JPH0342880A - 光電素子 - Google Patents
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- JPH0342880A JPH0342880A JP2120197A JP12019790A JPH0342880A JP H0342880 A JPH0342880 A JP H0342880A JP 2120197 A JP2120197 A JP 2120197A JP 12019790 A JP12019790 A JP 12019790A JP H0342880 A JPH0342880 A JP H0342880A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
-
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- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、波長が4f軌道−イオン(ランタニド)によ
って定まっている光信号を発生させるための絶縁体とラ
ンタニドから成るドーピング物質とを備えた光電子素子
に関する。
って定まっている光信号を発生させるための絶縁体とラ
ンタニドから成るドーピング物質とを備えた光電子素子
に関する。
現代の情報技術の領域にあって光電子素子は重要な役割
を演じている。この光電子素子は情報伝達体(グラスフ
ァイバー)と半導体電子技術にしっかりと基礎を置いた
処理ステーションとを結合する素材を形成している。光
電子素子は光学的な信号を電気的な信号に、またその逆
に電気的な信号を光学的な信号に変換する。超重形電子
回路の極めて多くの部分はジリチウム技術によって造ら
れるが、インターフェースは光/電気信号、即ち光電子
素子、レーザー、発光ダイオード等のようなm−v−半
導体素子の使用を必要とする。このことにとって重要な
ことは、ジリチウムにあってエネルギー帯と価電子帯間
の光電子素子にとって重要な、直接的な(即ち強力に結
合する)電子的な遷移が多数のI11/V−半導体素子
と異なり適当な光エネルギーに存在していないことにあ
る。
を演じている。この光電子素子は情報伝達体(グラスフ
ァイバー)と半導体電子技術にしっかりと基礎を置いた
処理ステーションとを結合する素材を形成している。光
電子素子は光学的な信号を電気的な信号に、またその逆
に電気的な信号を光学的な信号に変換する。超重形電子
回路の極めて多くの部分はジリチウム技術によって造ら
れるが、インターフェースは光/電気信号、即ち光電子
素子、レーザー、発光ダイオード等のようなm−v−半
導体素子の使用を必要とする。このことにとって重要な
ことは、ジリチウムにあってエネルギー帯と価電子帯間
の光電子素子にとって重要な、直接的な(即ち強力に結
合する)電子的な遷移が多数のI11/V−半導体素子
と異なり適当な光エネルギーに存在していないことにあ
る。
公知技術として、”0ptics and 5pect
roscopy26(1969)の176頁以下に所載
の論文並びにJ、^pp1.PhySi’44(197
3)5029−5030頁所載の論文が知られているが
、これらの論文で問題としていることは弗化物層、例え
ばCaF、およびCdF2層に希土類元素Tbもしくは
Gdをドーピングすることである。希土類元素スペクト
ル放出ラインのドーピングの際ランタニド(4f−軌道
イオン)と結合する化合物はm−v−半導体−発光ダイ
オード或いはレーザーの放出ラインに比して利点を有し
ている。何故なら、希土類元素の胴体−水準−放出ライ
ンが価電子エネルギー帯密度の幅が著しいことから幅広
くなるレーザラインより鋭いからである。更にランタニ
ドのドーピングによって熱的な変動に起因する問題も無
くなる。
roscopy26(1969)の176頁以下に所載
の論文並びにJ、^pp1.PhySi’44(197
3)5029−5030頁所載の論文が知られているが
、これらの論文で問題としていることは弗化物層、例え
ばCaF、およびCdF2層に希土類元素Tbもしくは
Gdをドーピングすることである。希土類元素スペクト
ル放出ラインのドーピングの際ランタニド(4f−軌道
イオン)と結合する化合物はm−v−半導体−発光ダイ
オード或いはレーザーの放出ラインに比して利点を有し
ている。何故なら、希土類元素の胴体−水準−放出ライ
ンが価電子エネルギー帯密度の幅が著しいことから幅広
くなるレーザラインより鋭いからである。更にランタニ
ドのドーピングによって熱的な変動に起因する問題も無
くなる。
4f−軌道遷移の励起は電子放射(陰極線ルミネセンス
)、(ダイオード配設における二つの接触部を介した)
電流流れにおける衝撃イオン化或いは例えばその放出ラ
インが内−f一般遷移の励起エネルギーに調和されてい
る半導体層レーザーによる光入射によって起こる。希土
類元素イオンにおける励起の際に生じるエレクトロンホ
ール対の再結合はエネルギー上比較的鋭いスペクトルラ
インの照射を招く。
)、(ダイオード配設における二つの接触部を介した)
電流流れにおける衝撃イオン化或いは例えばその放出ラ
インが内−f一般遷移の励起エネルギーに調和されてい
る半導体層レーザーによる光入射によって起こる。希土
類元素イオンにおける励起の際に生じるエレクトロンホ
ール対の再結合はエネルギー上比較的鋭いスペクトルラ
インの照射を招く。
本発明の課題は、強度の強いかつスペクトルが鋭い放出
を有する冒頭に記載した様式の光電子素子を提供するこ
とである。
を有する冒頭に記載した様式の光電子素子を提供するこ
とである。
この課題は本発明により、絶縁体として少なくとも一つ
の金属成分を有する金属化合物が使用されていること、
光信号を発生させるためランタニド−イオンが絶縁体内
に埋込まれており、このランタニドイオンの原子価が少
なくとも一つの金属成分の原子価に等しいことによって
解決される。
の金属成分を有する金属化合物が使用されていること、
光信号を発生させるためランタニド−イオンが絶縁体内
に埋込まれており、このランタニドイオンの原子価が少
なくとも一つの金属成分の原子価に等しいことによって
解決される。
2価のホストクリスタル内における3価の希土類元素の
電子ルミネセンス、特にTb”における電子ルミネセン
スにおける公知技術にあっては−これらに電荷均衡が欠
けているので−、多数の会合したホールが生じ不利であ
る。このことは、希土類元素のスピン分離したf−軌道
水準遷移の幅広い錯綜してルミネセンススペクトルを生
しる。
電子ルミネセンス、特にTb”における電子ルミネセン
スにおける公知技術にあっては−これらに電荷均衡が欠
けているので−、多数の会合したホールが生じ不利であ
る。このことは、希土類元素のスピン分離したf−軌道
水準遷移の幅広い錯綜してルミネセンススペクトルを生
しる。
上記のことに比して、技術的な理論において、絶縁体内
におけるランタニド−イオンの原子価と金属成分の原子
価との一致により錯化合物形成およびホール形成を伴う
ことのない、化学量論的なかつ置換によるランタニドイ
オンの埋込みが可能になる。もちろん原子価は、絶縁体
が少なくとも近接配設にあって化学的な結合の主として
イオン特性を有しており、かつ希土類元素の局所的な格
子構造が金属イオンの局所的な格子構造と類似している
ーこれは関与するイオンのイオン半径が著しく違わない
ことによって達せられるーを前提としている。この理由
から強い共有結合を有してる物質、例えばGaAsは上
記の理論による絶縁体としては該当しない。
におけるランタニド−イオンの原子価と金属成分の原子
価との一致により錯化合物形成およびホール形成を伴う
ことのない、化学量論的なかつ置換によるランタニドイ
オンの埋込みが可能になる。もちろん原子価は、絶縁体
が少なくとも近接配設にあって化学的な結合の主として
イオン特性を有しており、かつ希土類元素の局所的な格
子構造が金属イオンの局所的な格子構造と類似している
ーこれは関与するイオンのイオン半径が著しく違わない
ことによって達せられるーを前提としている。この理由
から強い共有結合を有してる物質、例えばGaAsは上
記の理論による絶縁体としては該当しない。
絶縁体を半導体から区別することは物理学的に意味のな
いことである。両者にあっては、価電子帯とエネルギー
帯間にいわゆるrギャップ1が存在しており、その半導
体特性にとって有利となるような材料の絶縁体特性の減
少はこのギャップにおける絶縁体としての価値の低減に
負うところがある。
いことである。両者にあっては、価電子帯とエネルギー
帯間にいわゆるrギャップ1が存在しており、その半導
体特性にとって有利となるような材料の絶縁体特性の減
少はこのギャップにおける絶縁体としての価値の低減に
負うところがある。
絶縁体を層状に形成するのが有利である。集積回路の領
域にあって、本発明による他の有利な光電子素子の槽底
にあっては、絶縁体がS。
域にあって、本発明による他の有利な光電子素子の槽底
にあっては、絶縁体がS。
、I/V−半導体一或いはII/IV−半導体層(2)
と固く結合されている。この場合もちろん二成分系半導
体に限定されない。むしろこの場合三成分系或いは四成
分系半導体、例えば Int−xGaxAsyp+−7も該当する。
と固く結合されている。この場合もちろん二成分系半導
体に限定されない。むしろこの場合三成分系或いは四成
分系半導体、例えば Int−xGaxAsyp+−7も該当する。
本発明の構成にあって、エピタキシャル成長した絶縁体
が有利である。この場合、特に金属弗化物CaF、、L
aF、或いはXF、 (ここにおいてXは希土類金属の
族からなる金属成分である。)をあげることができる。
が有利である。この場合、特に金属弗化物CaF、、L
aF、或いはXF、 (ここにおいてXは希土類金属の
族からなる金属成分である。)をあげることができる。
ここにおいても絶縁物質は決して二成分系に限られない
、特にこの場合特にCaxSr1−、pz或いはLa、
−、XxF2を絶縁体としてあげることができる。もち
ろん絶縁体として塩化物或いは他のハロゲン化物を使用
することも可能である。更に使用できる絶縁物質として
はZnO、CdFzおよびIn、03をあげることがで
きる。
、特にこの場合特にCaxSr1−、pz或いはLa、
−、XxF2を絶縁体としてあげることができる。もち
ろん絶縁体として塩化物或いは他のハロゲン化物を使用
することも可能である。更に使用できる絶縁物質として
はZnO、CdFzおよびIn、03をあげることがで
きる。
特にこのような絶縁物質が5t(100)−或いはSi
−(111)−層にエピタキシャルに析出されるのが有
利である。この際、金属成分として希土類金属、特にL
aを含んでいる金属から絶縁層がSi(100)−層上
にエピタキシャルに析出されるのが有利である。即ち、
例えば弗化物層が、例えばE「或いはNd(或いはEr
に対するNdへのようなドーピングによっても)のよう
な希土類元素イオンと置換し、ジリチウム−ウェーハ上
に析出するようにして、発光ダイオードをSt上に作る
ことが可能である。弗化物層上に析出した金属フィルム
とSi−基板間の電流の流れは弗化物層内で置換したラ
ンタニドを励起して強く鋭いスペクトル線の放射を誘起
する。
−(111)−層にエピタキシャルに析出されるのが有
利である。この際、金属成分として希土類金属、特にL
aを含んでいる金属から絶縁層がSi(100)−層上
にエピタキシャルに析出されるのが有利である。即ち、
例えば弗化物層が、例えばE「或いはNd(或いはEr
に対するNdへのようなドーピングによっても)のよう
な希土類元素イオンと置換し、ジリチウム−ウェーハ上
に析出するようにして、発光ダイオードをSt上に作る
ことが可能である。弗化物層上に析出した金属フィルム
とSi−基板間の電流の流れは弗化物層内で置換したラ
ンタニドを励起して強く鋭いスペクトル線の放射を誘起
する。
絶縁体内に少なくとも一つの3価の金属成分が存在して
いる場合、Ld、 Nd、 Gd、 Dy、 80%
ErおよびLuの族から成る元素の少なくとも一つを3
価のランタニド−イオンとして選択するのが有利である
。絶縁体内に少なくとも一つの2価の金属成分が存在し
ている場合、Sm、 Eu、 ’rwおよびYbO族か
ら成る元素の少なくとも一つをドーピングするのが有利
である。ドーピングイオンと金属成分間の原子価の一致
の維持下では絶縁体のドーピングはただ一つの元素のイ
オンに限定されない。むしろ異なる元素のランタニドイ
オンの埋込みは、本発明による特に有利な方法により、
素子内における高い強度と鋭い放出構造とを伴う異なる
波長の多数の光学的な信号を可能にする。この場合、こ
の様式の個々の素子内にただ一つの集積回路内で異なる
波長の平行な多数の光学的な信号が選択的に更に処理さ
れる。
いる場合、Ld、 Nd、 Gd、 Dy、 80%
ErおよびLuの族から成る元素の少なくとも一つを3
価のランタニド−イオンとして選択するのが有利である
。絶縁体内に少なくとも一つの2価の金属成分が存在し
ている場合、Sm、 Eu、 ’rwおよびYbO族か
ら成る元素の少なくとも一つをドーピングするのが有利
である。ドーピングイオンと金属成分間の原子価の一致
の維持下では絶縁体のドーピングはただ一つの元素のイ
オンに限定されない。むしろ異なる元素のランタニドイ
オンの埋込みは、本発明による特に有利な方法により、
素子内における高い強度と鋭い放出構造とを伴う異なる
波長の多数の光学的な信号を可能にする。この場合、こ
の様式の個々の素子内にただ一つの集積回路内で異なる
波長の平行な多数の光学的な信号が選択的に更に処理さ
れる。
本発明の他の構成は、絶縁体がSi−層或いはIII/
V−半導体層間に存在することである。 Si層或いは
III/ V−半導体層の少なくとも一つが絶縁体上で
エピタキシャル成長することは本発明の特に有利な構成
である。
V−半導体層間に存在することである。 Si層或いは
III/ V−半導体層の少なくとも一つが絶縁体上で
エピタキシャル成長することは本発明の特に有利な構成
である。
本発明の他の有利な構成は多重層パックにあるが、この
多重層バックにあっては交互に上下に成長した絶縁体と
半導体層の厚みはそれぞれ放射される光波のλ/2の厚
みを有している。有利には絶縁体と半導体層はエピタキ
シャルに互いに順次成長する。このように交互のエビタ
クシ−が可能なのでこれら材料から超格子を作ることが
可能であり、この超格子は「分布帰還形」プレーナー発
光ダイオード或いはレーザーの構造を可能にする。
多重層バックにあっては交互に上下に成長した絶縁体と
半導体層の厚みはそれぞれ放射される光波のλ/2の厚
みを有している。有利には絶縁体と半導体層はエピタキ
シャルに互いに順次成長する。このように交互のエビタ
クシ−が可能なのでこれら材料から超格子を作ることが
可能であり、この超格子は「分布帰還形」プレーナー発
光ダイオード或いはレーザーの構造を可能にする。
層順序に対して垂直に整向された光放射が行われるよう
にするため、干渉作用の理由から層厚みがそれぞれ放射
される光波のλ/2の厚みであるのが有利である。この
場合、λはその都度の媒体に関して屈折率によって修正
された波長である。
にするため、干渉作用の理由から層厚みがそれぞれ放射
される光波のλ/2の厚みであるのが有利である。この
場合、λはその都度の媒体に関して屈折率によって修正
された波長である。
本発明による素子の他の有利な構成にあっては、絶縁体
は共振体を形成するためI/ V−半導体層(或いは場
合によってはII/Vl−半導体層)に隣接して例えば
GaASi InP 、 GaAlAs或いはCdSか
ら威るm/ V−基板上に(場合によってはSt−層或
いはn/V−物質上にも)*長している。このような共
振体は集積光学材内の半導体−レーザーの1安定1に役
立つ、何故なら(例えばEr−イオンと置換して)析出
した絶縁体層が比較的幅広いレーザ線から狭い熱的に安
定したスペクトルラインを1ずらす」からである。この
場合、電子的な遷移は光学的にレーザー線によって誘起
され、共振体−レーザー組合わせの放出は本質的にラン
タニドイオンのスペクトル線によって行われる。
は共振体を形成するためI/ V−半導体層(或いは場
合によってはII/Vl−半導体層)に隣接して例えば
GaASi InP 、 GaAlAs或いはCdSか
ら威るm/ V−基板上に(場合によってはSt−層或
いはn/V−物質上にも)*長している。このような共
振体は集積光学材内の半導体−レーザーの1安定1に役
立つ、何故なら(例えばEr−イオンと置換して)析出
した絶縁体層が比較的幅広いレーザ線から狭い熱的に安
定したスペクトルラインを1ずらす」からである。この
場合、電子的な遷移は光学的にレーザー線によって誘起
され、共振体−レーザー組合わせの放出は本質的にラン
タニドイオンのスペクトル線によって行われる。
以下に添付した図面に図示した実施例につき本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
第1図に示したダイオードにあっては絶縁体層1はSi
−ウェーハ2上にエピタキシャル成長している。例えば
Erと置換されている絶縁体層上には金属フィルム3が
電極として析出しており、この金属層は接触子4と結合
している。
−ウェーハ2上にエピタキシャル成長している。例えば
Erと置換されている絶縁体層上には金属フィルム3が
電極として析出しており、この金属層は接触子4と結合
している。
第2図に示したダイオードは接触子4と結合している低
抵抗の二つのSi−層を備えており、これらのSi−層
間にエピタキシャル絶縁体層1が存在している。この絶
縁体層には高抵抗のSi層5が隣接している。
抵抗の二つのSi−層を備えており、これらのSi−層
間にエピタキシャル絶縁体層1が存在している。この絶
縁体層には高抵抗のSi層5が隣接している。
第3図に示した素子は、それぞれエピタキシャル絶縁体
層とSt−ウェーハ2もしくはレーザーを形成するため
m/ V−半導体層6とから戒る多数の層対−10から
100の層対であってもよい−から威る0層パックは接
触子4と結合している透明な電極3′によって区画され
ている。
層とSt−ウェーハ2もしくはレーザーを形成するため
m/ V−半導体層6とから戒る多数の層対−10から
100の層対であってもよい−から威る0層パックは接
触子4と結合している透明な電極3′によって区画され
ている。
第4図はIII/V−基板7、例えばGaAs或いはI
nP上にエピタキシャル成長したランタニド−置換絶縁
体層1を示している。この絶縁体層1はm/V−半導体
層6に隣接している。
nP上にエピタキシャル成長したランタニド−置換絶縁
体層1を示している。この絶縁体層1はm/V−半導体
層6に隣接している。
本発明による上記の実施例の素子の製造は、Si−或い
はm/ V−半導体層系がUHV−帯域で析出する、分
子線−エピタキシャル基質で行われる。絶縁体層を析出
するために設けられている面は、エビタクシ−或いはイ
オン衝撃および焼戻しによってr純粋に」調製されてい
なければならない0次いで絶縁体層は、例えば(Alx
に相応して秤量された)LaF3/Erから成る粉末混
合物をるぼ或いはポートから蒸発させることにより析出
される。多結晶の絶縁体層にとってはSi或いはm/
V−半導体表面或いはII/Vl−半導体表面の調製は
それほど問題とならない。
はm/ V−半導体層系がUHV−帯域で析出する、分
子線−エピタキシャル基質で行われる。絶縁体層を析出
するために設けられている面は、エビタクシ−或いはイ
オン衝撃および焼戻しによってr純粋に」調製されてい
なければならない0次いで絶縁体層は、例えば(Alx
に相応して秤量された)LaF3/Erから成る粉末混
合物をるぼ或いはポートから蒸発させることにより析出
される。多結晶の絶縁体層にとってはSi或いはm/
V−半導体表面或いはII/Vl−半導体表面の調製は
それほど問題とならない。
第1図はジリチウムベース上の発光ダイオード、
第2図は二つのSi−電極間にまとめられたダイオード
、 第3図は多数の層対から成る素子、 第4図は半導体−レーザーを安定させるための共振体と
して形成された素子。 図中符号は、 1・・・絶縁体層、2・・・Si−ウェハー3・・・金
属フィルム、4・・・接触子、5・・・Si−層、6・
・・レーザー−1[1/V−半導体層、7・・・m/V
−物質
、 第3図は多数の層対から成る素子、 第4図は半導体−レーザーを安定させるための共振体と
して形成された素子。 図中符号は、 1・・・絶縁体層、2・・・Si−ウェハー3・・・金
属フィルム、4・・・接触子、5・・・Si−層、6・
・・レーザー−1[1/V−半導体層、7・・・m/V
−物質
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、波長が4f軌道−イオン(ランタニド)によって定
まっている光信号を発生させるための絶縁体(1)とラ
ンタニドから成るドーピング物質とを備えた光電素子に
おいて、 a)絶縁体(1)として少なくとも一つの金属成分を有
する金属化合物が使用されてい ること、 b)光信号を発生させるためその原子価が金属成分の少
なくとも一つの金属成分の原子 価に等しいランタニド−イオンが絶縁体内 に埋込まれていること、 を特徴とする、上記光電素子。 2、絶縁体(1)が層状に形成されている、請求項1記
載の光電素子。 3、絶縁体(1)がSi−、III−V−半導体−或いは
II−IV−半導体層(2)と固く結合されている、請求項
1或いは2記載の光電素子。 4、絶縁体(1)がエピタキシャル成長している、請求
項1から3項までのいずれか一つに記載の光電素子。 5、絶縁体(1)としてCaF_2、In_2O_3、
LaF_3或いはXF_X(X=Ce、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Sc、Y、Ho、
Er、Tm、Yb、Lu)が使用されている、請求項1
から4項までのいずれか一つに記載の光電素子。 6、絶縁体(1)としてCa_xSr_1_−_xF_
2或いはLa_1_−_xX_xF_3(X=La、C
e・・・Yb、Lu並びにスカンジウム、イットリウム
)が使用されている請求項1から5項までのいずれか一
つに記載の光電素子。 7、絶縁体(1)がSi(100)−或いはSi(11
1)層(2)上に成長している、請求項1から 6項までのいずれか一つに記載の光電素子。 8、ドーピング物質としてLa、Nd、Gd、Dy、H
o、ErおよびLu族の元素の少なくとも一つの元素の
3価のイオンが使用されている、請求項1から7項まで
のいずれか一つに記載の光電 素子。 9、ドーピング物質としてSm、Eu、TmおよびYb
の少なくとも一つの元素の2価のイオンが使用されてい
る、請求項1から9項までのいずれか一つに記載の光電
素子。 10、絶縁体(1)がSi−層(2)間に存在している
、請求項1から9項までのいずれか一つに記載の光電素
子。 11、Si−層(2)の少なくとも一つのSi−層が絶
縁体(1)上でエピタキシャル成長している、請求項1
0記載の光電素子。 12、絶縁体(1)がIII−V−半導体−層(2)間に
存在している、請求項1から11項までのいずれか一つ
に記載の光電素子。 13、III−V−半導体−層(2)の少なくとも一つが
絶縁体(1)上でエピタキシャル成長している、請求項
12記載の光電素子。 14、交互に上下に成長している絶縁体(1)と半導体
層(2)の厚みがそれぞれ放射される光波長のλ/2の
厚みを有している多重層パックが設けられている、請求
項10から13項までのいずれか一つに記載の光電素子
。 15、絶縁体(1)或いは半導体層(2)の少なくとも
一つがエピタキシャル成長している、請求項14記載の
光電素子。 16、絶縁体が共振体を形成するために光を放出するI
II−V−半導体−層(例えばレーザー−構造)に隣接し
てSi−、III−V−半導体−或いはII−V−基板(6
、7)上で成長している、請求項1から15項までのい
ずれか一つに記載の光電素子。 17、III−V−基板(6)がCaAs、CaAlAs
或いはInPから成る、請求項16記載の光電素子。 18、II−V−基板(7)がCdSから成る請求項16
記載の光電素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3915701A DE3915701A1 (de) | 1989-05-13 | 1989-05-13 | Optoelektronisches bauelement |
DE3915701.6 | 1989-05-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342880A true JPH0342880A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=6380629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2120197A Pending JPH0342880A (ja) | 1989-05-13 | 1990-05-11 | 光電素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0398135A3 (ja) |
JP (1) | JPH0342880A (ja) |
CA (1) | CA2016623A1 (ja) |
DE (1) | DE3915701A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216408A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | ガラス発光素子 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2683948B1 (fr) * | 1991-11-20 | 1994-03-04 | France Telecom | Structure de composant optique integre contenant une terre rare, procede de realisation et applications. |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3529200A (en) * | 1968-03-28 | 1970-09-15 | Gen Electric | Light-emitting phosphor-diode combination |
US4039834A (en) * | 1975-01-09 | 1977-08-02 | The Harshaw Chemical Company | Thermoluminescent CaF2 (Tm) and method for its use |
JPS57196546A (en) * | 1981-05-27 | 1982-12-02 | Hiroshi Ishihara | Material for electronic element having multilayer structure of semiconductor and insulator |
JPS6052027A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS621225A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 半導体ウエハ |
JP2555048B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 光記録方法 |
JPS63284827A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体結晶の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-13 DE DE3915701A patent/DE3915701A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-05-09 EP EP19900108691 patent/EP0398135A3/de not_active Withdrawn
- 1990-05-11 CA CA002016623A patent/CA2016623A1/en not_active Abandoned
- 1990-05-11 JP JP2120197A patent/JPH0342880A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216408A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | ガラス発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0398135A3 (de) | 1993-04-14 |
CA2016623A1 (en) | 1990-11-13 |
EP0398135A2 (de) | 1990-11-22 |
DE3915701A1 (de) | 1990-11-22 |
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