JPH0335557A - Manufacture of color filter - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、カラーフィルタの製造方法に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a color filter.
第２図は特開昭６１−１６４２５８号公報に示された従
来のカラーフィルタの製造方法を示す断面図であり、図
において、１は半導体基板、４はスクライブ線（ダイシ
ング線）、５は平坦化層、６は第１色目の染色樹脂層、
７は中間層、８は第２色目の染色樹脂層、９は保護層、
１０はフォトレジスト層、１１はＤｅｅｐ ＵＶ感光領
域、１３は第３の染色樹脂層である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional color filter manufacturing method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-164258. In the figure, 1 is a semiconductor substrate, 4 is a scribe line (dicing line), and 5 is a flat surface. layer, 6 is the dyed resin layer of the first color,
7 is an intermediate layer, 8 is a second color dyed resin layer, 9 is a protective layer,
10 is a photoresist layer, 11 is a deep UV sensitive area, and 13 is a third dyed resin layer.
また、第３図は特開昭６２−２９９０７０号公報に示さ
れたもので、これはスクライブ部の凹部４を高分子樹脂
材で埋めたもので、そのため平坦化パターン２が設けら
れている。その他は上記と同様、５は平坦化層、６は第
１色目の染色樹脂層、７は中間層、８は第２色目の染色
樹脂層、９は保ａ１層である。また、３１はｐ型シリコ
ン基板、３２はｐｎ接合フォトダイオード、３３はパッ
シベーション膜である。Further, FIG. 3 is shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-299070, in which the recess 4 of the scribe portion is filled with a polymeric resin material, and therefore a flattening pattern 2 is provided. The rest is the same as above, 5 is a flattening layer, 6 is a first color dyed resin layer, 7 is an intermediate layer, 8 is a second color dyed resin layer, and 9 is a protective a1 layer. Further, 31 is a p-type silicon substrate, 32 is a pn junction photodiode, and 33 is a passivation film.
これら従来技術におけるカラーフィルタの製造フローに
ついて説明する。The manufacturing flow of color filters in these conventional techniques will be described.
第２図において、半導体基板１上にまず平坦化層５が形
成され（第２図（ａ）参照）、次いで被染色材がコート
され、リソグラフィーの手法により所望のパターンが形
成される。それを染色したものが第１色目の染色樹脂［
６である（第２図（ｂ）参照）このフローを繰返して第
２図（ｄ）を作る。次いで平坦化層５．中間層７．保護
層９を除去するためにマスクとなるフォトレジスト層ｌ
Ｏを形成する（第２図（ｅ）参照）。これをマスクとし
てＤｅｅｐ ｔｌＶ光を照射してポンディングパッド（
第１図の３に相当、第２図には図示せず）及びスクライ
ブ線４に沿ってポジレジストｌＯを除去する。こうして
できたのが第２図（ｆ）である。In FIG. 2, a flattening layer 5 is first formed on the semiconductor substrate 1 (see FIG. 2(a)), then a material to be dyed is coated, and a desired pattern is formed by a lithography method. The dyed material is the first colored dyed resin [
6 (see FIG. 2(b)).This flow is repeated to create FIG. 2(d). Next, planarization layer 5. Middle class 7. A photoresist layer l serving as a mask for removing the protective layer 9
form O (see Figure 2(e)). Using this as a mask, irradiate the deep tlV light and attach the bonding pad (
The positive resist lO is removed along the scribe line 4 (corresponding to 3 in FIG. 1, not shown in FIG. 2) and the scribe line 4. The result shown in FIG. 2(f) is shown in FIG.
第３図は上述の第２図で説明したフィルタ工程に入る前
にスクライブ線４に高分子樹脂を使い、平坦化パターン
２を形成したものである。その後の工程は第２図と同様
である。In FIG. 3, a flattened pattern 2 is formed using a polymer resin for the scribe lines 4 before entering the filtering process described in FIG. 2 above. The subsequent steps are similar to those shown in FIG.
従来のカラーフィルタの製造方法ではポンディングパッ
ド及びスクライブ線４を抜くためにフォトレジスト層１
０の形成工程及び除去工程が必要であるという問題があ
った。また、平坦化パターン２があるときはスクライブ
線４上には厚い樹脂層（２＋５＋７＋９）があり、これ
をドライエツチングで抜くためには厚いフォトレジスト
層１０が必要となり、パターンの形成上において加工精
度が良くないという問題があった。In the conventional color filter manufacturing method, in order to remove the bonding pads and scribe lines 4, the photoresist layer 1 is
There was a problem in that a zero formation process and a removal process were required. In addition, when there is a flattened pattern 2, there is a thick resin layer (2+5+7+9) on the scribe line 4, and in order to remove this by dry etching, a thick photoresist layer 10 is required, and processing accuracy is required in pattern formation. The problem was that it was not good.
この発明は上記のような従来のものの問題点を解消する
ためになされたもので、樹脂層の加工精度を向上できる
とともに工程を簡略化できるカラーフィルタの製造方法
を得ることを目的とする。This invention was made to solve the problems of the conventional products as described above, and aims to provide a color filter manufacturing method that can improve the processing accuracy of the resin layer and simplify the process.
この発明に係るカラーフィルタの製造方法は、シリコン
ラダーポリマを、カラーフィルタの構成材料、又は平坦
化カラーパターン、フォトレジスト層等のカラーフィル
タ工程中の加工用材料またはフィルタの構成材料に使用
するようにしたものである。The method for producing a color filter according to the present invention uses a silicon ladder polymer as a constituent material of a color filter, a material for processing during a color filter process such as a flattened color pattern, a photoresist layer, or a constituent material of a filter. This is what I did.
本発明において用いるシリコンラダーポリマは無機ポリ
マであり、酸素プラズマによるドライエッチ耐性がフォ
トレジスト（有機ポリマ）より優れており、また透明で
ある。これをエツチング用マスクとして用いた時にはエ
ツチングが容易で、工程終了後にシリコンラダーポリマ
を剥離する必要がなく、フィルタ工程が簡略化できる。The silicon ladder polymer used in the present invention is an inorganic polymer, has better resistance to dry etching by oxygen plasma than photoresist (organic polymer), and is transparent. When this is used as an etching mask, etching is easy, there is no need to peel off the silicon ladder polymer after the process is completed, and the filter process can be simplified.
またこれは透明であるためフィルタの構成材料として使
用することもでき、かつこれを他の工程におけるマスク
としても使用できる。Furthermore, since it is transparent, it can be used as a constituent material for filters, and it can also be used as a mask in other processes.
以下、この発明の実施例を図について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例によるカラーフィルタの製
造方法を示す０図において、半導体基板１上にスクライ
ブ線４、およびそれを埋めている平坦化パターン２が設
けられている（第１図（ａ）参照）、その上に順次、平
坦化層５．第１色目の染色樹脂層６．中間層７．第２色
目の染色樹脂層８゜保護層９が設けられており（第１図
（ｂ）参照）、さらにその上にシリコンラダーポリマ１
２のパターンが形成されている。そして上記平坦化パタ
ーン２、平坦化層５．中間層７．保１１１１９は有機ポ
リマからなっている。FIG. 1 shows a method of manufacturing a color filter according to an embodiment of the present invention. In FIG. (a)), and a planarization layer 5. First color dyed resin layer 6. Middle class 7. A second color dyed resin layer 8° protective layer 9 is provided (see Fig. 1(b)), and a silicon ladder polymer 1
Two patterns are formed. Then, the planarization pattern 2, the planarization layer 5. Middle class 7. 11119 is made of organic polymer.
次に本製造方法について説明する０本発明で用いるシリ
コンラダーポリマとしては、特開昭５７＝１８７２９号
公報でその製造方法が示されているポリフェニルシルセ
スオキサン（ＰＰＳＱと略す）などが適当である。Next, the present manufacturing method will be explained. As the silicon ladder polymer used in the present invention, polyphenylsilsesoxane (abbreviated as PPSQ), the manufacturing method of which is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 18729, is suitable. It is.
第１図（ａ）の状態から、有機ポリマを使用して中間Ｉ
１１．第２色目の染色樹脂層８．保護層９を積層する（
第１図（ｂ）参照）。From the state shown in Figure 1(a), an intermediate I is created using an organic polymer.
11. Second color dyed resin layer 8. Laminating the protective layer 9 (
(See Figure 1(b)).
次いでシリコンラダーポリマを１μｍ塗布した後、通常
のノボラック系ポジレジストを用いて所望のパターンを
形成した後、ポジレジストパターンをマスクとしてアニ
ーソール（キシレンとのン昆合溶媒が好ましい）を用い
てウェットエツチングしてパターニングを行う。そして
このシリコンラダーポリマ１２を使用してダイシングラ
イン４上。Next, after applying 1 μm of silicon ladder polymer, a desired pattern is formed using a normal novolac positive resist, and then wet is applied using anisol (preferably a solvent mixed with xylene) using the positive resist pattern as a mask. Perform etching and patterning. Then, use this silicon ladder polymer 12 on the dicing line 4.
及びポンディングパッド３上を抜いたパターンを形成す
る（第１図（Ｃ）参照）。Then, a pattern is formed excluding the top of the bonding pad 3 (see FIG. 1(C)).
次に酸素プラズマを用いて保護層９．中間層７゜平坦化
層５．平坦化パターン２をエツチングにより除去する（
第１図（ｄ）参照）ことにより、本カラーフィルタが完
成する。シリコンラダーポリマはこのドライエッチの際
にエツチングされにくいため薄い膜厚でよく、従って加
工精度を向上でき、しかも透明のため工程終了後に剥離
する必要がないためフィルタ工程が簡単になる。A protective layer 9. is then applied using oxygen plasma. Intermediate layer 7° flattening layer 5. Remove the flattened pattern 2 by etching (
(see FIG. 1(d)), this color filter is completed. The silicon ladder polymer is not easily etched during this dry etching process, so a thin film can be used, which improves processing accuracy.Furthermore, since it is transparent, there is no need to peel it off after the process is completed, which simplifies the filtering process.
次にこの発明の第２の実施例を第４図について説明する
。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
上記第１の実施例では平坦化パターン２に有機ポリマを
使用したが、これにシリコンラダーポリマを用いても良
い。この場合、上記実施例で行ったように酸素プラズマ
による除去は平坦化層５まで行い、平坦化パターン（シ
リコンラダーポリマ）２の除去は溶解除去により行う。In the first embodiment, an organic polymer is used for the flattening pattern 2, but a silicon ladder polymer may also be used. In this case, the removal by oxygen plasma is performed up to the planarization layer 5 as in the above embodiment, and the removal of the planarization pattern (silicon ladder polymer) 2 is performed by dissolution.
即ち、まず第４図（ａ）は第１図（Ｃ）と同じようにシ
リコンラダーポリマのパターン１２を形成したものであ
る。平坦化パターン２は本第２の実施例においてはシリ
コンラダーポリマによってできている。That is, first, in FIG. 4(a), a silicon ladder polymer pattern 12 is formed in the same manner as in FIG. 1(C). The planarization pattern 2 is made of silicon ladder polymer in this second embodiment.
次に酸素プラズマによって保護層９．中間Ｊｌｉ７゜平
坦化層５を抜く（第４図（ｂ）参照）。A protective layer 9 is then applied with oxygen plasma. The intermediate Jli7° flattening layer 5 is removed (see FIG. 4(b)).
最後にシリコンラダーポリマでできた平坦化パターン２
を溶解除去しく第４図（Ｃ）参照）、本カラーフィルタ
を完成する。Finally, flattened pattern 2 made of silicon ladder polymer
(see FIG. 4(C)) to complete the present color filter.
この場合、スクライブラインに相当する凹部にシリコン
ラダーポリマを埋め込むようにしたので、この平坦化層
の除去をウェットエツチングで容易に行なうことができ
る。In this case, since the silicon ladder polymer is embedded in the recesses corresponding to the scribe lines, the flattening layer can be easily removed by wet etching.
次にこの発明の第３の実施例を第５図について説明する
。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
本第３の実施例では、平坦化層５．中間層７゜保護層９
にシリコンラダーポリマを用い、また平坦化パターン２
に有機ポリマを使用しており、この場合は、まずシリコ
ンラダーポリマを溶解除去するためのポジレジストｌＯ
を形成する（第５図（ａ）参照）。In the third embodiment, the planarization layer 5. Intermediate layer 7゜Protective layer 9
A silicon ladder polymer is used for the flattening pattern 2.
In this case, a positive resist lO is used to dissolve and remove the silicon ladder polymer.
(see FIG. 5(a)).
次いで上記溶解除去を行う（第５図（ｂ）参照）。Next, the above-mentioned dissolution and removal is performed (see FIG. 5(b)).
次にポジレジストＩＯを剥離して酸素プラズマで平坦化
パターン２を除去する（第５図（Ｃ）参照）。Next, the positive resist IO is peeled off and the planarized pattern 2 is removed using oxygen plasma (see FIG. 5(C)).
この場合、シリコンラダーポリマが透明であることを利
用して平坦化層５．中間層７．保護層９を構成するフィ
ルタ部材として使用でき、またシリコンラダーポリマが
酸素プラズマに対して耐性があるので新たにマスクを形
成する必要はない。In this case, using the transparency of the silicon ladder polymer, the planarization layer 5. Middle class 7. It can be used as a filter member constituting the protective layer 9, and since the silicon ladder polymer is resistant to oxygen plasma, there is no need to form a new mask.
以上のように、この発明に係るカラーフィルタの製造方
法によれば、カラーフィルタの構成材料又は加工用材料
にシリコンラダーポリマを使用したので、エツチングが
容易で加工精度が良いパターンが得られる効果がある。As described above, according to the method for manufacturing a color filter according to the present invention, since silicon ladder polymer is used as the constituent material or processing material of the color filter, it is possible to obtain a pattern that is easy to etch and has good processing accuracy. be.
第１図は本発明の一実施例によるカラーフィルタの製造
方°法を示す図で、第１図（ａ）は平坦化層を形成した
状態を示す図、第１図（ｂ）はフィルタの積層を完了し
た状態を示す図、第１図（Ｃ）はエツチングマスクとな
るシリコンラダーポリマのパターンを形成した状態を示
す図、第１図（ｄ）はエツチング後の完成した状態をそ
れぞれ示す図である。
第２図は第１の従来例のフォトレジストを用いてエツチ
ングした状態を示す図である。
第３図はスクライブ線を平坦化パターンで埋めてからフ
ィルタの積層を行なう第２の従来例を示す図である。
第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。
第５図は本発明の第３の実施例を示す図である。
図において、ｌは半導体基板、２は平坦化パターン、３
はポンディングパッド、４はスクライブ線、５は平坦化
層、６は第１色目の染色樹脂層、７は中間層、８は第２
色目の染色樹脂層、９は保護層、１０はフォトレジスト
層、１１はＤｅｅｐ ｕＶ感光領域、１２はシリコンラ
ダーポリマ、１３は第３色目の染色樹脂層である。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing a color filter according to an embodiment of the present invention. FIG. 1(a) is a diagram showing a state in which a flattening layer has been formed, and FIG. FIG. 1(C) is a diagram showing the state in which the lamination has been completed, FIG. 1(C) is a diagram showing the state in which a pattern of silicon ladder polymer that will serve as an etching mask has been formed, and FIG. 1(d) is a diagram showing the completed state after etching. It is. FIG. 2 is a diagram showing the state of etching using the first conventional photoresist. FIG. 3 is a diagram showing a second conventional example in which filters are stacked after filling scribe lines with a flattening pattern. FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. In the figure, l is a semiconductor substrate, 2 is a flattened pattern, and 3 is a semiconductor substrate.
is a bonding pad, 4 is a scribe line, 5 is a flattening layer, 6 is a dyed resin layer of the first color, 7 is an intermediate layer, 8 is a second color
9 is a protective layer, 10 is a photoresist layer, 11 is a deep uV photosensitive area, 12 is a silicon ladder polymer, and 13 is a third color dyed resin layer. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (4)
ルタを形成する際、 カラーフィルタの加工用材料、又はカラーフィルタの構
成材料としてシリコンラダーポリマを用いたことを特徴
とするカラーフィルタの製造方法。(1) Manufacture of a color filter characterized in that a silicon ladder polymer is used as a material for processing the color filter or a constituent material of the color filter when the color filter is formed on a semiconductor substrate on which a light receiving part etc. are formed. Method.
ルタを形成する際、 カラーフィルタの平坦化パターン、平坦化層、中間層、
保護層を有機ポリマで形成し、 この有機ポリマを加工するマスク材料としてシリコンラ
ダーポリマを用いたことを特徴とする請求項１記載のカ
ラーフィルタの製造方法。(2) When forming a color filter on a semiconductor substrate on which a light receiving part etc. are formed, the flattening pattern of the color filter, the flattening layer, the intermediate layer,
2. The method of manufacturing a color filter according to claim 1, wherein the protective layer is formed of an organic polymer, and a silicon ladder polymer is used as a mask material for processing the organic polymer.
ルタを形成する際、 基板の凹部を埋める加工をする材料としてシリコンラダ
ーポリマを使用し、 カラーフィルタを構成する平坦化層、中間層、保護層の
透明材料として透明有機ポリマを使用したことを特徴と
する請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。(3) When forming a color filter on a semiconductor substrate on which a light receiving part etc. are formed, silicon ladder polymer is used as a processing material to fill the recesses of the substrate, and the flattening layer, intermediate layer, 2. The method of manufacturing a color filter according to claim 1, wherein a transparent organic polymer is used as the transparent material of the protective layer.
ルタを形成する際に、 一基板の凹部を埋める材料として有機ポリマを使用し、 カラーフィルタを構成する平坦化層、中間層、保護層の
透明材料としてシリコンラダーポリマを使用したことを
特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。(4) When forming a color filter on a semiconductor substrate on which a light receiving part etc. are formed, an organic polymer is used as a material to fill the recesses of one substrate, and the flattening layer, intermediate layer, and protective layer that make up the color filter are used. 2. The method of manufacturing a color filter according to claim 1, wherein a silicon ladder polymer is used as the transparent material.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1171559A JPH0335557A (en) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | Manufacture of color filter |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP1171559A JPH0335557A (en) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | Manufacture of color filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0335557A true JPH0335557A (en) | 1991-02-15 |
Family
ID=15925384
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1171559A Pending JPH0335557A (en) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | Manufacture of color filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335557A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521771A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Sharp Corp | Solid image pick-up element and its manufacture |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613120A (en) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | Device for color liquid crystal display |
| JPS61256731A (en) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS62190871A (en) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of color solid-state image pickup device |
| JPS62299070A (en) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of color solid-state image pickup device |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP1171559A patent/JPH0335557A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613120A (en) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | Device for color liquid crystal display |
| JPS61256731A (en) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS62190871A (en) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of color solid-state image pickup device |
| JPS62299070A (en) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of color solid-state image pickup device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521771A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Sharp Corp | Solid image pick-up element and its manufacture |
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