JPH033705A - ウェハ研磨装置 - Google Patents
ウェハ研磨装置Info
- Publication number
- JPH033705A JPH033705A JP1132764A JP13276489A JPH033705A JP H033705 A JPH033705 A JP H033705A JP 1132764 A JP1132764 A JP 1132764A JP 13276489 A JP13276489 A JP 13276489A JP H033705 A JPH033705 A JP H033705A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- roller
- orientation flat
- edge
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はLSI等のりソグラフィ技術に関し、特にオ
リエンテーションフラットのエツジを研磨するためのウ
ェハ研磨装置に関する。
リエンテーションフラットのエツジを研磨するためのウ
ェハ研磨装置に関する。
イオンビームリソグラフィと電子ビームリソグラフィに
おける問題の1つとして表面帯電現象がある。この現象
は、ウェハのパターン露光に用いる荷電粒子の衝撃によ
って生じる。
おける問題の1つとして表面帯電現象がある。この現象
は、ウェハのパターン露光に用いる荷電粒子の衝撃によ
って生じる。
ウェハが正しく接地されていない場合には、露光時にウ
ェハの表面に荷電粒子が蓄積され、粒子ビームのゆがみ
の原因となる。この粒子ビームのゆがみは、露光された
ウェハにレジストエラーやパターンエラーを引き起こす
。
ェハの表面に荷電粒子が蓄積され、粒子ビームのゆがみ
の原因となる。この粒子ビームのゆがみは、露光された
ウェハにレジストエラーやパターンエラーを引き起こす
。
ウェハ裏面のエツチングは、通常、露光前に行われる。
電気的接続は、ウェハステージを通してウェハ裏面に対
して行われる。
して行われる。
従来のウェハのエツチング方法は、ウェハの裏面に対し
てエツチングを行うものであった。
てエツチングを行うものであった。
最も普通のエツチング方法として、エツチング液の表面
にウェハを浮かす方法がとられている。
にウェハを浮かす方法がとられている。
これにより、ウェハステージとウェハとの間で確実に行
われるべき電気的接続の妨げとなる絶縁物質をウェハ裏
面から除去している。
われるべき電気的接続の妨げとなる絶縁物質をウェハ裏
面から除去している。
近年、電子ビームリソグラフィが進歩し、ウェハ裏面を
通じての電気的接続からウェハのエツジを通じての電気
的接続へと代わろうとしている。
通じての電気的接続からウェハのエツジを通じての電気
的接続へと代わろうとしている。
従って前述した従来のエツチング技術では、十分ではな
い。即ち、ウェハのオリエンテーションフラットのエツ
ジを十分にエツチングし又は研磨しうるものではなかっ
た。
い。即ち、ウェハのオリエンテーションフラットのエツ
ジを十分にエツチングし又は研磨しうるものではなかっ
た。
この発明の目的は、前記従来の課題を解決するために、
ウェハのオリエンテーションフラッI・のエツジを十分
研磨可能なウェハ研磨装置を提供することにある。
ウェハのオリエンテーションフラッI・のエツジを十分
研磨可能なウェハ研磨装置を提供することにある。
この発明は、オリエンテーションフラットのエツジを水
平にそろえた複数のウェハを収納するバスケットと、ウ
ェハをバスケット内に固定するウェハ止めと、オリエン
テーションフラットのエツジを研磨するためのローラケ
ージとを備えるウェハ研磨装置であって、 前記ローラケージは、オリエンテーションフラットのエ
ツジ研磨用のローラと、回転するこのローラをオリエン
テーションフラット上でエツジ方向に案内するローラガ
イドとを有してなることを特徴とする。
平にそろえた複数のウェハを収納するバスケットと、ウ
ェハをバスケット内に固定するウェハ止めと、オリエン
テーションフラットのエツジを研磨するためのローラケ
ージとを備えるウェハ研磨装置であって、 前記ローラケージは、オリエンテーションフラットのエ
ツジ研磨用のローラと、回転するこのローラをオリエン
テーションフラット上でエツジ方向に案内するローラガ
イドとを有してなることを特徴とする。
この発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の一実施例に係るウェハ研磨装置の一
部切り欠き斜視図である。
部切り欠き斜視図である。
ウェハ研磨装置は、バスケット1と、このバスケット1
内に設けられる一対のウェハ止め2.3と、バスケット
1に収納されるウェハ4の上に配するローラケージ5と
によりなる。
内に設けられる一対のウェハ止め2.3と、バスケット
1に収納されるウェハ4の上に配するローラケージ5と
によりなる。
バスケット1の容積は、少なくとも立状並列に25枚の
ウェハ4を収納できる大きさに設定しである。
ウェハ4を収納できる大きさに設定しである。
ウェハ止め2,3は、バスケット1に収納されたウェハ
4を回転しないように両側から押さえて固定するための
ものである。
4を回転しないように両側から押さえて固定するための
ものである。
ローラケージ5は、枠体でなり、ローラ6を回転可能に
支持するためのものである。ローラ6は、ウェハ研磨用
のものであり、ローラケージ5に設けられた平行な一対
のローラガイド7.8によってその両端が回転可′能に
支持されている。このローラ6の端部には、ギヤ6aが
取り付けられている。ローラ6の表面は、研磨用の砂粒
で覆われ°ζいる。
支持するためのものである。ローラ6は、ウェハ研磨用
のものであり、ローラケージ5に設けられた平行な一対
のローラガイド7.8によってその両端が回転可′能に
支持されている。このローラ6の端部には、ギヤ6aが
取り付けられている。ローラ6の表面は、研磨用の砂粒
で覆われ°ζいる。
次に、この実施例の研磨動作について説明する。
先ず、25枚のウェハ4をバスケット1に同時に収納す
る。このとき、ウェハ4を平行にしかつオリエンテーラ
9ンフラツト4aのエツジが水平にそろうように位置決
めする。この位置決め後、バスケット1の内側とウェハ
4の周縁との間にウェハ止め2,3を挿入し、ウェハ4
が動かないように固定する。
る。このとき、ウェハ4を平行にしかつオリエンテーラ
9ンフラツト4aのエツジが水平にそろうように位置決
めする。この位置決め後、バスケット1の内側とウェハ
4の周縁との間にウェハ止め2,3を挿入し、ウェハ4
が動かないように固定する。
次いで、ローラケージ5をウェハ4の上に冠せ、そのロ
ーラ6がオリエンテーションフラット4aのエツジに当
接するように置く。この状態からギヤ6aの回転を介し
てローラ6を回転させる。ローラ6は、ローラガイド7
に案内されてオリエンテーションフラット4aのエツジ
上を回転しながら往復する。この結果、オリエンテーシ
ョンフラット4aのエツジがローラ6によって研磨され
る。
ーラ6がオリエンテーションフラット4aのエツジに当
接するように置く。この状態からギヤ6aの回転を介し
てローラ6を回転させる。ローラ6は、ローラガイド7
に案内されてオリエンテーションフラット4aのエツジ
上を回転しながら往復する。この結果、オリエンテーシ
ョンフラット4aのエツジがローラ6によって研磨され
る。
このウェハ4によるデバイスの効果は、前記研磨後にそ
のオリエンテーションフラット4aのエツジを検査する
ことにより明らかになる。
のオリエンテーションフラット4aのエツジを検査する
ことにより明らかになる。
第2図はその検査結果を示すグラフであり、オリエンテ
ーションフラット4aのエツジに沿って測定した抵抗値
をローラ6の往復研磨回数の関数としてプロットしたも
のである。但し、1往復研磨回数は、ローラ6をローラ
ガイド7.8の一方端から他方端まで回転させた後、再
度もとの位置まで回転させながら戻した状態をいうもの
とする。
ーションフラット4aのエツジに沿って測定した抵抗値
をローラ6の往復研磨回数の関数としてプロットしたも
のである。但し、1往復研磨回数は、ローラ6をローラ
ガイド7.8の一方端から他方端まで回転させた後、再
度もとの位置まで回転させながら戻した状態をいうもの
とする。
一般に、研磨しない場合のオリエンテーションフラット
4aのエツジ抵抗は、絶縁物質の付着によって無限大の
値となる。
4aのエツジ抵抗は、絶縁物質の付着によって無限大の
値となる。
研磨した場合のエツジ抵抗は、オリエンテーションフラ
ット4aのエツジから絶縁物質をローラ6が除去するこ
とから、図に示すように、往復研磨回数に従って減少し
でいく。
ット4aのエツジから絶縁物質をローラ6が除去するこ
とから、図に示すように、往復研磨回数に従って減少し
でいく。
図の曲線が示すように、エツジ抵抗の変化は、往復研磨
回数だけでなく、ローラ6表面の砂粒密度の大きさによ
っても異なる。砂粒密度は、研磨力の重要な要素だから
である。
回数だけでなく、ローラ6表面の砂粒密度の大きさによ
っても異なる。砂粒密度は、研磨力の重要な要素だから
である。
図に示すように、500grit (グリント)とい
う粗い砂粒を用いた場合には、オリエンテーションフラ
ット4aのエツジから絶縁物質を除去するに必要な往復
研磨回数が非常に少なくてすむ。
う粗い砂粒を用いた場合には、オリエンテーションフラ
ット4aのエツジから絶縁物質を除去するに必要な往復
研磨回数が非常に少なくてすむ。
また、このグラフから、オリエンテーションフラン)4
aのエツジから絶縁物を除去するには、500grit
の砂粒密度のローラ6によって5〜10往復研磨回数の
研磨を行えば十分であることがわかる。
aのエツジから絶縁物を除去するには、500grit
の砂粒密度のローラ6によって5〜10往復研磨回数の
研磨を行えば十分であることがわかる。
研磨したウェハ4と研磨しなかったウェハ4について、
ウェハ4の位置決め状態における帯電効果の試験を行っ
た。
ウェハ4の位置決め状態における帯電効果の試験を行っ
た。
第3図はその試験結果を示すグラフであり、第3図(a
)はウェハ4を研磨しなかった場合のアライメンI・マ
ーク走査信号(八Iiにnment Mark Sca
nSignal)を示し、第3図(1))は研磨した場
合のアライメン1へマーク走査信号を示す。
)はウェハ4を研磨しなかった場合のアライメンI・マ
ーク走査信号(八Iiにnment Mark Sca
nSignal)を示し、第3図(1))は研磨した場
合のアライメン1へマーク走査信号を示す。
この図によれば、オリエンテーションフラット4aのコ
ニノジを研磨すると、プライメン1−マーク走査信号中
に生じるウェハの背面雑音が、研磨しなかった場合に比
して著しく減少していることがわかる。
ニノジを研磨すると、プライメン1−マーク走査信号中
に生じるウェハの背面雑音が、研磨しなかった場合に比
して著しく減少していることがわかる。
従って、研磨されたオリエンテーションフランh4aの
エツジを通し゛ζ電気的接続を行うことにより、パター
ン露光中に生しるウェハ表面の帯電を防止することがで
きる。
エツジを通し゛ζ電気的接続を行うことにより、パター
ン露光中に生しるウェハ表面の帯電を防止することがで
きる。
(発明の効果〕
この発明のウェハ研磨装置は以」二説明したように構成
されているため、ウェハのオリエンテーションフラット
エツジから絶縁物質を十分除去することができ、この結
果ウェハに対する良好な電気的接続を行うことができる
効果がある。
されているため、ウェハのオリエンテーションフラット
エツジから絶縁物質を十分除去することができ、この結
果ウェハに対する良好な電気的接続を行うことができる
効果がある。
また、このウェハ研磨装置によってウェハのオリエンテ
ーションフラン)・エツジを25枚まとめて研磨するこ
とができるため、半導体装置の生産向上を図ることがで
きる。
ーションフラン)・エツジを25枚まとめて研磨するこ
とができるため、半導体装置の生産向上を図ることがで
きる。
第1図はこの発明の一実施例に係るウェハ研磨装置の一
部切り欠き斜視図、 第2図は第1図のウェハ研磨装置〃で研磨されたウェハ
のエツジ抵抗と往復研磨回数との関係を示すグラフ、 第3図(a)、(b)は研磨されないウェハのアライメ
ントマーク走査信号、研磨されたウェハのアライメント
マーク走査信号を示す閃である。 1・・・・・バスケット 23・・・ウェハ止め 4・・・・・ウェハ 4a・・・・オリエンテーションフランI・5・・ ・
・・ローラケージ 6・・・・・ローラ 7.8・ ・ ・ローラガイド
部切り欠き斜視図、 第2図は第1図のウェハ研磨装置〃で研磨されたウェハ
のエツジ抵抗と往復研磨回数との関係を示すグラフ、 第3図(a)、(b)は研磨されないウェハのアライメ
ントマーク走査信号、研磨されたウェハのアライメント
マーク走査信号を示す閃である。 1・・・・・バスケット 23・・・ウェハ止め 4・・・・・ウェハ 4a・・・・オリエンテーションフランI・5・・ ・
・・ローラケージ 6・・・・・ローラ 7.8・ ・ ・ローラガイド
Claims (1)
- (1)オリエンテーションフラットのエッジを水平にそ
ろえた複数のウェハを収納するバスケットと、ウェハを
バスケット内に固定するウェハ止めと、オリエンテーシ
ョンフラットのエッジを研磨するためのローラケージと
を備えるウェハ研磨装置であって、 前記ローラケージは、オリエンテーションフラットのエ
ッジ研磨用のローラと、回転するこのローラをオリエン
テーションフラット上でエッジ方向に案内するローラガ
イドとを有してなることを特徴とするウェハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132764A JPH033705A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ウェハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132764A JPH033705A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ウェハ研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033705A true JPH033705A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15089009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132764A Pending JPH033705A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | ウェハ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990074542A (ko) * | 1998-03-12 | 1999-10-05 | 윤종용 | 액정 표시 패널 연마 장치 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1132764A patent/JPH033705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990074542A (ko) * | 1998-03-12 | 1999-10-05 | 윤종용 | 액정 표시 패널 연마 장치 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
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