JPS631744B2 - - Google Patents

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JPS631744B2
JPS631744B2 JP8583480A JP8583480A JPS631744B2 JP S631744 B2 JPS631744 B2 JP S631744B2 JP 8583480 A JP8583480 A JP 8583480A JP 8583480 A JP8583480 A JP 8583480A JP S631744 B2 JPS631744 B2 JP S631744B2
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pattern
dividing
division
length
figures
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JPS5712520A (en
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Kazuhiko Komatsu
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子ビーム露光における図形分割方
法、特に電子ビームを用いたパタン形成におい
て、集積回路等の設計パタンデータから描画デー
タを作成するための方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is a figure dividing method in electron beam exposure, particularly in pattern formation using an electron beam, for creating drawing data from design pattern data of an integrated circuit, etc. This relates to the method of

〔従来の技術〕[Conventional technology]

電子ビーム露光は、電子の波長が短く微細パタ
ン形成に適していること、電子が電荷を持つてい
るためにその制御が容易なことなどの理由から、
特に半導体集積回路のパタン形成技術として注目
され、既にホトマスクの製作に適用され始めてい
る。集積回路が今後さらに大規模化するに従い、
多品種で少量のLSIが要求され、その製作技術と
して従来のマスクを用いたプロセスに代わり、マ
スクを製作する必要のない電子ビームを用いたウ
エハ上への直接描画技術が有望視されている。電
子ビームを用いた直接描画技術を確立するために
は、露光装置の生産性向上が最大の要求条件であ
つたが、可変成形ビームを用いる露光装置が提案
され、描画速度は大幅に向上した。その理由は、
従来のポイントビーム方式では、点でパタンを塗
りつぶしていたのに対し、可変成形ビーム方式で
は図形パタンを、例えば1辺が10μmまでの矩形
に分割して、その矩形毎にいわば面で塗りつぶす
ためである。ここで注意を要するのは、ポイント
ビーム方式では塗りつぶすパタンの面積によつて
描画時間が決まるのに対し、可変成形ビーム方式
では塗りつぶす面の数、すなわち、シヨツトの数
で描画時間が決まることである。換言すると、可
変成形ビーム方式では、同じパタンを形成する場
合であつても、パタンの分割方法を変えてシヨツ
トの数を少なくすれば、それだけ露光装置の生産
性は向上する。
Electron beam exposure is used because the wavelength of electrons is short and is suitable for forming fine patterns, and because electrons have a charge, it is easy to control.
It has attracted particular attention as a pattern forming technology for semiconductor integrated circuits, and has already begun to be applied to the production of photomasks. As integrated circuits become even larger in the future,
A wide variety of LSIs are required in small quantities, and as an alternative to the conventional process using masks, direct writing technology on wafers using electron beams, which does not require the production of masks, is seen as a promising manufacturing technology. In order to establish direct writing technology using an electron beam, the most important requirement was to improve the productivity of exposure equipment, but an exposure equipment that uses a variable shaped beam was proposed, and the writing speed was significantly improved. The reason is,
In the conventional point beam method, the pattern is filled with points, whereas in the variable shaping beam method, the graphic pattern is divided into rectangles with sides of up to 10 μm, for example, and each rectangle is filled in with a surface. be. It is important to note here that in the point beam method, the drawing time is determined by the area of the pattern to be filled, whereas in the variable shaped beam method, the drawing time is determined by the number of surfaces to be filled, that is, the number of shots. . In other words, in the variable shaped beam method, even when forming the same pattern, the productivity of the exposure apparatus is improved by changing the method of dividing the pattern and reducing the number of shots.

さて、電子ビーム露光により集積回路パタンの
形成を行うとき、設計から得られる図形データは
そのままの形式では電子ビーム露光用の描画デー
タとはならない。その理由は、設計図形は、一般
に、多角形で記述されているのに対し、電子ビー
ム用の描画データではせいぜい台形までしか許容
されていないし、また設計で出力する図形データ
を矩形だけで表現したとしても、そのままでは矩
形同志に重なりが生じて多重露光となるため描画
データには適さないからである。従つて、設計デ
ータに、例えば論郭化処理を施して多重露光の除
去を行い、しかる後に矩形、台形等の基本図形や
描画単位図形に分割することが行われている。こ
こで、基本図形と描画単位図形について触れてお
くと、基本図形とは、多様なパタンを矩形や台形
等の単純なパタンに分割したときのそれぞれの図
形であり、描画単位図形とは描画で用いるパタン
創成の単位図形である。ポイントビーム方式の露
光装置では、通常、基本図形が描画単位図形とな
る。しかし、成形ビーム方式では、基本図形は一
般に最大ビーム寸法を越えているため、基本図形
をさらに最大ビーム寸法以下の図形に分割して描
画単位図形とする。成形ビーム方式では描画単位
図形を得るためには、輪郭化した図形を直接に描
画単位図形に分割する方法もあるが、描画単位図
形の繰り返し性がそこなわれやすく、データ圧縮
には適さないなどの理由から、通常は基本図形に
分割し、その後に描画単位図形へ分割する。以下
でも後者の方法に沿つて説明を行うことにする。
Now, when forming an integrated circuit pattern by electron beam exposure, the graphic data obtained from the design cannot be used as drawing data for electron beam exposure in its original form. The reason for this is that while design figures are generally described as polygons, electron beam writing data only allows trapezoids at most, and the figure data output in design is expressed only in rectangles. Even so, this is because rectangles overlap each other and result in multiple exposure, which is not suitable for drawing data. Therefore, the design data is subjected to, for example, discursive processing to remove multiple exposures, and then divided into basic figures such as rectangles and trapezoids or drawing unit figures. Here, I would like to touch on basic figures and drawing unit figures.Basic figures are the figures obtained when various patterns are divided into simple patterns such as rectangles and trapezoids, and drawing unit figures are figures that cannot be drawn. This is the unit figure used to create the pattern. In a point beam type exposure apparatus, a basic figure is usually a drawing unit figure. However, in the shaped beam method, since the basic figure generally exceeds the maximum beam size, the basic figure is further divided into figures of less than the maximum beam size to form drawing unit figures. In the shaped beam method, in order to obtain drawing unit figures, there is a method of directly dividing the contoured figure into drawing unit figures, but this method tends to damage the repeatability of drawing unit figures and is not suitable for data compression. For this reason, it is usually divided into basic figures and then divided into drawing unit figures. The following explanation will be based on the latter method.

従来、基本図形への分割方法には処理速度が重
要視されてきた。従来法の例を第1図を用いて説
明する。傾きのない矩形の集合体として表現でき
る1つの輪郭図形をPで表す。この輪郭図形Pの
輪郭を表す辺のうち、X軸に平行な辺をなど
と書き、=(x、x′、y)と表わすことにす
る。ここで、x、x′は辺両端でのX座標値で
x<x′、yは辺のY座標である。このように
定めると次のように処理して基本図形に分割でき
る。
Conventionally, processing speed has been considered important in the division method into basic figures. An example of the conventional method will be explained using FIG. P represents one contour figure that can be expressed as a collection of rectangles with no slope. Among the sides representing the contour of this contour figure P, the side parallel to the X axis will be written as =(x, x', y). Here, x and x' are the X coordinate values at both ends of the side, x<x', and y is the Y coordinate of the side. Once determined in this way, it can be processed and divided into basic figures as follows.

(1) PのX座標に平行な辺の中でY座標値最大の
ものをとする。
(1) Among the sides parallel to the X coordinate of P, choose the one with the maximum Y coordinate value.

=(x1x1′、y1)とおく。Let = (x 1 x 1 ′, y 1 ).

(2) Y軸方向への射影が(Y軸に沿つて移動させ
た時)と重なる辺の中でY座標が最大のも
のをとする。
(2) Among the sides whose projection in the Y-axis direction overlaps (when moving along the Y-axis), choose the one with the largest Y coordinate.

=(x2、x2′、y2)、 (x1x1′)∩(x2x2′)≠0 (3) 矩形Lを、辺と点A、点Bから垂直にお
ろした線および辺の一部または延長部分で
囲まれた領域とする。すなわち、x1′≦x≦x1
およびy2<y<y1を満たす点(x、y)の集合
を矩形とする。
= (x 2 , x 2 ′, y 2 ), (x 1 x 1 ′)∩(x 2 x 2 ′)≠0 (3) Line drawn perpendicularly from the sides of rectangle L to points A and B and the area enclosed by a part of the side or an extension. That is, x 1 ′≦x≦x 1
Let the set of points (x, y) satisfying y 2 <y < y 1 be a rectangle.

(4) もしL=Pならば終り、そうでなければPか
らLを除いた図形を新たにPとして(1)へ戻つて
同様の処理を繰返す。
(4) If L=P, the process is finished; if not, the figure obtained by removing L from P is set as a new P, and the process returns to (1) and the same process is repeated.

上記手法は、Y座標値最大の辺に注目し、これ
を下へ射影する方法として記述したが、上下の考
えを逆にして下から上への射影としても良いし、
左右の射影として考えても同じである。ここでは
上記の上から下への射影をとりあげ、以降、この
分割法を従来の分割法として参照し、本発明と比
較することとする。
The above method was described as a method of focusing on the side with the maximum Y coordinate value and projecting it downward, but it is also possible to reverse the idea of up and down and project from the bottom to the top,
The same is true if we consider it as a left-right projection. Here, we will take up the above-mentioned top-to-bottom projection, and hereinafter this division method will be referred to as a conventional division method and compared with the present invention.

輪郭図形から基本図形への従来の分割法にはこ
の他の方法もあるが、いずれにしてもパタン形成
上問題を有している。まず第1に、可変成形ビー
ムを用いた場合では、シヨツト数が大幅に増加し
て生産性が低下し、ポイントビームを用いた場合
ではビーム位置がゆらぐ現象、いわゆるビームド
リフトを受けやすく、パタンの品質が低下しやす
い。第2には、成形ビームを用いた場合に、様々
の大きさのビームを混用するため各シヨツトの接
続部でパタン品質が低下する。
There are other conventional methods for dividing outline figures into basic figures, but either method has problems in pattern formation. First of all, when a variable shaping beam is used, the number of shots increases significantly and productivity decreases, and when a point beam is used, the beam position is susceptible to fluctuations, so-called beam drift, resulting in pattern distortion. Quality tends to deteriorate. Second, when shaped beams are used, pattern quality deteriorates at the joints of each shot because beams of various sizes are mixed.

第1の問題点を第2図A〜Cを用いて説明す
る。このパタンは64kビツトMOSメモリのゲート
パタンに実在したもので、幅が約2μm、長さが2
mm以上に及び、1チツプに100回以上繰返されて
いる。第2図Aの輪郭図形に、上述した分割方法
を適用すると第2図Bとなる。ポイントビーム方
式ではこの図形が描画単位図形となるが、このよ
うに極端に細長い隣接した図形として2回に分け
て描画するとビームドリフトの影響を受け、両パ
タンの接触部分でパタンが分離しやすくなるなど
パタン品質が劣化しやすい。可変成形ビーム方式
では、第2図Bの図形をさらに使用ビームの最大
寸法で区切つた第2図Cの図形が描画単位の図形
となるが、この場合にはシヨツト数が増大する。
The first problem will be explained using FIGS. 2A to 2C. This pattern actually exists in the gate pattern of 64k-bit MOS memory, and is approximately 2μm wide and 2μm long.
It extends over 100 mm and is repeated over 100 times per chip. When the above-described dividing method is applied to the contour figure in FIG. 2A, the contour figure in FIG. 2B is obtained. In the point beam method, this figure becomes the drawing unit figure, but if you draw it twice as an extremely thin and adjacent figure like this, it will be affected by beam drift, and the patterns will tend to separate at the contact area between the two patterns. Pattern quality tends to deteriorate. In the variable shaping beam method, the figure shown in FIG. 2C, which is obtained by further dividing the figure shown in FIG. 2B by the maximum dimension of the beam used, becomes the figure of the drawing unit, but in this case, the number of shots increases.

次に、第2の問題点について第3図A〜Cを用
いて説明する。既に知られているように、空間電
荷効果に起因して、成形ビームエツヂのだれはビ
ーム電流に比例する。第3図Aにこのビームエツ
ヂのだれの様子を示す。ここで、縦軸は成形ビー
ムの電流密度を表し、横軸はビームの寸法を示
す。ビームの電流密度は一定であるから、ビーム
寸法が大きくなればビーム電流が増加し、ビーム
エツヂのだれ幅はより大きくなる。すなわち、第
3図Aでは、だれ幅S1,S2がS2>S1となる。ビー
ム寸法が同じビーム同志を接続した場合を第3図
Bに、ビーム寸法が異なるビームを接続した場合
を第3図Cに示す。第3図B,Cにおいても縦
軸、横軸は第3図Aと同じである。ビーム寸法が
同じ場合には、第3図Bに示すように全体での電
流密度、すなわち、電荷の分布は点線で示すよう
に平坦となるが、ビーム寸法が異なる場合には第
3図Cに点線で示すように電荷の分布は一様でな
くなる。この電荷分布のかたよりは、ビーム寸法
が大きく異なる場合により顕著となり、それだけ
パタンが途切れやすくなつて、パタン品質の低下
をきたすことになる。従つて、パタン形成におい
てはビーム電流が大きく異なるシヨツト同志を接
続することは望ましくなく、ビーム電流が極端に
大きいあるいは小さいビームの使用は避けなけれ
ばならない。使用するビーム面積の上限値および
下限値の設定はこのような理由から必要となる
が、面積上限値の設定は容易でも、多様なLSIパ
タンでは使用するビームの面積下限値を規定する
ことは極めて難しく、今までは特別な処理は施さ
れていなかつた。
Next, the second problem will be explained using FIGS. 3A to 3C. As is already known, due to space charge effects, the shaping beam edge droop is proportional to the beam current. Figure 3A shows the drooping of this beam edge. Here, the vertical axis represents the current density of the shaped beam, and the horizontal axis represents the beam dimensions. Since the current density of the beam is constant, as the beam size increases, the beam current increases and the width of the beam edge dip becomes larger. That is, in FIG. 3A, the droop widths S 1 and S 2 satisfy S 2 >S 1 . FIG. 3B shows a case where beams with the same beam size are connected, and FIG. 3C shows a case where beams with different beam sizes are connected. In FIGS. 3B and 3C, the vertical and horizontal axes are the same as in FIG. 3A. If the beam dimensions are the same, the overall current density, that is, the charge distribution, will be flat as shown in Figure 3B, as shown by the dotted line, but if the beam dimensions are different, it will be flat as shown in Figure 3C. As shown by the dotted line, the charge distribution becomes non-uniform. This bias in charge distribution becomes more noticeable when the beam dimensions differ greatly, and the pattern becomes more likely to be interrupted, resulting in a deterioration in pattern quality. Therefore, in pattern formation, it is not desirable to connect shots with greatly different beam currents, and the use of beams with extremely large or small beam currents must be avoided. For these reasons, it is necessary to set the upper and lower limits of the beam area to be used, but although it is easy to set the upper limit of the area, it is extremely difficult to specify the lower limit of the beam area to be used for a variety of LSI patterns. It is difficult and no special treatment has been applied until now.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明の目的は、成形ビームを用いた露光装置
ではシヨツト数を低減して生産性を向上させ、パ
タン品質を向上させることができ、ポイントビー
ムを用いた露光装置ではパタン間の接続部分を減
らしてパタン品質を向上させることができる上記
第1の問題点を解決した電子ビーム露光における
図形分割方法を提供することにある。
The purpose of the present invention is to reduce the number of shots in an exposure device that uses a shaped beam, improve productivity, and improve pattern quality, and to reduce the number of connections between patterns in an exposure device that uses a point beam. The object of the present invention is to provide a figure division method in electron beam exposure that solves the first problem and can improve pattern quality.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、電子ビームを用いてパタンを形成す
るにあたり、形成すべき図形を矩形からなる基本
図形に分割する電子ビーム露光における図形分割
方法において、輪郭化された図形の辺の長さと、
成形ビームの最大の辺の長さと、分割に必要な分
割経路の長さとの大小関係を判定する工程と、判
定に基いて分割経路を決定する工程とを含むこと
を特徴とする。
The present invention provides a figure dividing method in electron beam exposure in which a figure to be formed is divided into basic figures consisting of rectangles when forming a pattern using an electron beam.
The present invention is characterized in that it includes the steps of determining the magnitude relationship between the length of the maximum side of the shaped beam and the length of the division path required for division, and the step of determining the division path based on the determination.

〔作 用〕[Effect]

本発明においては、図形の辺の長さ、成形ビー
ムの最大の辺の長さおよび分割経路の長さの大小
関係が判定され、分割経路が決定されるので、第
2図Cに示したような分割が回避でき、描画単位
図形の個数(シヨツト数)が大幅に減される。こ
のシヨツト数の低減化は電子ビーム描画の生産性
を高めると共に、ビームドリフトの影響によるパ
タンの接続部分の分離を防ぎ、パタン品質を向上
せしめることとなる。
In the present invention, the magnitude relationship between the length of the side of the figure, the length of the maximum side of the shaped beam, and the length of the dividing path is determined, and the dividing path is determined. This makes it possible to avoid unnecessary divisions, and the number of drawing unit figures (number of shots) is greatly reduced. This reduction in the number of shots not only increases the productivity of electron beam lithography, but also prevents separation of connected portions of patterns due to the influence of beam drift, thereby improving pattern quality.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明を実施例に基いて説明する。 Next, the present invention will be explained based on examples.

本発明の実施例をわかりやすく説明するため
に、集積回路の図形パタンは傾きのない矩形の集
合体で構成されているものとする。傾きのある矩
形等による斜め線を含む図形が存在する場合、以
下に示す本発明の実施例の他にさらに別の処理が
必要となるが、本発明を適用可能であることに変
わりはない。電子ビーム露光装置としては、本発
明により得られる効果が特に大きい可変成形ビー
ム方式のものとして、以下では説明を行うことに
する。
In order to explain the embodiments of the present invention in an easy-to-understand manner, it is assumed that the graphic pattern of the integrated circuit is composed of a collection of rectangles with no slope. If there is a figure including a diagonal line such as a rectangle with an inclination, additional processing is required in addition to the embodiments of the present invention described below, but the present invention is still applicable. The electron beam exposure apparatus will be described below as one of a variable shaping beam type, which is particularly effective in achieving the effects obtained by the present invention.

本発明の実施例を詳細に説明する前に、以下に
実施例の概略を述べておくことにする。
Before describing the embodiments of the present invention in detail, an outline of the embodiments will be described below.

(1) 輪郭化された図形の辺の中に成形ビームの一
辺長の許容最小値εよりも小さい短辺が存在す
るかどうか判定し、存在する場合にはその短辺
を延長した線を分割経路として分割することに
より、分割された図形の輪郭の中にεよりも小
さい短辺が存在しなくなるようにする(後に示
す第4図Bに対応)。
(1) Determine whether there is a short side smaller than the minimum allowable side length ε of the shaped beam among the sides of the contoured figure, and if so, divide the line extending the short side. By dividing it as a route, there is no short side smaller than ε in the outline of the divided figure (corresponding to FIG. 4B shown later).

(2) (1)の場合において、1回の分割で生成される
新たな図形の輪郭の中に、分割によつて新たに
ε未満の短辺が生じる場合には、この短辺を延
長した線を分割経路として更に分割する(第4
図Cに対応)。
(2) In the case of (1), if a new short side less than ε is created in the outline of the new figure generated by one division, this short side is extended. Further divide the line as a dividing route (4th
(corresponds to Figure C).

(3) (1)の場合において、分割の結果、ε未満の幅
をもつ図形が生ずるのを避けるため、分割経路
からε離れた領域まで辺が存在するかどうかを
探索し、存在する場合にはその辺が存在し始め
るところまでを分割経路とし、それ以上延長し
ない(第4図Dに対応)。
(3) In the case of (1), in order to avoid a figure with a width less than ε occurring as a result of division, it is searched to see if an edge exists from the division route to an area ε apart, and if it exists, The dividing path extends up to the point where the edge begins to exist, and does not extend beyond that point (corresponding to Figure 4D).

(4) (1)〜(3)によつて分割された図形を2つの類型
に分類する。
(4) Classify the figures divided by (1) to (3) into two types.

型:X軸に平行な最上辺のY方向(下方)へ
の射影が最上辺以外の辺と重なる場合
(後出の第5図Aに対応)。
Type: When the projection of the top side parallel to the X axis in the Y direction (downward) overlaps sides other than the top side (corresponding to Fig. 5A described later).

型:X軸に平行な最上辺のY方向(下方)へ
の射影がX軸に平行な辺と接する場合
(第5図Bに対応)。
Type: When the projection of the topmost side parallel to the X-axis in the Y direction (downward) touches the side parallel to the X-axis (corresponding to Figure 5B).

(5) 型および型の図形を更に、最上辺の長さ
w、成形ビームの最大辺の長さl、分割経路
CXの長さlCX、分割経路Cyの長さlCyの大小関係
に基いて分類する(後出の第6図および第10
図に対応)。
(5) The mold and the shape of the mold are further defined by the length of the top side w, the length of the maximum side of the forming beam l, and the dividing path.
Classification is based on the size relationship of the length of C
(corresponds to the figure).

(6) (5)で分類した図形を分類するにあたり、従来
の分割法で分割すると更に描画単位図形に分割
したとき分割数が増えて好ましくなくなる分類
の図形(型では第6図の(3)に、型では第1
0図の(4)に対応)を従来法とは異なる分割経路
(型に対してはCy、型に対してはCx)で分
割する。その他の分類の図形は従来の分割法で
分割する。
(6) When classifying the figures classified in (5), if you divide them using the conventional division method, the number of divisions will increase when you further divide them into drawing unit figures, making them undesirable. In the type, the first
(corresponding to (4) in Figure 0) is divided by a dividing path different from the conventional method (C y for the type, C x for the type). Figures in other categories are divided using the conventional division method.

(7) (6)の分割において、従来の分割法(型に対
してはCx、型に対してはCy)で分割するも
のについては、分割の結果ε未満の幅をもつ図
形が生ずるのを避けるため、分割経路からε離
れた領域まで辺が存在するかどうかを探索し、
存在する場合にはその辺が存在し始めるところ
までを分割経路とし、それ以上延長しない(後
出の第9図および第12図Aに対応)。
(7) In the division in (6), for those divided using the conventional division method (C x for the mold, C y for the mold), the result of division is a figure with a width less than ε. In order to avoid this, we search to see if there is an edge to a region ε away from the dividing path,
If it exists, the division path is defined as the point where that side begins to exist, and is not extended any further (corresponding to FIG. 9 and FIG. 12A, which will be described later).

(8) (4)〜(7)を繰り返して全ての図形を基本図形に
分割する。
(8) Repeat steps (4) to (7) to divide all shapes into basic shapes.

(9) 基本図形を描画単位図形に分割する。(9) Divide the basic figure into drawing unit figures.

以上が、本発明の実施例における図形分割法の
概略であるが、本発明の実施例における必須な工
程は、上記(4)〜(6)の工程である。上記(1)〜(3)およ
び(7)の工程を行なわないとε未満の辺を含んで分
割することとなるが、その場合でも本発明の効果
としてシヨツト数低減の効果が得られる。
The above is an outline of the figure division method in the embodiment of the present invention, and the essential steps in the embodiment of the present invention are the steps (4) to (6) above. If the above steps (1) to (3) and (7) are not performed, the division will include edges less than ε, but even in that case, the effect of reducing the number of shots can be obtained as an effect of the present invention.

次に、本発明の実施例を更に詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in more detail.

まず、図形パタンの輪郭の辺の中に、長さε未
満の短辺が存在する場合の処理を説明する。第4
図Aにその一例を示す。図中のεで示す長さが、
成形ビームの一辺長として許容できる最小値であ
る。εの値はビームの最大寸法、ビーム電流密度
等によつて変わるが、例えば、ε=0.5μmが考え
られる。破線は従来の分割法による分割経路を示
し、これに従えば一辺長がε未満の短辺をもつ基
本図形が生じることになる。このように、輪郭を
表す辺の中に長さε未満の短辺が存在する図形の
場合には、この図形をそのまま基本図形に分割す
ると一辺長がε未満の辺をもつ基本図形を生じや
すい。そこで、本発明では、長さε未満の短辺が
存在する場合には、その短辺を延長して分割経路
となし、もとの図形を予め分割することとする。
その例を第4図Bに示す。ここで、破線が本発明
を実施したときの分割経路である。短辺を延長し
て分割経路となすにあたり、2つの場合を考える
必要がある。1つは、第4図Cのごとく、短辺を
延長した分割の結果ABCDというε以下の短辺
を含む段差が分割したあとの図形に生じる場合で
ある。この場合は新たに生じた短辺BCを延長し、
CEを次の分割経路となせば良い。他の1つは、
第4図Dのごとく短辺を延長した分割の結果、
ACDEという幅がε未満の半島状の図形を生じる
場合である。この様な分割は、一辺がε未満のビ
ームを用いなければパタン形成できなくなるた
め、避けることが望ましい。そこで、分割経路の
延長にあたり、その経路からε離れた近傍領域ま
で含めてパタン境界の存在を探索し、もしパタン
の境界が存在すれば分割経路の延長は、パタン境
界が新たに近傍に存在し始めるところまでとす
る。第4図Dの例ではABEが新たな分割経路と
なる。新たに生じたBEというε未満の段差のあ
つかいは、前述した様に第4図Cの場合と同じで
ある。
First, a description will be given of processing when a short side with a length less than ε exists among the sides of the outline of a graphic pattern. Fourth
An example is shown in Figure A. The length indicated by ε in the figure is
This is the minimum allowable length of one side of the shaped beam. The value of ε varies depending on the maximum dimension of the beam, beam current density, etc., but for example, ε=0.5 μm is considered. The broken line indicates a dividing path according to the conventional dividing method, and if this is followed, a basic figure with a short side whose side length is less than ε will be generated. In this way, in the case of a figure that has a short side with a length less than ε among the edges representing the outline, dividing this figure into basic figures as is will likely result in a basic figure with sides whose side length is less than ε. . Therefore, in the present invention, if there is a short side with a length less than ε, the short side is extended and used as a dividing path, and the original figure is divided in advance.
An example is shown in FIG. 4B. Here, the broken line is the dividing route when the present invention is implemented. Two cases need to be considered when extending the short side to form a dividing path. One is as shown in FIG. 4C, where as a result of the division by extending the short sides, a step called ABCD, which includes the short sides less than or equal to ε, occurs in the divided figure. In this case, extend the newly generated short side BC,
It is sufficient to use CE as the next division route. The other one is
As a result of division by extending the short side as shown in Figure 4D,
This is the case when a peninsula-like figure called ACDE whose width is less than ε is generated. It is desirable to avoid such division because pattern formation will not be possible unless a beam with a side of less than ε is used. Therefore, when extending a division route, we search for the existence of a pattern boundary including neighboring regions that are ε away from the route, and if a pattern boundary exists, the extension of the division route is performed until the pattern boundary newly exists in the vicinity. Let's just get started. In the example shown in FIG. 4D, ABE becomes the new division route. The handling of the newly generated BE level difference less than ε is the same as in the case of FIG. 4C, as described above.

なお、幅がε未満の半島状パタンがそもそも存
在するときには、これを形成するためのビーム寸
法もε未満とならざるを得ない。また第4図Eに
示すパタンの場合も、多重露光を許さない限り、
どの様な分割経路を選んでも、一辺がε未満の基
本図形を必要とする。
Note that if a peninsular pattern whose width is less than ε exists in the first place, the beam size for forming this pattern must also be less than ε. Also, in the case of the pattern shown in Fig. 4E, unless multiple exposure is allowed,
No matter what division path is chosen, a basic figure with one side less than ε is required.

以上の処理により、第4図Eに示したようなや
むを得ない場合を除いて、輪郭図形の辺の中に長
さε未満の短辺は存在しないので、これを前提と
してさらに本発明の実施例を説明することにす
る。
As a result of the above processing, there is no short side with a length less than ε among the sides of the contour figure, except in unavoidable cases as shown in FIG. 4E. I will explain.

まず、図形パタンを2つの類型に分類する。こ
の2つの分類の代表的なパタンを第5図Aおよび
Bに示す。ここでwは最上辺の長さ、CX,Cy
はそれぞれのパタンでの分割経路の候補を示す。
X軸に平行な最上辺=(x1、x1′、y1)に着目
し、この辺のY軸方向の下方への射影を考え、射
影がまず他のX軸に平行な辺と重なる場合を
型、射影がまず他のX軸に平行な辺とx=x1ある
いはx=x1′で接触する場合を型とする。すな
わち、第5図Aに示すごとく、辺ABの下方への
射影がまず辺CDで重なる場合が型であり、第
5図Bに示すごとく、辺EFとまず接触状態にな
る場合が型である。これに対し、第5図Cに示
すように型および型のどちらにもあてはまる
場合は型に分類することとする。このようにし
て、全ての図形パタンは必ずどちらかの分類に分
類可能である。
First, graphic patterns are classified into two types. Representative patterns of these two classifications are shown in FIGS. 5A and 5B. Here, w is the length of the top edge, C X , C y
indicates candidates for dividing routes in each pattern.
Focusing on the top edge parallel to the X-axis = (x 1 , x 1 ′, y 1 ), consider the downward projection of this edge in the Y-axis direction, and if the projection first overlaps with another edge parallel to the X-axis is a type, and the case where the projection first contacts another side parallel to the X axis at x = x 1 or x = x 1 ' is a type. In other words, as shown in Figure 5A, when the downward projection of side AB first overlaps with side CD, it is a type, and as shown in Figure 5B, when it first comes into contact with side EF, it is a type. . On the other hand, as shown in FIG. 5C, if it applies to both types, it is classified as type. In this way, all graphic patterns can definitely be classified into one of the categories.

はじめに、型の図形パタンの分割法を説明す
る。分割経路は第5図AのCxあるいはCyのいず
れかとなる。最上辺の長さw、成形ビームの最大
辺の長さl、分割経路Cxの長さlCX、分割経路Cy
の長さlCyの大小関係によるパタンの分類を第6
図に示す。w,lCyはlと比較し、lcxはlCy×nと
比較した。lcxはlと比較してもよいが、パタン
形状依存性をよりはつきりさせるために、lCy
n倍(nは正整数、例えばn=2)と比較するこ
ととした。
First, a method of dividing a type graphic pattern will be explained. The dividing path is either C x or C y in FIG. 5A. The length of the top side w, the length of the maximum side of the shaped beam l, the length of the dividing path C x , l CX , the dividing path C y
The 6th classification of patterns according to the size relationship of the length l Cy
As shown in the figure. w, l Cy was compared with l, and l cx was compared with l Cy ×n. l cx may be compared with l, but in order to make the pattern shape dependence more obvious, it is compared with n times l Cy (n is a positive integer, for example, n=2).

従来の分割法ではCXを分割経路とするが、第
6図示の各種パタンのうち、シヨツト数が増えて
好ましくない分割となるのは(3)の場合である。こ
のようなとき、すなわちw≧l、lcx≧nlCy、lCy
lの場合には、本発明はCyの経路で分割を行う。
その他の分類の図形、すなわち、(1)(2)(4)(5)(6)およ
び(7)の場合は、従来のCXの経路で分割を行う。
In the conventional division method, CX is used as the division route, but among the various patterns shown in FIG. 6, the number of shots increases and the division becomes undesirable in case (3). In such cases, w≧l, l cx ≧nl Cy , l Cy <
In the case of l, the present invention performs the division along the path of C y .
In the case of figures of other classifications, that is, (1) (2) (4) (5) (6) and (7), division is performed using the conventional C X route.

第7図は本発明の分割法を上記(3)の場合の図形
パタンに適用した場合の効果を示す図であり、A
は従来法で描画単位図形にまで分割したときの様
子を、Bは本発明の分割法で描画単位図形にまで
分割したときの様子を示している。第7図Aおよ
びBから本発明の分割法を用いるとシヨツト数低
減の効果が明らかである。
FIG. 7 is a diagram showing the effect when the dividing method of the present invention is applied to the graphic pattern in the case (3) above.
B shows the situation when dividing into drawing unit figures by the conventional method, and B shows the situation when dividing into drawing unit figures by the dividing method of the present invention. From FIGS. 7A and 7B, it is clear that the division method of the present invention is effective in reducing the number of shots.

さて、Cyを分割経路とする場合は、一辺の長
さε未満の辺は発生し得ないが、CXを分割経路
となす場合には、ε未満の辺が発生する場合があ
るので、ε未満の辺の発生をなくするには以下の
ように分割すれば良い。このような場合について
第8図を用いて説明する。同図においてw,CX
Cyはすでに第5図A,Bに示した通りである。
ここで、分割経路Cxより下方に距離pだけ離れ
た位置の一点鎖線mは、そこまで図形パタンが必
ず存在することを示している。第8図Aによう
に、p≧εであれば、分割経路Cxの下方に十分
に大きい図形パタンが存在するのでCXで分割す
るときに残りの下方の図形パタンに問題は生じな
い。しかし、第8図Bのようにp<εのときには
Cxの下方の図形パタンで一辺長ε未満の描画単
位図形が生じるので、CXでの分割はそのままで
は不適切となる。
Now, when C y is a dividing path, no edge with a side length less than ε can occur, but when C X is a dividing path, an edge less than ε may occur, so In order to eliminate the occurrence of edges less than ε, it is sufficient to divide as follows. Such a case will be explained using FIG. 8. In the same figure, w, C X ,
C y is already shown in FIGS. 5A and 5B.
Here, the dashed-dotted line m located at a distance p below the dividing path C x indicates that the graphic pattern always exists up to that point. As shown in FIG. 8A, if p≧ε, there is a sufficiently large graphic pattern below the dividing path C x , so when dividing along C X , no problem will occur with the remaining graphic patterns below. However, when p<ε as shown in Figure 8B,
Since a drawing unit figure whose side length is less than ε occurs in the figure pattern below C x , division at C X is inappropriate as it is.

そこで、分割経路延長にあたり、その経路から
下側にε離れた領域まで含めてパタン境界の存在
を探索し、もしパタン境界が存在すれば、分割経
路の延長はパタン境界が新たに近傍に存在し始め
るところまでとする。
Therefore, when extending the dividing route, we search for the existence of a pattern boundary, including the region ε away from the lower side of the route, and if a pattern boundary exists, the extension of the dividing route will be performed until the pattern boundary newly exists in the vicinity. Let's just get started.

第9図のパタンでは、分割経路を点DからGへ
延ばさずに途中のH点までとし、を一辺とす
る矩形で分割することにする。
In the pattern shown in FIG. 9, the division route does not extend from point D to G, but ends at point H, and is divided into rectangles whose sides are .

次に、第5図Bのような型の図形パタンの分
割法を説明する。
Next, a method of dividing a graphic pattern of the type shown in FIG. 5B will be explained.

分割経路は第5図BのCxあるいはCyのいずれ
かである。型のときと同様に各種パタンの分類
を第10図に示す。w,l,lCy,nについては
第6図についての説明ですでに示した通りであ
る。型の図形パタンではX方向の分割経路CX
の長さlCXはwに等しくなるため、第10図の分
類ではlCXによる分類は必要なくl,lCyとwとの
大小関係のみを考えれば良い。
The dividing path is either C x or C y in FIG. 5B. As in the case of molds, the classification of various patterns is shown in FIG. w, l, l Cy , and n are as already shown in the explanation of FIG. In the shape pattern of the type, the division path in the X direction C
Since the length lCX of is equal to w, in the classification shown in FIG. 10, there is no need to classify by lCX , and only the magnitude relationship between l, lCy and w needs to be considered.

従来の分割法ではCyの分割経路とするが、第
10図示の各種パターンのうち、シヨツト数が増
加して好ましくない分割となるのは、(4)の場合で
ある。すなわちw<l、lCy≧nwの場合には、本
発明では分割経路CXで分割する。その他の(1)〜
(3)の場合は従来の分割経路Cyで分割する。この
ように分割すると、描画単位図形に分割したと
き、第7図に示した型の図形パタンの場合と同
様に、シヨツト数低減の効果が得られることは明
らかである。
In the conventional division method, the division path is C y , but among the various patterns shown in FIG. 10, the number of shots increases and the division becomes undesirable in case (4). That is, in the case of w<l, lCy ≧nw, the present invention divides along the division path CX . Other (1)~
In the case of (3), division is performed using the conventional division route C y . It is clear that by dividing in this way, when divided into drawing unit figures, the effect of reducing the number of shots can be obtained, as in the case of the figure pattern of the type shown in FIG.

さて、CXを分割経路とする場合は、一辺の長
さε未満の辺は発生しないが、Cyを分割経路と
なす場合には、ε未満辺が発生する場合があるの
で、ε未満の辺の発生をなくするには以下のよう
に分割すれば良い。このような場合について第1
1図A,Bを用いて説明する。w,CX,Cy,p,
mについては第8図に示した通りである。
Now, if C To eliminate the occurrence of edges, you can divide it as follows. Regarding such cases, the first
This will be explained using Figures A and B. w, C x , C y , p,
Regarding m, it is as shown in FIG.

第11図Aのようにp≧εであれば、分割経路
Cyの右方に十分に大きい図形が存在するので、
Cyで分割するときに残り右方の図形パタンに問
題は生じない。第11図Bのようにp<εのとき
にはCyの右方の図形パタンで一辺長ε未満の図
形を生じさせないため、分割経路からε離れた領
域まで含めてパタン境界を探索し、分割経路を決
定する。第11図Bに示したパタンに、本発明に
よる分割を行つた場合を第12図Aに示す。斜線
部が分割される図形である。型の特別な例を第
12図B,Cに示す。ここでは辺ABのY軸方向
の下方への射影と接する辺のY値が左右で等し
く、例えば、第12図Bに示すようにw≧lなら
ばCy′で分割し、第12図Cに示すようにw<l
ならばCxで分割する。
If p≧ε as shown in Figure 11A, the division path
Since there is a sufficiently large figure to the right of C y ,
When dividing by C y , there will be no problem with the remaining figure pattern on the right. As shown in FIG. 11B, when p<ε, the figure pattern on the right side of C y does not produce a figure whose side length is less than ε, so the pattern boundary is searched including the area ε away from the dividing route, and the dividing route is Determine. FIG. 12A shows a case where the pattern shown in FIG. 11B is divided according to the present invention. The shaded area is the figure to be divided. Special examples of molds are shown in Figures 12B and C. Here, if the Y value of the side in contact with the downward projection of side AB in the Y-axis direction is equal on the left and right sides, for example, if w≧l as shown in Figure 12B, then divide by C y ', and as shown in Figure 12C As shown in w<l
If so, divide by C x .

以上述べてきた本発明の実施例と従来法とによ
る分割の比較を第13図A,Bに示す。第13図
Aが本発明を適用した場合で、第13図Bが従来
法による場合であり、本発明によれば従来例に比
べ、約半分のシヨツト数でパタンを形成でき、装
置の生産性が向上する。実際に64kビツトDRAM
のゲートパタンに本発明を適用した結果、従来例
に比べて55%のシヨツト数でパタン形成が可能に
なつた。
A comparison of division between the embodiment of the present invention described above and the conventional method is shown in FIGS. 13A and 13B. Figure 13A shows the case where the present invention is applied, and Figure 13B shows the case where the conventional method is used. According to the present invention, a pattern can be formed with about half the number of shots compared to the conventional method, increasing the productivity of the device. will improve. Actually 64k bit DRAM
As a result of applying the present invention to a gate pattern, it became possible to form a pattern with 55% fewer shots compared to the conventional example.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明による電子ビーム
露光における図形分割方法に従つて、可変成形ビ
ームを用いてパタン形成を行うと、シヨツト数を
低減化して生産性を向上させることができる。ま
た、本発明は、ポイントビームを用いたパタン形
成にも有効に適用することができ、ビーム位置の
ゆらぎの悪影響を軽減してパタン品質を向上させ
ることができる。
As explained above, when pattern formation is performed using a variable shaped beam according to the figure division method in electron beam exposure according to the present invention, the number of shots can be reduced and productivity can be improved. Furthermore, the present invention can be effectively applied to pattern formation using a point beam, and can improve pattern quality by reducing the adverse effects of beam position fluctuations.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の図形分割法の説明図、第2図A
〜Cは従来の分割法の問題点の説明図、第3図A
〜Cはビームエツヂのだれ幅を示す図、第4図A
〜E、第5図A〜C、第8図A,B、第9図、第
11図A,B、第12図A〜Cはそれぞれパタン
の種々の形態に基づいて本発明分割方法を説明す
るためのパタン線図、第6図および第10図は本
発明の適用を説明するための図、第7図A,Bお
よび第13図A,Bは従来用いられていた分割法
との比較をするためのそれぞれプロツト図であ
る。 P…輪郭図形、L…矩形、S1,S2…だれ幅、ε
…許容最小値幅、w…最上辺の長さ、l…成形ビ
ームの最大辺の長さ、Cx,Cy…分割経路、lcx
lCy…分割長、p…距離、m…分割経路CXの下方
またはCyの外側に距離pだけ離れた位置。
Figure 1 is an explanatory diagram of the conventional figure division method, Figure 2A
~C is an explanatory diagram of the problems of the conventional division method, Figure 3A
~C is a diagram showing the width of the beam edge droop, Figure 4A
~E, FIGS. 5A to C, 8A and B, FIGS. 9, 11A and B, and 12A to C each illustrate the dividing method of the present invention based on various forms of patterns. Figures 6 and 10 are diagrams for explaining the application of the present invention, Figures 7A and B and Figures 13A and B are comparisons with conventional division methods. These are plot diagrams for each. P...Contour figure, L...Rectangle, S1 , S2 ...Dip width, ε
...Minimum allowable width, w...Length of the top side, l...Length of the maximum side of the shaped beam, C x , C y ...Dividing path, l cx ,
l Cy ...Division length, p...Distance, m...Position below the division path CX or outside of Cy by a distance p.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電子ビームを用いてパタンを形成するにあた
り、形成すべき図形を矩形からなる基本図形に分
割する電子ビーム露光における図形分割方法にお
いて、 輪郭化された図形の辺の長さと、成形ビームの
最大の辺の長さと、分割に必要な分割経路の長さ
との大小関係を判定する工程と、 該判定に基いて前記分割経路を決定する工程と
を含むことを特徴とする電子ビーム露光における
図形分割方法。
[Claims] 1. In a figure dividing method in electron beam exposure that divides a figure to be formed into basic figures consisting of rectangles when forming a pattern using an electron beam, the length of the side of the outlined figure and , a step of determining a magnitude relationship between the length of a maximum side of a shaped beam and a length of a dividing path necessary for dividing; and a step of determining the dividing path based on the determination. Figure division method in beam exposure.
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