JPH0340000B2 - - Google Patents
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- JPH0340000B2 JPH0340000B2 JP59181533A JP18153384A JPH0340000B2 JP H0340000 B2 JPH0340000 B2 JP H0340000B2 JP 59181533 A JP59181533 A JP 59181533A JP 18153384 A JP18153384 A JP 18153384A JP H0340000 B2 JPH0340000 B2 JP H0340000B2
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- JP
- Japan
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- radiation
- single crystal
- resistant
- piezoelectric
- materials
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐放射線性材料に関する。
現在原子炉工業の発展に伴つて、原子炉に使用
する各種計器に組み込まれる耐放射線性材料が要
望されている。本発明はこの要望に答えた新しい
耐放射線性材料を提供せんとするものである。
する各種計器に組み込まれる耐放射線性材料が要
望されている。本発明はこの要望に答えた新しい
耐放射線性材料を提供せんとするものである。
従来技術
従来、原子炉用の各種計器用の耐放射線性材料
としては次のものが知られている。
としては次のものが知られている。
(1) 原子炉用圧電素子として、PbTi1-xZrxO3(た
だし、0<x<1を表わす)、(以下PZTと略
記する) (2) 原子炉内の温度測定のための焦電物質とし
て、前記(1)と同じPZTの多結晶、LiTaO3また
は(Sr、Ba)Nb2O3の単結晶、 (3) 原子炉用の強誘電体材料(コンデンサー材料
等)としてPbTiO3 が知られている。
だし、0<x<1を表わす)、(以下PZTと略
記する) (2) 原子炉内の温度測定のための焦電物質とし
て、前記(1)と同じPZTの多結晶、LiTaO3また
は(Sr、Ba)Nb2O3の単結晶、 (3) 原子炉用の強誘電体材料(コンデンサー材料
等)としてPbTiO3 が知られている。
しかしながら、前記(1)におけるPZTは放射線
に侵されにくく、大きな圧電効果(圧電係数:
200×10-12〜300×10-12CN-1)を持つているが、
原子炉内の還元雰囲気(水素ガス)中で高温で使
用すると、鉛が解離し、特性が劣化する欠点を持
つている。
に侵されにくく、大きな圧電効果(圧電係数:
200×10-12〜300×10-12CN-1)を持つているが、
原子炉内の還元雰囲気(水素ガス)中で高温で使
用すると、鉛が解離し、特性が劣化する欠点を持
つている。
原子炉用焦電物質のPZTは焦電性に優れてい
るが前記と同じ理由で高温の還元雰囲気では特性
が劣化する欠点を持つている。またLiTaO3また
は(Sr、Ba)Nb2O6の単結晶はいずれも長時間
の放射線放射には侵される欠点を持つている。
るが前記と同じ理由で高温の還元雰囲気では特性
が劣化する欠点を持つている。またLiTaO3また
は(Sr、Ba)Nb2O6の単結晶はいずれも長時間
の放射線放射には侵される欠点を持つている。
また前記(3)のPbTiO3は誘電率も比較的高く、
(常温で約500)、耐放射線性にも優れているが、
唯一の欠点として、PZTと同様に高温の還元雰
囲気に侵され易い(Pbが解離し易い)という性
質を持つている。
(常温で約500)、耐放射線性にも優れているが、
唯一の欠点として、PZTと同様に高温の還元雰
囲気に侵され易い(Pbが解離し易い)という性
質を持つている。
発明の目的
本発明の目的は、前記従来材料の持つ欠点のな
い放射線(X線、γ線)に侵されない材料を提供
するにある。
い放射線(X線、γ線)に侵されない材料を提供
するにある。
発明の構成
本発明者は一般式KTa1-xNbxO3(ただし、0.4
≦x≦1を表わす)(以下、KTNと言う)で示
される単結晶の半導体化する原因は、結晶の育成
過程で酸素欠陥のドナーが出来るものと考え、前
記KTN単結晶にX線を照射して酸素欠陥を作る
ことを試みた。ところがX線照射では全然酸素欠
陥は生じなかつた。更にエネルギーの大きいγ線
を照射したが、これらにおいても全く欠陥が生じ
なかつた。この結果、KTN単結晶は優れた耐放
射線性材料であることが分つた。
≦x≦1を表わす)(以下、KTNと言う)で示
される単結晶の半導体化する原因は、結晶の育成
過程で酸素欠陥のドナーが出来るものと考え、前
記KTN単結晶にX線を照射して酸素欠陥を作る
ことを試みた。ところがX線照射では全然酸素欠
陥は生じなかつた。更にエネルギーの大きいγ線
を照射したが、これらにおいても全く欠陥が生じ
なかつた。この結果、KTN単結晶は優れた耐放
射線性材料であることが分つた。
そしてKTN単結晶は高い圧電性、焦電性及び
高い誘電率を持つているので、原子炉用の圧電材
料、焦電材料及び強誘電体材料として好適なこと
が分つた。
高い誘電率を持つているので、原子炉用の圧電材
料、焦電材料及び強誘電体材料として好適なこと
が分つた。
この知見に基いて本発明をなすに至つた。
本発明の要旨は一般式KTa1-xNbxO3(ただし、
0.4≦x≦1を表わす)で示される単結晶からな
り、放射線に侵されにくく、高い圧電性、焦電性
及び誘電率を有することを特徴とする原子炉用材
料にある。
0.4≦x≦1を表わす)で示される単結晶からな
り、放射線に侵されにくく、高い圧電性、焦電性
及び誘電率を有することを特徴とする原子炉用材
料にある。
この耐放射線性材料は、原子炉用の圧電材料、
焦電材料、及び強誘電体材料として使用するのに
適する。
焦電材料、及び強誘電体材料として使用するのに
適する。
前記一般式におけるxの値が0.4より小さいと、
KTN単結晶は圧電性を持たなくなる。xの値が
1より大きくなると、1−x<0になつて
KTa1-xNbxO3の式は成立しなくなる。従つて、
xは、0.4≦x≦1であることが必要である。
KTN単結晶は圧電性を持たなくなる。xの値が
1より大きくなると、1−x<0になつて
KTa1-xNbxO3の式は成立しなくなる。従つて、
xは、0.4≦x≦1であることが必要である。
KTN単結晶に放射線を照射した実施例を示
す。
す。
実施例 1
KTaO3単結晶に105counts/secのX線を24時
間照射したが、見かけ上の変化は全くなかつた。
またESR(電子スピン共鳴)の測定からも欠陥の
生成は全く認められなかつた。
間照射したが、見かけ上の変化は全くなかつた。
またESR(電子スピン共鳴)の測定からも欠陥の
生成は全く認められなかつた。
実施例 2
KTaO3単結晶に2×107レントゲンのγ線を照
射したが、見かけ上の変化は全くなかつた。また
ESRの測定からも欠陥の生成は全く認められな
かつた。
射したが、見かけ上の変化は全くなかつた。また
ESRの測定からも欠陥の生成は全く認められな
かつた。
実施例 3
KNbO3単結晶に105counts/secのX線を48時
間照射した。その結果は実施例2におけると同様
であつた。
間照射した。その結果は実施例2におけると同様
であつた。
発明の効果
本発明の耐放射線性材料は放射線に侵されにく
く、その上、圧電効果、焦電効果に優れ、且つ優
れた強誘電性も持つているので、原子炉用の圧電
材料、焦電材料、強誘電体材料として有効に利用
し得られる優れた効果を有する。
く、その上、圧電効果、焦電効果に優れ、且つ優
れた強誘電性も持つているので、原子炉用の圧電
材料、焦電材料、強誘電体材料として有効に利用
し得られる優れた効果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 KTa1-xNbxO3 (ただし、0.4≦x≦1を表わす)で示される単
結晶からなり、放射線に侵されにくく、高い圧電
性、焦電性及び誘電率を有することを特徴とする
原子炉用材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59181533A JPS6158897A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 耐放射線性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59181533A JPS6158897A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 耐放射線性材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6158897A JPS6158897A (ja) | 1986-03-26 |
JPH0340000B2 true JPH0340000B2 (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=16102434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59181533A Granted JPS6158897A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 耐放射線性材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6158897A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59107996A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-22 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 無機複合酸化物の固溶体組成物の単結晶育成法 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59181533A patent/JPS6158897A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59107996A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-22 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 無機複合酸化物の固溶体組成物の単結晶育成法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6158897A (ja) | 1986-03-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |