatic voltage regulator 22 connected to the output bus 14 of the synchronous machine 10 via a voltage detection transformer 20 to control the output voltage. .
しかるに、本発明においては、前記構成からな
る界磁回路において、界磁巻線12と並列に、一
対のサイリスタスイツチ24,24をそれぞれ過
電圧抑制抵抗26,26と共に直列接続したもの
を接続し、これらサイリスタスイツチ24,24
の中間接続点と半導体整流装置18の入力交流電
圧の一相とを電流抑制抵抗28を介して接続し
て、自己消弧可能な過電圧保護装置を構成してい
る。この場合、各サイリスタスイツチ24,24
には、それぞれ点弧回路30,30が接続され
る。すなわち、本実施例においては、前記サイリ
スタスイツチ24,24は、それぞれ過電圧抑制
抵抗26,26と共に界磁の正極と負極間に順方
向に接続配置される。なお、第1図において、界
磁遮断器および逆方向サイリスタスイツチ等は省
略して示してある。 However, in the present invention, in the field circuit having the above configuration, a pair of thyristor switches 24, 24 connected in series with overvoltage suppressing resistors 26, 26, respectively, are connected in parallel with the field winding 12. Thyristor switch 24, 24
The intermediate connection point of the semiconductor rectifier 18 and one phase of the input AC voltage of the semiconductor rectifier 18 are connected via a current suppressing resistor 28 to constitute a self-extinguishable overvoltage protection device. In this case, each thyristor switch 24, 24
Ignition circuits 30 and 30 are connected to the ignition circuits 30 and 30, respectively. That is, in this embodiment, the thyristor switches 24, 24 are connected in the forward direction between the positive and negative poles of the field along with the overvoltage suppressing resistors 26, 26, respectively. In FIG. 1, the field circuit breaker, reverse thyristor switch, etc. are omitted.
次に、このように構成された本実施例の界磁過
電圧保護装置の動作につき説明する。 Next, the operation of the field overvoltage protection device of this embodiment configured as described above will be explained.
今、同期機10の出力回路に非対称短絡、地絡
もしくは非同期運転(脱調)等の事故が発生した
場合、同期機10の運転条件により定まる界磁誘
起電流が発生する。この誘起電流が「負」となる
半導体整流装置18は逆電流を流せないため、電
流源が出力オープンとなり界磁回路に過電圧が発
生する。この過電圧が、サイリスタスイツチ2
4,24の点弧回路30,30により設定された
値以上となると、サイリスタスイツチ24,24
に点弧指令が与えられ、サイリスタスイツチ2
4,24が順次導通する。このようにして、サイ
リスタスイツチ24,24が導通すると、半導体
整流装置18も過電圧抑制抵抗26,26に対し
て電流を流すが、この場合S相およびY相の逆電
圧による電流が前記過電圧抑制抵抗26,26に
直接流れるのではなく、これらの電流が電流抑制
抵抗28を介して流れる。従つて、半導体整流装
置18の各相の電流は過電圧抑制抵抗26,26
および電流抑制抵抗28の分担比により供給され
る。 Now, if an accident such as an asymmetric short circuit, a ground fault, or an asynchronous operation (step-out) occurs in the output circuit of the synchronous machine 10, a field induced current determined by the operating conditions of the synchronous machine 10 is generated. Since the semiconductor rectifier 18 in which this induced current becomes "negative" cannot flow a reverse current, the output of the current source becomes open and an overvoltage occurs in the field circuit. This overvoltage causes thyristor switch 2
When the value exceeds the value set by the ignition circuits 30, 30 of 4, 24, the thyristor switches 24, 24
A firing command is given to thyristor switch 2.
4 and 24 become conductive in sequence. In this way, when the thyristor switches 24, 24 are turned on, the semiconductor rectifier 18 also causes current to flow through the overvoltage suppression resistors 26, 26, but in this case, the current due to the reverse voltage of the S phase and the Y phase flows into the overvoltage suppression resistance. Rather than flowing directly through 26, 26, these currents flow through a current limiting resistor 28. Therefore, the current in each phase of the semiconductor rectifier 18 is controlled by the overvoltage suppressing resistors 26, 26.
and the sharing ratio of the current suppressing resistor 28.
ここで第1図を用いて、抵抗26および28の
抵抗値の設定の仕方に付いてさらに詳細に説明す
る。 Here, using FIG. 1, the method of setting the resistance values of the resistors 26 and 28 will be explained in more detail.
脱調等による界磁逆方向誘起電流の値を第1図
に示すようにIfrとし、半導体整流装置18のピ
ーク繰返し逆電圧をVrrm、平均オン電流をItav
とすると、
Ifr×2R26<Vrrm …(1)
なる条件を満足するように過電圧抑制抵抗26の
抵抗値R26を設定する。抵抗26の抵抗値R2
6が大きすぎて上式(1)の条件が満足されないと、
半導体整流装置18にそのピーク繰返し逆電圧
Vrrm以上の電圧がかかることになり、半導体整
流装置18が破壊に至る虞れがある。 As shown in Figure 1, the value of the field reverse induced current due to step-out etc. is Ifr, the peak repetitive reverse voltage of the semiconductor rectifier 18 is Vrrm, and the average on-current is Itav.
Then, the resistance value R26 of the overvoltage suppression resistor 26 is set so as to satisfy the following condition: Ifr×2R26<Vrrm (1). Resistance value R2 of resistor 26
If 6 is too large and the condition of equation (1) above is not satisfied,
The peak repetitive reverse voltage is applied to the semiconductor rectifier 18.
A voltage higher than Vrrm will be applied, and there is a risk that the semiconductor rectifier 18 will be destroyed.
また、サイリスタスイツチ24が導通した後
は、半導体整流装置18からも抵抗26に電流を
流すので、交流入力電圧を第1図に示すように
Veとし、さらにサイリスタ点弧角の影響を無視
して電流抑制抵抗28の抵抗値をR28とする
と、
Itav>Ve/(R26+R28) …(2)
なる条件を満足するように設定する必要がある。
上式(2)の条件が満足されない場合には、半導体整
流装置18にその平均オン電流以上の電流が流れ
ることになり、やはり半導体整流装置18の破壊
に繋がる虞れがでてくる。 Furthermore, after the thyristor switch 24 is turned on, current is also caused to flow from the semiconductor rectifier 18 to the resistor 26, so that the AC input voltage is changed as shown in FIG.
Ve, and if the resistance value of the current suppression resistor 28 is R28, ignoring the influence of the thyristor firing angle, it is necessary to set it so as to satisfy the following condition: Itav>Ve/(R26+R28) (2).
If the condition of the above equation (2) is not satisfied, a current higher than the average on-state current will flow through the semiconductor rectifier 18, which may lead to destruction of the semiconductor rectifier 18.
いま、R28=0即ち抵抗28が接続されていな
いとすると、前記式(2)は
Itav>Ve/R26 …(3)
となる。従つて、唯単にサイリスタスイツチ2
4,24の中間点と半導体整流装置18の入力交
流電圧を形成する一相とを接続したのでは、過電
圧抑制抵抗26の抵抗値R26は小さく設定しな
ければならず、反対に半導体整流装置18および
過電圧抑制抵抗26の電流容量を小さくするため
にはR26を大きく設定しなければならない、と
いう相反する課題に直面することになる。 Now, assuming that R28=0, that is, the resistor 28 is not connected, the above equation (2) becomes Itav>Ve/R26 (3). Therefore, only thyristor switch 2
4 and 24 and one phase that forms the input AC voltage of the semiconductor rectifier 18, the resistance value R26 of the overvoltage suppression resistor 26 must be set small; In addition, in order to reduce the current capacity of the overvoltage suppression resistor 26, R26 must be set large, which is a contradictory problem.
そこで、本発明においては、過電圧抑制と、サ
イリスタスイツチ24がオンした時の流入電流値
の制限の両方の課題を解決するために、電流抑制
抵抗28を設けている。但し、電流抑制抵抗28
の抵抗値R28をあまり大きな値に設定すると界
磁逆方向誘起電流が消滅した後、サイリスタスイ
ツチ24を復帰(自己消弧)させるための逆電圧
が確保できないことになるので注意を要するが、
実際には、その時の半導体整流装置18の点弧角
によつて逆電圧が変わるため、R26とR28の
好ましい関係は多少とも幅を持つている。 Therefore, in the present invention, a current suppression resistor 28 is provided in order to solve both the problems of suppressing overvoltage and limiting the inflow current value when the thyristor switch 24 is turned on. However, current suppression resistor 28
If the resistance value R28 is set to a too large value, it will not be possible to secure the reverse voltage to return the thyristor switch 24 (self-extinguishing) after the field reverse induced current disappears, so care must be taken.
Actually, since the reverse voltage changes depending on the firing angle of the semiconductor rectifier 18 at that time, the preferable relationship between R26 and R28 has a certain range.
通常、2R28=R26としているが、計算上は、
R28=R26でも問題がない。但し、余裕を見込む
とR28=R26が抵抗値R28の好ましい限界とみら
れる。 Usually, 2R28=R26, but in calculation,
There is no problem even if R28=R26. However, assuming a margin, R28 = R26 seems to be the preferable limit for the resistance value R28.
第2図は、第1図に示す回路において、界磁遮
断器32と逆方向サイリスタスイツチ34とを追
加接続した場合の回路図である。すなわち、この
場合、過電圧抑制抵抗26を逆方向サイリスタス
イツチ34に対する急速減磁用抵抗として共通に
使用するよう接続配置している。なお、参照符号
36は、逆方向サイリスタスイツチ34の点弧回
路である。その他の構成は、第1図に示す回路構
成と全く同一である。 FIG. 2 is a circuit diagram in which a field circuit breaker 32 and a reverse thyristor switch 34 are additionally connected to the circuit shown in FIG. That is, in this case, the overvoltage suppression resistor 26 is connected and arranged so that it is commonly used as a rapid demagnetization resistor for the reverse thyristor switch 34. Note that reference numeral 36 is an ignition circuit for the reverse direction thyristor switch 34. The other configuration is completely the same as the circuit configuration shown in FIG.
第2図において、一般に界磁遮断器32を開放
する場合は、界磁巻線12の逆誘起電圧を防ぎか
つ界磁時定数を短くする目的で、先にコンタクタ
を介して界磁を抵抗短絡する。しかしながら、界
磁遮断器32を開放する直前の界磁電流が少い場
合は、逆誘起電圧も大きく上昇はしない。そこ
で、第2図に示す回路においては、逆方向サイリ
スタスイツチ34を設けたことにより、急速減磁
抵抗投入用コンタクタを設けることなく、界磁遮
断器32を開放した時に界磁電圧が急上昇した際
には前記逆方向サイリスタスイツチ34が導通
し、抵抗28を介して急速減磁を行うことができ
る。 In FIG. 2, when opening the field circuit breaker 32, the field is first short-circuited with a resistance via a contactor in order to prevent reverse induced voltage in the field winding 12 and shorten the field time constant. do. However, if the field current immediately before opening the field circuit breaker 32 is small, the reverse induced voltage will not increase significantly. Therefore, in the circuit shown in FIG. 2, by providing the reverse direction thyristor switch 34, there is no need to provide a contactor for rapidly demagnetizing resistance, and when the field voltage suddenly increases when the field circuit breaker 32 is opened. Then, the reverse thyristor switch 34 becomes conductive and rapid demagnetization can be performed via the resistor 28.
前述した実施例から明らかなように、本発明に
よれば、界磁回路において、一対のサイリスタス
イツチをそれぞれ過電圧抑制抵抗と共に直列接続
し、これらサイリスタスイツチの中間接続点と半
導体整流装置の入力交流電圧の一相とを電流抑制
抵抗を介して接続することにより、界磁過電圧制
限値を低くするために過電圧抑制抵抗の抵抗値を
低くしてもサイリスタスイツチを復帰するため逆
電圧を確保することができ、しかも半導体整流装
置の各素子の電流容量を大きくする必要がなくな
る等の利点が得られる。 As is clear from the embodiments described above, according to the present invention, in the field circuit, a pair of thyristor switches are connected in series together with an overvoltage suppressing resistor, and the intermediate connection point of these thyristor switches and the input AC voltage of the semiconductor rectifier are connected in series. By connecting one phase through a current suppression resistor, it is possible to secure a reverse voltage to restore the thyristor switch even if the resistance value of the overvoltage suppression resistor is lowered to lower the field overvoltage limit value. Moreover, there are advantages such as no need to increase the current capacity of each element of the semiconductor rectifier.
また、界磁遮断器の開放に際し、過電圧抑制抵
抗を急速減磁用抵抗として共用し、この抵抗と直
列に逆方向サイリスタスイツチを接続することに
より、急速減磁抵抗投入用コンタクタを省略して
前記逆方向サイリスタスイツチにより急速減磁を
有効に達成することができる。 Furthermore, when opening the field circuit breaker, the overvoltage suppressing resistor is also used as a rapid demagnetizing resistor, and by connecting a reverse thyristor switch in series with this resistor, the rapid demagnetizing resistor closing contactor can be omitted and the above-mentioned Rapid demagnetization can be effectively achieved with a reverse thyristor switch.
以上、本発明の好適な実施例について説明した
が、本発明装置は同期機の界磁過電圧保護装置と
してのみならず、半導体整流装置の過電圧保護装
置として広く応用し得るものであり、その他本発
明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計
変更をなし得ることは勿論である。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be widely applied not only as a field overvoltage protection device for synchronous machines but also as an overvoltage protection device for semiconductor rectifiers. Of course, various design changes can be made without departing from the spirit of the invention.
第1図は本発明に係る同期機の界磁過電圧保護
装置の一実施例を示す回路図、第2図は第1図に
示す回路の応用例を示す要部回路図である。
10……同期機、12……界磁巻線、14……
出力母線、16……励磁用変圧器、18……半導
体整流装置、20……電圧検出用変圧器、22…
…自動電圧調節装置、24……サイリスタスイツ
チ、26……過電圧抑制抵抗、28……電流抑制
抵抗、30……点弧回路、32……界磁遮断器、
34……逆方向サイリスタスイツチ、36……点
弧回路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a field overvoltage protection device for a synchronous machine according to the present invention, and FIG. 2 is a main circuit diagram showing an example of application of the circuit shown in FIG. 10...Synchronous machine, 12...Field winding, 14...
Output bus bar, 16...Excitation transformer, 18...Semiconductor rectifier, 20...Voltage detection transformer, 22...
... automatic voltage regulator, 24 ... thyristor switch, 26 ... overvoltage suppression resistance, 28 ... current suppression resistance, 30 ... ignition circuit, 32 ... field breaker,
34...Reverse direction thyristor switch, 36...Ignition circuit.
Claims (1)
タスイツチ24と過電圧抑制抵抗26との直列回
路を接続し、界磁に過電圧が発生した際前記サイ
リスタスイツチ24を導通させて界磁巻線12お
よび半導体整流装置18を過電圧から保護するよ
う構成した界磁過電圧保護装置において、 前記界磁巻線12と並列に一対のサイリスタス
イツチ24と過電圧抑制抵抗26との直列回路を
接続し、これらサイリスタスイツチ24の中間接
続点と半導体整流装置18の入力交流電圧を形成
する一相とを過電圧抑制抵抗26と同程度の抵抗
値を有する電流抑制抵抗28を介して接続し、サ
イリスタスイツチ24を自己消弧可能とすると共
に、サイリスタスイツチ24が導通した後に半導
体整流装置18から流入する電流値を低減するよ
うに構成したことを特徴とする同期機の界磁過電
圧保護装置。 2 同期機10の界磁巻線12と並列にサイリス
タスイツチ24と過電圧抑制抵抗26との直列回
路を接続し、界磁に過電圧が発生した際前記サイ
リスタスイツチ24を導通させて界磁巻線12お
よび半導体整流装置18を過電圧から保護するよ
う構成した界磁過電圧保護装置において、 前記界磁巻線12と並列に一対のサイリスタス
イツチ24と過電圧抑制抵抗26との直列回路を
接続し、これらサイリスタスイツチ24の中間接
続点と半導体整流装置18の入力交流電圧を形成
する一相とを過電圧抑制抵抗26と同程度の抵抗
値を有する電流抑制抵抗28を介して接続し、サ
イリスタスイツチ24を自己消弧可能とすると共
に、サイリスタスイツチ24が導通した後に半導
体整流装置18から流入する電流値を低減するよ
うに構成し、かつ、 前記一対の過電圧抑制抵抗26のいずれかの過
電圧抑制抵抗26を急速減磁用抵抗として共用
し、この抵抗を直列に逆方向サイリスタスイツチ
34を接続することを特徴とする同期機の界磁過
電圧保護装置。[Claims] 1. A series circuit of a thyristor switch 24 and an overvoltage suppression resistor 26 is connected in parallel with the field winding 12 of the synchronous machine 10, and the thyristor switch 24 is made conductive when an overvoltage occurs in the field. In the field overvoltage protection device configured to protect the field winding 12 and the semiconductor rectifier 18 from overvoltage, a series circuit including a pair of thyristor switches 24 and an overvoltage suppression resistor 26 is connected in parallel with the field winding 12. The intermediate connection point of these thyristor switches 24 and one phase forming the input AC voltage of the semiconductor rectifier 18 are connected via a current suppression resistor 28 having a resistance value similar to that of the overvoltage suppression resistor 26, and the thyristor A field overvoltage protection device for a synchronous machine, characterized in that the switch 24 is capable of self-extinguishing, and is configured to reduce the value of current flowing from the semiconductor rectifier 18 after the thyristor switch 24 is turned on. 2. A series circuit of a thyristor switch 24 and an overvoltage suppression resistor 26 is connected in parallel with the field winding 12 of the synchronous machine 10, and when an overvoltage occurs in the field, the thyristor switch 24 is made conductive and the field winding 12 is turned on. And in a field overvoltage protection device configured to protect a semiconductor rectifier 18 from overvoltage, a series circuit of a pair of thyristor switches 24 and an overvoltage suppression resistor 26 is connected in parallel with the field winding 12, and these thyristor switches 24 and one phase that forms the input AC voltage of the semiconductor rectifier 18 are connected via a current suppression resistor 28 having a resistance value similar to that of the overvoltage suppression resistor 26, and the thyristor switch 24 is self-extinguished. The present invention is configured to reduce the value of current flowing from the semiconductor rectifier 18 after the thyristor switch 24 becomes conductive, and rapidly demagnetizes one of the pair of overvoltage suppression resistors 26. A field overvoltage protection device for a synchronous machine, characterized in that the resistor is used commonly as a resistor, and a reverse thyristor switch 34 is connected in series with this resistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111650A JPS596799A (en) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Field overvoltage protecting device for synchronous machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111650A JPS596799A (en) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Field overvoltage protecting device for synchronous machine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596799A JPS596799A (en) | 1984-01-13 |
| JPH0343876B2 true JPH0343876B2 (en) | 1991-07-04 |
Family
ID=14566698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111650A Granted JPS596799A (en) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Field overvoltage protecting device for synchronous machine |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596799A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2522016B2 (en) * | 1988-05-31 | 1996-08-07 | 国産電機株式会社 | Alternator voltage regulator |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5395214A (en) * | 1977-02-01 | 1978-08-21 | Toshiba Corp | Synchronous machine |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57111650A patent/JPS596799A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS596799A (en) | 1984-01-13 |
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