JPH0334543A - 半導体ウエハの当板固着方法 - Google Patents

半導体ウエハの当板固着方法

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JPH0334543A
JPH0334543A JP16921389A JP16921389A JPH0334543A JP H0334543 A JPH0334543 A JP H0334543A JP 16921389 A JP16921389 A JP 16921389A JP 16921389 A JP16921389 A JP 16921389A JP H0334543 A JPH0334543 A JP H0334543A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
adhesive
semiconductor wafers
parallel
plate
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Application number
JP16921389A
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Tsutomu Sato
勉 佐藤
Akio Kasahara
笠原 晶夫
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Naoetsu Electronics Co Ltd
Original Assignee
Naoetsu Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野1 本発明は、半導体ウェハの当板固着方法に関する。
さらに詳しくは、トランジスタ、ダイオード等のディス
クリート素子(個別素子〉等として利用されるシリコン
(St)単結晶の円板形等からなる半導体ウェハからデ
ィスクリート素子用基板を製造する際に、半導体ウェハ
を2分割切断工作する工程において半導体ウェハの周縁
へ当板を固着する方法に関する。
[従来の技術] 従来、本出願人は、シリコン単結晶の消耗低減等を目的
として、中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡
散層を有し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有
する半導体ウェハを、厚み巾の略中心部から切断し、各
半導体ウェハの夫々の切断面を新な不純□物を拡散する
ための不純物未拡散層とするディスクリート素子用基板
の製造方法等を先に提案している(特願昭63−126
591号)。
さらに、前記製造方法等における半導体ウェハの切断工
作について、工作効率の確保、切断端の損傷防止等を目
的として、半導体ウェハの周縁に当板を固着して行なう
技術についても先に提案している(特願平   号)。
従来、前述の本出願人の先提案において、半導体ウェハ
の周縁に当板を固着する手段としては、例えばウェハキ
ャリアに並列した半導体ウェハの周縁上部に当板を一枚
づつ接着剤で固着していくことが行なわれている。
[発明が解決しようとする課題] 前述の従来の半導体ウェハの周縁に当板を固着する手段
では、第4図に示すように接着剤Cが硬化する゛までに
半導体ウェハWに対して当板Pが傾倒してしまい固着強
度不足や寸法精度の誤差が生じたり、第5図に示すよう
に接着剤Cが半導体ウェハW側に流下してしまい汚損が
生じたりして、固着工作の仕上がりが不良となるという
問題点を有している。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的は、固着工作の仕上りが良好な半導
体ウェハの当板固着方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段」 前述の目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェハ
の当板固着方法は、中央部に不純物が拡散されていない
不純物末拡rlImを有し両面に不純物が拡散された不
純物拡散層を有する半導体ウェハと、この半導体ウェハ
よりも径の大きな中間板とを交互に並列して並列方向か
ら加圧した後、接着剤を塗布した当板を中間板の藺から
挾入して半導体ウェハの周縁に固着し、または半導体ウ
ェハの周縁に接着剤を塗布して当板を中間板の間から挾
入して固着する手段を採用する。
[作用] 前述の手段によると、半導体ウェハよりも径の大きな中
間板が半導体ウェハ、当板の双方を並列規制することか
ら、半導体ウェハ、当板が傾倒等することなく正確な姿
勢で5触し固着されるため、傾倒等による固着強度不足
や寸法精度の誤差が生じることはなくなる。さらに、半
導体ウェハの両面に中間板が圧接していることから、接
着剤が流出しても半導体ウェハ側(両面)に流下るのを
中間板によって阻止され、半導体ウェハを汚損すること
が防止される。このため、固着工作の仕上りが良好な半
導体ウェハの当板固着方法を提供するという目的が達成
される。
[実施例] 以下、本発明に係る半導体ウェハの当板固着方法の実施
例を第1図〜第3図に基いて説明する。
この実施例では、第1図、第2図に示すように、まず半
導体ウェハWとこの半導体ウェハWよりも径の大きな中
間板1とを交互に当接し、これ等を逆台形の溝2′を有
する基台2に並列する。この並列の両側端には、中間板
1が位置するようにしておく。なお、この半導体ウェハ
Wは、シリコン単結晶の円板形等からなり、中央部に不
純物が拡散されていない不純物未拡散層を有し両面に不
純物が拡散された不純物拡散層を有するものである。
また、この中間板1は、接着剤Cの影響を受けないよう
な材質(例えば、四ふっ化エチレン樹脂〉で形成されて
おり、半導体ウェハWの全面に当接する形状に形成され
ている。また、この基台2は、適当な材質で形成するこ
とができるが、好ましくは中間板1と同様接着剤Cの影
響を受けないような材質で形成する。
次に、並列されている半導体ウェハW、中間板1の両側
端にさらに加圧板3を並列する。この加圧板3は、適当
な材質で形成することができるが、好ましくは中間板1
と同様接着剤Cの影響を受けないような材質で形成する
さらに、並列した加圧板3の両側からクランプ等で並列
方向へ加圧力を加える。この加圧は、半導体ウェハW、
中間板1の並列を規制保持し、半導体ウェハWの移動、
傾倒、ズレ等を防止すると共に、半導体ウェハW、中間
板1間の間隙を減少させ両者を近接圧接させるものであ
る。
向後、半導体ウェハWの周縁に接着剤Cを厚く塗布し、
中間板1の間に当板Pを挾入して固着する。この接着剤
Cが塗布される半導体ウェハWの周縁は、並列の上部側
が好ましくオリフィラを利用することも可能である。ま
た、予め当板Pに接着剤Cを塗布しておいて、固着する
ことも可能である。なお、この当板Pは、カーボン、シ
リコン等で形成されたものである。この接着剤Cは、前
述した当板P、半導体ウつハWの材質から、エボキシ系
樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリ
イミド系樹脂、ポリアミド系樹脂等の熱効果性樹脂接着
剤の外、ゴム系接着剤も使用することができる。
このような実施例によると、半導体ウェハWよりも径の
大きな中間板1が加圧によって半導体ウェハWを並列規
制すると共に、中間板1の間に挾入される当板Pをも並
列規制することから、半導体ウェハW、当板Pが移動、
傾倒、ズレ等することなく正確な姿勢で当触し固着され
ることになる。
このため、固着工作の仕上りにおいては、移動。
傾倒、ズレ等による固着強度不足や寸法精度の誤差が生
じることはなくなる。また、中間板1が半導体ウェハW
の全面を加圧しているため、半導体ウェハWが折損する
おそれはない。さらに、半導体ウェハWの両面に中間板
1が圧接していることから、接着剤Cが過剰等の原因等
で流出しても、半導体ウェハWの両面側に流下るのを中
間板1によって阻止され(第3図参照)、半導体ウェハ
Wを汚損することが防止される。
[発明の効果] 以上のように本発明に係る半導体ウェハの当板固着方法
は、半導体ウェハ、当板が傾倒等することなく正確な姿
勢で当触し固着されるため、傾倒等による固着強度不足
や寸法精度の誤差が生じることはなくなり、また半導体
ウェハの両面に中間板が圧接しているため、接着剤が流
出しても半導体ウェハに流下り半導体ウェハを汚損する
ことが防止される。このため、固着工作の仕上りが良好
となる効果がある。また、この効果により、本出願人の
先提案に係る半導体ウェハの切断工作を精密かつ効率的
に行なうことができる効果を生ずる。
さらに、半導体ウェハの中間板を介しての並列。
加圧を利用するため、既存工具2部材を利用して安価、
容易に実施することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体ウェハの当板固着方法の実
施例を示す正面図、第2図は第1図の側面図、第3図は
第1図の要部拡大図、第4図、第5図は従来例の問題点
を示す正面図である。 1・・・中間板 C・・・接着剤 P・・・当板 W・・・半導体ウェハ 特 許 出 願 人 直江津電子工業株式会社 第1図 第2図 −2!’>4−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡散層を有
    し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有する半導
    体ウェハと、この半導体ウェハよりも径の大きな中間板
    とを交互に接合並列して並列方向から加圧した後、接着
    剤を塗布した当板を中間板の間から挾入して半導体ウェ
    ハの周縁に固着し、または半導体ウェハの周縁に接着剤
    を塗布して当板を中間板の間から挾入して固着する半導
    体ウェハの当板固着方法。
JP1169213A 1989-06-30 1989-06-30 半導体ウエハの当板固着方法 Expired - Fee Related JPH0624201B2 (ja)

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JPH0334543A true JPH0334543A (ja) 1991-02-14
JPH0624201B2 JPH0624201B2 (ja) 1994-03-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020053146A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 구자홍 천정형 카세트 에어컨의 루버 링크 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01114044A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Toshiba Corp 半導体基板の製造方法

Patent Citations (1)

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KR20020053146A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 구자홍 천정형 카세트 에어컨의 루버 링크 장치

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