JPH03296004A - Waveguide type optical isolator - Google Patents

Waveguide type optical isolator

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JPH03296004A
JPH03296004A JP9772390A JP9772390A JPH03296004A JP H03296004 A JPH03296004 A JP H03296004A JP 9772390 A JP9772390 A JP 9772390A JP 9772390 A JP9772390 A JP 9772390A JP H03296004 A JPH03296004 A JP H03296004A
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optical
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直登 杉本
Atsushi Shibukawa
渋川 篤
Shinji Mino
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Abstract

PURPOSE:To obtain the small-sized wavelength multiplex isolator without polarization dependency by composing the multiplex optical isolator of wavelength multiplexing and demultiplexing parts, mode selection parts, a nonreciprocal mode conversion part, and a reciprocal mode converter. CONSTITUTION:This optical isolator is equipped with the wavelength multiplexing and demultiplexing parts 21 and 21' formed at the light incidence end and light projection end of quartz glass single-mode waveguides 19 and 19', two optical directional couplers 18 - 18''' formed in the quartz glass single- mode waveguides 19 and 19', and mode selection parts 7 and 7' composed of two single-mode waveguides. Further, the isolator is equipped with the nonreciprocal mode converter 8 composed of a single-mode waveguide of magnetic garnet sandwiched between the mode selection parts 7 and 7' and the reciprocal mode converter 9 which has a stress release groove 12 formed in part of a clad layer 10 to specific length along a core part 11. Consequently, the optical isolator which is small in size and inexpensive and operates with plural wavelengths at the same time and has no polarization dependency is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光通信の分野において、レーザ、光増幅器等に
不要な反射光が戻らないようにするための光アイソレー
タに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an optical isolator for preventing unnecessary reflected light from returning to lasers, optical amplifiers, etc. in the field of optical communications.

(従来の技術) 光アイソレータは、光通信の分野においてレーザ光源の
安定、線路エコーの抑制、光増幅器の雑音発生防止等の
目的に使用される重要な素子である。従来この種の素子
は、第1θ図に示すように、磁気光学結晶2と2個の偏
光子1,1′を組み合わせたバルク型と呼ばれるものが
実用に供されている。特に、コヒーレント通信等の信号
光の偏波方向に依存しない光アイソレータには、偏光子
1゜1′に複屈折性結晶のくさび形プリズムを用いた偏
波無依存型光アイソレータが用いられている。
(Prior Art) Optical isolators are important elements used in the field of optical communications for purposes such as stabilizing laser light sources, suppressing line echoes, and preventing noise generation in optical amplifiers. Conventionally, this type of element has been put into practical use as a so-called bulk type element, which combines a magneto-optic crystal 2 and two polarizers 1 and 1', as shown in FIG. In particular, optical isolators that do not depend on the polarization direction of signal light used in coherent communications, etc., use polarization-independent optical isolators that use a birefringent crystal wedge-shaped prism as a 1°1' polarizer. .

しかし、この種の光アイソレータは磁気光学結晶2およ
び偏光子1,1′が高価であるので、光アイソレータ自
体も高価になること、レンズを使ってファイバ等と結合
しているので、全体の寸法が、例えば偏波無依存型光ア
イソレータの場合で70m++X15mmX15m程度
の大型になること、レンズおよびファイバと組み合わせ
る際のアライメントが難しいことなどの欠点があった。
However, in this type of optical isolator, the magneto-optic crystal 2 and polarizers 1 and 1' are expensive, so the optical isolator itself is also expensive, and since it is coupled to a fiber etc. using a lens, the overall size However, for example, in the case of a polarization-independent optical isolator, there are drawbacks such as a large size of about 70 m++ x 15 mm x 15 m, and difficulty in alignment when combining with lenses and fibers.

ところで最近、光通信の分野において1本の光ファイバ
で伝送する情報量を増大することを目的として、光フア
イバ内を伝送する信号光の波長を多重化する波長多重通
信が提案されている。また無中継伝送距離を増大するた
めに信号光を波長の異なる励起光とともに、Er ドー
プファイバ内を伝搬させることにより、信号光強度を増
幅するErドープファイバ増幅器を用いた通信方式が提
案されている。これらの新しい通信方式には、同時に二
つ以上の波長域で動作する波長多重型の光アイソレータ
が必要である。特にEr  ドープファイバ増幅器を用
いた通信方式では、偏波無依存で、かつ波長多重型の光
アイソレータが必要である。しかし、第10図に示した
光アイソレータでは、磁気光学結晶2に用いるガーネッ
ト結晶の磁気光学特性の波長依存性が存在するので、波
長ごとに素子が動作するために必要な磁気光学結晶2の
素子長!′が異なる。このため、一つの光アイソレータ
では、例えば波長多重通信方式で使用される信号波長で
ある0、8μ腸帯、1.3μ霧帯、1.5μ蒙帯等の波
長帯や、Er ドープファイバ増幅器を用いた通信方式
で使用される励起光波長0.98μ艦帯と信号光波長1
.5μm帯の二つ以上の波長帯で、同時に十分な動作を
示すことができないという欠点があった。
Recently, in the field of optical communications, wavelength division multiplexing communication, which multiplexes the wavelengths of signal light transmitted within an optical fiber, has been proposed for the purpose of increasing the amount of information transmitted through a single optical fiber. Furthermore, in order to increase the non-repeater transmission distance, a communication system using an Er-doped fiber amplifier has been proposed, which amplifies the intensity of the signal light by propagating the signal light together with pump light of different wavelengths in an Er-doped fiber. . These new communication systems require wavelength multiplexing optical isolators that operate in two or more wavelength ranges simultaneously. In particular, communication systems using Er-doped fiber amplifiers require polarization-independent and wavelength-multiplexing optical isolators. However, in the optical isolator shown in FIG. 10, the magneto-optic properties of the garnet crystal used in the magneto-optic crystal 2 have wavelength dependence, so the elements of the magneto-optic crystal 2 necessary for the device to operate at each wavelength are Long! ′ are different. Therefore, in one optical isolator, for example, signal wavelengths used in wavelength division multiplexing communication systems, such as the 0, 8μ wavelength band, 1.3μ fog band, and 1.5μ wavelength band, and Er doped fiber amplifiers can be used. Excitation light wavelength 0.98μ carrier band and signal light wavelength 1 used in the communication method used
.. It has a drawback that it cannot simultaneously exhibit sufficient operation in two or more wavelength bands of the 5 μm band.

波長多重型光アイソレータを実現するためには、第10
図に示した光アイソレータの前に波長分波素子を形成し
、入射光を波長ごとに分離して、それぞれの波長に対し
て最適動作するように設定された単波長型光アイソレー
タに入射し、単波長型光アイソレータ出射端に形成した
波長合波素子で合波させる構成をとればよい。このよう
な波長合分波素子は、誘電体多層膜等を用いた干渉フィ
ルタとプリズムを組み合わせることにより実現でき、こ
れを用いることにより、波長多重型光アイソレータが簡
単に実現できる。しかし、このような波長多重型光アイ
ソレータは、個別部品を組み合わせたバルク型であるの
で、個別部品を組み合わせる際のアライメントが困難で
あること、レンズを使って光ファイバと結合しているの
で、光アイソレータ全体の大きさが、例えば単波長型ア
イソレータとしてバルク型光アイソレータを用いた場合
、110閣X25WIX15閣程度の大型になること等
の問題がある。一方、最近石英系導波路に光方向性結合
器を形成することにより、導波路型波長合分波素子を作
製することが提案されている(N、 Takat。
In order to realize a wavelength multiplexed optical isolator, the 10th
A wavelength demultiplexing element is formed in front of the optical isolator shown in the figure, and the incident light is separated into wavelengths and input into a single wavelength optical isolator that is set to operate optimally for each wavelength. A configuration may be adopted in which multiplexing is performed using a wavelength multiplexing element formed at the output end of the single wavelength optical isolator. Such a wavelength multiplexing/demultiplexing element can be realized by combining an interference filter using a dielectric multilayer film or the like and a prism, and by using this, a wavelength multiplexing type optical isolator can be easily realized. However, such wavelength multiplexing optical isolators are bulk types that combine individual parts, so alignment when assembling individual parts is difficult, and since they are coupled to optical fibers using lenses, optical For example, when a bulk type optical isolator is used as a single wavelength type isolator, there is a problem that the overall size of the isolator is about 110 cm x 25 WIX x 15 cm. On the other hand, it has recently been proposed to fabricate a waveguide-type wavelength multiplexing/demultiplexing element by forming an optical directional coupler in a silica-based waveguide (N, Takat.

et al、 Electronics Letter
s、 vol、22. No、6+ p。
et al, Electronics Letter
s, vol, 22. No, 6+ p.

321)。この導波路型波長合分波素子を用いることに
より、導波路型の波長多重型光アイソレータを実現する
ことが可能であるが、これまでに導波路型の波長多重型
光アイソレータに応用された例はない。
321). By using this waveguide-type wavelength multiplexing/demultiplexing element, it is possible to realize a waveguide-type wavelength multiplexing optical isolator, but there are no examples that have been applied to waveguide-type wavelength multiplexing optical isolators so far. There isn't.

(発明が解決しようとする課題) 本発明は、すべての構成要素が単一モード導波路からな
る小型で低価格な実用に供し得る、複数の波長で同時に
動作する偏波依存性の無い3次元導波路型光アイソレー
タを提供することにある。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention is a compact, low-cost, practically usable three-dimensional system in which all components are composed of single-mode waveguides, which operates simultaneously at multiple wavelengths, and has no polarization dependence. An object of the present invention is to provide a waveguide type optical isolator.

(課題を解決するための手段) 第1図は本発明のn個の信号光波長λ1.λ2.。(Means for solving problems) FIG. 1 shows n signal light wavelengths λ1. λ2. .

・・、λ9に対応できるn波長多重光アイソレータの基
本構成を示し、(A)は平面図、(B)は側面図、(C
)は(A)図のB側から見た図であって、第1図(A)
中、21.21’は波長合分波部、7,7′はモード選
択部、8は非相反モード変換部、9は相反モード変換器
を示す。
..., shows the basic configuration of an n-wavelength multiplexing optical isolator that can support λ9, (A) is a plan view, (B) is a side view, (C
) is a view seen from the B side of Figure (A), and is similar to Figure 1 (A).
In the figure, 21 and 21' are wavelength multiplexing/demultiplexing sections, 7 and 7' are mode selection sections, 8 is a non-reciprocal mode converter, and 9 is a reciprocal mode converter.

波長合分波部21.21’はn−1個の波長合分波部用
光方向性結合器22を第2図(A)、 (B)に示すよ
うに直列に接続することにより構成されている。
The wavelength multiplexer/demultiplexer 21, 21' is constructed by connecting n-1 wavelength multiplexer/demultiplexer optical directional couplers 22 in series as shown in FIGS. 2(A) and 2(B). ing.

第2図中のn番目の波長合分波部用光方向性結合器22
は、結合部の長さと光方向性結合器を構成する2本の導
波路間の距離を調整することにより、波長λゎ41の信
号光に対してのみ100%パワー移行器として機能し、
その他の波長の信号光に対しては全くパワーを移行しな
いように設定されている。この結果、波長合分波部2L
 21’は、波長分波部として用いた場合、第2図(A
)に示すように、1本の導波路を伝搬してきた波長λ1
.λg、 +++。
Optical directional coupler 22 for the n-th wavelength multiplexer/demultiplexer in FIG.
By adjusting the length of the coupling part and the distance between the two waveguides constituting the optical directional coupler, it functions as a 100% power shifter only for signal light of wavelength λゎ41,
It is set so that no power is transferred to signal lights of other wavelengths. As a result, the wavelength multiplexing/demultiplexing section 2L
21' is used as a wavelength demultiplexer, as shown in Fig. 2 (A
), the wavelength λ1 propagating through one waveguide
.. λg, +++.

λ7のn個の信号光を、第2図(A)の上からλ、。n signal lights of λ7, λ, from the top of FIG. 2(A).

λ!、 HHII、  λおの順にn本の導波路に分波
する機能を示す。また波長合波部として用いた場合、第
2図(B)に示すように、第2図(B)の上からλ1゜
λ2.・・・、λ7の順にn本の導波路を伝搬してきた
信号光を1本の導波路に合波する機能を示す。
λ! , HHII, and λ indicate the function of demultiplexing into n waveguides in this order. Further, when used as a wavelength multiplexing section, as shown in FIG. 2(B), from the top of FIG. 2(B), λ1° λ2. . . . indicates a function of combining signal lights propagated through n waveguides in the order of λ7 into one waveguide.

モード選択部7.7′は、第1図(A)に示すように、
それぞれ2個のモード選択部用光方向性結合器18.1
8’および18’ 、 18″″と、単一モード導波路
部19.19’とからなるマツハツエンダ−干渉計が、
n個並列に並ぶ形で構成されている。これらのマツハツ
エンダ−干渉計は、第1図(A)中、上から順に波長λ
3.λ2.・・・、λイで機能するように設定されてい
る。すなわち第1図(A)中、上からn番目のマツハツ
エンダ−干渉計の光方向性結合器18.18’ 、 1
B“、18−は、波長λ9において結合部の長さを結合
長の半分にすることにより、3 dBカップラーとして
機能するように設定されている。また、上からn番目の
マツハツエンダ−干渉計の単一モード導波路部19.1
9’の2本の導波路は、波長λ7においてそれぞれを伝
搬する導波光の相対的位相差が、電界の主成分が膜面の
法線6に垂直な準TEモードについて、πとなるように
設定され、電界の主成分が膜面の法線6に平行な準TM
モードについて、0となるように設定されている。これ
らの結果、第1図(A)中、上からn番目のマツハツエ
ンダ−干渉針は、波長λ7において第3図(A)〜(l
()に示すように動作し、7Mモードに対する100%
パワー移行器として機能し、モード選択部7,7′は全
体として、波長λhλ2.・・・、λ7の信号光に対す
るTE−TMモモ−分波器およびTE−7Mモード合波
器として機能する。
The mode selection section 7.7', as shown in FIG. 1(A),
Optical directional couplers 18.1 for two mode selection units each
8', 18', 18'''' and a single mode waveguide section 19, 19'.
It is composed of n pieces arranged in parallel. These Matsuhatsu Ender interferometers have wavelengths λ in order from the top in FIG. 1(A).
3. λ2. ..., is set to function in λi. That is, in FIG. 1(A), the optical directional couplers 18, 18', 1 of the n-th Matsuhatsu Ender interferometer from the top
B", 18- is set to function as a 3 dB coupler by making the length of the coupling part half the coupling length at wavelength λ9. Also, the nth Matsuhatsu Ender interferometer from the top Single mode waveguide section 19.1
The two waveguides 9' are arranged so that the relative phase difference of the guided light propagating through each at wavelength λ7 is π for the quasi-TE mode in which the main component of the electric field is perpendicular to the normal 6 of the film surface. quasi-TM where the main component of the electric field is parallel to the normal 6 of the film surface.
The mode is set to 0. As a result, the n-th Matsuhatsu Ender interference needle from the top in FIG.
Works as shown in (), 100% for 7M mode
Functioning as a power shifter, the mode selector 7, 7' as a whole has wavelengths λhλ2 . . . . functions as a TE-TM momo demultiplexer and a TE-7M mode multiplexer for the λ7 signal light.

非相反モード変換部8はコイルまたは磁石により光線3
と平行な方向の磁場15がかけられた並列に並んだ2D
本のコア部を持つ磁性ガーネット埋め込み型導波路13
によって構成される。第4図は磁性ガーネット埋め込み
型導波路13の構造を示した図で、第4図中のC,Dが
第1図(^)中のC2Dに一致する。2D本のコア部1
1は、第4図(A)に示すように、隣り合った2本ずつ
、■〜Oまでのn組に分かれている。第4図中、左から
n番目のコア部の組は、磁性ガーネット埋め込み型導波
路13を構成する磁性ガーネット薄膜の波長λ、でのフ
ァラデー回転係数をθF(λ、 ) (deg/c11
)とすると、その導波路長lわが1θF(λ7)・f、
−45°の関係を満たすように設計されており、波長λ
7でTE−TM非相反50%モード変換の動作をするよ
うに設定されている。したがって、磁性ガーネット埋め
込み型導波路13は全体として波長λ3.λ2.・・・
、λイに対応するTE−TM非相反50%モード変換器
として動作する。また磁性ガーネット埋め込み型導波路
13は、それぞれのコア部が対応する波長λゎで単一モ
ード伝搬するように設定されており、かつ良好な直線偏
光性を保つように、準TEモードと準TMモードの伝搬
定数が一致するように設定されている。両者の伝搬定数
が一致しない場合には、光パワーとして50%モード変
換されても、両者の位相がずれているので、素子特性の
低下を招く。
The non-reciprocal mode converter 8 converts the light beam 3 by a coil or magnet.
2D lines arranged in parallel to which a magnetic field 15 is applied in a direction parallel to
Magnetic garnet embedded waveguide 13 with book core
Consisted of. FIG. 4 is a diagram showing the structure of the magnetic garnet-embedded waveguide 13, and C and D in FIG. 4 correspond to C2D in FIG. 1 (^). 2D book core part 1
As shown in FIG. 4(A), 1 is divided into n groups of 2 to 0, each consisting of two adjacent wires. In FIG. 4, the n-th core group from the left has the Faraday rotation coefficient θF(λ, ) (deg/c11
), then the waveguide length l is 1θF(λ7)・f,
It is designed to satisfy the relationship of −45°, and the wavelength λ
7 to perform the TE-TM non-reciprocal 50% mode conversion operation. Therefore, the magnetic garnet embedded waveguide 13 as a whole has a wavelength of λ3. λ2. ...
, λi, operates as a TE-TM non-reciprocal 50% mode converter. In addition, the magnetic garnet embedded waveguide 13 is set so that each core portion propagates in a single mode at the corresponding wavelength λ, and in order to maintain good linear polarization, quasi-TE mode and quasi-TM mode are set. The mode propagation constants are set to match. If the propagation constants of the two do not match, even if the optical power is converted into a mode by 50%, the phases of the two will be shifted, resulting in deterioration of the device characteristics.

また磁性ガーネット埋め込み型導波路13は、ガイドブ
ロック14を用いて、モード選択部7と相反モード変′
換部9の間に、基板4を上にしてはめ込まれる。
In addition, the magnetic garnet embedded waveguide 13 uses a guide block 14 to connect the mode selection unit 7 and the reciprocal mode change unit.
It is fitted between the replacement parts 9 with the board 4 facing upward.

第5図は相反モード変換部9の構造を示し、CA)は平
面図、(B)は第1図(A)のB側から見た図で、第5
図(A)中のC,Dが第1図のC,Dに一致する。相反
モード変換部9は、第5図に示すように並列に並んだ2
D本のコア部11の近傍のクラッド層10の一部に、そ
れぞれ空けた応力解放溝12により、コア部11の複屈
折主軸16の方向を、光の伝搬方向に垂直で、かつ基板
の膜面の法線6の方向より応力解放溝12側に22.5
度傾けた構成よりなり、応力解放溝12の長さを、それ
ぞれ所定の長さにすることにより、2D本の導波路型2
分の1波長板を形成し、それぞれTE−TM相反50%
モード変換器として機能するように設定されている。こ
の際、2D本の導波路型2分の1波長板は、第5図(A
)中左から隣り合った2本ずつ■〜@までのn組に分か
れており、それぞれ波長λ1.λz 、 HII 、。
5 shows the structure of the reciprocal mode converter 9, CA) is a plan view, (B) is a view seen from the B side of FIG.
C and D in Figure (A) correspond to C and D in Figure 1. The reciprocal mode converter 9 includes two parallel mode converters as shown in FIG.
Stress release grooves 12 are formed in a part of the cladding layer 10 near the D core parts 11, so that the direction of the principal birefringence axis 16 of the core part 11 is perpendicular to the light propagation direction and the film of the substrate. 22.5 on the stress release groove 12 side from the direction of the surface normal 6
By setting the stress release grooves 12 to predetermined lengths, the 2D waveguide type 2
A half-wave plate is formed, each with 50% TE-TM reciprocity.
It is configured to function as a mode converter. At this time, the 2D waveguide type half-wave plate is used as shown in Fig. 5 (A
) They are divided into n groups of two adjacent from the center left, from ■ to @, each with a wavelength of λ1. λz, HII,.

λ、で最適動作するように、応力解放溝12の長さおよ
び幅、コア部11と応力解放溝12との距離が設定され
ている。
The length and width of the stress relief groove 12 and the distance between the core portion 11 and the stress relief groove 12 are set so that the stress relief groove 12 operates optimally at λ.

第1図を用い本発明の導波路型光アイソレータの動作原
理を説明する。説明の都合上、第1図(A)中、モード
選択部7.7’、非相反モード変換部8、相反モード変
換部9に並列に並んだ2n本の導波路のうち、導波路の
終端が波長合分波部21゜21′と結合しているものを
導波路a、結合していないものを導波路すと称すること
にする。また便宜上、磁性ガーネット埋め込み型導波路
13を構成する磁性ガーネットのθ、の符号が正の場合
について説明する(θ、の符号は光の進行方向と外部磁
場15の方向が平行で同じ向きの時、光源側からみて時
計回りに光の電場ベクトルが回転する方向を正と定義す
る)。第1図(A)中のAからコア部に入射したλ1.
λ3.・・・、λアのn個の波長が多重した導波光は、
波長合分波部21で第1図(A)中、上からλ、λ2.
・・・、λイの順に波長別にn零の導波路に分波される
。波長別に分波された導波光は、モード選択部7で準T
Eモードが導波路aに、準TMモードが導波路すに分離
され、非相反モード変換部8に入射する。非相反モード
変換部8でそれぞれの導波路において導波光は50%モ
ード変換され、準TEモード50%、準TMモード50
%の導波光に変換され、相反モード変換部9に伝搬され
る。相反モード変換部9において導波光は導波路aで準
TEモード100%に、導波路すで準TMモード100
%にそれぞれ変換されて、モード選択部7′に入射する
。モード選択部7′で導波路すの準TMモードは、導波
路aに100%パワー移行し、準TEモードとともに波
長合分波部21′に出射する。波長合分波部21′に入
射した0本の導波路を進む波長の異なる導波光は、1本
の導波路に合波され、第1図(A)中OBに出射する。
The operating principle of the waveguide type optical isolator of the present invention will be explained using FIG. For convenience of explanation, in FIG. 1(A), among the 2n waveguides arranged in parallel in the mode selection section 7, 7', the non-reciprocal mode conversion section 8, and the reciprocal mode conversion section 9, the terminal end of the waveguide is The one in which the waveform is coupled to the wavelength multiplexing/demultiplexing section 21.degree. 21' will be referred to as a waveguide a, and the one in which it is not coupled will be referred to as a waveguide. For convenience, we will explain the case where the sign of θ of the magnetic garnet constituting the magnetic garnet embedded waveguide 13 is positive (the sign of θ is when the traveling direction of the light and the direction of the external magnetic field 15 are parallel and in the same direction). , the direction in which the electric field vector of light rotates clockwise when viewed from the light source side is defined as positive). λ1. which is incident on the core from A in FIG. 1(A).
λ3. ..., guided light with n wavelengths of λa multiplexed is,
In FIG. 1(A), the wavelength multiplexing/demultiplexing unit 21 selects λ, λ2 .
. The guided light split into wavelengths is converted into quasi-T by the mode selection unit 7.
The E mode is separated into the waveguide a, and the quasi-TM mode is separated into the waveguide S, and the two enter the non-reciprocal mode converter 8. The guided light is mode-converted by 50% in each waveguide in the non-reciprocal mode converter 8, with 50% in quasi-TE mode and 50% in quasi-TM mode.
% of the guided light and propagated to the reciprocal mode converter 9. In the reciprocal mode converter 9, the guided light becomes 100% quasi-TE mode in waveguide a, and 100% quasi-TM mode in the waveguide.
% and enters the mode selection section 7'. In the mode selection section 7', 100% of the power of the quasi-TM mode in the waveguide A is transferred to the waveguide a, and the quasi-TE mode is output to the wavelength multiplexing/demultiplexing section 21'. Guided light beams of different wavelengths that are incident on the wavelength multiplexing/demultiplexing section 21' and proceeding through zero waveguides are multiplexed into one waveguide and output to the OB in FIG. 1(A).

逆にBよりコア部11に入射されたλ1.λ2.・、・
、メ、のn個の波長が多重した導波光は、波長合分波部
21′で第1図(A)中、上からλ1.λ2.・・・、
λ7の順に波長別に0本の導波路に分波される。波長別
に分波された導波光は、モード選択部7′で準TEモー
ドが導波路aに、準TMモードが導波路すに分離され、
相反モード変換部9に入射する。相反モード変換部9で
は導波光は、それぞれの導波路で50%モード変換され
、準TEモード50%、準TMモード50%の導波光に
変換される。
Conversely, λ1. which is incident on the core part 11 from B. λ2.・、・
The guided light with n wavelengths multiplexed in wavelengths λ1 . λ2. ...,
The light is split into 0 waveguides for each wavelength in the order of λ7. The guided light separated by wavelength is separated into a quasi-TE mode in a waveguide a and a quasi-TM mode in a waveguide a in a mode selection section 7'.
The light enters the reciprocal mode converter 9. In the reciprocal mode converter 9, the guided light undergoes 50% mode conversion in each waveguide, and is converted into guided light with 50% quasi-TE mode and 50% quasi-TM mode.

次に導波光は、非相反モード変換部8において導波路a
で準TMモード100%に、また導波路すで準TEモー
ド100%にそれぞれ変換され、モード選択部7に入射
する。モード選択部7で導波路aの準TMモードは、導
波路すに100%パワー移行するので、もともと導波路
すを導波している準TEモードともども波長合分波部2
1へ出射することができず、第1図(A)中のAに出射
する導波光はOとなり、第1図(A)に示す光回路は波
長λ。
Next, the guided light is transferred to the waveguide a in the non-reciprocal mode converter 8.
The waveguide is converted into 100% quasi-TM mode and 100% quasi-TE mode, respectively, and enters the mode selection unit 7. In the mode selection unit 7, the quasi-TM mode of the waveguide a transfers 100% power to the waveguide, so the quasi-TE mode and the quasi-TE mode that are originally guided through the waveguide are combined in the wavelength multiplexing/demultiplexing unit 2.
1, and the guided light emitted to A in FIG. 1(A) becomes O, and the optical circuit shown in FIG. 1(A) has a wavelength λ.

λ2.・・・、λ7のn種の波長で動作する偏波無依存
型の光アイソレータとして機能する。
λ2. . . . functions as a polarization-independent optical isolator that operates at n types of wavelengths of λ7.

(実施例) 以下、本発明の実施例として、波長1.3μ謡と1.5
5μ蒙の導波光に対して同時に動作する導波路型光アイ
ソレータについて説明する。
(Example) Hereinafter, as an example of the present invention, wavelengths of 1.3μ and 1.5μ are shown.
A waveguide type optical isolator that operates simultaneously for 5 μm of guided light will be described.

第6図(A−1)、 (B−1)、 (C−1)および
(A−2)、 (B2)、 (C−2)は本発明の実施
例に用いた波長合分波部21. ’21’ 、モード選
択部7.7′の拡大図、また第7図(A)、 (B)は
相反モード変換部9の拡大図である。この実施例では、
これらの部分の基板4に厚さ0.7 mのシリコン基板
を用い、コア部11、クラッド層lOには石英系ガラス
を用いた。クラッド層10の厚さは50μ−であり、コ
ア部11は基板面から高さ25μ−に中心がくるように
した。コア部11は磁性ガーネット埋め込み型導波路1
3を接続する際、接続損失が小さくなるように、磁性ガ
ーネット埋め込み型導波路13のコア部と同じ8μm角
の方形とした。また単一モード伝搬のため、コア部11
とクラッド層10の比屈折率差は0.25%とした。
FIG. 6 (A-1), (B-1), (C-1) and (A-2), (B2), (C-2) are wavelength multiplexing/demultiplexing sections used in the embodiment of the present invention. 21. '21' is an enlarged view of the mode selection section 7.7', and FIGS. 7A and 7B are enlarged views of the reciprocal mode conversion section 9. In this example,
A silicon substrate with a thickness of 0.7 m was used for the substrate 4 in these parts, and quartz glass was used for the core part 11 and the cladding layer IO. The thickness of the cladding layer 10 was 50 μm, and the center of the core portion 11 was set at a height of 25 μm from the substrate surface. The core part 11 is a magnetic garnet embedded waveguide 1
In order to reduce the connection loss when connecting the waveguides 3 to 3, they were made into a rectangular shape of 8 μm square, which is the same as the core portion of the magnetic garnet embedded waveguide 13. Also, for single mode propagation, the core part 11
The relative refractive index difference between the cladding layer 10 and the cladding layer 10 was 0.25%.

波長合分波部21.21’では、波長1.3μmと1.
55μ簡の合分波器として機能するように、光方向性結
合器22の2本の導波路の結合部分の長さと距離を調整
することにより、波長1.3μmの導波光に対しては1
00%パワー移行し、波長1.55μmの導波光に対し
ては全くパワー移行しないように設定した。モード選択
部7.7′では第6図(A−1)中、導波路■、■で構
成されるマツハツエンダ−干渉計が波長1.55μ−で
準TMモードの100%パワー移行が生じるように、導
波路aと導波路すの準TEモード、準TMモードの伝搬
定数が波長1.55μ−でそれぞれ等しくなるようにし
た。同様に第6図(A−1)中、導波路■、■で構成さ
れるマツハツエンダ−干渉計が波長1.3μ−で準TM
モードの100%パワー移行が生じるように、導波路O
と導波路■の準TEモード、準TMモードの伝搬定数が
波長1.3μ曽でそれぞれ等しくなるようにした。相反
モード変換部9ではコア部11の複屈折の主軸が基板面
法線6より傾く角を22.5度とするために、第7図(
B)に示すコア部11の中心から応力解放溝12までの
距離Sを35μmとした。また、応力解放溝15の幅T
は200μ隣とした。第7図(A)中、導波路■、■お
よびO20に対する応力解放溝12の長さLlおよびり
、は、波長1.55μmおよび波長1.3μ−で50%
モード変換器としての機能をもたせるために、3.1 
mおよび2.6閣とした。このような光導波路と応力解
放溝の構造は5iCj!、。
In the wavelength multiplexing/demultiplexing section 21.21', the wavelengths are 1.3 μm and 1.3 μm.
By adjusting the length and distance of the coupling portion of the two waveguides of the optical directional coupler 22 so that it functions as a 55μm multiplexer/demultiplexer, the optical directional coupler 22 can function as a 1.3μm wavelength multiplexer/demultiplexer.
00% power shift and no power shift at all for guided light with a wavelength of 1.55 μm. In the mode selection section 7.7', the Matsuhatsu Ender interferometer composed of waveguides ■ and ■ in FIG. , the propagation constants of the quasi-TE mode and quasi-TM mode of waveguide a and waveguide S were set to be equal at a wavelength of 1.55 μ-. Similarly, in Fig. 6 (A-1), a Matsuhatsu Ender interferometer composed of waveguides ■ and ■ is quasi-TM at a wavelength of 1.3μ.
The waveguide O such that 100% power transfer of the mode occurs
The propagation constants of the quasi-TE mode and quasi-TM mode of the waveguide (1) and (2) were made equal at a wavelength of 1.3μ. In the reciprocal mode converter 9, in order to set the angle at which the main axis of birefringence of the core part 11 is inclined from the substrate surface normal 6 to 22.5 degrees, the angle shown in FIG.
The distance S from the center of the core portion 11 to the stress release groove 12 shown in B) was 35 μm. In addition, the width T of the stress release groove 15
is next to 200μ. In FIG. 7(A), the lengths Ll and L of the stress release groove 12 for the waveguides ■, ■ and O20 are 50% at the wavelength of 1.55 μm and the wavelength of 1.3 μm.
In order to function as a mode converter, 3.1
m and 2.6 cabinets. The structure of such an optical waveguide and stress release groove is 5iCj! ,.

T i Cl a等のガラス形成原料ガスの火炎加水分
解反応によるガラス膜の堆積技術と、反応性イオンエツ
チング(RIE)を代表とするドライエツチングプロセ
スとの組合せによる周知の加工方法で形成することがで
きる。
It can be formed by a well-known processing method that combines a glass film deposition technique using a flame hydrolysis reaction of a glass-forming raw material gas such as T i Cl a and a dry etching process typified by reactive ion etching (RIE). can.

第8図は本発明の実施例に用いた磁性ガーネット埋め込
み型導波路13の構造を示す拡大図で、(A)は平面図
、(B)は第1図(A)のB側から見た図であって、2
3は埋め込み層、24は下部クラッド層を示す。この実
施例では準TEモードと準TMモードの伝搬定数を等し
くするために、コア部11の形を方形とし、埋め込み層
23と下部クラッド層24の屈折率を等しくした。また
コア部11の幅Wは8μ蒙とじた。この磁性ガーネット
導波路を作製するためには、例えば基板4の上に液相エ
ピタキシー法(LPE法)、スパッタ法等により2層ガ
ーネット薄膜を形成し、コア部11をイオンミリング、
反応性イオンエツチング(RI E)等のエツチング法
でバターニングし、最後にLPE法、スパッタ法等によ
り、埋め込み層23を堆積することにより作製できる。
FIG. 8 is an enlarged view showing the structure of the magnetic garnet embedded waveguide 13 used in the embodiment of the present invention, where (A) is a plan view and (B) is a view from the B side of FIG. 1 (A). In the figure, 2
3 indicates a buried layer, and 24 indicates a lower cladding layer. In this embodiment, in order to equalize the propagation constants of the quasi-TE mode and the quasi-TM mode, the shape of the core portion 11 is made rectangular, and the refractive index of the buried layer 23 and the lower cladding layer 24 are made equal. Further, the width W of the core portion 11 was set to 8 μm. In order to produce this magnetic garnet waveguide, for example, a two-layer garnet thin film is formed on the substrate 4 by liquid phase epitaxy (LPE method), sputtering method, etc., and the core portion 11 is formed by ion milling.
It can be manufactured by patterning using an etching method such as reactive ion etching (RIE), and finally depositing the buried layer 23 using an LPE method, a sputtering method, or the like.

磁性ガーネット埋め込み型導波路13の具体的構成とし
ては、基板4に厚さ0.5閣のGGG (ガドリウムガ
リームガーネット)基板を、コア部11、埋め込み層2
3および下部クラッド層24に置換型YIG(イツトリ
ウム鉄ガーネット)をそれぞれ用いた。具体的な置換型
YIGの組成は、素子が動作するのに必要な外部磁場1
5を小さくするために、面内磁化となる組成が望ましい
ので、(Sc 。
The specific configuration of the magnetic garnet embedded waveguide 13 includes a GGG (gadolium gallium garnet) substrate with a thickness of 0.5 mm as the substrate 4, a core part 11, an embedded layer 2
Substitution type YIG (yttrium iron garnet) was used for the 3 and lower cladding layers 24, respectively. The specific composition of substitution type YIG is as follows:
5, it is desirable to have a composition with in-plane magnetization, so (Sc.

Ga)YIGおよび(La 、Ga )YIC;を用い
た。コア部11が単一モード伝搬し、かつ幅Wが8μm
となるように、コア部11と埋め込み層23および下部
クラッド層24の屈折率を、Ga置換量を変えることに
より、2.200と2.199および2.199に設定
した。第7図(A)中、磁性ガーネット埋め込み型導波
路13の導波路■、■およびO20の素子長11および
12は、これらの置換型YIGのθ。
Ga)YIG and (La,Ga)YIC; were used. The core portion 11 propagates in a single mode, and the width W is 8 μm.
The refractive indexes of the core portion 11, the buried layer 23, and the lower cladding layer 24 were set to 2.200, 2.199, and 2.199 by changing the amount of Ga substitution so that the following values were obtained. In FIG. 7(A), the waveguides ■, ■ of the magnetic garnet embedded waveguide 13 and the element lengths 11 and 12 of O20 are θ of these substitution type YIG.

が波長1.55 p mおよび1.3 pwrで160
deg/c+iおよび206deg/cmであるので、
それぞれの波長で50%モード変換器として動作するよ
うに、約2.8■および2.2閣とした。
160 at wavelength 1.55 p m and 1.3 pwr
deg/c+i and 206deg/cm, so
They were set to approximately 2.8 mm and 2.2 mm to operate as a 50% mode converter at each wavelength.

このよ゛うにして得られた磁性ガーネット埋め込み型導
波路13を、第6図(A−1)、 (^−2)に示した
波長合分波部21.21’およびモード選択部7.7′
および第7図に示した相反モード変換部が形成された単
一モード光導波路に、第8図CB)に示す埋め込み層2
3を下にして第1図(A)に示すガイドブロック14に
沿って装着し、位置合わせ後、接着剤で固定することに
よって、第9図に示す導波路型光アイソレータを構成し
た。
The magnetic garnet-embedded waveguide 13 thus obtained is transferred to the wavelength multiplexing/demultiplexing sections 21 and 21' and the mode selection section 7. 7′
And a buried layer 2 shown in FIG. 8 CB) is added to the single mode optical waveguide in which the reciprocal mode conversion section shown in FIG. 7 is formed.
3 facing down along the guide block 14 shown in FIG. 1(A), and after alignment, was fixed with adhesive to construct the waveguide type optical isolator shown in FIG. 9.

なお外部磁場15は磁性ガーネット埋め込み型導波路1
3に用いた置換型YIGのθ、の符号が正であるので、
第9図に示す■から■方向に印加した。
Note that the external magnetic field 15 is generated by the magnetic garnet embedded waveguide 1.
Since the sign of θ of substitution type YIG used in 3 is positive,
The voltage was applied in the direction from ■ to ■ shown in FIG.

この実施例の導波路型光アイソレータ全体の大きさは、
素子長約75.9m (波長合分波部21.21’が2
0mX2、モード選択部7.7′が約15.0■×2、
非相反モード変換部8が約2.81、相反モード変換部
9が3.1 an) X幅5.0m+x厚さ1.25a
++であり、バルク型で波長多重型光アイソレータを構
成した場合に比べて小さい。
The overall size of the waveguide type optical isolator in this example is:
Element length approximately 75.9 m (wavelength multiplexing/demultiplexing section 21.21' is 2
0m x 2, mode selection section 7.7' is approximately 15.0 x 2,
Non-reciprocal mode converter 8 is approximately 2.81, reciprocal mode converter 9 is 3.1 an) x width 5.0m + x thickness 1.25a
++, which is smaller than that of a bulk wavelength multiplexing optical isolator.

この実施例の導波路型光アイソレータのアイソレーショ
ン比を実際に光ファイバと接続して測定した。この実施
例の導波路型光アイソレータは、アイソレーション比が
磁場数100eで飽和し、その大きさが波長1.55μ
霞および1.3μ−で飽和値21dBおよび20dBで
あり、双方の波長で高いアイソレージロン比を示し、2
波長多重型の光アイソレータとして動作する。またアイ
ソレージジン比が飽和するのに必要な磁場は、バルク型
光アイソレータが飽和するのに必要な磁場数koeより
も2相手さい。
The isolation ratio of the waveguide type optical isolator of this example was actually measured by connecting it to an optical fiber. In the waveguide type optical isolator of this example, the isolation ratio is saturated at a magnetic field number of 100e, and its magnitude is 1.55 μm at a wavelength of 1.55 μm.
It has saturation values of 21 dB and 20 dB at haze and 1.3 μ-, showing a high isolation ratio at both wavelengths, and 2
Operates as a wavelength multiplexed optical isolator. Further, the magnetic field required to saturate the isolage ratio is two times smaller than the number of magnetic fields koe required to saturate the bulk optical isolator.

ところで、上記実施例では、磁性ガーネット埋め込み型
導波路13の埋め込み層23の材料として、下部クラッ
ド層24と同じ置換型YIGを用いたが、その屈折率を
下部クラッド層24の屈折率と等しくしたTaxesや
NbzOs等のアモルファス材料を用いても同様な効果
が現れた。また上記実施例では導波光波長として1.5
5μ輪と1.3μ蒙を用いたが、その他の波長の導波光
に対しても、本発明を用いることにより、同様な性能を
示す波長多重型光アイソレータが実現できることを確認
している。
By the way, in the above embodiment, the same substitution type YIG as the lower cladding layer 24 was used as the material of the buried layer 23 of the magnetic garnet buried waveguide 13, but the refractive index was made equal to that of the lower cladding layer 24. Similar effects were obtained using amorphous materials such as Taxes and NbzOs. In addition, in the above embodiment, the guided light wavelength is 1.5
Although a 5μ ring and a 1.3μ ring were used, it has been confirmed that a wavelength multiplexing type optical isolator exhibiting similar performance can be realized by using the present invention for guided light of other wavelengths.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明の導波路型光アイソレータ
は、これまで提案されている導波路型光アイソレータと
異なり、複数の波長の導波光に対して同時に動作できる
ので、波長多重光通信に使用するのに適しているという
利点がある。また動作が入射光の偏波方向に依存しない
ので、偏波無依存で波長多重なアイソレータが必要なE
r ドープファイバ増幅器を用いた光通信方式に使用す
るのに適しているという利点がある。また3次元導波路
構造であり、単一モードで動作するので、他の光回路素
子と直接接続して使用できる利点がある。また本発明の
導波路型光アイソレータは、通常のバルク型光アイソレ
ータに比べて、数相手さい強さの磁界で十分に動作する
ので、素子の小型化、経済化を図ることができる利点が
ある。
(Effects of the Invention) As explained above, the waveguide type optical isolator of the present invention, unlike the waveguide type optical isolators proposed so far, can operate simultaneously for guided light of multiple wavelengths. It has the advantage of being suitable for use in multiplex optical communications. In addition, since the operation does not depend on the polarization direction of the incident light, E
It has the advantage of being suitable for use in optical communication systems using r-doped fiber amplifiers. Furthermore, since it has a three-dimensional waveguide structure and operates in a single mode, it has the advantage that it can be used by directly connecting with other optical circuit elements. Furthermore, the waveguide type optical isolator of the present invention has the advantage of being able to sufficiently operate with a magnetic field as strong as several magnets compared to a normal bulk type optical isolator, so that the device can be made smaller and more economical. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の導波路型光アイソレータの基本構成を
示し、(A)は平面図、(B)は側面図、(C)は第1
図(A)のB側から見た図、 第2図(A)、 (B)は本発明の導波路型光アイソレ
ータの波長合分波部の動作を示す説明図、第3図(A)
〜(H)は本発明の導波路型光アイソレータのモード選
択部の動作を示す説明図、第4図は本発明の導波路型光
アイソレータの磁性ガーネット埋め込み型導波路13の
構造を示し、(A)は平面図、(B)は第1図(A)の
B側から見た図、(C)は側面図、 第5図は本発明の導波路型光アイソレータの相反モード
変換部9の構造を示し、(A)は平面図、(B)は第1
図(A)のB側から見た図、第6図は本発明の実施例に
用いた波長合分波部21、21’およびモード選択部7
.7′の構造を示し、(A−1)、 (A−2)は平面
図、(B−1)、 (B−2)は側面図、(C−1)、
 (C−2)は第1図(A)のB側から見た図、第7図
は本発明の実施例に用いた相反モード変換部9の構造を
示す拡大図で、(A)は平面図、(B)は第1図(^)
のB側から見た図、 第8図は本発明の実施例に用いた磁性ガーネット埋め込
み型導波路13の構造を示す拡大図で、(A)は平面図
、(B)は第1図(A)のB側から見た図、第9図は本
発明の実施例の導波路型光アイソレータの構成を示す説
明図、 第10図はバルク型光アイソレータの構成を示す斜視図
である。 1.1′・・・偏光子 2・・・磁気光学結晶 3・・・光線 4・・・基板 6・・・膜面の法線 7.7′・・・モード選択部 8・・・非相反モード変換部 9・・・相反モード変換部 10・・・クラッド層 11川コア部 12・・・応力解放溝 13・・・磁性ガーネット埋め込み型導波路14・・・
ガイドブロック 15・・・光線と平行な方向の磁場 16・・・相反モード変換部9におけるコア部の複屈折
主軸 18、18’ 、 18″、18″″・・・モード選択
部用光方向性結合器 19、19’・・・マツハツエンダ−干渉計を構成する
単一モード導波路部 21、21’・・・波長合分波部 22・・・波長合分波部用光方向性結合器23・・・埋
め込み層 24・・・下部クラッド層
FIG. 1 shows the basic configuration of the waveguide type optical isolator of the present invention, in which (A) is a plan view, (B) is a side view, and (C) is a first
Figure 2 (A) and (B) are explanatory diagrams showing the operation of the wavelength multiplexing/demultiplexing section of the waveguide type optical isolator of the present invention, Figure 3 (A) is a view seen from the B side of Figure (A).
- (H) are explanatory diagrams showing the operation of the mode selection section of the waveguide type optical isolator of the present invention, and Fig. 4 shows the structure of the magnetic garnet-embedded waveguide 13 of the waveguide type optical isolator of the present invention. A) is a plan view, (B) is a view seen from the B side of FIG. 1 (A), (C) is a side view, and FIG. The structure is shown, (A) is a plan view, (B) is the first
FIG. 6, which is a view seen from the B side of FIG.
.. 7' structure, (A-1), (A-2) are plan views, (B-1), (B-2) are side views, (C-1),
(C-2) is a view seen from the B side of FIG. 1(A), FIG. 7 is an enlarged view showing the structure of the reciprocal mode converter 9 used in the embodiment of the present invention, and (A) is a planar view. Figure, (B) is Figure 1 (^)
FIG. 8 is an enlarged view showing the structure of the magnetic garnet-embedded waveguide 13 used in the embodiment of the present invention, (A) is a plan view, and (B) is a view from the B side of FIG. FIG. 9 is an explanatory view showing the structure of a waveguide type optical isolator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a perspective view showing the structure of a bulk type optical isolator. 1.1'...Polarizer 2...Magneto-optic crystal 3...Light beam 4...Substrate 6...Normal to film surface 7.7'...Mode selection unit 8...Non Reciprocal mode converter 9...Reciprocal mode converter 10...Clad layer 11 Core portion 12...Stress release groove 13...Magnetic garnet embedded waveguide 14...
Guide block 15...Magnetic field 16 in a direction parallel to the light beam...Birefringent principal axes 18, 18', 18'', 18'''' of the core portion in the reciprocal mode converter 9...Light directionality for the mode selection section Coupler 19, 19'...Single mode waveguide section 21, 21' constituting the Matsuhatsu Ender interferometer...Wavelength multiplexing/demultiplexing section 22...Optical directional coupler 23 for wavelength multiplexing/demultiplexing section ...Buried layer 24...Lower cladding layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、基板上に形成されたクラッド層にコア部が埋設され
てなる石英系ガラス単一モード導波路に、前記石英系導
波路の光入射端および光出射端に形成した光方向性結合
器からなる波長合分波部と、前記波長合分波部に隣接し
て前記石英系単一モード導波路に形成した2個の光方向
性結合器と2本の単一モード導波路からなるマッハツェ
ンダー干渉計を用いたモード選択部と、前記モード選択
部間に挟まれる磁性ガーネットの単一モード導波路から
なる非相反モード変換器と、前記クラッド層の一部にコ
ア部に沿って所定の長さの応力解放溝を形成した相反モ
ード変換器とを有する構成としたことを特徴とする導波
路型光アイソレータ。
1. A silica-based glass single mode waveguide whose core portion is embedded in a cladding layer formed on a substrate, and an optical directional coupler formed at a light input end and a light output end of the silica-based waveguide. A Mach-Zehnder device comprising a wavelength multiplexing/demultiplexing section, two optical directional couplers formed in the silica single mode waveguide adjacent to the wavelength multiplexing/demultiplexing section, and two single mode waveguides. A mode selection section using an interferometer, a non-reciprocal mode converter consisting of a single mode waveguide made of magnetic garnet sandwiched between the mode selection section, and a part of the cladding layer having a predetermined length along the core section. What is claimed is: 1. A waveguide type optical isolator comprising: a reciprocal mode converter in which a stress release groove is formed;
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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