JPH0339663A - 回路網解析向け試験用セット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、一般に回路網解析用計器の分野に関するもの
であシ、更に詳細には、高周波ネットワーク・アナライ
ザと共に使用して被試験装置に入る入力試験信号と被試
験装置から出る信号とを分離する試験用セットに関する
。

〔発明の技術的背景及びその問題点〕

ネットワーク・アナライザは回路網の伝達関数またはイ
ンピーダンス関数またはその双方を測定する計器である
。正弦波信号源が被試験装置のシミュレーションをする
。伝達関数およびインピーダンス関数は各種電圧および
電流の比であるから、関心のある重要に信号を被試験装
置の測定ポートから分離する手段が必要である。ネット
ワーク・アナライザは分離された信号を検出し、所要信
号比を形成し、結果を表示する。

電圧および電流の測定は高周波では困難である。

高周波回路網の挙動は伝送線路の理論を用いて最も良く
記述することができる。高周波における回路網を特徴づ
けるのに散乱パラメータ、すなわちＳパラメータが開発
された。Ｓパラメータは回路網ポートで測定された反射
進行波と透過進行波との比を規定するものである。Ｓパ
ラメータを測定するためには、伝達信号筐たは入射信号
と被試験装置からの信号とを分離する必要がある。試験
用セットとして知られている装置は試験信号源、被試験
装置、およびネットワーク・アナライザを相互接続する
のに利用されている。たとえば、反射測定の場合には、
試験用セットは試験信号を被試験装置に供給し、ネット
ワーク・アナライザが測定し解析するため入射信号と反
射信号とを分離する。試験用セットは入射信号を基準ポ
ートに表示し、反射信号を結合ポートに供給する。

従来の８パラメータ試験用セツトは入射信号と反射信号
とを分離するのに方向性ブリッジを利用している。従来
技術の試験用セットの一つである、ヒユーレット・パラ
カード社が製造しているＨＰ＆５０４６Ａ／Ｂ型Ｓパラ
メータ試験型上パラメータ試験用セットワー・スプリン
タを通して基準ポートに供給され、対称型ホイートスト
ーン・ブリッジを使用して入射信号と反射信号を分離し
、反射信号を結合ポートに供給している。この装置は一
般に満足な性能を示すが、この装置には一定の制限があ
る。パワー・スプリッタおよび方向性ブリクジは、その
構造が異々るため広い周波数範囲にわたる追従ができな
い。ブリッジおよびパワー・スプリッタには各々６ｄＢ
の損失があシ、試験ポートに１２　ｄＢの損失を生ずる
。その結果、被試験装置に利用可能なパワーが限定され
る。他の制限には、パワー・スプリッタとブリッジとを
接続する長いＲＦケーブルによる信号源の不整合、およ
び周波数範囲の上端および下端での性能の低下、がある
。

もう一つの従来技術の８パラメータ試験用セットである
、ヒユーレット・、パラカード社の製造によるＨＰ８５
０４７　Ａ型Ｓパラメータ試験用セットは、基準ポート
で入射信号を監視するのに第１の方向性ブリッジを、反
射信号を監視するのに第２の方向性ブリッジを、使用し
ている。ブリッジを整合させ、これによシトラッキング
を向上させている。その他、各ブリッジは対称であシ、
その損失は１．５ｄＢに過ぎず、試験ポーＩｔでの全損
失が３　ｄＢである。各ブリッジは別々のＲＦハウジン
グにバノケージされている。二つのブリクジを使用する
試験用セクトの性能はパワー・スプリンタを利用する試
験用セクトと比較して改善されているが、この試験用セ
ットには幾つかの制限がある。

二つのブリッジは、二つの精密にフライス削シしたハウ
ジングを必要とするので、比較的高価である。その他に
、二りのブリッジ・アセンブリは体積が比較的大きく、
コンパクトな製品にはあまシ適当でない。長いＲＦケー
ブルによる分離は定在波比の相互作用によシ整合不良を
生ずる。二つのブリッジが異なるパッケージに入ってい
るので、温度勾配のため結合の変化が、異なる勾配にお
いて生ずる可能性がある。最後に、性能が低周波で低下
する。

〔発明の目的〕

改良されたＳパラメータ・試験用セットを提供するのが
本発明の一般的目的である。

広い周波数範囲にわたって動作することができるＳパラ
メータ試験用セットを提供するのが本発明の他の目的で
ある。

本発明の更に他の目的は体積が小さく且つ低価格のＳパ
ラメータ試験用セットを提供することである。

本発明の更に他の目的は基準チャネルと結合チャネルと
の間で広い周波数範囲にわたシ緊密なトラッキングを行
５Ｓパラメータ試験用セットを提供することである。

本発明の更に別の目的は信号源および被試験装置が広い
周波数範囲にわたり良く整合しているＳパラメータ試験
用セットを提供することである。

〔発明の概要〕

本発明によれば、これらおよび他の目的および利点は、
試験ポートを通して被試験装置に供給される入射信号と
被試験装置からの信号とを分離する試験用セットによシ
達成される。被試験装置からの信号は、試験構成によシ
、反射信号筐たは透過信号である。試験用セットは、被
試験装置からの信号と入射信号とを分離して被試験装置
からの信号を結合ポートに供給する第１の方向性ブリッ
ジ、入射信号と被試験装置からの信号とを分離して入射
信号を基準ポートに供給する第２の方向性ブリッジ、お
よびＲＦ源ポートおよび試験ポートを通して不平衡入力
を受信し、個別の平衡入力を第１の方向性ブリッジおよ
び第２の方向性ブリッジに供給する二重平衡不平衡変成
器手段、から構成される。

二重平衡不平衡変成器手段は平衡入力を単一平衡不平衡
変成器から第１および第２の方向性ブリッジに供給する
。二重平衡不平衡変成器は好適には、内部導体および外
部導体を有し且つ第１の端および第２の端を有する同軸
伝送線、外部導体を第１および第２の端の中間の位置で
グラウンドに結合し、これにより同軸伝送線の第１およ
び第２の部分を画定する手段、同軸伝送線の第１および
第Ｃの部分にある誘導性素子、同軸伝送線の第１の端を
第１の方向性ブリッジに結合させる手段、および同軸伝
送線の第２の端を第２の方向性プリクジに結合させる手
段、から構成される。誘導性素子は好適には同軸伝送線
の各部分にフェライト・ビードな備えている。

試験用セットは更に、第１および第２の方向性ブリッジ
および二重平衡不平衡変成器手段を包囲するＲＦハウジ
ングを備えている。好適構成では、第１の方向性ブリッ
ジは、同軸伝送線の第１の端に隣接して取付けられた第
１の薄膜回路手段を備え、第２の方向性ブリッジは、同
軸伝送線の第２の端に隣接して取付けられた第２の薄膜
回路手段を備えている。第１および第２の薄膜回路手段
は各々、一つ以上のブリッジ構成要素が上部基板に取付
けられ、一つ以上のブリッジ構成要素が下部基板に取付
けられている懸吊（５ｕｓｐｅｎｄｅｄ）基板構成を採
用している。

本発明の他の特徴によれば、第１の方向性ブリッジは第
１のＤＣ阻止コンデンサを備えておシ、第１のＤＣ阻止
コンデンサは同軸伝送線の第１の部分にある誘導性素子
と整合するように選択されている。同様に、第２の方向
性ブリッジは第２のＤＣ阻止コンデンサを備えておシ、
第２のＤＣ阻止コンデンサは同軸伝送線の第２の部分に
ある誘導性素子と整合するように選択されている。ＤＣ
阻止コンデンサと誘導性素子とを整合させることによシ
試験用セクトの低周波性能が拡大する。

本発明による試験用セットは被試験装置の反射および透
過の両Ｓパラメータを測定するのに利用することができ
る。単一試験用上ソト構成では、試験用セットの試験ポ
ートは被試験装置のポートの一つに接続される。反射信
号は結合ポートで測定され、透過信号は被試験装置の他
のポートで測定される。双方向Ｓパラメータ測定構成で
は、同じ二つの試験用セクトの試験ポートが被試験装置
のポートに接続される。ＲＦ信号源をどちらかの試験用
セットの信号源ポートに切換えていずれの方向でも反射
および透過の測定をすることができる。

〔発明の実施例〕

本発明による試験用セットを使用する回路網解析装置の
プロンク図を第１図に示す。試験用セノトｉｏはＲＦ信
号源１４に結合された信号源ポー）１２および被試験装
置１８のポート１に結合された試験ポート１６を備えて
いる。ＲＦ信号源１４からの試験信号は試験用セット１
０を通して被試験装置１８に結合されている。試験用上
ン１−１０は更に基準ポート２０および結合ポート２２
を備えている。基準ポート２０および結合ポート２２は
各々回路網解析器（図示せず）のサンプラに結合されて
いる。基準ポート２０は被試験装置１８に供給される試
験信号、または入射信号を表現する。結合ポート２２は
被試験装置１８によシ反射される信号を表現する。被試
験装置１８のポート２は回路網解析器のサンプラに結合
して伝達測定を行うことができる。

試験用セットｌＯは、二重平衡不平衡変成器３０、方向
性プリフジ３２、および方向性ブリフジ３４を備えてい
る。二重平衡不平衡変成器３０は、信号源ポート１２お
よび試験ポー）１６と不平衡接続され、方向性ブリフジ
３２および方向性プＩＪ　フジ３４と平衡接続されてい
る。方向性ブリッジ３２は基準ポート２０と不平衡接続
され、方向性ブリッジ３４は結合ポート２２と不平衡接
続されている。

動作時、試験信号がＲＦ源によシ信号源ポート１２を通
して供給される。試験信号は二重平衡不平衡変成器３０
を通して被試験装置１８に伝えられる。試験信号の一部
は被試験装置１８によシ反射され、試験ポー１−１６を
通して試験用セットｌＯに戻される。方向性プリクジ３
２は、試験信号の一部は方向性ブリッジ３２を通って基
準ポート２０に伝えられるが、反射信号は方向性ブリッ
ジ３２によυ阻止されるように構成されている。方向性
ブリッジ３４は、試験信号は結合ポート２２に到達する
のを阻止されるが、反射信号の一部は方向性ブリッジ３
４を通って結合ポート２２に伝えられるように、構成さ
れている。このようにして、試験信号および反射信号は
それぞれ基準ポート２０および結合ポート２２で分離さ
れる。試験信号の一部は被試験装置１８を通してポート
１からポート２に伝えられ、測定されることができる。

試験用セット１０の構゛造および動作を以下に詳細に説
明する。

双方向Ｓパラメータ測定用構成を第１Ａ図に示す。第１
の試験用セットｌＯは、第１図に示すように、被試験装
置１８のポートｌに結合した試験ポート１６を備−えて
いる。第２の試験用セットｌｏ′は被試験装置１８のポ
ート２に結合した試験ポート１６′　を備えている。、
ＲＰ信号源１４は２極双投スイノチ２４に結合されてい
る。スイッチ２４の一つの位置で、ＲＦ信号源１４は試
験用セット１゜の信号源ポー１−１２に結合され、典型
的には５０オームの終端抵抗器２６が試験用上ッｌ−１
０’のポー１−１２’に結合される。スイッチ２４の他
の位置で、ＲＦ信号源１４は試験用セラ）１０’の信号
源ポー１−１２’に結合され、終端抵抗器２６は試験用
上ノ）１０の信号源ポート１２に接続される。

一つの構成において、基準ポー）２０、結合ポート２２
、基準ポート２０′、および結合ポート２２′は回路網
解析器のサンプラに個別に結合される。

４個のサンプラを備えた装置の一例はヒユーレット・パ
ノカード社が製造している８５１１ｍである。

８５１１型は８５１０型と関連して使用される。

別の構成では、基準ポート２０および基準ポート２０′
はスイッチ２８を介して回路網解析器の単−基準サンプ
ラに結合され、結合ポート２２およヒ２２′はサンプラ
に個別に結合されている。３個のサンプラを備えている
装置の一例はヒユーレット・パラカード社が製造してい
る８７５３型ネノトワーク・アナライザである。

第１Ａ図に示す構成は被試験装置のボー１−１およびポ
ート２で反射および透過の両Ｓパラメータを測定するこ
とができる。ＲＦ信号源１４をスイッチ２４によシ信号
源ポート１２に接続すると、被試験装置１８のポート１
からの反射信号が結合ポート２２で測定され、透過信号
が結合ポート２２’で測定され、試験信号が基準ポート
２０で測定される。ＲＰ信号源１４がスイッチ２４によ
シ信号源ポート１２′に接続されると、被試験装置１８
のポート２からの反射信号が結合ポート２２′で測定さ
れ、透過信号が結合ポート２２で測定され、試験信号が
基準ポート２σで測定される。

方向性ブリッジを第２Ａ図および第２Ｂ図に示す。ＲＦ
試験信号は、ＲＦ入力ポートから同軸線４０を通して、
および平衡入力を発生する平衡不平衡変成器４２を通し
て、ブリッジ４４に供給される。抵抗器Ｒ１およびコン
デンサＣ１の直列接続はブリッジ４４の一つの腕を形成
している。抵抗器Ｒ２およびＲ３はそれぞれブリッジ４
４の第２および第３の腕を形成しておシ、試験ポート４
６はプリクジ４４の第４の腕として接続されている。

試験ポート４６のインピーダンスはＺｐである。

結合ポート４８はＲＦ入カポートに対してブリッジ４４
のヌル点を横断して接続されている。コンデンサＣ１は
ＤＣ阻止用に使用され、そのインピーダンスは考察中の
周波数では無視できる。Ｒ１７Ｒ２＝Ｚｐ／Ｒ３である
ヌル状態では、ヌル状態が存在し、試験信号は、矢印り
およびＤで表わしであるが、結合ポート４８に到達しな
い。

第２Ｂ図では、第２Ａ図に示したと同じ回路を再掲して
試験ポート４６からの反射信号の結合を示している。試
験ポート４６に関して、結合ポート４８はブリッジの一
つの脚にある。したがって、反射電力は、矢印Ｃおよび
Ｌで表わしであるが、結合ポート４８に到達する。ブリ
ッジの平衡状態では、反射電流は抵抗器Ｒ２を通して流
れ々い。

反射信号の一部はＲＦ入カポ−１−４０へも戻る。

したがって、試験信号は反射信号から分離され、反射信
号だけが結合ポート４８に到達する。

試験用セラ）１０の集合体要素モデルを第３図に概要図
として示す。二重平衡不平衡変成器３０は、第１の平衡
不平衡変成器部５２および第２の平衡不平衡変成器部５
４を備えた同軸伝送線５０を備えている。同軸伝送１線
５０の外部導体５０ａは平衡不平衡変成器部５２と５４
との間の中間点でグラウンドと効果的に結合されている
。後に説明するように、フェラ゛イト・ビードが同軸伝
送線５０の部分５２および５４に取付けられている。第
２の平衡不平衡変成器部５４のフェライト・ビードのイ
ンピーダンスはインダクタ５６および抵抗器５８で表わ
される。第１の平衡不平衡変成器部５２のフェライト・
ビードのインピーダンスはインダクタ６０および抵抗器
６２で表わされる。外部導体５０ａの有効接地はグラウ
ンド６４で表わされる。

二重平衡不平衡変成器３０との外部接続は第２の平衡不
平衡変成器５４の中心導体７０および外部導体７２に対
して、および第１の平衡不平衡変成器部５２の中心導体
７４および外部導体７６に対して行われる。

信号源ポート１２は伝送線８０を通して平衡不平衡変成
器部５４の中心導体７０に結合されている。基準ポート
２０は伝送線路８２を通してノード８４に結合されてい
る。抵抗器８６およびコンデンサ８８は中心導体７０と
ノード８４との間で直列に結合されている。抵抗器９０
はノード８４と平衡不平衡変成器部５４の外部導体７２
との間に結合されている。抵抗器９２は外部導体７２と
ＲＦ接地との間に結合されている。抵抗器８６．９０、
および９２は第２Ａ図および第２Ｂ図のそれぞれ抵抗器
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３に対応し、方向性ブリッジ３２
の抵抗性要素を形成している。

コンデンサ８８は第２Ａ図および第２ＬＳ図のコンデン
サＣ１に対応する。

試験ポート１６は伝送線路１０２を介して平衡不平衡変
成器部５２の中心導体７４に結合されている。結合ポー
ト２２は伝送線路１０４を介してノード１０６に結合さ
れている。抵抗器１０８およびコンデンサ１１０は中心
導体７４とノード１０６との間に直列に結合されている
。コンデンサ１０８ａおよびインダクタ１０８ｂはそれ
ぞれ抵抗器１０８の寄生キャパシタンスおよびインダク
タンスを表わす。抵抗器１１２は平衡不平衡変成器部５
２の外部導体７６とノード１０６との間に結合されてい
る。コンデンサ１１２ａおよびインダクタ１１２ｂはそ
れぞれ抵抗器１１２の寄生キャパシタンスおよびインダ
クタンスを表わす。抵抗器１１４は外部導体７６とＲＦ
接地との間に結合されている。コンデンサ１１４ａおよ
びインダクタ１１４ｂはそれぞれ抵抗器１１４の寄生キ
ャパシタンスおよびインダクタンスを表わ九抵抗器１０
８．１１２、および１１４は、第２Ａ図および第２Ｂ図
のそれぞれ抵抗器Ｒ１，Ｒ２、およびＲ３に対応し、方
向性ブリッジ３４の抵抗性要素を形成する。コンデンサ
１１０は第２Ａ図および第２Ｂ図のコンデンサＣ１に対
応する。コンテンサシ１６は中心導体７４とＲＦ接地と
の間の寄生キャパシタンスを表わす。

二重平衡不平衡変成器３０は、中心導体７０および外部
導体７２によシ平衡入力を方向性プリフジ３２に、中心
導体７４および外部導体７６によシ平衡入力を方向性ブ
リフジ３４に、供給する単一平衡不平衡変成器である。

好適実施例では、フリンジ要素の値は次のとおシである
。

抵抗器８６　　２６５Ω コンデンサ　８８　　　４７００ｐＦ 抵抗器９０５０Ω 抵抗器９２　　１０Ω 抵抗器１０８　　２６１Ω コンデンサ１１０　　６８００ｐＦ 抵抗器１１２　　５０Ω 抵抗器１１４　　１０Ω これらの値によシ試験用セットｌＯの各ポートでの５０
オームのインピーダンスに対して平衡動作が行われる。

試験用セクトの低周波性能は阻止コンデンサ８８の値な
平衡不平衡変成器部５４のフェライト・ビードのインダ
クタンス５６に合わせ、阻止コンデンサ１１０の値を平
衡不平衡変成器部５２のフェライト・ビードのインダク
タンス６０に合せることによシ改善される。再び第２Ａ
図を参照すると、フェライト・ビードの寄生インダクタ
ンスがＬ３で表わされている。Ｌ３／ＣＩ＝Ｒ１−Ｒ３
のとき、ブリッジはあらゆる周波数に対して平衡状態に
保たれることがわかる。その結果、低周波性能が大幅に
改善される。

本発明による好適に試験用セットの構造を第４図〜第９
図に示す。第３図に示し且つ上に述べた回路は、細長い
ＲＦ空洞１４２が削シ出されている金属製ＲＦハウジン
グ１４０に取付けられている。

ハウジング１４０に取付けられているＲＦコネクタは信
号源ポート１２、基準ポート２０、結合ポート２２、お
よび試験ボー）１６を構成している。

方向性ブリッジ３２のプリクジ抵抗器９２は基板１４４
の上に形成され、方向性ブリッジ３４のプリクジ抵抗器
１１４は基板１４６の上に形成されてい伝送線路８２の
中心導体８２ａと抵抗器８６に接続している導電パッド
１６３との間に接続されている。

同様に、方向性ブリッジ３４の残シの要素を含む薄膜回
路１７０を第６図に示す。伝送線路１０２の中心導体１
０２ａおよび伝送線路１０４の中心導体１０４ａは基板
１７２の上に形成されている。薄膜抵抗器１０８および
１１２は基板１７２の上に形成されておシ、チノプ形態
のコンデンサ１１０は伝送線路１０４の中心導体１０４
ａと抵抗器１０８に接続された導電パッド１７３との間
に接続されている。基板１６２および１７２はそれぞれ
、後に説明するように、二重平衡不平衡変成器３０の同
軸伝送線５０の端を受ける切欠き１６４および１７４を
備えている。

今度は第６図を参照すると、薄膜回路１６０および１７
０がハウジング１４０に取付けられて図示されている。

薄膜回路１６０は基板１４４の上方に設置され、薄膜回
路１７０は基板１４６の上方に設置されている。上に示
したとおり、基板１４４は凹所１４８に取付けられ、基
板１４６は凹所１５０に取付けられている。薄膜回路１
６０および１７０は取付用タブ１８０および取付ねじ１
８２によシ保持されている。

二重平衡不平衡変成器３０の構造の詳細を第４図に示す
。同軸伝送線５０は薄膜回路１６０から薄膜回路１７０
１で延びている。伝送線路５０の第１の平衡不平衡変成
器部５２には外部導体５０ａ　に設置されたフェライト
・ビード１８３．１８４．１８５、および１８６がある
。伝送線路５０の第２の平衡不平衡変成器部５４にはフ
ェライト・ビード１８７．１８８、および１８９がある
。各フェライト・ビード１８３〜１８９は円環形状をし
ており、同軸伝送線５０の上にねじ込まれている。区画
５２と５４との間の伝送線路５０の中間点で、外部導体
５０ａ　がクランプ１９０およびクランプ保持用ねじ１
９２によシ接地されている。好適には、同軸伝送線５０
はＭｉｃｒｏ　Ｃｏａｘ　ＣｏｍｐａｎｙのＵＴ　４７
番または相等品であシ、フェライト・ビード１８３〜１
８９はＦｅｒｒｏｎｉｃｓ　Ｃｏｍｐａｎｙの２ｌ−１
１０−Ｂ番および２ｌ−１１０−Ｆ番または相当品であ
る。

同軸伝送線５０、薄膜回路１６０および１７０、および
基板１４４および１４６の間の接続の詳細を第６図の拡
大部に示す。平衡不平衡変成器部５４の中心導体７０は
伝送線路８０の中心導体８０ａに金リボン１９４によシ
接続されている。平衡不平衡変成器部５４の外部導体７
２は外部導体７２と薄膜回路１６０の導電バンドとの間
にはんだ付げされる金リボン１９６によシ抵抗器９０に
接続されている。

外部導体７２は外部導体７２と下にある基板１４４の導
電バンド１５４との間のはんだビード１９８により基板
１４４の上にある抵抗器９２（第９図）に接続されてい
る。

平衡不平衡変成器部５２の中心導体７４は伝送線路１０
２の中心導体１０２ａにはんだ付けされている。平衡不
平衡変成器部５２の外部導体７６は外部導体７６と薄膜
回路１７０の導電パッドとの間にはんだ付けされる金リ
ボン２０２によシ抵抗器１１２に接続されている。外部
導体７６は外部導体７６と下にある基板１４６の導電バ
ンド１５８との間のはんだ接続２０４によシ基板１４６
にある抵抗器１１４（第９図）に接続されている。

フェライト・ビード１８３〜１８９は接着剤１９３によ
シ一定位置に保持されている。ハウジング１４０にはＲ
Ｆ空洞１４２を囲むカバー１４１がある。

ここに図示し且つ説明した実施例によシ構成した試験用
セットは次の仕様によシ行りた。

動作周波数範囲＝３００ｋＨｚから３，０ＧＨｚ挿入損
失＝３ｄＢ：ｌ＝０．３ｄＢ（ＧＨｚあたり）指向性＝
４０ｄＢ 信号源整合：３０ｄＢ以上（１，３ＧＨｚ　ｉで）、２
０ｄＢ以上（３，０ＧＨｚｔで） 結合＝１６ｄＢ±０．３ｄＢ 本発明に従って構成した試験用セットの性能測定値を第
１０Ａ図〜第１０Ｄ図を示す。第１０Ａ図〜第１０Ｄ図
は試験用セットの性能を周波数の関数として図式表示し
たものである。各々の場合において、０．３ＭＨｚから
３，０００　ＭＨｚまでの周波数範囲を横軸に示してあ
シ、それぞれのパラメータの大きさの対数を縦軸に示し
である。試験ポート１６（開放）から完全に反射して結
合ポート２２に現われる信号の試験ポー１−１６（負荷
）から反射せずに結合ポート２２に現われる信号に対す
る比として規定される指向性を第１０Ａ図に描いである
。縦軸の尺度はｌ目盛につき１０ｄＢである。

試験ポート１６を開放した状態で、および短絡した状態
で、結合ポート２２で測った信号のベクトル平均として
規定される信号源整合を第１０Ｂ図に描いである。縦軸
の尺度は１目盛あたり１ｏｄＢである。結合ポート２２
で測った信号の基準ポート２０で測った信号に対する比
の変化として規定されるトラノキングを第１０Ｃ図に描
いである。

縦軸の尺度は１目盛あた。９０．５ｄＢである。試験ポ
ート１６で測った信号の結合ポート２２で測った信号に
対する比として規定される結合を第１０Ｄ図に描いであ
る。縦軸の尺度は１目盛あたり０．２ｄＢである。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明を用いることによシ、広い
周波数範囲にわたって性能の高い、低価格で、コンパク
トなＳパラメータ試験用セクトを提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による試験用セットのプロ、り図である
。 第１Ａ図は双方向Ｓパラメータ測定用の構成を示すプロ
ツク図である。 第２Ａ図は入射信号に関する方向性ブリッジの動作を示
す概略図である。 第２Ｂ図は反射信号に関する方向性ブリッジの動作を示
す概略図である。 第３図は前記試験用セットの構成要素が集中回路定数と
してモデル化されている概略図である。 第４図は部分的に破られたカバーを備えた前記試験用セ
ット・アセンブリの平面図である。 第５図は第４図の線５−５に沿う横断面図である。 第６図は第５図の線６−６に沿う縦断面図である。 第７図は第６図の線７−７に沿う部分縦断面図である。 第８図は第６図の線８−８に沿う部分横断面図である。 第９図は第７図の線９−９に沿う部分縦断面図である。 第１０Ａ図乃至第１０Ｄ図は本発明による試験用セット
の性能のグラフ表示を示す図である。 １４：ＲＦ信号源 １８：被試験装置 ３０：二重平衡不平衡変成器 ３２．３４二方向性ブリッジ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被試験装置からの信号と試験ポートを通して該被
   試験装置へ供給される入射信号とを分離して、該被試験
   装置からの信号を結合ポートに供給する第１方向性ブリ
   ッジと、 前記入射信号と前記被試験装置からの信号とを分離して
   前記入射信号を基準ポートに供給する第２方向性ブリッ
   ジと、 ＲＦ信号源ポートと前記試験ポートとを通して不平衡入
   力を受信し、個別の平衡入力を前記第１方向性ブリッジ
   と前記第２方向性ブリッジとに供給する二重平衡不平衡
   変成器と、を備えて成る試験用セット。
2. （２）ＲＦ信号源に結合される信号源ポートと、被試験
   装置に結合される試験ポートと、該被試験装置に供給さ
   れる試験信号を監視する基準ポートと、 前記被試験装置からの反射信号を監視する結合ポートと
   、 前記反射信号と前記試験信号とを分離して該反射信号を
   前記結合ポートに供給する第１方向性ブリッジと、 前記試験信号と前記反射信号とを分離して該試験信号を
   前記基準ポートに供給する第２方向性ブリッジと、 前記信号源ポートからの平衡試験信号を前記第２方向性
   ブリッジに供給し、前記試験ポートからの平衡反射信号
   を前記第１方向性ブリッジに供給する単一平衡不平衡変
   成器と、 前記第１、第２方向性ブリッジと前記平衡不平衡変成器
   とを収容するＲＦハウジングと、を備えて成るＳパラメ
   ータ測定用の試験用セット。
3. （３）ＲＦ信号源と、 試験ポートを通して被試験装置の第１ポートへ供給され
   る試験信号と前記被試験装置からの反射信号とを分離す
   るためのものであって、前記反射信号と前記試験信号と
   を分離して該反射信号を結合ポートに供給する第１方向
   性ブリッジと、前記試験信号と前記反射信号とを分離し
   て該試験信号を基準ポートに供給する第２方向性ブリッ
   ジと、ＲＦ信号源ポートを通してＲＦ信号源からの不平
   衡入力を受信し、個別の平衡入力を前記第１方向性ブリ
   ッジと前記第２方向性ブリッジとに供給する二重平衡不
   平衡変成器手段と、 を備えた試験用セットと、 前記基準ポートに結合されて前記試験信号を測定する第
   １サンプラと、 前記結合ポートに結合されて前記反射信号を測定する第
   ２サンプラと、 を備えたＳパラメータ測定用装置。