JPH03291989A - Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board - Google Patents

Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board

Info

Publication number
JPH03291989A
JPH03291989A JP9368790A JP9368790A JPH03291989A JP H03291989 A JPH03291989 A JP H03291989A JP 9368790 A JP9368790 A JP 9368790A JP 9368790 A JP9368790 A JP 9368790A JP H03291989 A JPH03291989 A JP H03291989A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
copper conductive
paste
glass frit
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9368790A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshikazu Nakada
中田 好和
Toshihiko Kubo
敏彦 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority to JP9368790A priority Critical patent/JPH03291989A/en
Publication of JPH03291989A publication Critical patent/JPH03291989A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain conductive copper paste having high bonding strength to a board and capable of forming a thick copper film conductor by incorporating the same components as those of glass and incorporating glass frit having specific average particle size and conductive copper powder therein. CONSTITUTION:Glass frit containing aluminum calcium borosilicate having 2mum or less of average particle size and conductive copper powder having 1-2mum of average particle size are vigorously agitated while applying an ultrasonic vibration thereto to be mixed. The mixture is dispersed in an organic vehicle, and kneaded to form conductive copper paste. The paste is screen printed in a predetermined shape on a low temperature based board formed of glass containing the same components as those of the glass frit contained in the paste and alumina, preliminarily dried, and baked at 750 deg.C or lower in a nitrogen atmosphere to obtain a thick conductor copper film.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、銅導電ペースト (以下、rCu導体ペース
ト」ともいう)、その製法および低温焼成基板に関する
。さらに詳しくは、本発明は、その焼成が従来よりも低
温であっても可能であり、かつ接着強度が高い銅厚膜回
路を得ることができる銅導電ペースト、その製法および
前記銅導電ペーストを用いた低温焼成基板に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a copper conductive paste (hereinafter also referred to as rCu conductor paste), its manufacturing method, and a low-temperature fired substrate. More specifically, the present invention provides a copper conductive paste that can be fired even at a lower temperature than before and that can produce a copper thick film circuit with high adhesive strength, a method for producing the same, and a method using the copper conductive paste. The present invention relates to low-temperature fired substrates.

(従来の技術) 電子機器部品に対する小型化、高機能化、高信頼性化、
低コスト化への要求は極めて大きく、これらの要求に対
応するため、半導体チップは、高集積密度化、高速化の
方向へめざましく発達してきた。これに伴って、セラ壽
ツタ基板に対しても従来用いられているアルミナ(41
gOJ基板以上の特性が求められるようになった。
(Conventional technology) Miniaturization, higher functionality, higher reliability, and
There is an extremely high demand for lower costs, and in order to meet these demands, semiconductor chips have made remarkable progress in the direction of higher integration density and higher speed. Along with this, alumina (41
Characteristics superior to those of gOJ substrates are now required.

一般的に、従来から用いられているアルミナ基板には以
下に示す欠点があるつ (1)アルミナは1500〜1600℃程度の高温の焼
結を必要とするため 同時に焼成される導体材料は、タ
ングステン、モリブデン等のような比抵抗が比較的大き
な(5,5〜5.6 Xl0−自Ω・c+*)高融点金
属材料に限られてしまう、したがって、抵抗値の低い導
体であるAg(1,62Xl0−”Ω・C11)あるい
はCu(1,72Xl0−’Ω・cm)を導体材料とし
て利用することはできない。このため、結果的に配線抵
抗値が高くなり、電気信号の伝送損失を考慮した場合、
配線パターンの微細化の限界を高めることはできない。
In general, conventionally used alumina substrates have the following drawbacks: (1) Alumina requires high-temperature sintering of about 1500 to 1600°C, so the conductor material that is fired at the same time is tungsten. , molybdenum, etc. are limited to high melting point metal materials with relatively high specific resistance (5.5 to 5.6 , 62Xl0-'' Ω・C11) or Cu (1,72 if you did this,
It is not possible to increase the limit of miniaturization of wiring patterns.

(ii)アルミナの熱膨張係数は?、3X10−’de
g−’であり、シリコンの熱膨張係数(3,6X10−
”deg−’)との差が大きく、熱整合性が悪いために
、大形シリコンチップのマウントと高密度実装とのそれ
ぞれに難がある。
(ii) What is the coefficient of thermal expansion of alumina? , 3X10-'de
g-', and the coefficient of thermal expansion of silicon (3,6X10-
Due to the large difference in temperature (deg-') and poor thermal matching, there are difficulties in mounting large silicon chips and in high-density packaging.

(tj)アルミナの比誘電率は約10(at I MH
z)と大きく、信号の遅延時間も大きい。
(tj) The dielectric constant of alumina is approximately 10 (at I MH
z), and the signal delay time is also large.

以上の欠点を克服するために、アルミナ基板に代わる低
温焼成基板の開発が行われ、一部では実用化されるまで
に到った。このような低温焼成基板は、大別すると、ガ
ラスを使用する系としない系とに分類される。さらに、
ガラスを使用する系では結晶化ガラス系と、ガラスとフ
ィラ(アルミナ、シリカ等からなる充填材)とを組み合
わせた複合系とに区分される。なかでも、複合系の場合
には、ガラスの種類とフィラの組成およびこれらの配合
比とを適宜選択することにより、種々の特性を有するセ
ラ亀ツクが得られる可能性があり、近年では特に重点的
な研究が行われている。
In order to overcome the above drawbacks, low-temperature fired substrates have been developed to replace alumina substrates, and some of them have even been put into practical use. Such low-temperature fired substrates can be broadly classified into those that use glass and those that do not. moreover,
Systems that use glass are classified into crystallized glass systems and composite systems that combine glass and filler (filler made of alumina, silica, etc.). In particular, in the case of composite systems, it is possible to obtain ceramics with various characteristics by appropriately selecting the type of glass, the composition of the filler, and their blending ratio. research is being conducted.

この低温焼成基板の表面への導体の形成は、アルミナ基
板の場合と同様に、導体ペーストを基板上に所定の形状
にスクリーン印刷した後、焼成する技術が最も用いられ
る。導体ペーストとしては、Ag −Pd系導体ペース
ト、N1導体ペースト、Cu導体ペースト等が現在用い
られている。^、−Pd系導体ペーストは大気中での焼
成が可能であること、Ni導体ペーストは耐環境性およ
び耐マイグレーション性に優れ、高い信頼性が得られる
ことなどの特徴を有するが、さらに配線抵抗およびコス
トの低減を勘案すれば、Cu導体ペーストが最も有利で
あり、理想的な導体材料であるといえる。Cult体ペ
ーストで回路を形成した場合、シート抵抗が1.5〜2
mΩ/口と低いため(Ag−Pd系導体ペーストで4〜
6−Ω/口、Ni導体ペーストで8〜10IlΩ/口)
、パターンの細線化が実現できる。その結果、パターン
間の浮遊容量が下げられ、また、高密度配線が可能とな
るので、半導体チップの高速化および高集積密度化に合
致した基板を製造することができる。
To form a conductor on the surface of this low-temperature fired substrate, the most commonly used technique is to screen print a conductive paste in a predetermined shape onto the substrate and then bake it, as in the case of an alumina substrate. As the conductor paste, Ag--Pd conductor paste, N1 conductor paste, Cu conductor paste, etc. are currently used. ^, - Pd-based conductor paste has the characteristics of being able to be fired in the atmosphere, and Ni conductor paste has excellent environmental resistance and migration resistance, and can provide high reliability. In consideration of cost reduction, Cu conductor paste is the most advantageous and can be said to be an ideal conductor material. When forming a circuit with cult paste, the sheet resistance is 1.5 to 2.
Because it is low at mΩ/mouth (4 to 4 with Ag-Pd conductor paste)
6-Ω/port, 8-10IlΩ/port with Ni conductor paste)
, thinning of the pattern can be realized. As a result, stray capacitance between patterns is reduced and high-density wiring becomes possible, making it possible to manufacture a substrate that is compatible with higher speed and higher integration density of semiconductor chips.

銅導電ペーストは、銅導電粉末およびバインダー粉末を
樹脂と揮発性溶剤とからなる有機ビヒクル中に分散させ
てなるものである。銅導電ペーストを低温焼成基板へ印
刷後の焼成工程では以下のような反応が順次起こる。ま
ず、揮発性の溶剤が薫発し、次に200〜400℃の間
に樹脂が燃焼する。
The copper conductive paste is made by dispersing copper conductive powder and binder powder in an organic vehicle consisting of a resin and a volatile solvent. In the firing process after printing the copper conductive paste onto the low-temperature firing substrate, the following reactions occur sequentially. First, the volatile solvent smokes, and then the resin burns between 200 and 400°C.

さらに温度が上昇すると、バインダー粉末が溶融して低
温焼成基板と反応し始める。同時に、銅導電粉末とも反
応を始め、銅導電粉末の焼結を促進する。
As the temperature increases further, the binder powder melts and begins to react with the low temperature fired substrate. At the same time, it also starts to react with the copper conductive powder, promoting sintering of the copper conductive powder.

この際、銅導電ペースト中のバインダー粉末は、焼成し
たCu厚膜導体を基板上に固着させる作用を有しており
、主に次の3種類に分類される。
At this time, the binder powder in the copper conductive paste has the effect of fixing the fired Cu thick film conductor on the substrate, and is mainly classified into the following three types.

(i)ガラスボンド 焼成時に溶融し、軟化したガラスがぬれ現象によって基
板と厚膜導体とを密着させる。
(i) During glass bond firing, the glass that is melted and softened brings the substrate and the thick film conductor into close contact due to a wetting phenomenon.

(ii )ケミカルボンド 金属酸化物、例えばCuOなどが基板と化学反応を起こ
し複合酸化物を形成することで接着させる。
(ii) Chemical Bond A metal oxide such as CuO causes a chemical reaction with the substrate to form a composite oxide, thereby bonding the substrate.

(iii)  ミックスボンド ガラスと金属とをバランスよく組み合わせ、両者の作用
を利用して、基板と厚膜導体とを密着させるものである
(iii) Mix bond glass and metal are combined in a well-balanced manner, and the effects of both are utilized to bring the substrate and the thick film conductor into close contact.

一方、特開昭60−35405号公報には、ガラスフリ
ットの1威分としてCuOを含有する銅伝導体組成物が
、特開昭61−107607号公報には、固形分と有機
バインダーとからなる導体組成物において、固形分とし
て、Cu粉80〜95重量%およびV、O,を単独また
はCugOlPbzOlSbgOa 、Bi2O2の少
なくとも1種を組み合わせた添加物5〜20重量%から
なる導体組成物が、さらに特開平1−128488号公
報には、ガラスフリットとして、亜鉛−カルシウム−ア
ルミニウムケイ酸塩ガラスフリット、アル逅ニウムーマ
グネシウムーバリウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフ
リットおよびそれらの混合物を含有する銅導体インキが
、それぞれ提案されている。
On the other hand, JP-A No. 60-35405 discloses a copper conductor composition containing CuO as one component of glass frit, and JP-A No. 61-107607 discloses a copper conductor composition containing a solid content and an organic binder. The conductor composition is further characterized in that the solid content is 80 to 95% by weight of Cu powder and 5 to 20% by weight of an additive consisting of V, O, alone or in combination with at least one of CugOlPbzOlSbgOa and Bi2O2. JP-A-1-128488 discloses a copper conductor ink containing a zinc-calcium-aluminum silicate glass frit, an aluminum-magnesium-barium-aluminum silicate glass frit, and a mixture thereof as a glass frit. Each is proposed.

(発明が解決しようとする課M) ところで、現在市販されている銅導電ペーストは主にア
ル逅す基板用に開発されたものであり、各種低温焼成基
板への適用に対しては十分な信頼性はない。
(Problem M to be solved by the invention) By the way, the copper conductive paste currently on the market was developed mainly for use in aluminum-containing substrates, and is not reliable enough for application to various low-temperature fired substrates. There is no gender.

特に、ケ逅カルポンド用バインダー粉末を含む銅導電ペ
ーストでは、約1000℃前後の高温焼成を要するが、
低温焼成基板用のガラスの屈伏点は、通常800℃弱程
度であるため、低温焼成基板には全く適用できない。
In particular, copper conductive paste containing binder powder for chemical bonding requires high-temperature firing at around 1000°C.
The yield point of glass for low-temperature fired substrates is usually about 800° C., so it cannot be applied to low-temperature fired substrates at all.

また、ガラスボンドにおいても、ガラスの低温焼成基板
に対する熱膨張整合性等がアルミナ基板に比較して劣る
Furthermore, in the case of glass bond, the thermal expansion matching of glass to a low-temperature fired substrate is inferior to that of an alumina substrate.

また、特開昭61−107607号公報においては、焼
成温度を850〜950℃と高くする必要があり、さら
に特開昭60−35405号公報または特開平1−12
8488号公報ではガラスフリットのガラスと低温焼成
基板中のガラスとで線膨張率の差によるマイクロクラン
クの発生があり、やはり問題がある。
In addition, in JP-A No. 61-107607, the firing temperature must be as high as 850 to 950°C;
In Japanese Patent No. 8488, micro-cranks occur due to the difference in linear expansion coefficient between the glass of the glass frit and the glass of the low-temperature fired substrate, which is still a problem.

このように、従来から、低温焼成基板用のバインダー粉
末を含有する銅導電ペーストの開発が望まれていたので
ある。
Thus, there has been a desire for the development of a copper conductive paste containing binder powder for low-temperature firing substrates.

ここに、本発明の目的は、低温焼成基板の表面に、75
0℃以下の低温域での焼成により、基板との接合強度が
高く銅厚膜導体を形成することができる銅導電ペースト
およびその製法を提供することにある。
Here, an object of the present invention is to provide 75% on the surface of a low-temperature fired substrate.
The object of the present invention is to provide a copper conductive paste that can form a copper thick film conductor with high bonding strength to a substrate by firing at a low temperature of 0° C. or lower, and a method for producing the same.

また、別の面からは、前記銅導電ペーストを用いた低温
焼成基板を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a low-temperature firing substrate using the copper conductive paste.

(課題を解決するための手段) 本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究の結果
、低温焼成基板への銅厚膜導体への接着強度を上げるた
め、バインダー粉末として低温焼成基板に含まれている
ガラス成分と同じ成分のガラスフリットを用い、該ガラ
スフリットを平均粒径2μm以下に微粉砕することによ
り、銅厚膜導体と低温焼成基板との接着点を増やして、
低温焼成基板と銅厚膜導体との接着強度を高めることが
可能となることを知見した。ここで、微粉砕されたガラ
スフリフトは非常にかさ高い(1,50cffl/g)
ため、比表面積が高< (3,5rrf/g)かつ凝集
性が高い。このため、微粉砕されたガラスフリットを、
粘性を有する(見かけ粘度が1×10〜・Pa−5程度
である)有機ビヒクル中に均一に分散させることは非常
に難しい。この難点を克服するため、本発明者らは、さ
らに検討を重ねた結果、予め銅導電粉末とガラスフリッ
トとをアセトンを分散液とした湿式混合法を用いて均一
に混合しておき、該混合粉末の見かけ比容積及び比表面
積を低減させた後、有機ビヒクル中に分散させることに
より、固形物粉末の分散度が高く、かつ固形物濃度も高
い銅導電ペーストを得ることができることを知り、本発
明を完成するに至った。
(Means for Solving the Problems) As a result of intensive research in order to solve the above problems, the present inventors have found that, in order to increase the adhesive strength of copper thick film conductors to low-temperature fired substrates, binder powder can be applied to low-temperature fired substrates. By using a glass frit with the same composition as the glass component contained in the glass frit and pulverizing the glass frit to an average particle size of 2 μm or less, the number of bonding points between the copper thick film conductor and the low-temperature fired substrate is increased.
It has been found that it is possible to increase the adhesive strength between a low temperature fired substrate and a copper thick film conductor. Here, the pulverized glass flift is very bulky (1,50 cffl/g)
Therefore, the specific surface area is high (3,5rrf/g) and the aggregation property is high. For this reason, finely pulverized glass frit is
It is very difficult to uniformly disperse it in a viscous organic vehicle (apparent viscosity is about 1×10 to .Pa-5). In order to overcome this difficulty, the present inventors conducted further studies and found that the copper conductive powder and glass frit were uniformly mixed in advance using a wet mixing method using acetone as a dispersion. We learned that by reducing the apparent specific volume and specific surface area of the powder and then dispersing it in an organic vehicle, it was possible to obtain a copper conductive paste with a high degree of solid powder dispersion and a high solid content. The invention was completed.

ここに、本発明の要旨とするところは、ガラスとフィラ
とを組み合わせた低温焼成基板用の銅導電ペーストであ
って、前記ガラスの成分と同じ成分を有し、平均粒径が
2μ恒以下であるガラスフリットおよび銅導電粉末を含
有することを特徴とする銅導電ペーストである。
Here, the gist of the present invention is to provide a copper conductive paste for low-temperature firing substrates that combines glass and filler, which has the same components as the glass and has an average particle size of 2μ or less. A copper conductive paste characterized by containing a certain glass frit and a copper conductive powder.

ここで、「平均粒径」とは、走査電子顕微鏡を用い、2
000個の粉末の各々に対し、一定方向の2本の平行線
ではさまれた距離を個々の粉末の代表径とし、2000
個の代表径の最@値を意味する。
Here, the "average particle size" means 2
For each of 000 powders, the distance between two parallel lines in a certain direction is taken as the representative diameter of each powder, and 2000
means the maximum @ value of the representative diameters.

なお、上記の本発明にかかる銅導電ペーストは、従来か
ら公知の導電ペーストと同様に、前記ガラスフリット、
銅導電粉末の他に、樹脂、溶剤を混合して調製される。
Note that the copper conductive paste according to the present invention described above, like conventionally known conductive pastes, includes the glass frit,
It is prepared by mixing resin and solvent in addition to copper conductive powder.

本発明において用いる樹脂としては各種の公知の樹脂を
用いることができる0例えば、エチルセルロース、ニト
ロセルロース、ヒドロキシセルロース、ポリブチルメタ
クリレート等を例示することができる。
Various known resins can be used as the resin used in the present invention. For example, ethyl cellulose, nitrocellulose, hydroxycellulose, polybutyl methacrylate, etc. can be used.

また、本発明において用いる溶剤も公知の各種の溶剤を
用いることができる。例えば、テルピネオール、ジブチ
ルカルピトール、ジブチルフタレ−ト、2,2.4−ト
リメチル−1,3−ベンタンジオール、モノイソブチレ
ート等を例示することができる。
Moreover, various known solvents can be used as the solvent used in the present invention. For example, terpineol, dibutylcarpitol, dibutyl phthalate, 2,2,4-trimethyl-1,3-bentanediol, monoisobutyrate, etc. can be used.

また、上記の本発明においては、前記銅導電粉末の平均
粒径が1〜2μmであることが750℃以下の焼成に好
適である。
Further, in the present invention described above, it is preferable that the average particle size of the copper conductive powder is 1 to 2 μm for firing at 750° C. or lower.

また、上記の本発明にかかる銅導電ペーストを得るため
には、前記ガラスフリットと前記銅導電粉末とを予め湿
式混合した後、有機ビヒクル中に分散させてペースト化
すればよい。
In order to obtain the copper conductive paste according to the present invention, the glass frit and the copper conductive powder may be wet-mixed in advance, and then dispersed in an organic vehicle to form a paste.

なお、上記ペースト化の方法の例としては、ニーグー、
措潰機、3本ロール等により混練する等の従来から公知
の方法を例示することができる。
In addition, examples of the above-mentioned method of making paste include Nigoo,
Conventionally known methods such as kneading with a crusher, three rolls, etc. can be exemplified.

また、別の面からは、本発明の要旨とするところは、ガ
ラスとフィラとを組み合わせた低温焼成基板であって、
上記の本発明にかかる銅導電ペーストを基板上に塗布し
、750℃以下の温度で焼成し物てなることを特徴とす
る低温焼成基板である。
In addition, from another aspect, the gist of the present invention is a low temperature firing substrate combining glass and filler,
The present invention is a low-temperature fired substrate characterized in that the copper conductive paste according to the present invention described above is applied onto a substrate and fired at a temperature of 750° C. or lower.

(作用) 以下、本発明を作用効果とともに詳述する。なお、本明
細書において、特にことわりがない限り、「%」は「重
量%」を意味するものとする。
(Function) Hereinafter, the present invention will be explained in detail along with the function and effect. In this specification, "%" means "% by weight" unless otherwise specified.

基板と銅焼成厚膜との接着強度の低下の原因、特に高温
放置後の接合強度の低下の原因として考えられるものに
、ガラスフリットと基板との熱膨張率の差により生じる
熱ひずみ(マイクロクランク)がある。
Thermal strain (microcrank) caused by the difference in thermal expansion coefficient between the glass frit and the substrate is a possible cause of the decrease in bond strength between the substrate and the fired thick copper film, especially after being left at high temperatures. ).

現在、市販されている銅導電ペースト中のガラスフリッ
トは、アルZす基板の熱膨張係数7.2×10−’de
g−’に近い鉛ホウケイ酸ガラス系(熱膨張係数6〜8
 X 10− ’deg−’ )を用いているため、ア
ルミナ基板に対する熱膨張整合性はよい。しかし、低温
焼成基板の熱膨張係数は、シリコンの熱膨張係数3.6
X10−’deg−’に近づけるため、アルミナ基板よ
り低い4〜6 Xl0−”deg−’に設定されている
。このため、鉛ホウケイ酸ガラスと低温焼成基板との熱
膨張整合性は悪く、高温放置後の接着強度は低下してし
まう。
Currently, the glass frit in the copper conductive paste commercially available has a thermal expansion coefficient of 7.2 × 10-' de
Lead borosilicate glass system close to g-' (thermal expansion coefficient 6-8
X10-'deg-'), the thermal expansion matching with the alumina substrate is good. However, the thermal expansion coefficient of the low temperature fired substrate is 3.6, which is the thermal expansion coefficient of silicon.
In order to get close to X10-'deg-', it is set at 4 to 6 The adhesive strength decreases after being left standing.

そこで、本発明では、低温焼成基板に含まれるガラスと
同じ酸分のガラスを選出し、このガラスを銅導電ペース
ト中のガラスフリットとして用いることにより、両者の
熱膨張整合性を完全に一致させる。これにより、銅厚膜
中のガラスと基板中のガラスとは一体化し、強固な結合
状態が得られることとなる。
Therefore, in the present invention, a glass with the same acid content as the glass contained in the low-temperature fired substrate is selected, and this glass is used as a glass frit in the copper conductive paste, thereby completely matching the thermal expansion compatibility between the two. As a result, the glass in the copper thick film and the glass in the substrate are integrated, and a strong bond is obtained.

しかし、単に低温焼成基板に含まれるガラスと同じ成分
のガラスを銅導電ペースト中のガラスフリットとして用
いるだけでは、新たな問題が生しる。すなわち、低温焼
成基板に用いられるガラスの屈伏点は800℃弱であり
、該ガラスフリントを含有する銅導電ペーストを750
℃以下で焼成する場合はガラスフリットの流動性が不足
し、銅導電ペーストが基板に十分に濡れずに広がらない
という事態になり、良好な接着強度は得られない。これ
は、従来の20μ部以下にふるい分けしたガラスフリッ
トでは、いわゆる1氷山の一角”のように、ガラスフリ
ットの極く一部分のみが基板に接触するため、単位面積
当たりのガラスフリフトの接触点の数は極めて低いため
であると考えられる。すなわち、ガラスフリットの流動
性が低ければ、ガラスフリットの基板との接触面積の総
計は低くなしたがって、低温焼成基板に含まれる屈伏点
が800℃弱のガラスをガラスフリットとして使用する
場合を勘案し、本発明においては、該ガラスフリットを
その平均粒径が2μm以下となるように微粉砕しておき
、基板との接触点を増大させるのである。このように、
ガラスフリットの粒径をも限定することにより、該ガラ
スフリット自体の流動性が不足していても、基板との充
分な接触面積を得ることができ、基板と銅導電ペースト
との接着性が向上する。
However, simply using a glass having the same composition as the glass contained in the low-temperature fired substrate as the glass frit in the copper conductive paste causes new problems. That is, the yield point of glass used for low-temperature fired substrates is a little less than 800°C, and the copper conductive paste containing the glass flint is heated to 750°C.
When firing at temperatures below .degree. C., the fluidity of the glass frit is insufficient, resulting in a situation where the copper conductive paste does not sufficiently wet the substrate and does not spread, making it impossible to obtain good adhesive strength. This is due to the fact that with conventional glass frits that are sieved to 20 μm or less, only a very small portion of the glass frit comes into contact with the substrate, like the tip of an iceberg. In other words, if the fluidity of the glass frit is low, the total contact area of the glass frit with the substrate will be low. Considering the case where glass is used as a glass frit, in the present invention, the glass frit is finely pulverized so that the average particle size is 2 μm or less to increase the number of contact points with the substrate. like,
By limiting the particle size of the glass frit, even if the glass frit itself lacks fluidity, a sufficient contact area with the substrate can be obtained, improving the adhesion between the substrate and the copper conductive paste. do.

また、本発明にかかる銅導電ペースト中の銅導電粉末の
平均粒径は1μm以上2μm以下であることが好適であ
る。平均粒径が2μ憚超の銅粉の場合750”Cの焼成
では充分に焼結せず、一方1μ■未満の場合ペースト化
に必要なビヒクル量が増大し、脱溶媒性が悪くなり、い
ずれにしても所望の性質の銅導電ペーストを得ることが
できないことがあるからである。
Further, it is preferable that the average particle diameter of the copper conductive powder in the copper conductive paste according to the present invention is 1 μm or more and 2 μm or less. Copper powder with an average particle size of more than 2 μm will not be sufficiently sintered by firing at 750”C, while if it is less than 1 μm, the amount of vehicle required to make a paste will increase, desolvation properties will deteriorate, and eventually This is because it may not be possible to obtain a copper conductive paste with desired properties even if the method is used.

しかし、ここで、再び新たな問題が生しる。すなわち、
ガラスフリットをその平均粒径が2μm以下となるよう
に微粉砕すると、見かけ比容積並びに比表面積が著しく
増大するため、該微粉砕されたガラスフリットを銅導電
粉末とともに有機ビヒクル中へ分散させてペーストを作
成する場合、多量の有機ビヒクルを要することとなる。
However, a new problem arises here. That is,
When glass frit is pulverized to an average particle size of 2 μm or less, the apparent specific volume and specific surface area are significantly increased. Therefore, the pulverized glass frit is dispersed in an organic vehicle together with copper conductive powder to form a paste. When preparing , a large amount of organic vehicle is required.

このため、ペースト中の固形物(銅導電粉末士ガラスフ
リット)の濃度が低下するため、ペーストを基板へ印刷
した後の前記固形物の粉末の充填度は下がり、緻密な焼
成厚膜は得られず、その結果、シート抵抗値は高くなっ
てしまう、従来は、特殊な湿潤剤(界面活性剤の一種)
を前記固形物の粉末の表面に被覆した後に有機ビヒクル
中に分散させていた。
For this reason, the concentration of the solid matter (copper conductive powder and glass frit) in the paste decreases, and the degree of filling of the solid matter powder after printing the paste on the substrate decreases, making it difficult to obtain a dense baked thick film. However, as a result, the sheet resistance value becomes high. Conventionally, special wetting agents (a type of surfactant)
was coated on the surface of the solid powder and then dispersed in an organic vehicle.

また、有機ビヒクル中では、銅粉とガラスフリットとが
均一に分散していることが理想的であるが、ガラスフリ
ットの平均粒径が2μm以下になると凝集が起きやすく
なり、見かけ粘度が約1×10’mPa・S前後である
有機ビヒクル中に凝集状態を解体させ、均一に分散させ
ることは難しい。従来は、やはり、特殊な分散剤(界面
活性剤の一種)を用いて前記有機ビヒクル中に分散させ
ていた。
In addition, it is ideal that the copper powder and glass frit are uniformly dispersed in the organic vehicle, but if the average particle size of the glass frit is less than 2 μm, aggregation tends to occur, and the apparent viscosity decreases to about 1 μm. It is difficult to break up the agglomerated state and disperse it uniformly in an organic vehicle where the pressure is around 10' mPa·S. Traditionally, special dispersants (a type of surfactant) have also been used to disperse them in the organic vehicle.

本発明者らは、このような2つの問題、すなわち、ガラ
スフリットの微粉砕により生ずる■ペースト中の固形物
の、濃度の低下、■ペースト中の固形物である微粉末の
不均一分散 を克服するため、該固形物の微粉末を混式混合法により
予備混合することが有効であることを知見した。すなわ
ち、例えばアセトンを分散液とした湿式混合法により、
銅導電粉末とガラスフリットとを均一に予備混合するこ
とで銅微粉末(銅導電粉末)の表面上にガラスフリット
を被覆させ、銅微粉末とガラスフリットとの混合物の比
表面積を、各微粉末の比表面積の相加平均より下げるこ
とが可能となるのである。
The present inventors have overcome these two problems, namely, (1) a decrease in the concentration of solids in the paste, and (2) non-uniform dispersion of the fine powder, which is a solid substance in the paste, caused by the pulverization of the glass frit. Therefore, it has been found that it is effective to premix the fine powder of the solid material by a mixed mixing method. That is, for example, by a wet mixing method using acetone as a dispersion,
By uniformly pre-mixing copper conductive powder and glass frit, the surface of copper fine powder (copper conductive powder) is coated with glass frit, and the specific surface area of the mixture of copper fine powder and glass frit is This makes it possible to lower the specific surface area by less than the arithmetic mean of the specific surface area.

そして、銅微粉末とガラスフリットとを均一に混合して
、分散液であるアセトンを完全にa!見させた後に、該
銅微粉末およびガラスフリフトを、樹脂と溶剤とからな
る有機ビヒクル中に分散させ4てペースト化することに
より、ペースト濃度が高く、固形物中の微粉末が均一に
分散した高品位の銅導電ペーストを得ることが可能とな
る。
Then, by uniformly mixing the copper fine powder and the glass frit, the acetone dispersion is completely a! After the fine copper powder and glass lift are dispersed in an organic vehicle consisting of a resin and a solvent and made into a paste, the paste concentration is high and the fine powder is uniformly dispersed in the solid material. It becomes possible to obtain a high-quality copper conductive paste.

なお、上記ペースト化の方法は、前述したような公知の
方法によればよく、何ら限定を要するものではない。
Note that the pasting method may be any known method as described above, and is not limited in any way.

さらに、このようにして得た本発明にかかる銅導電ペー
ストを低温焼成基板の表面に導体として形成するには、
従来の方法と同様に、スクリーン印刷法、メタルマスク
による印刷法、直接描画法等を用いればよい0例えば、
前記銅導電ペーストを基板上に所定の形状にスクリーン
印刷した後、焼成すればよい。この際、本発明にかかる
銅導電ペーストは、低温焼成が可能であり、焼成温度を
750℃以下とすることができる。
Furthermore, in order to form the copper conductive paste according to the present invention thus obtained as a conductor on the surface of a low temperature fired substrate,
As with conventional methods, screen printing, metal mask printing, direct drawing, etc. may be used. For example,
The copper conductive paste may be screen printed onto a substrate in a predetermined shape and then fired. At this time, the copper conductive paste according to the present invention can be fired at a low temperature, and the firing temperature can be set to 750°C or less.

このように、本発明にかかる銅導電ペーストでは、焼成
温度を750℃以下と抑制することができるため、焼成
後の接合強度の低下を防止することができる。
As described above, in the copper conductive paste according to the present invention, the firing temperature can be suppressed to 750° C. or lower, so that a decrease in bonding strength after firing can be prevented.

また、低温焼成基板の内部導体として、銀導体を利用す
る場合、焼成温度が779℃以上の場合、本発明にかか
る銅導電ペーストと前記銀導体とを接続するときに、共
晶反応を起こし、接続不良を起こすおそれがあるが、本
発明においては、焼成温度を750℃以下とすることが
できるため、前記不良の発生を防止することもできる。
In addition, when a silver conductor is used as an internal conductor of a low-temperature fired substrate, when the firing temperature is 779°C or higher, a eutectic reaction occurs when connecting the copper conductive paste according to the present invention and the silver conductor, Although there is a risk of connection failure, in the present invention, since the firing temperature can be set to 750° C. or lower, the occurrence of the above-mentioned failure can also be prevented.

このように、本発明により、低温焼成基板の表面に、7
50℃以下の低温域での焼成により、基板との接合強度
が、高温放置後においても3kgf/2mm口以上と、
高い銅厚膜導体を形成することができる銅導電ペースト
およびその製法、さらに前記銅導電ペーストを用いた低
温焼成基板を提供することができる。
In this way, according to the present invention, 7
By firing at a low temperature of 50℃ or less, the bond strength with the substrate is 3kgf/2mm or more even after being left at high temperatures.
It is possible to provide a copper conductive paste capable of forming a high copper thick film conductor, a method for producing the same, and a low-temperature firing substrate using the copper conductive paste.

以下、本発明を実施例を用いて、より詳細に説明するが
、これはあくまでも本発明の例示であって、これにより
本発明が限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail using Examples, but these are merely illustrative of the present invention and are not intended to limit the present invention.

(実施例) 平均粒径1μ麟のアルミノ・カルシウムホウケイ酸<A
l2O213,1%−Ca021.8%−3i0□57
.3%−BzCh 7.8%)から成るガラスブリット
 (比表面積1.20m”/g) 0.1gと、平均粒
径2μmの銅導電粉末(比表面積0.30m”/g) 
5.0gを、アセトン15ccを注入したビーカーに投
入した。この混合液に超音波振動を加えながら激しく攪
拌した。この攪拌は、アセトンが完全に揮発するまで行
った。
(Example) Alumino-calcium borosilicate <A with an average particle size of 1 μm
l2O213,1%-Ca021.8%-3i0□57
.. 3%-BzCh 7.8%) (specific surface area 1.20 m"/g) and copper conductive powder (specific surface area 0.30 m"/g) with an average particle size of 2 μm.
5.0 g was placed in a beaker containing 15 cc of acetone. This mixed solution was vigorously stirred while applying ultrasonic vibration. This stirring was continued until the acetone was completely volatilized.

そして、撹拌後に、この混合粉末を電子顕微鏡で観察し
たところ、銅導電粉末の表面上にガラスフリットが均一
に被覆されていることが確認できた。
After stirring, this mixed powder was observed under an electron microscope, and it was confirmed that the surface of the copper conductive powder was uniformly coated with glass frit.

該混合粉末の比表面積は0.28+g”/gであり、各
粉末単独の相加平均値((1,20(+1″/g) X
 0.1 (g) +0.30(m”/g)X5.O(
g)) +(0,1+5.0)(g) ) ′io、3
21/gより低い値となった。
The specific surface area of the mixed powder is 0.28+g"/g, and the arithmetic average value of each powder alone ((1,20(+1"/g)
0.1 (g) +0.30 (m”/g)
g)) +(0,1+5.0)(g) ) ′io, 3
The value was lower than 21/g.

次いで、このようにして得た銅導電粉末とガラスフリフ
トとの混合物5.10gを0.82gの有機ビヒクル(
6%エチルセルロース−テルピネオール)中に分散、混
練させて、スクリーン印刷に最適な粘度200 Pa−
5を有する銅導電ペーストとした。
Next, 5.10 g of the thus obtained mixture of copper conductive powder and glass lift was mixed with 0.82 g of organic vehicle (
Dispersed and kneaded in 6% ethyl cellulose (terpineol) to achieve a viscosity of 200 Pa, which is ideal for screen printing.
A copper conductive paste having 5 was prepared.

なお、ペーストの混練には3本ロールミルを使用した。Note that a three-roll mill was used for kneading the paste.

このようにして得た銅導電ペーストを、該銅導電ペース
ト中に含まれるガラスフリットと同成分のガラス(A 
1 zch 13.1%−Ca021.8%−5iO*
57.3%−fhOi 7.8%)とアルミナとで構成
された低温焼成基板((40%A j! gos  6
0%ガラス)、熱膨張係数5.5X 10−”deg−
’、比誘電率7.7(at IMHz))上に所定の形
状にスクリーン印刷し、120℃で10分間予備乾燥し
て溶剤(テルピネオール)を除去した後、750℃×7
0分間ベルト炉(ピーク時キープ条件=750℃×10
分)で、窒素雰囲気下(20μpmO,−N、 bit
、)で坑底した。
The copper conductive paste obtained in this way was mixed with a glass (A) having the same composition as the glass frit contained in the copper conductive paste.
1 zch 13.1%-Ca021.8%-5iO*
57.3%-fhOi 7.8%) and alumina ((40% A j! gos 6
0% glass), thermal expansion coefficient 5.5X 10-”deg-
', relative dielectric constant 7.7 (at IMHz)) was screen printed into a predetermined shape, pre-dried at 120°C for 10 minutes to remove the solvent (terpineol), and then dried at 750°C x 7
Belt furnace for 0 minutes (peak keeping conditions = 750℃ x 10
min) under a nitrogen atmosphere (20 μpm O, -N, bit
).

その結果、750℃という低温の坑底であったが、厚さ
20μmの銅導体厚膜である本発明例を得ることができ
た。
As a result, although the temperature of the bottom of the pit was as low as 750° C., it was possible to obtain a copper conductor thick film of the present invention with a thickness of 20 μm.

このようにして得た本発明例にかかる銅導体厚膜の評価
を行うために、シート抵抗、接着強度(初期、加熱およ
び放置後)、およびはんだ濡れ性を評価した。
In order to evaluate the copper conductor thick film according to the example of the present invention thus obtained, sheet resistance, adhesive strength (initial stage, after heating and standing), and solder wettability were evaluated.

評価方法は以下の通りである。The evaluation method is as follows.

2二上11:4体抵抗値の測定により評価した。22-11: Evaluated by measuring 4-body resistance value.

方法は、4端子法抵抗測定により、線幅0.5mmの銅
導体厚膜の抵抗値を測定し、厚さ20μm時のシート抵
抗値に換算して求めた。
The resistance value of a copper conductor thick film with a line width of 0.5 mm was measured by a four-terminal resistance measurement method, and the resistance value was calculated by converting it into a sheet resistance value when the thickness was 20 μm.

笈豊豆度: Du Pont法ビール強度の測定により
評価した。2開角のw4導体厚膜に、0.6開スズメツ
キ銅線を、水平に、はんだデイツプ法(60Sn/40
pbハンダ、230℃×3秒浸漬〉によりはんだ付後、
スズメッキ5pIvA厚膜端部より1+g−の位置で9
0度曲げて基板と垂直とし、基板を固定した状態で引張
り試験機により、10c麟/分の速度でスズメツキ銅線
を引張り、基板とスズメツキ#iwAとが剥離した際の
剥S強度を測定し、この値を初期接着強度とした。なお
、加熱および放置後の接着強度は、ハンダデイツプした
後、基板を150“Cにコントロールしたオーブン中に
500時間保存したものの剥離強度とした。
Bean strength: Evaluated by measuring beer strength using the Du Pont method. A 0.6-open tin plated copper wire was horizontally soldered onto a W4 conductor thick film with a 2-opening angle using the solder dip method (60Sn/40
After soldering with pb solder, dipping at 230℃ for 3 seconds,
9 at a position 1+g- from the end of the tin plated 5pIvA thick film
Bend it by 0 degrees so that it is perpendicular to the board, and with the board fixed, pull the tinted copper wire at a rate of 10 cm/min using a tensile testing machine to measure the peel S strength when the board and tin #iwA peel off. , this value was taken as the initial adhesive strength. The adhesive strength after heating and standing was the peel strength obtained when the substrate was stored in an oven controlled at 150"C for 500 hours after being soldered.

一41d覧撮1叫生:焼成部品をハンダデイツプした後
、銅テストパターン上に得られたはんだ被覆の割合(%
)よりはんだ濡れ性を測定した。
1.41d view 1. Proportion of solder coverage obtained on the copper test pattern after solder-dipping the fired parts (%)
), the solder wettability was measured.

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

ケイ酸(Pb065%−Cd010%−8iO!10%
−Br(h15%)から威るガラスフリット(比表面積
1.15−/g)0、lOgと本発明例で用いた銅導電
粉末を実施例1と同様に予備湿式混合した後に、0.8
2gの有機じヒクル中に分散、混練して粘度200 P
a−5の導電ペーストを作成した。
Silicic acid (Pb065%-Cd010%-8iO!10%
- After pre-wet mixing the glass frit made from -Br (h15%) (specific surface area 1.15-/g) 0.1Og and the copper conductive powder used in the present example in the same manner as in Example 1,
Disperse and knead in 2g of organic solvent to obtain a viscosity of 200P.
A conductive paste of a-5 was created.

該導電ペーストを本発明例と同様に低温焼成基板に印刷
、坑底して、比較例3とし、各種導体特性を評価した。
Comparative Example 3 was prepared by printing the conductive paste on a low-temperature fired substrate and applying it to the bottom of a hole in the same manner as in the present invention example, and various conductor properties were evaluated.

本発明例および比較例】ないし比較例3によって得られ
た導体特性を第1表にまとめて示す。
The conductor properties obtained in Examples of the Invention and Comparative Examples to Comparative Example 3 are summarized in Table 1.

一方、比較例として、前記の本発明例で用いた銅導電粉
末5.0gとガラスフリフト0.10gとを湿式混合に
よる予備混合を施さず、直接有機ビヒクル中に分散させ
、3本ローラーミルで混練したところ、粘度200 P
a−5を有するペーストとするために、0.95gの有
機ビヒクルを要した。
On the other hand, as a comparative example, 5.0 g of the copper conductive powder and 0.10 g of glass lift used in the above-mentioned examples of the present invention were directly dispersed in an organic vehicle without premixing by wet mixing, and then dispersed using a three-roller mill. When kneaded with
0.95 g of organic vehicle was required to make a paste with a-5.

該導電ペーストを、前記の本発明例の場合と同様に、低
温焼成基板に印刷、坑底して、比較例1として、前記の
各種導体特性を評価した。
The conductive paste was printed on a low-temperature fired substrate and formed into a pit in the same manner as in the above-mentioned example of the present invention, and the various conductor properties described above were evaluated as Comparative Example 1.

また、平均粒径が10μmである本発明例に用いたガラ
スフリフトと同じ酸分のガラスフリット0、10gと本
発明例で用いた銅微粉末5.0gとを、本発明例と同様
にアセトンを分散媒とした湿式混合により予備混合した
後に、有機ビヒクル0.78g中に分散、混練し粘度2
00 Pa−5のペーストを作成した。
In addition, 0 and 10 g of glass frit having the same acid content as the glass frit used in the present invention example and having an average particle size of 10 μm and 5.0 g of the copper fine powder used in the present invention example were added in the same manner as in the present invention example. After premixing by wet mixing using acetone as a dispersion medium, it was dispersed and kneaded in 0.78 g of an organic vehicle until the viscosity was 2.
A paste of 00 Pa-5 was prepared.

該ペーストを比較例1と同様に低温焼成基板に印刷、坑
底して、比較例2として、各種導体特性を評価した。
The paste was printed on a low-temperature fired substrate in the same manner as Comparative Example 1, and the bottom of the hole was formed, and various conductor properties were evaluated as Comparative Example 2.

さらに、平均粒径2μ僻の鉛カドミウム・ホウ第1表か
らも明らかなように、本発明にかかる銅導電ペーストは
、焼成温度が通常より低い750℃程度であるにも関わ
らず、低温焼成基板との接着強度、特に加熱放置後の接
着強度が高く、かつ十分な導電性及び良好なはんだ濡れ
性を具備しており、信頼性の高い低温焼成基板を得るこ
とができた。
Furthermore, as is clear from Table 1 of the lead-cadmium powder with an average particle size of 2 μm, the copper conductive paste according to the present invention can be used on low-temperature fired substrates even though the firing temperature is about 750°C, which is lower than usual. It was possible to obtain a highly reliable low-temperature fired substrate that had high adhesive strength, especially after being left to heat, and had sufficient conductivity and good solder wettability.

(発明の効果〉 以上詳述したように、本発明により、低温焼成基板の表
面上に、導体を形成することが可能となった。したがっ
て、低温焼成基板の用途拡大に大きく寄与することが可
能である。
(Effects of the Invention) As detailed above, the present invention makes it possible to form a conductor on the surface of a low-temperature fired substrate. Therefore, it can greatly contribute to expanding the uses of low-temperature fired substrates. It is.

かかる効果を有する本発明の実用上の意義は極めて著し
い。
The practical significance of the present invention having such effects is extremely significant.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ガラスとフィラとを組み合わせた低温焼成基板用
の銅導電ペーストであって、前記ガラスの成分と同じ成
分を有し、平均粒径が2μm以下であるガラスフリット
および銅導電粉末を含有することを特徴とする銅導電ペ
ースト。
(1) A copper conductive paste for low-temperature firing substrates that combines glass and filler, which contains glass frit and copper conductive powder that have the same components as the glass and have an average particle size of 2 μm or less. A copper conductive paste characterized by:
(2)前記銅導電粉末の平均粒径が1〜2μmである請
求項1記載の銅導電ペースト。
(2) The copper conductive paste according to claim 1, wherein the copper conductive powder has an average particle size of 1 to 2 μm.
(3)前記ガラスフリットと前記銅導電粉末とを予め湿
式混合した後、有機ビヒクル中に分散させてペースト化
することを特徴とする請求項1または請求項2記載の銅
導電ペーストの製法。
(3) The method for producing a copper conductive paste according to claim 1 or 2, wherein the glass frit and the copper conductive powder are wet-mixed in advance and then dispersed in an organic vehicle to form a paste.
(4)ガラスとフィラとを組み合わせた低温焼成基板で
あって、請求項1または請求項2記載の銅導電ペースト
を基板上に塗布し、750℃以下の温度で焼成してなる
ことを特徴とする低温焼成基板。
(4) A low-temperature fired substrate combining glass and filler, characterized in that the copper conductive paste according to claim 1 or 2 is applied onto the substrate and fired at a temperature of 750°C or less. Low-temperature firing substrate.
JP9368790A 1990-04-09 1990-04-09 Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board Pending JPH03291989A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9368790A JPH03291989A (en) 1990-04-09 1990-04-09 Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9368790A JPH03291989A (en) 1990-04-09 1990-04-09 Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03291989A true JPH03291989A (en) 1991-12-24

Family

ID=14089315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9368790A Pending JPH03291989A (en) 1990-04-09 1990-04-09 Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03291989A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261411A (en) * 2001-02-27 2002-09-13 Kyocera Corp Ceramic wiring board and method of manufacturing the same
JP2006196245A (en) * 2005-01-12 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Conductive paste and wiring circuit board using it
JP2006216389A (en) * 2005-02-03 2006-08-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Conductive paste and wiring board using it
JPWO2005015573A1 (en) * 2003-08-08 2006-10-05 住友電気工業株式会社 Conductive paste

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261411A (en) * 2001-02-27 2002-09-13 Kyocera Corp Ceramic wiring board and method of manufacturing the same
JP4627903B2 (en) * 2001-02-27 2011-02-09 京セラ株式会社 Ceramic wiring board and manufacturing method thereof
JPWO2005015573A1 (en) * 2003-08-08 2006-10-05 住友電気工業株式会社 Conductive paste
JP4600282B2 (en) * 2003-08-08 2010-12-15 住友電気工業株式会社 Conductive paste
JP2006196245A (en) * 2005-01-12 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Conductive paste and wiring circuit board using it
JP2006216389A (en) * 2005-02-03 2006-08-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Conductive paste and wiring board using it

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4848674B2 (en) Resin metal composite conductive material and method for producing the same
KR100798263B1 (en) Thick film conductor paste compositions for ltcc tape in microwave applications
JPS59146103A (en) Conductive paste
TW201349253A (en) Low silver content paste composition and method of making a conductive film therefrom
JPH0732310B2 (en) Method for manufacturing multilayer electronic circuit
TWI746515B (en) Conductive paste
JP3401102B2 (en) Circuit board and method of manufacturing the same, electronic device package, green sheet
JPH03291989A (en) Conductive copper paste, manufacture thereof and low temperature baked board
JPH0492497A (en) Silver series wiring ceramic board
JP4163003B2 (en) Use of conductor compositions in electronic circuits
JP2018137131A (en) Conductive paste, aluminum nitride circuit board and method for producing the same
JPH03167713A (en) Conductive paste burnable at low temperature and burning method thereof
JPS63136410A (en) Thick film copper veer filled ink
JP4635274B2 (en) Conductive paste
TW522410B (en) Conductor composition
JP4152163B2 (en) Conductive adhesive and method for producing the same
JP2004055558A (en) Copper paste and wiring board using the same
JPH0367281B2 (en)
JPH026096A (en) Metal-ceramic brazing material paste and electronic part
JPH03263391A (en) Paste for copper thick-film conductor and copper thick-film circuit board
JPH10340622A (en) Conductor paste
JPH06164089A (en) Method for making electrode pattern
JPH0725690A (en) Formation of metallized layer on the aln base
JPH0368483B2 (en)
JPH03122081A (en) Electrically conductive paste for sintered compact of aluminum nitride