JPH03287538A - 歯周組織再生促進用薬剤および材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、歯周炎により破壊された歯根膜を再生し、正
常な歯根と結合相識間の付着を促進するために用いる薬
剤もしくは医療用材料に関する。

従来の技術および課題 従来、歯周炎の治療方法としては、主としてスケ−１）
フグ等によ１つ機械的に歯周ボケ、ト内のプラークを除
去する方法が採用され、また重篤な場合には歯周外科的
処置がなされ、加えて、最近では抗生物質による化学療
法も試みられている。しかし、これらの療法は、歯周炎
の進行を阻止するには有効な方策であるか、破壊された
歯周組織を積極的に修復、再生させるものではなく、臨
床症状の改善はあくまて生体の自己冶簿力に依存するも
のである。

歯周組織は硬組織（＠根）と軟組織（歯肉）か歯根膜を
介した線維性の強固な総合により付着するという他の組
織には見られない構造を有しているか、かかる従来の方
、去では、歯根膜か再生する前に歯肉表面の上皮細胞か
歯周ポケット内１１１１Ｉ傷面を被覆してしまう（上皮
のタウングロース）ために、上皮組織と歯根との緩い結
合しか生じない。このため容易に歯周ポケットが再形成
され、ひいては歯周炎の再発と歯肉の退縮か高頻度に生
じる。

これに対し、正常な線維性結合を達成する方法として、
（１）クエン酸による根面処理（２）細胞付着性糖タン
パクであるフィブロネクチンの局所への適用（３）生体
適合性の高い遮断膜により上皮のダウングロースを抑制
する誘導組織再生法（ＧＴＲ法）、が提案されている。

しかし、（１）の方法は細胞に対する為害性、（２）の
方法は高分子であるフィブロネクチンの安定性、抗原性
といった問題があり、さらに（３）の方法は生体機能を
物理的に制御するため、術者による成功率の差が大きい
。

このような事情に鑑み、本発明者らは、安全性、安定性
および有効性に優れ、かつ誘導組織再生法にも簡単に応
用できる歯周組織再生剤につき鋭意研究を重ねた。その
結果、高分子電解質錯体に歯周組織再生促進作用のある
ことを見出した。

高分子電解質錯体は互いに反対符号を持つ高分子電解質
（陽イオン性高分子物質と陰イオン性高分子物質）を成
分高分子物質とし、これらを混合することにより瞬時に
形成されるもので、その界面は、生体組織の表面構造に
類似した、イオン結合部を主とする親水性ドメインに疎
水性ドメインが分散したミクロ不均一構造をとる。従来
から、これらの高分子電解質錯体を動物細胞の培養基剤
として用いることにより、培養した肝細胞、膵細胞の接
着性等の機能が亢進されることが知られているが、歯周
炎の治療においてこれらを応用した例は見当たらない。

課題を解決するための手段 本発明は、陰イオン性高分子物質と、陽イオン性高分子
物質とから形成される高分子電解質錯体を有効成分とし
てなることを特徴とする歯周組織再生促進剤および該高
分子電解質錯体を医薬上許容される基材に被覆してなる
歯周組織再生促進用材料を提供するものである。

本発明で用いる高分子電解質錯体の成分高分子物質は合
成のもの、天然のものあるいは生体由来のものいずれで
もよく、陽イオン性高分子物質としては、逐次メンタ１
トキフ反応により合成されるポリ［（ジメチルイミニオ
）エチレン（ジメチルイミニオ）メチレン−１，４−フ
ェニレン−メチレンジクロリド］（２Ｘ）などの主鎖荷
電型強塩基性合成陽イオン性高分子物質またはポリ（ビ
ニルベンジルトリメチルアンモニウムクロリド）（ＰＶ
ＢＭＡ）などの側鎖荷電型強塩基性合戊陽イオン性高分
合成質、さらに生体由来の陽イオン性高分子物質として
脱アセチル化Ｎ−アセチル−Ｄ−グルコサミンポリマー
であるキトサンおよびその誘導体等が挙げられる。また
、陰イオン性高分子物質としては、アクリル酸エステル
とアクリル酸のラジカル共重合により調製される異なる
疎水性側鎖を有する合成陰イオン性高分子物質や、ポリ
アクリル酸などの疎水鎖を有さない合成陰イオン性高分
子物質、さらにヒアルロン酸、フンドロイチン硫酸、ア
ルキン酸、セルロースおよびその誘導体等や、Ｎ−アセ
チル−Ｄ−グルコサミンポリマーであるキチンのカルボ
キシメチル化誘導体等の生体由来の陰イオン性高分子物
質が挙げられる。

本発明においては、多糖類、特に生体由来のＮ−アセチ
ル−Ｄ−グルコサミンポリマーのごとき陰イオン性高分
子物質を用いることが好ましい。

これらの成分高分子物質の水溶液を、イオン基濃度で通
常０．００００１〜０．０１ＬＩ　ｒｎｏｌ／ｌの溶液
に調製し、混合することにより高分子電解質錯体溶液が
得られる。また、この混合比を適宜変化させることによ
り、得られる高分子電解質錯体の荷電バランスを変化さ
せることができる。得られた高分子電解質錯体は特殊な
三元性溶媒にしか溶解せず、水、有機溶媒、酸、アルカ
リには不溶であり、かつ耐熱性、耐薬品性も高い。

これらの高分子電解質錯体の安全性は、用いる成分高分
子物質の種類や荷電バランスによって異なるものの、通
常有効性の見られる濃度範囲である１０−８〜１０−’
Ｍの範囲では細胞に対する毒性は見られないことが、ト
リパンブルー染色により確認されている。また通常の溶
媒中での溶出物は見られないことから、各成分高分子物
質側々の毒性を考慮する必要がない。

かくして、本発明の歯周組織再生促進剤は、通常の製剤
技術に従って、有効かつ非毒性量の該高分子電解質錯体
を医薬上許容される担体と合して外用剤（例えばゲル剤
）、該高分子電解質錯体のキャスティング処理により形
成されるフィルム、またテフロン、シリコンのごとき医
薬上許容される基材に被覆して医療用材料（例えば、誘
導組織再生法のための膜）とすることができる。

かくして、本発明の歯周組織再生促進剤は、置局外科処
置、あるいは根面滑沢処理後の歯周ポケット内に直接適
用することにより使用できる。適用量は治療すべき症状
、部位により適宜増減できるが、外用剤として用いる場
合には、通常、該高分子電解質錯体を１０″′６〜１０
−’Ｍの濃度で１回０１〜０．３射程度、１日１〜３回
患部に注入する。

また、医療用材料は、１０−８〜１０−’Ｍの濃度の該
高分子電解質錯体により表面をコートされたテフロン膜
やシリコーン膜、あるいはＩＱ−’Ｍ（７）１９度の該
高分子電解質錯体により形成されたフィルムを患部に挿
入することによって、所望の歯周組織再生効果が発揮さ
れる。

大奥例 次に実施例および実験を挙げて本発明をさらに詳しく説
明する。

実施例１ 成分　　　　量 カルボキシメチルセルロース　　　　１ｇ−キトサン錯
体（１０−２Ｍ） ラウリル硫酸ナトリウム　　　　　　０，２ｇグリセリ
ン　　　　　　　　　４０９ 精製水　　　　　　　　　　　　１００ｇに調整これら
の成分を混合し、ゲル剤を得る。

実施例２ ２Ｘ−ポリアクリル酸錯体（１０−８Ｍ）の水溶液中に
ポリカーボネート性メンブレンフィルターを浸し、−晩
装置した後取り出し、乾燥器中、６５°Ｃで３時間乾燥
後、蒸留水により洗浄し、再度乾燥し、紫外線滅菌して
、２Ｘ−ポリアクリル酸錯体により表面をコートされた
誘導組織再生用滅菌メンブレンフィルターを得る。

実施例３ カルボキシメチルキチン−キトサン錯体（１０−１Ｍ）
溶液をシリコーンまたはテフロン上で通常のキャスティ
ング処理により膜化させ、完全に乾燥する前（湿度６０
〜７０％）に剥がし、蒸留水により洗浄し、紫外線滅菌
してカルボキンメチルキチン−キトサン錯体滅菌膜を得
る。この膜は、生理食塩水またはリン酸緩衝塩類溶戚な
どの等張１夜中で保存することができる。

実験 陽イオン性高分子と陰イオン性高分子とからなる高分子
電解質錯体の歯周組織再生促進作用を試験した。以下に
その結果を示す。

（１）歯根膜線維芽細胞の運動性に対する作用ヒト抜去
歯に残存する歯根膜より歯根膜線維芽細胞を初代培養し
、その運動性を、種々の高分子電解質錯体もしくは各成
分高分子物質により表面をコートした孔径８ミクロンの
メンブレンフィルターを用いた４８穴マイクロチヤンバ
ー法により測定した。

５．０ｘ１０６個／村の細胞懸濁液をチャンバーの上室
に、下室には培養液のみを入れ、３７℃で４時間インキ
ュベートした。ついでフィルターを固定し、ティフーク
イノク（Ｄ　ｉｆｆ　−Ｑ　ｕｉｃｋ）染色後、フィル
ターの穴を通過し底部まで遁走した細胞数を顕微鏡下で
計数した。対照として、表面をコートしていないフィル
ターを用いて同様に試験を行なった。対照計数値を１０
０％とした場合の、高分子電解質錯体コートフィルター
使用時の相対的割合を第１表に示す。

リウムを基質とした酵素反応（３０分）により生成され
るｐ−ニトロフェノール量を、４１０ｎｍｉ：おける吸
光度（Ａ４．。）を測定することにより定量した。陰性
対照として、表面をコートしていないメンブレンフィル
ターを、また陽性対照として、さしにデキサメタシンを
最終濃度ｌＯμ９／村となるように培地中に加え、同様
に試験を行なった。

また、高分子電解質錯体の各成分高分子物質単体の作用
についても、同様に試験を行なった。

なお、酵素単位（１ユニツト）は、３７°Ｃテ１分間に
ｐ−ニトロフェノールを１　ｎｍｏｌ産生ずる量とし、
比活性は次式により求めた。

比活性（単位／ｍｇタンパク） ＝Ａ、、、　　ｘ　　１００／（０，８７３ｘ　　Ｏ，
２ｘＱ　　Ｘ　　３０分　Ｘ　タンパク量結果を第２表
に示す。

第１表に示すごとく、歯根膜線維芽細胞の運動性は、高
分子電解質錯体コートフィルター上において、各成分高
分子物質単体の場合と比べて顕著に亢進された。この結
果より明らかに、これらの高分子電解質錯体は歯周組織
再生の中心となる歯根膜線維芽細胞をより選択的に病変
部位に遊走せしめる作用を有する。

（２）歯根膜線維芽細胞の分化能に対する作用各種高分
子電解質錯体の歯根膜線維芽細胞の分化能に対する作用
を、アルカリ性フォスファターゼ活性を指標として測定
した。

表面を種々の高分子電解質錯体でコートしたメンブレン
フィルターを直径３５ｍｍの組織培養用シャーレに入れ
、その上に歯根膜線維芽細胞３．０ｘ１０’個を播種し
、３７°Ｃで７日インキュベート後、０．２％ノニデッ
トＰ−４０処理によりメンブレンフィルター上の細胞を
破壊し、さらに超音波破砕を１０分間行ない、遠心処理
して上清を得た。この上清０．２ｙＱ中のアルカリ性フ
ォスファターゼ活性を、ｐ−ニトロフェニルリン酸２ナ
ト鄭 ０　０　０　０　０　０　０ 派 々唄 ＋３ や や 今 第２表に示すごとく、高分子電解質錯体は、歯根膜線維
芽細胞のアルカリ性フォスファターゼ活性を高め、細胞
の分化能を増強する。この結果より明らかに、高分子電
解質錯体は局所に遊走した歯根膜線維芽細胞をさらに分
化させ、正常な歯根膜組織を形成させる活性を有する。

（３）イヌ歯肉剥離掻爬手術後の歯周組織再生過程に対
する作用 イヌ歯肉剥離掻爬手術後、誘導組織再生１＝ｉ（ＧＴＲ
法）による治癒過程に対する種々の高分子電解質錯体の
作用を病理組織学的定量法により検討した。ブラッシン
グ等により健常な歯周組織を確立した上下顎小臼歯部に
、常法に従って歯肉剥離掻爬手術を施した。この際、後
の病理組織学的定量化の基準点とするため、歯槽骨の削
除を実施する前後で、根面にノツチと呼ばれる基準点を
付与した。検体は実施例２て示したと同様な、高分子電
解質錯体で表面をコートしたメンブレンフィルターとし
、左側上下顎の被験部位にＧＴＲ法に準じてフィルター
を適用した。対照として右側上下顎に表面をコートして
いないフィルターを適用した。手術後は歯肉弁を復位し
、縫合とパンクにより１週間保護した。評価は術後３ケ
月後に被験部位を採取し、常法により組織標本を作成し
た後、顕微鏡下で接眼マイクロメーターを用いて各部位
間の距離を測定し、以下の式により算出した。

１・上皮のダウングロース抑制率（％）＝２；新生セメ
ント質の形成率（％〉 結果を表３に示す。

第３表に示すごとく、ＧＴＲ法による歯周組織の再生に
おいて、高分子電解質錯体でコートされたフィルターは
、対照のフィルターと比較して、新生セメント質形成を
顕著に促進した。ダウングロースの抑制については同程
度であった。

以上の結果から明らかなごとく、高分子電解質錯体はす
くれた歯周組織再生促進作用を有する。

発明の効果 本発明によれば、歯周炎の治療に有用な、安全性、安定
性および有効性に優れた歯周組織再生促進剤および材料
か得られる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）陽イオン性高分子物質と、陰イオン性高分子物質
   とから形成される高分子電解質錯体を有効成分としてな
   ることを特徴とする歯周組織再生促進剤。
2. （２）陽イオン性高分子物質と、陰イオン性高分子物質
   とから形成される高分子電解質錯体を医薬上許容される
   基材に被覆してなる歯周組織再生促進用材料。