JPH0341975B2 - - Google Patents
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- JPH0341975B2 JPH0341975B2 JP24083486A JP24083486A JPH0341975B2 JP H0341975 B2 JPH0341975 B2 JP H0341975B2 JP 24083486 A JP24083486 A JP 24083486A JP 24083486 A JP24083486 A JP 24083486A JP H0341975 B2 JPH0341975 B2 JP H0341975B2
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム露光における図形分割方
法、特に電子ビームを用いたパタン形成におい
て、集積回路等の設計パタンデータから描画デー
タを作成するための方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a figure division method in electron beam exposure, and particularly to a method for creating drawing data from design pattern data for an integrated circuit or the like in pattern formation using an electron beam.
電子ビーム露光は、電子の波長が短く微細パタ
ン形成に適していること、電子が電荷を持つてい
るためその制御が容易なことなどの理由から、特
に半導体集積回路のパタン形成技術として注目さ
れ、既にホトマスクの製作に適用され始めてい
る。集積回路が今後さらに大規模化するに従い、
多品種で少量のLSIが要求され、その製作技術と
して従来のマスクを用いたプロセスに代わり、マ
スクを製作する必要のない電子ビームを用いたウ
エハ上への直接描画技術が有望視されている。電
子ビームを用いた直接描画技術を確立するために
は、露光装置の生産性向上が最大の要求条件であ
つたが、可変成形ビームを用いる露光装置が提案
され、描画速度は大幅に向上した。その理由は、
従来のポイントビーム方式では、点でパタンを塗
りつぶしていたのに対し、可変成形ビーム方式で
は図形パタンを、例えば1辺が10μmまでの矩形
に分割して、その矩形毎にいわば面で塗りつぶす
ためである。ここで注意を要するのは、ポイント
ビーム方式では塗りつぶすパタンの面積によつて
描画時間が決まるのに対し、可変成形ビーム方式
では塗りつぶす面の数、すなわち、シヨツトの数
で描画時間が決まることである。換言すると、可
変成形ビーム方式では、同じパタンを形成する場
合であつても、パタンの分割方法を変えてシヨツ
トの数を少なくすれば、それだけ露光装置の生産
性は向上する。 Electron beam exposure has attracted particular attention as a pattern forming technology for semiconductor integrated circuits because the wavelength of electrons is short and is suitable for forming fine patterns, and because electrons have a charge, it is easy to control. It has already begun to be applied to the production of photomasks. As integrated circuits become even larger in the future,
A wide variety of LSIs are required in small quantities, and as an alternative to the conventional process using masks, direct writing technology on wafers using electron beams, which does not require the production of masks, is seen as a promising manufacturing technology. In order to establish direct writing technology using an electron beam, the most important requirement was to improve the productivity of exposure equipment, but an exposure equipment that uses a variable shaped beam was proposed, and the writing speed was significantly improved. The reason is,
In the conventional point beam method, the pattern is filled with points, whereas in the variable shaping beam method, the graphic pattern is divided into rectangles with sides of up to 10 μm, and each rectangle is filled with a surface, so to speak. be. It is important to note here that in the point beam method, the drawing time is determined by the area of the pattern to be filled, whereas in the variable shaped beam method, the drawing time is determined by the number of surfaces to be filled, that is, the number of shots. . In other words, in the variable shaped beam method, even when forming the same pattern, the productivity of the exposure apparatus is improved by changing the method of dividing the pattern and reducing the number of shots.
さて、電子ビーム露光により集積回路パタンの
形成を行うとき、設計から得られる図形データは
そのままの形式では電子ビーム露光用の描画デー
タとはならない。その理由は、設計図形は、一般
に、多角形で記述されているのに対し、電子ビー
ム用の描画データではせいぜい台形までしか許容
されていないし、また設計で出力する図形データ
を矩形だけで表現したとしても、そのままでは矩
形同志に重なりが生じて多重露光となるため描画
データには適さないからである。従つて、設計デ
ータに、例えば輪郭化処理を施して多重露光の除
去を行い、しかる後に矩形、台形等の基本図形や
描画単位図形に分割することが行われている。こ
こで基本図形と描画単位図形について触れておく
と、基本図形とは、多様なパタンを矩形や台形等
の単純なパタンに分割したときのそれぞれの図形
であり、描画単位図形とは描画で用いるパタン創
成の単位図形である。ポイントビーム方式の露光
装置では、通常、基本図形が描画単位図形とな
る。しかし、成形ビーム方式では、基本図形は一
般に最大ビーム寸法を越えているため、基本図形
をさらに最大ビーム寸法以下の図形に分割して描
画単位図形とする。成形ビーム方式で描画単位図
形を得るためには、輪郭化した図形から直接に描
画単位図形を切り取つてゆく方法もあるが、描画
単位図形の繰り返し性が損われやすく、データ圧
縮には適さないなどの理由から、通常は基本図形
に分割し、その後に描画単位図形へ分割する。以
下でも後者の方法に沿つて説明を行うことにす
る。 Now, when forming an integrated circuit pattern by electron beam exposure, the graphic data obtained from the design cannot be used as drawing data for electron beam exposure in its original form. The reason for this is that while design figures are generally described as polygons, electron beam writing data only allows trapezoids at most, and the figure data output in design is expressed only in rectangles. Even so, this is because rectangles overlap each other and result in multiple exposure, which is not suitable for drawing data. Therefore, the design data is subjected to, for example, contouring processing to remove multiple exposures, and then divided into basic figures such as rectangles and trapezoids or drawing unit figures. Here, I would like to touch on basic figures and drawing unit figures.Basic figures are the figures obtained when various patterns are divided into simple patterns such as rectangles and trapezoids, and drawing unit figures are the figures used for drawing. It is a unit figure for pattern creation. In a point beam type exposure apparatus, a basic figure is usually a drawing unit figure. However, in the shaped beam method, since the basic figure generally exceeds the maximum beam size, the basic figure is further divided into figures of less than the maximum beam size to form drawing unit figures. In order to obtain a drawing unit figure using the shaped beam method, there is a method of cutting out the drawing unit figure directly from the contoured figure, but this method tends to damage the repeatability of the drawing unit figure and is not suitable for data compression. For this reason, it is usually divided into basic figures and then divided into drawing unit figures. The following explanation will be based on the latter method.
従来、基本図形への分割方法には処理速度が重
要視されてきた。従来法の例を第1図を用いて説
明する。傾きのない矩形の集合体として表現でき
る1つの輪郭図形をPで表わす。この輪郭図形P
の輪郭を表わす辺のうち、X軸に平行な辺を
などどかき、=(x、x′、y)と表わすことに
する。ここで、x、x′は辺両端でのX座標値
でx<x′、yは辺のY座標値である。このよ
うに定めるように処理して基本図形に分解でき
る。 Conventionally, processing speed has been considered important in the division method into basic figures. An example of the conventional method will be explained using FIG. One contour figure that can be expressed as a collection of rectangles with no slope is represented by P. This contour figure P
Among the sides representing the contour, the side parallel to the X axis is expressed as = (x, x', y). Here, x and x' are the X coordinate values at both ends of the side, x<x', and y is the Y coordinate value of the side. It can be processed and decomposed into basic figures as defined above.
(1) PのX軸に平行な辺の中で、y座標値最大の
ものをとする。(1) Among the sides of P parallel to the X-axis, choose the one with the maximum y-coordinate value.
=(x1、x1′、y1)とおく。 Let = (x 1 , x 1 ′, y 1 ).
(2) Y軸方向への射影がと重なつている辺の
中でY座標が最大のものをとする。(2) Among the sides whose projections in the Y-axis direction overlap, choose the one with the largest Y coordinate.
=(x2、x2′、y2)、
(x1、x1′)∩(x2、x2′)≠0
(3) 矩形Lを、辺と点A、点Bから垂直にお
ろした線、および辺の一部分または延長部
分で囲まれた領域とする。すなわち、x1′≦x
≦x1およびy2<y<y1を満たす点(x、y)の
集合を矩形とする。 = (x 2 , x 2 ′, y 2 ), (x 1 , x 1 ′) ∩ (x 2 , x 2 ′) ≠ 0 (3) Draw rectangle L perpendicularly from the side, point A, and point B. The area enclosed by the line and a part or extension of the side. That is, x 1 ′≦x
A rectangle is a set of points (x, y) that satisfy ≦x 1 and y 2 <y<y 1 .
(4) もしL=Pならば終り、そうでなければPか
らLを除いた図形を新たにPとして(1)へ戻つて
同様の処理を繰返す。(4) If L=P, the process is finished; if not, the figure obtained by removing L from P is set as a new P, and the process returns to (1) and the same process is repeated.
上記手法は、Y座標値最大の辺に注目し、これ
を下へ射影する方法として記述したが、上下の考
えを逆にして下から上への射影としても良いし、
左右の射影として考えても同じである。ここでは
上記の上から下への射影をとりあげ、以降、この
分割法を従来の分割法として参照し、本発明と比
較することとする。 The above method was described as a method of focusing on the side with the maximum Y coordinate value and projecting it downward, but it is also possible to reverse the idea of up and down and project from the bottom to the top,
The same is true if we consider it as a left-right projection. Here, we will take up the above-mentioned top-to-bottom projection, and hereinafter this division method will be referred to as a conventional division method and compared with the present invention.
輪郭図形から基本図形への従来の分割法にはこ
の他の方法もあるが、いずれにしてもパタン形成
上問題を有している。まず第一に、可変成形ビー
ムを用いた場合では、シヨツト数が大幅に増加し
て生産性が低下し、ポイントビームを用いた場合
ではビーム位置がゆらぐ現象、いわゆるビームド
リフトを受けやすく、パタンの品質が低下しやす
い。第二には、成形ビームを用いた場合に、様々
の大きさのビームを混用するため各シヨツトの接
続部でパタン品質が低下する。 There are other conventional methods for dividing outline figures into basic figures, but either method has problems in pattern formation. First of all, when a variable shaping beam is used, the number of shots increases significantly and productivity decreases, and when a point beam is used, the beam position is susceptible to fluctuations, so-called beam drift, resulting in pattern distortion. Quality tends to deteriorate. Second, when shaped beams are used, pattern quality deteriorates at the joints of each shot because beams of various sizes are mixed.
第一の問題点を第2図A〜Cを用いて説明す
る。このパタンは64KビツトMOSメモリのゲー
トパタンに実在したもので、幅が約2μm、長さ
が2mm以上に及び、1チツプに100回以上繰返さ
れている。第2図Aの輪郭図形に、上述した分割
方法を適用すると第2Bとなる。ポイントビーム
方式ではこの図形が描画単位図形となるが、この
ように極端に細長い隣接した図形として2回に分
けて描画するとビームドリフトの影響を受け、両
パタンの接触部分でパタンが分離しやすくなるな
どパタン品質が劣化しやすい。可変成形ビーム方
式では、第2図Bの図形をさらに使用ビームの最
大寸法で区切つた第2図Cの図形が描画単位の図
形となるが、この場合にはシヨツト数が増大す
る。 The first problem will be explained using FIGS. 2A to 2C. This pattern actually exists in the gate pattern of 64K-bit MOS memory, has a width of approximately 2 μm, a length of over 2 mm, and is repeated over 100 times on one chip. When the above-mentioned division method is applied to the contour figure of FIG. 2A, the contour figure 2B is obtained. In the point beam method, this figure becomes the drawing unit figure, but if you draw it twice as an extremely thin and adjacent figure like this, it will be affected by beam drift, and the patterns will tend to separate at the contact area between the two patterns. Pattern quality tends to deteriorate. In the variable shaping beam method, the figure shown in FIG. 2C, which is obtained by further dividing the figure shown in FIG. 2B by the maximum dimension of the beam used, becomes the figure of the drawing unit, but in this case, the number of shots increases.
次に、第2の問題点について第3図A〜Cを用
いて説明する。既に知られているように、空間電
荷効果に起因して、成形ビームエツヂのだれはビ
ーム電流に比例する。第3図Aにこのビームエツ
ヂのだれの様子を示す。ここで、縦軸は成形ビー
ムの電流密度を表わし、横軸はビームの寸法を示
す。ビームの電流密度は一定であるから、ビーム
寸法が大きくなればビーム電流が増加し、ビーム
エツヂのだれ幅はより大きくなる。すなわち、第
3図Aでは、だれ幅S1,S2がS2>S1となる。ビー
ム寸法が同じビーム同志を接続した場合を第3図
Bに、ビーム寸法が異なるビームを接続した場合
を第3図Cに示す。第3図B,Cにおいても縦
軸、横軸は第3図Aと同じである。ビーム寸法が
同じ場合には、第3図Bに示すように全体での電
流密度、すなわち、電荷の分布は点線で示すよう
に平坦となるが、ビーム寸法が異なる場合には第
3図Cに点線で示すように電荷の分布は一様でな
くなる。この電荷分布のかたよりは、ビーム寸法
が大きく異なる場合により顕著となり、それだけ
パタンが途切れやすくなつて、パタン品質の低下
をきたすことになる。従つて、パタン形成におい
てはビーム電流が大きく異なるシヨツト同志を接
続することは望ましくなく、ビーム電流が極端に
大きいあるいは小さいビームの使用は避けなけれ
ばならない。使用するビーム面積の上限値および
下限値の設定はこのような理由から必要となる
が、面積上限値の設定は容易でも、多様なLSIパ
タンでは使用するビームの面積下限値を規定する
ことは極めて難しく、今までは特別な処理は施さ
れていなかつた。 Next, the second problem will be explained using FIGS. 3A to 3C. As is already known, due to space charge effects, the shaping beam edge droop is proportional to the beam current. Figure 3A shows the drooping of this beam edge. Here, the vertical axis represents the current density of the shaped beam, and the horizontal axis represents the beam dimensions. Since the current density of the beam is constant, as the beam size increases, the beam current increases and the width of the beam edge dip becomes larger. That is, in FIG. 3A, the droop widths S 1 and S 2 satisfy S 2 >S 1 . FIG. 3B shows a case where beams with the same beam size are connected, and FIG. 3C shows a case where beams with different beam sizes are connected. In FIGS. 3B and 3C, the vertical and horizontal axes are the same as in FIG. 3A. If the beam dimensions are the same, the overall current density, that is, the charge distribution, will be flat as shown in Figure 3B, as shown by the dotted line, but if the beam dimensions are different, it will be flat as shown in Figure 3C. As shown by the dotted line, the charge distribution becomes non-uniform. This bias in charge distribution becomes more noticeable when the beam dimensions differ greatly, and the pattern becomes more likely to be interrupted, resulting in a deterioration in pattern quality. Therefore, in pattern formation, it is not desirable to connect shots with greatly different beam currents, and the use of beams with extremely large or small beam currents must be avoided. For these reasons, it is necessary to set the upper and lower limits of the beam area to be used, but although it is easy to set the upper limit of the area, it is extremely difficult to specify the lower limit of the beam area to be used for a variety of LSI patterns. It is difficult and no special treatment has been applied until now.
本発明の目的は、上記の第2の問題点を解決す
る図形分割法を提供するにある。 An object of the present invention is to provide a graphic division method that solves the second problem mentioned above.
上記目的を達成するため本発明は、形成すべき
図形パタンを矩形からなる基本図形に分割する際
に、図形の分割工程において、最初の輪郭化され
た図形パタン又は分割によつて新たに生じた図形
パタンの輪郭の辺の中に成形ビームの一辺長の許
容最小値εよりも小さい短辺が存在するかどうか
を判定する工程と、
該判定により短辺が存在する場合にはその短辺
を延長し、当該短辺の延長線から該許容最小値ε
離れた領域以内に当該短辺以外の辺が存在するか
どうか探索し、当該短辺以外の辺が存在する場合
にはその辺が存在し始めるところまでを分割経路
となし、存在しない場合には当該短辺以外の辺に
交わるところまでを分割経路となして図形を分割
する工程と、
該短辺の延長線以外の線を分割経路とする場合
には、当該分割経路から該許容最小値ε離れた領
域以内に分割される図形の辺が存在するかどうか
探索し、該辺が存在する場合にはその辺が存在し
始めるところまでを分割経路となし、存在しない
場合には該辺以外の辺に交わるところまでを分割
経路となして図形を分割する工程と
を含ませたものである。 In order to achieve the above object, the present invention provides that, when a figure pattern to be formed is divided into basic figures consisting of rectangles, in the figure dividing step, a first contoured figure pattern or a newly generated figure pattern is created by the division. a step of determining whether or not there is a short side smaller than the allowable minimum value ε of the side length of the shaped beam among the sides of the contour of the figure pattern; and the minimum allowable value ε from the extension line of the short side.
Search to see if there is an edge other than the short side in the distant area, and if there is an edge other than the short side, use the division path up to the point where that edge starts to exist, and if it does not exist, A process of dividing a figure by using a line up to a point where it intersects with a side other than the short side as a dividing route, and when a line other than the extension line of the short side is used as a dividing route, the minimum allowable value ε is calculated from the dividing route. Search to see if there is an edge of the figure to be divided within a distant area, and if the edge exists, use the division path up to the point where the edge begins to exist, and if it does not exist, search for edges other than the edge. This method includes the step of dividing the figure by forming a dividing path up to the point where the edges intersect.
上記のように、本発明によれば、成形ビームの
一辺長の許容最小値εが設けられ、これよりも小
さい短辺を有する描画単位図形が生じないように
分割されるので、ビームの面積下限値が規定され
ることになり、ビーム寸法が大きく異なることに
よる電荷分布のかたよりが回避され、描画パタン
の品質が向上する。 As described above, according to the present invention, a minimum permissible value ε of the side length of the shaped beam is set, and the beam is divided so as not to generate a drawing unit figure having a shorter side than this, so the lower limit of the area of the beam is set. As a result, the bias in the charge distribution due to large differences in beam dimensions is avoided, and the quality of the drawn pattern is improved.
次に、本発明を実施例に基いて説明する。 Next, the present invention will be explained based on examples.
本発明の実施例をわかりやすく説明するため
に、集積回路の図形パタンは傾きのない矩形の集
合体で構成されているものとする。傾きのある矩
形等による斜め線を含む図形が存在する場合は、
以下に示す本発明の実施例の他にさらに別の処理
が必要となるが、本発明を適用可能であることに
変わりはない。電子ビーム露光装置としては、本
発明により得られる効果が特に大きい可変成形ビ
ーム方式のものとして、以下では説明を行うこと
にする。 In order to explain the embodiments of the present invention in an easy-to-understand manner, it is assumed that the graphic pattern of the integrated circuit is composed of a collection of rectangles with no slope. If there is a figure that includes diagonal lines such as a tilted rectangle,
Although additional processing is required in addition to the embodiments of the present invention shown below, the present invention is still applicable. The electron beam exposure apparatus will be described below as one of a variable shaping beam type, which is particularly effective in achieving the effects obtained by the present invention.
本発明の実施例を詳細に説明する前に以下に実
施例の概略を述べておくことにする。 Before describing the embodiments of the present invention in detail, an outline of the embodiments will be described below.
(1) 輪郭化された図形の辺の中に成形ビームの一
辺長が許容最小値εよりも小さい短辺が存在す
るかどうか判定し、存在する場合にはその短辺
を延長した線を分割経路として分割することに
より分割された図形の輪郭の中にεよりも小さ
い短辺が存在しなくなるようにする(第4図に
対応)。(1) Determine whether there is a short side among the sides of the contoured shape where the length of one side of the shaped beam is smaller than the allowable minimum value ε, and if it exists, divide the line extending that short side. By dividing the shape as a route, there will be no short side smaller than ε in the contour of the divided figure (corresponding to FIG. 4).
(2) (1)の場合において、1回の分割で生成される
新たな図形の輪郭の中に分割によつて新たにε
未満の短辺が生じる場合にはこの短辺を延長し
た線を分割経路として更に分割する(第4図C
に対応)。(2) In the case of (1), new ε is added to the outline of the new figure generated by one division.
If a short side of less than
).
(3) (1)の場合において、分割の結果ε未満の幅を
もつ図形が生ずるのを避けるため分割経路から
ε離れた領域まで辺が存在するかどうか探索
し、存在する場合にはその辺が存在し始めると
ころまでを分割経路とし、それ以上延長しない
(第4図Dに対応)。(3) In the case of (1), in order to avoid the division resulting in a figure with a width less than ε, search for the existence of an edge from the division route to an area ε away, and if it exists, search for the edge. The division path is defined as the point where the line begins to exist, and does not extend beyond that point (corresponding to D in Figure 4).
(4) (1)〜(3)によつて分割された図形を2つの類型
に分類する。(4) Classify the figures divided by (1) to (3) into two types.
型:X軸に平行な最上辺の方向(下方)への
射影が最上辺以外の辺と重なる場合(第5図
Aに対応)。 Type: When the projection in the direction (downward) of the top edge parallel to the X axis overlaps with edges other than the top edge (corresponding to Figure 5A).
型:X軸に平行な最上辺のY方向(下方)へ
の射影がX軸に平行な辺と接する場合(第5
図Bに対応)。 Type: When the projection of the top edge parallel to the X axis in the Y direction (downward) touches the edge parallel to the X axis (the fifth
(corresponds to Figure B).
(5) 型及び型の図形を更に、最上辺の長さ
w、成型ビームの最上辺の長さl、分割経路
Cxの長さlcx、分割経路Cyの長さlcyの大小関係
に基いて分類する(第6図及び第10図に対
応)。(5) The shape of the mold and mold is further determined by the length of the top side w, the length of the top side of the forming beam l, and the dividing path.
Classification is performed based on the magnitude relationship between the length l cx of C x and the length l cy of the dividing path Cy (corresponding to FIGS. 6 and 10).
(6) (5)で分類した図形を、従来の分割法で分割す
る。(6) Divide the figure classified in (5) using the conventional dividing method.
(7) (6)の分割において、従来の分割法で分割し、
これを描画単位図形に更に分割すとき分割数が
増えて好ましくなくなる分類の図形(あらかじ
め分かつている)を、従来法とは異なる分割経
路(型に対してはCy、型に対してはCx)
で分割する(型:第7図bに対応)。(7) In the division of (6), divide using the conventional division method,
When this is further divided into drawing unit figures, the number of divisions will increase and the figures (which are known in advance) will be classified into undesirable classifications using a different division route than the conventional method (C y for types, C for types). x )
(type: corresponds to Figure 7b).
(8) (6)の分割において、従来の分割法(型に対
してはCx、型に対してはCy)で分割するも
のについては、分割の結果ε未満の幅をもつ図
形が生ずるのを避けるため分割経路からε離れ
た領域まで辺が存在するかどうかを探索し、存
在する場合にはその辺が存在し始めるところま
でを分割経路とし、それ以上延長しない(第9
図及び第12図に対応)。(8) In the division in (6), for those divided using the conventional division method (C x for the mold, C y for the mold), the result of division is a figure with a width less than ε. In order to avoid this, it is searched to see if an edge exists up to a region ε away from the division route, and if it exists, the division route is set up to the point where that edge begins to exist, and it is not extended any further (9th
(corresponding to Figure and Figure 12).
(9) (4)〜(8)を繰り返して全ての図形を基本図形に
分割する。(9) Repeat steps (4) to (8) to divide all shapes into basic shapes.
(10) 基本図形を描画単位図形に分割する。(10) Divide the basic figure into drawing unit figures.
以上が、本発明の図形分割法の実施例の概略で
あるが、本発明は上記(1)、(2)、(3)及び(8)の工程で
用いられている。 The above is an outline of the embodiment of the figure division method of the present invention, and the present invention is used in the steps (1), (2), (3), and (8) above.
次に、本発明の実施例を更に詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in more detail.
まず、図形パタンの輪郭の辺の中に、長さε未
満の短辺が存在する場合の処理を説明する。第4
図Aにその一例を示す。図中のεで示す長さが、
成形ビームの一辺長として許容できる最小値であ
る。εの値はビームの最大寸法、ビーム電流密度
等によつて変わるが、例えばε=0.5μmが考えら
れる。破線は従来の分割法による分割経路を示
し、これに従えば一辺長がε未満の短辺をもつ基
本図形が生じることになる。このように、輪郭を
表わす辺の中に長さε未満の短辺が存在する図形
の場合にはこの図形をそのまま基本図形に分割す
ると、一辺長がε未満の辺をもつ基本図形を生じ
やすい。そこで、本発明では、長さε未満の短辺
が存在する場合には、その短辺を延長して分割経
路となし、もとの図形を予じめ分割することとな
る。その例を第4図Bに示す。ここで、破線が本
発明を実施したときの分割経路である。短辺を延
長して分割経路となすにあたり、2つの場合を考
える必要がある。1つは、第4図Cのごとく、短
辺を延長した分割の結果ABCDというε以下の
短辺を含む段差が切りとつたあとの図形に生じる
場合である。この場合は新たに生じた短辺BCを
延長し、CEを次の切断経路となせば良い。他の
1つは、第4図Dのごとく、短辺を延長した分割
の結果、ACDEという幅がε未満の半島状の図形
を生じる場合である。この様な分割は、一辺がε
未満のビームを用いなければバタン形成できなく
なるため、避けることが望ましい。そこで、分割
経路の延長にあたり、、該経路からε離れた近傍
領域まで含めてパタン境界の存在を探索し、もし
パタンの境界が存在すれば分割経路の延長は、パ
タン境界が新たに近傍に存在し始めるところまで
とする。第4図Dの例ではABEが新たに分割経
路となる。新たに生じたBEというε未満の段差
のあつかいは、前述した様に第4図Cの場合と同
じである。 First, a description will be given of processing when a short side with a length less than ε exists among the sides of the outline of a graphic pattern. Fourth
An example is shown in Figure A. The length indicated by ε in the figure is
This is the minimum allowable length of one side of the shaped beam. The value of ε varies depending on the maximum beam size, beam current density, etc., but for example, ε=0.5 μm is considered. The broken line indicates a dividing path according to the conventional dividing method, and if this is followed, a basic figure with a short side whose side length is less than ε will be generated. In this way, in the case of a figure that has a short side with a length less than ε among the sides representing the outline, if this figure is divided into basic figures as it is, it is likely to produce basic figures with sides whose side length is less than ε. . Therefore, in the present invention, if there is a short side with a length less than ε, the short side is extended and used as a dividing path, and the original figure is divided in advance. An example is shown in FIG. 4B. Here, the broken line is the dividing route when the present invention is implemented. Two cases need to be considered when extending the short side to form a dividing path. One is the case where, as shown in FIG. 4C, as a result of division by extending the short sides, a step called ABCD, which includes the short sides of ε or less, appears in the cut figure. In this case, simply extend the newly generated short side BC and use CE as the next cutting path. The other case is as shown in FIG. 4D, where a peninsular shape ACDE whose width is less than ε is produced as a result of division by extending the short side. In this kind of division, one side is ε
It is desirable to avoid this because it will not be possible to form a batten unless a beam with a diameter smaller than Therefore, when extending a division route, we search for the existence of a pattern boundary including neighboring regions that are ε away from the route. up to the point where it starts. In the example shown in FIG. 4D, ABE becomes a new dividing route. The handling of the newly generated BE level difference less than ε is the same as in the case of FIG. 4C, as described above.
なお、幅がε未満の半島状パタンがそもそも存
在するときには、これを形成するためのビーム寸
法もε未満とならざる得ない。また、第4図Eに
示すパタンの場合も、多重露光を許さない限り、
どの様な分割経路を選んでも、一辺がε未満の基
本図形を必要とする。 Note that if a peninsular pattern with a width less than ε exists in the first place, the beam size for forming this pattern must also be less than ε. Also, in the case of the pattern shown in Fig. 4E, unless multiple exposure is allowed,
No matter what division path is chosen, a basic figure with one side less than ε is required.
以上の処理により、第4図Eに示したようなや
むを得ない場合を除いて、輪郭図形の辺の中に長
さε未満の短辺は存在しないので、これを前提と
してさらに本発明の実施例を説明することにす
る。 As a result of the above processing, there is no short side with a length less than ε among the sides of the contour figure, except in unavoidable cases as shown in FIG. 4E. I will explain.
まず、図形パタンを2つの類型に分類する。こ
の2つの類型の代表的なパタンを第5図Aおよび
Bに示す。ここで、wは最上辺の長さ、Cx,
Cyはそれぞれのパタンでの分割経路の候補を示
す。X軸に平行な最上辺=(x1、X1′、y1)に
着目し、この辺のY軸方向の射影を考え、射影が
まず他のX軸に平行な辺と重なる場合を型、射
影がまず他のX軸に平行な辺とx=x1あるいはx
=x1′で接触する場合を型とする。すなわち、
第5図Aに示すごとく、辺ABの射影がまず辺
CDで重なる場合が型であり、第5図Bに示す
ごとく、辺EFとまず接触状態になる場合が型
である。これに対し、第5図Cに示すように、
型および型のどちらにもあてはまる場合は型
に分類することとする。このようにして、全ての
図形パタンは必ずどちらかの類型に分類可能であ
る。 First, graphic patterns are classified into two types. Representative patterns of these two types are shown in FIGS. 5A and 5B. Here, w is the length of the top edge, C x ,
C y indicates candidates for dividing routes in each pattern. Focusing on the top edge parallel to the X axis = ( x 1 , The projection is first on the other side parallel to the X axis and x = x 1 or x
The case of contact at =x 1 ′ is a type. That is,
As shown in Figure 5A, the projection of side AB is first
When they overlap at CD, it is a mold, and when they first come into contact with side EF, as shown in FIG. 5B, it is a mold. On the other hand, as shown in Figure 5C,
If it applies to both types, it will be classified as type. In this way, all graphic patterns can definitely be classified into one of the types.
はじめに、型の図形パタンの分割法を説明す
る。 First, a method of dividing a type graphic pattern will be explained.
分割経路は第5図AのCxあるいはCyのいずれ
かとなる。最上辺の長さw、成形ビームの最大辺
の長さl、分割経路Cxの長さlcx、分割経路Cyの
長さlcyの大小関係によるパタンの分類を第6図
に示す。w,lcyはlと比較し、lcxはlcy×nと比
較した。lcxはlと比較してもよいが、パタン形
状依存性をよりはつきりさせるために、lcyのn
倍(nは整数、例えばn=2)と比較することと
した。 The dividing path is either C x or C y in FIG. 5A. FIG. 6 shows the classification of patterns according to the magnitude relationship of the length w of the uppermost side, the length l of the maximum side of the shaped beam, the length l cx of the dividing path C x , and the length l cy of the dividing path Cy . w, l cy was compared with l, and l cx was compared with l cy ×n. l cx may be compared with l, but in order to make the pattern shape dependence more pronounced, n of l cy
(n is an integer, for example, n=2).
従来の分割法ではCxを分割経路とするが、第
6図示の各種パタンのうち、シヨツト数が増えて
好ましくない分割となるのは、(3)の場合である。
第7図Aに従来法で分割したときの様子を、描画
単位図形を用いて示した。このようなとき、すな
わちw≧l、lcx≧nlcy,lcy<lの場合には、本発
明のCyの経路で分割を行なう。 In the conventional division method, C x is used as the division path, but among the various patterns shown in FIG. 6, the number of shots increases and the division becomes undesirable in case (3).
FIG. 7A shows the state of division using the conventional method using drawing unit figures. In such a case, that is, when w≧l, l cx ≧nl cy , and l cy <l, division is performed using the C y path of the present invention.
本発明の分割実施例を第6図Bに示す。従来の
分割法に比べ、シヨツト数低減の効果が明らかで
ある。 A divided embodiment of the invention is shown in FIG. 6B. Compared to the conventional division method, the effect of reducing the number of shots is obvious.
さて、Cyを分割経路とする場合は、一辺の長
さε未満の辺は発生し得ないが、Cxを分割経路
となす場合には、ε未満の辺の発生に留意しなけ
ればならない。Cxを分割経路となす場合につい
て第8図を用いて説明する。 Now, when C y is used as a dividing path, edges with length less than ε cannot occur, but when C x is used as a dividing path, care must be taken to ensure that edges less than ε occur. . The case where C x is a divided path will be explained using FIG. 8.
同図においてw、Cx,Cyはすでに第5図A,
Bに示した通りである。ここで、分割経路Cxよ
り下方に距離pだけ離れた位置の一点鎖線mは、
そこまで図形パタンが必ず存在することを示して
いる。第8図Aのように、p≧εであれば、分割
経路Cxの下法に十分に大きい図形パタンが存在
するのでCxで分割するときに残りの下方の図形
パタンに問題は生じない。しかし、第8図Bのよ
うにp<εのきにはCxの下方の図形パタンで一
辺長ε未満の描画単位図形が生じるので、Cxで
の分割はそのままでは不適切となる。 In the same figure, w, C x and C y are already in Figure 5A,
As shown in B. Here, the dashed-dotted line m at a distance p below the dividing path C x is
This shows that a graphic pattern always exists up to that point. As shown in Figure 8A, if p≧ε, there is a sufficiently large figure pattern below the division path C x , so there will be no problem with the remaining figure patterns below when dividing by C x . . However, as shown in FIG. 8B, when p<ε, a drawing unit figure whose side length is less than ε is generated in the figure pattern below C x , so division at C x is inappropriate as it is.
そこで、分割経路延長にあたり、該経路から下
側にε離れた領域まで含めてパタン境界の存在を
探索し、もしパタンの境界が存在すれば、分割経
路の延長はパタン境界が新なに近傍に存在し始め
るところまでとする。 Therefore, when extending the division route, we search for the existence of a pattern boundary, including the region ε away from the route below, and if a pattern boundary exists, the extension of the division route is performed until the pattern boundary is new in the vicinity. up to the point where it begins to exist.
例えば、第9図のパタンでは、分割経路を点D
からGへ延ばさずに途中のH点までとし、を
一辺とする矩形で分割することにする。 For example, in the pattern shown in Figure 9, the dividing route is set to point D.
Instead of extending from to G to point H, we will divide it into a rectangle with one side of .
次に、第5図Bのような型の図形パタンの分
割法を説明する。 Next, a method of dividing a graphic pattern of the type shown in FIG. 5B will be explained.
分割経路は第5図BのCxあるいはCyのいずれ
かである。型のときと同様に各種パタンの分類
を第10図に示す。 The dividing path is either C x or C y in FIG. 5B. As in the case of molds, the classification of various patterns is shown in FIG.
w,l,lcy,nについては第6図についての
説明ですでに示した通りである。型の図形パタ
ンではX方向の分割経路Cxの長さlcxはwに等し
くなるため、第10図の分類ではlcxによる分類
は必要なく、l,lcyとwとの大小関係のみを考
えれば良い。 w, l, lcy , and n are as already shown in the explanation of FIG. In the figure pattern of the type , the length of the division path C x in the Just think about it.
従来の分割法ではCyを分割経路とするが、第
10図示の各種パタンのうち、シヨツト数が増加
して好ましくない分割となるのは、(4)の場合であ
る。すなわちw<l,lcy≧nwの場合には、本発
明では分割経路Cxで分割する。 In the conventional division method, C y is used as the division path, but among the various patterns shown in FIG. 10, the number of shots increases and the division becomes undesirable in case (4). That is, in the case of w<l, l cy ≧nw, the present invention divides along the dividing path C x .
第10図の(4)以外のパタン、すなわち(1)、(2)お
よび(3)のパタンでは、Cyを分割経路とするが、
型と同様に一辺として許容できる最小の長さε
未満の辺を生ぜせしめない分割とする必要があ
る。本発明を適用した例を第11図を用いて説明
する。w,Cx,Cy,p,mについては第8図に
示した通りである。 In patterns other than (4) in Fig. 10, that is, patterns (1), (2), and (3), C y is the dividing path, but
Similar to the mold, the minimum allowable length ε for one side
It is necessary to perform a division that does not produce edges less than . An example to which the present invention is applied will be explained using FIG. 11. w, C x , C y , p, and m are as shown in FIG.
第11図Aのように、p≧εであれば、分割経
路Cyの右方に十分に大きい図形が存在するので、
Cyで分割するときに残り右方の図形パタンに問
題は生じない。第11図Bのように、p<εのと
きにはCyの右方の図形パタンで一辺長ε未満の
図形を生じさせないため、分割経路からε離れた
領域まで含めてパタン境界を探索し、分割経路を
決定する。第11図に示すパタンに、本発明によ
る分割を行なつた場合を第12図Aに示す。斜線
部が切り出される図形である。型の特別な例を
第12図B,Cに示す。ここでは辺ABのY軸方
向への射影と接する辺のY値が左右で等しく、例
えば、第12図Bに示すようにw≧lならば
Cy′で分割し、第12図Cに示すようにw<lな
らばCxで分割する。 As shown in FIG. 11A, if p≧ε, there is a sufficiently large figure to the right of the division path C y , so
When dividing by C y , there will be no problem with the remaining figure pattern on the right. As shown in Fig. 11B, when p<ε, the figure pattern on the right side of C y does not produce a figure whose side length is less than ε, so the pattern boundary is searched including the area ε away from the dividing route, and the dividing Determine the route. FIG. 12A shows a case where the pattern shown in FIG. 11 is divided according to the present invention. The shaded part is the figure to be cut out. Special examples of molds are shown in Figures 12B and C. Here, if the Y value of the side that touches the projection of side AB in the Y-axis direction is equal on the left and right, for example, as shown in Figure 12B, if w≧l, then
Divide by C y ', and if w<l, as shown in FIG. 12C, divide by C x .
以上延べてきた本発明を適用した実施例と従来
法とによる分割の比較を第13図A,Bに示す。 A comparison of division between the embodiment to which the present invention has been applied and the conventional method described above is shown in FIGS. 13A and 13B.
従来法による第13図Bの分割では、小さな辺
をもつ描画単位図形が多数存在するが、本発明を
適用した実施例による第13図Aの分割では、小
さな辺をもつ描画単位図形はほとんど存在してい
ないことがわかる。 In the division shown in FIG. 13B according to the conventional method, there are many drawing unit figures with small sides, but in the division shown in FIG. 13A according to the embodiment to which the present invention is applied, there are almost no drawing unit figures with small sides. I can see that you haven't.
以上説明したように、本発明による電子ビーム
露光における図形分割方法に従つて、可変成形ビ
ームを用いてパタン形成を行うと、使用するビー
ム面積を均一化してパタ品質を向上させることが
できる。 As described above, when pattern formation is performed using a variable shaped beam according to the figure division method in electron beam exposure according to the present invention, the beam area used can be made uniform and pattern quality can be improved.
第1図は従来の図形分割法の説明図、第2図A
〜Cは従来の分割法の問題点の説明図、第2図D
は本発明によるパタン分割の例を示す線図、第3
図A〜Cはビームエツヂのだれ幅を示す図、第4
図A〜E、第5図A〜C、第7図A,B、第8図
A,B、第9図、第11図A,B及び第12図A
〜Cはパタンの種々の形態に基づいて本発明分割
方法を説明するためのパタン線図、第6図、第1
0図は本発明の適用を説明するための図、第13
図A,Bは従来用いられていた分割法との比較を
するためのそれぞれプロツト図である。
P……輪郭図形、L……矩形、S1,S2……だれ
幅、ε……許容最小値幅、w……最上辺の長さ、
l……成形ビームの最大辺の長さ、Cx,Cy……
分割経路、lcx,lcy……分割長、p……距離、m
……分割経路Cxの下方またはCyの外側に距離p
だけ離れた位置。
Figure 1 is an explanatory diagram of the conventional figure division method, Figure 2A
~C is an explanatory diagram of the problems of the conventional division method, Figure 2D
3 is a diagram showing an example of pattern division according to the present invention.
Figures A to C are diagrams showing the sagging width of the beam edge.
Figures A to E, Figures 5 A to C, Figures 7 A and B, Figures 8 A and B, Figure 9, Figures 11 A and B, and Figure 12 A
-C are pattern diagrams for explaining the division method of the present invention based on various forms of patterns, Fig. 6, Fig. 1
Figure 0 is a diagram for explaining the application of the present invention, Figure 13
Figures A and B are plot diagrams for comparison with conventionally used division methods. P...Contour figure, L...Rectangle, S1 , S2 ...Dip width, ε...Minimum allowable width, w...Length of the top side,
l... Length of the maximum side of the shaped beam, C x , C y ...
Division path, l cx , l cy ... Division length, p... distance, m
...distance p below the dividing path C x or outside C y
A location far away.
Claims (1)
り、形成すべき図形パタンを矩形からなる基本図
形に分割する電子ビーム露光における図形分割方
法において、最初の輪郭化された図形パタン又は
分割によつて新たに生じた図形パタンの輪郭の辺
の中に成形ビームの一辺長の許容最小値εよりも
小さい短辺が存在するかどうかを判定する工程
と、 該判定により短辺が存在する場合にはその短辺
を延長し、当該短辺の延長線から該許容最小値ε
離れた領域以内に当該短辺以外の辺が存在するか
どうか探索し、当該短辺以外の辺が存在する場合
にはその辺が存在し始めるところまでを分割経路
となし、存在しない場合には当該短辺以外の辺に
交わるところまでを分割経路となして図形を分割
する工程と、 該短辺の延長線以外の線を分割経路とする場合
には、当該分割経路から該許容最小値ε離れた領
域以内に分割される図形の辺が存在するかどうか
探索し、該辺が存在する場合にはその辺が存在し
始めるところまでを分割経路となし、存在しない
場合には該辺以外の辺に交わるところまでを分割
経路となして図形を分割する工程と を含むことを特徴とする電子ビーム露光における
図形分割方法。[Claims] 1. In a figure dividing method in electron beam exposure in which a figure pattern to be formed is divided into basic figures consisting of rectangles when forming a pattern using an electron beam, an initial outlined figure pattern or a step of determining whether or not there is a short side smaller than an allowable minimum value ε of the side length of the formed beam among the sides of the contour of the figure pattern newly generated by the division; If so, extend the short side and calculate the minimum allowable value ε from the extension line of the short side.
Search to see if there is an edge other than the short side in the distant area, and if there is an edge other than the short side, use the division path up to the point where that edge starts to exist, and if it does not exist, A process of dividing a figure by using a line up to a point where it intersects with a side other than the short side as a dividing route, and when a line other than the extension line of the short side is used as a dividing route, the minimum allowable value ε is calculated from the dividing route. Search to see if there is an edge of the figure to be divided within a distant area, and if the edge exists, use the division path up to the point where the edge begins to exist, and if it does not exist, search for edges other than the edge. A method for dividing a figure in electron beam exposure, comprising the step of dividing the figure by forming a dividing path up to a point where the edges intersect.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24083486A JPS62162329A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Pattern dividing method for electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24083486A JPS62162329A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Pattern dividing method for electron beam exposure |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8583480A Division JPS5712520A (en) | 1980-06-26 | 1980-06-26 | Dividing method of figure by exposing in electron beam radiation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62162329A JPS62162329A (en) | 1987-07-18 |
JPH0341975B2 true JPH0341975B2 (en) | 1991-06-25 |
Family
ID=17065388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24083486A Granted JPS62162329A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Pattern dividing method for electron beam exposure |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS62162329A (en) |
Families Citing this family (3)
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JPH0815559B2 (en) * | 1990-11-13 | 1996-02-21 | 新日本製鐵株式会社 | Race track type metal carrier for automobile exhaust gas catalyst with excellent thermal stress and thermal fatigue resistance |
JP2006202867A (en) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Region dividing device, pattern drawing device, region dividing method, and program |
US10145280B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-12-04 | Honda Motor Co., Ltd. | Exhaust gas purifying device of internal-combustion engine, and method of manufacturing same |
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1986
- 1986-10-09 JP JP24083486A patent/JPS62162329A/en active Granted
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JPS62162329A (en) | 1987-07-18 |
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