JPH03283650A - Airtightly sealed module - Google Patents
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- JPH03283650A JPH03283650A JP2084649A JP8464990A JPH03283650A JP H03283650 A JPH03283650 A JP H03283650A JP 2084649 A JP2084649 A JP 2084649A JP 8464990 A JP8464990 A JP 8464990A JP H03283650 A JPH03283650 A JP H03283650A
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の０的］
（産業上の利用分野）
本発明は気密封止モジュールに係わり、特に気密封止す
るための外囲器内に、半導体ペレットを搭載したブロッ
クを、複数個収容する気密封止モジュールに関する。[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a hermetically sealed module, and particularly to a block equipped with a semiconductor pellet mounted in an envelope for hermetically sealing. , relates to a hermetically sealed module accommodating a plurality of modules.
（従来の技術）
第７図および第８図は、気密封止モジュールの斜視図で
あり、それぞれ金属製のキャップ１００と、これが接合
される金属製のステム１０２とから構成される外囲器を
持つ、キャンパッケージと呼ばれているものである。(Prior Art) FIGS. 7 and 8 are perspective views of hermetically sealed modules, each showing an envelope composed of a metal cap 100 and a metal stem 102 to which the cap is joined. It is called a can package.
第７図に示すキャンパッケージの９−９線に沿う断面図
を第９図に示す。FIG. 9 shows a cross-sectional view of the can package shown in FIG. 7 along line 9--9.
第９図に示すように、ステム１０２上には、配線基板１
０３が配置されており、その周囲を囲むように、複数の
トランジスタ・ブロック１０６Ａ〜１０６Ｆが配置され
ている。ブロック１０６八〜１０６Ｆには、それぞれバ
ワートランジスタ・ペレット１０８八〜１０８Ｆ、例え
ば大電力通電用バイポーラトランジスタ等が搭載されて
いる。ブロック１０６八〜１０６Ｆの表面には、図示せ
ぬ導電膜が形成されており、例えばペレット１０８Ａ〜
１０８Ｆの裏面の図示せぬコレクタ電極と電気的に接続
されている。ペレット１０８Ａ〜１０８Ｆの表面には、
ベース電極１１０およびエミッタ電極１１２が形成され
、ボンディング・ワイヤ１１４を介して配線基板１０３
の図示せぬ配線と電気的に接続されている。As shown in FIG. 9, a wiring board 1 is mounted on the stem 102.
03 is arranged, and a plurality of transistor blocks 106A to 106F are arranged so as to surround it. Power transistor pellets 1088 to 108F, such as bipolar transistors for carrying high power, are mounted on the blocks 1068 to 106F, respectively. A conductive film (not shown) is formed on the surfaces of blocks 1068 to 106F, for example, pellets 108A to 106F.
It is electrically connected to a collector electrode (not shown) on the back surface of 108F. On the surface of pellets 108A to 108F,
A base electrode 110 and an emitter electrode 112 are formed, and are connected to the wiring board 103 via bonding wires 114.
It is electrically connected to wiring (not shown).
同様に、ブロック１０６Ａ〜１０６Ｆも、ワイヤ１１４
を介して配線基板１０８の図示せぬ配線と電気的に接続
されている。なお、図中１１６は、ボンディング・パッ
ドであり、このバッド１１６に、ワイヤ１１４がボンデ
ィングされる。Similarly, blocks 106A-106F also have wires 114
It is electrically connected to wiring (not shown) of the wiring board 108 via. Note that 116 in the figure is a bonding pad, and the wire 114 is bonded to this pad 116.
さて、上述のような構成の気密封止モジュールでは、第
１０図および第１１図に示す平面形状が正方形（第１１
図）、並びに平面形状が正方形の角部を切り落とした形
状の五角形（第１０図）の二種類の形状のブロックが、
モジュール内に存在する。Now, in the hermetically sealed module configured as described above, the planar shape shown in FIGS. 10 and 11 is square (11
The blocks have two types of shapes: a square planar shape with the corners cut off (Fig. 10), and a pentagonal shape (Fig. 10).
Exists within a module.
一般的な気密封止モジュールでは、第１１図に示すよう
な正方形のブロック、例えば１０６Ｅ。In a typical hermetically sealed module, a square block as shown in FIG. 11, for example 106E.
あるいは長方形のブロックが配置される。Alternatively, rectangular blocks are placed.
ところが、キャップ１００をプレス加工して成型するキ
ャンパッケージでは、第７図および第８図に示すように
、その角部が丸みを持つ。これにより、キャップ１００
に隣接するブロック、例えば第９図に示すブロック１０
６Ａ、１０６Ｃ。However, in a can package in which the cap 100 is molded by press working, the corners thereof are rounded, as shown in FIGS. 7 and 8. As a result, cap 100
For example, block 10 shown in FIG.
6A, 106C.
１０６Ｄおよび１０６Ｆには、キャップ１００の内壁の
丸みに合わせ、正方形の角部を切り落としたような形状
のブロック、すなわち第１０図に示す形状のブロック、
例えば１０６Ｆを配置したほうが高密度な実装に都合が
よい。すなわち、そのようなブロックを配置した第９図
に示す気密封止モジュールは、ブロック１０６Ａ〜１０
６Ｆを高密度に実装でき、モジュールの軽薄短小化等に
貢献するものである。106D and 106F are blocks shaped like a square whose corners are cut off to match the roundness of the inner wall of the cap 100, that is, blocks shaped as shown in FIG.
For example, arranging 106F is more convenient for high-density packaging. That is, the hermetically sealed module shown in FIG. 9 in which such blocks are arranged includes blocks 106A to 10
6F can be mounted with high density, contributing to making the module lighter, thinner, shorter, etc.
しかしながら、第９図に示す気密封止モジュールを製造
するには、異なる形状のブロックを用意する必要がある
。However, in order to manufacture the hermetically sealed module shown in FIG. 9, it is necessary to prepare blocks of different shapes.
ブロックは、通常、窒化アルミを基体に用い、この上に
例えばモリブデン／ニッケル積層膜等の導電膜をメタラ
イズしたもので構成される。これの製作には、窒化アル
ミ板の切り出し等を行なう。The block is usually constructed by using aluminum nitride as a base, on which a conductive film such as a molybdenum/nickel laminated film is metallized. To manufacture this, we cut out an aluminum nitride plate.
このため、異なる形状に合わせた治具を、それぞれ用意
しなければならず、製作設備等のコストが増加する。Therefore, it is necessary to prepare jigs for different shapes, which increases the cost of manufacturing equipment and the like.
さらに、ブロック上にペレットを搭載する際には、各形
状毎にブロックを押さえるための治具が必要になる。ま
た、ブロックをステムに配置する際にも各形状毎の治具
が必要であり、コストの増加、あるいは製造が傾線にな
る等の問題が発生する。Furthermore, when mounting pellets on blocks, jigs are required to hold the blocks for each shape. Furthermore, jigs for each shape are required when arranging the blocks on the stem, which causes problems such as increased cost and slanted manufacturing.
（発明が解決しようとする：１Ｉｆｉ）このように、従
来の実装密度向上を図った構造の気密封止モジュールで
は、トランジスタ・ブロックに異なる形状のブロックが
必要なため、その製造上、コストが高くなる、あるいは
製造が面倒になるという欠点があった。(The invention seeks to solve: 1Ifi) In this way, in the conventional hermetically sealed module with a structure aimed at improving packaging density, the transistor block requires blocks of different shapes, resulting in high manufacturing costs. However, there were disadvantages in that the manufacturing process was troublesome.
この発明は上述のような点に鑑みて為されたものであり
、その目的は、簡易に製造でき、かつ安価で高密度実装
が可能な気密封止モジュールを提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and its purpose is to provide a hermetically sealed module that can be manufactured easily, inexpensively, and mounted at high density.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明の気密封止モジュールは、複数のブロック上に
各々形成された半導体ペレットを具備しており、前記ブ
ロックをそれぞれ５つの角のうち、３つの角が直角であ
る五角形の形状のもので構成する。そして、内壁に曲面
を有したキャップ、およびステムで構成される外囲器に
より、これらブロックとともに半導体ベレットを気密封
止し、かつキャップの内壁に隣接したブロックにあって
は、直角以外の２つの角の間に位置する辺を、前記キャ
ップの内壁に対向させるものである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) A hermetically sealed module of the present invention includes semiconductor pellets formed on a plurality of blocks, each of which has one of five corners. It consists of a pentagonal shape with three right angles. Then, the semiconductor pellet is hermetically sealed together with these blocks by an envelope composed of a cap having a curved inner wall and a stem, and the block adjacent to the inner wall of the cap has two angles other than right angles. The side located between the corners faces the inner wall of the cap.
（作用）
上記のような気密封止モジュールによれば、キャップの
内壁に隣接するブロックに、正方形の角を切り落とした
形状のブロックが用いられるので実装密度が向上する。(Function) According to the hermetically sealed module as described above, since the block adjacent to the inner wall of the cap has a square shape with the corners cut off, the packaging density is improved.
さらに、全てのブロックを正方形の角を切り落とした形
状のものとすることにより、ブロックの形状を統一でき
る。これにより、ベレットを搭載したブロックを、ブロ
ックの切り出しからベレットの搭載まで、−貫したプロ
セス、すなわち−貫した製造７組み立て設備で製作でき
、製造の簡素化、低コスト化が図られる。Furthermore, by making all the blocks square with the corners cut off, the shapes of the blocks can be unified. As a result, a block equipped with pellets can be manufactured through a complete process from cutting out the block to mounting the pellets, that is, using complete manufacturing and assembly equipment, thereby simplifying the manufacturing process and reducing costs.
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、この発明の一実施例に係わる気密封止モジュ
ールの外囲器内部を略的に示した断面図、第２図は、第
１図中の２−２線に沿う断面図である。この実施例に係
わる気密封止モジュールの外形は、既に説明した第７図
、あるいは第８図のものと同一であるため省略する。ま
た、第１図において、第９図と同一の部分については同
一の参照符号を付す。FIG. 1 is a sectional view schematically showing the inside of an envelope of a hermetically sealed module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG. be. The external shape of the hermetically sealed module according to this embodiment is the same as that of FIG. 7 or FIG. 8 described above, and therefore will not be described here. Further, in FIG. 1, the same parts as in FIG. 9 are given the same reference numerals.
第１図および第２図に示すように、ステム１０２上には
、配線基板１０３が配置されており、その周囲を囲むよ
うに、複数のトランジスタ・ブロック１０６Ａ〜１０６
Ｆが配置されている。これらは接着剤１０４により、ス
テム１０２上に固着されている。ステム１０２の外部に
は、こレヲ貫通（貫通状態は図示せず）し、モジュール
内部の所望の箇所に接続され、外部との電気的やりとり
を行なうリード１０５が設けられている。ブロック１０
６Ａ〜１０６Ｆには、それぞれパワートランジスタ・ベ
レット１０８Ａ〜１０８Ｆ、例えば大電力通電用バイポ
ーラトランジスタ等が搭載されている。ブロック１０６
Ａ〜１０６Ｆの表面には、図示せぬ導電膜が形成されて
おり、例えばヘレッ） １０８Ａ〜１０８Ｆの裏面の図
示せぬコレクタ電極と電気的に接続されている。ペレッ
）］０８Ａ〜１０８Ｆの表面には、ベース電極１１０お
よびエミッタ電極１１２が形成され、ボンディング・ワ
イヤ１１４を介して配線基板１０８の図示せぬ配線と電
気的に接続されている。As shown in FIGS. 1 and 2, a wiring board 103 is arranged on the stem 102, and a plurality of transistor blocks 106A to 106 surround the wiring board 103.
F is placed. These are fixed onto the stem 102 by adhesive 104. A lead 105 is provided on the outside of the stem 102, passing through the stem 102 (the penetrating state is not shown) and being connected to a desired location inside the module for electrical communication with the outside. block 10
Power transistor bellets 108A to 108F, such as bipolar transistors for carrying large power, are mounted on the transistors 6A to 106F, respectively. block 106
A conductive film (not shown) is formed on the surfaces of A to 106F, and is electrically connected to a collector electrode (not shown) on the back surface of 108A to 108F, for example. A base electrode 110 and an emitter electrode 112 are formed on the surfaces of the electrodes 08A to 108F, and are electrically connected to wiring (not shown) of the wiring board 108 via bonding wires 114.
同様に、ブロック１０６Ａ〜１０６Ｆも、ワイヤ１１４
を介して配線基板１０８の図示せぬ配線と電気的に接続
されている。なお、図中１１６は、ボンディング・パッ
ドであり、このバッド１１６に、ワイヤ１１４がボンデ
ィングされる。また、配線基板１０３１には、表面実装
された実装部品１１７が装着されている。Similarly, blocks 106A-106F also have wires 114
It is electrically connected to wiring (not shown) of the wiring board 108 via. Note that 116 in the figure is a bonding pad, and the wire 114 is bonded to this pad 116. Further, a surface-mounted component 117 is mounted on the wiring board 1031.
本発明に係わる気密封止モジュールでは、上述のブロッ
ク１０６八〜１０６Ｆの形状を、正方形の一つの角を切
り落とした形状の五角形で全て統一している。第３図（
ａ）に、その拡大図を示す。In the hermetically sealed module according to the present invention, the shapes of the blocks 1068 to 106F described above are all unified to be a pentagon with one corner of a square cut off. Figure 3 (
An enlarged view is shown in a).
同図に示すように、トランジスタ・ブロック１０６Ａ〜
１０６Ｆは、例えば窒化アルミで構成された基体１５０
の一方の表面には、例えばモリブデン／ニッケル積層膜
で構成された導電膜がメタライズされている。その形状
は、上述したような五角形となっている。換言すれば、
この五角形は、５つの角のうち３つが直角な形状となっ
ている。しかも、ブロック１０６八〜１０６Ｆで全て共
通の形状である。したがって、ブロック１０６八〜１０
６Ｆは、全て共通の治具を用いて切り出すことができる
。このようなブロック１０６八〜１０６Ｆの上に、同図
（ｂ）に示すよウニ、ベレット１０８Ａ〜１０８Ｆを装
着し、これらを第１図に示すようにステム１０２上に配
置する。As shown in the figure, transistor blocks 106A~
106F is a base body 150 made of aluminum nitride, for example.
A conductive film composed of, for example, a molybdenum/nickel laminated film is metalized on one surface of the conductive film. Its shape is a pentagon as described above. In other words,
This pentagon has a shape in which three of the five corners are right angles. Furthermore, blocks 1068 to 106F all have a common shape. Therefore, blocks 1068-10
6F can be cut out using a common jig. Sea urchins and pellets 108A to 108F are mounted on the blocks 1068 to 106F as shown in FIG. 1B, and these are placed on the stem 102 as shown in FIG.
このようにブロックが全て同一形状であるため、ブロッ
ク上にベレットを搭載する際およびブロックをステムに
配置する際に、各々一種類の治具を用意すれば良く、コ
ストの増大を抑えることができる、しかも、製造に際し
て工程の簡素化を達成できる。Since all the blocks have the same shape, only one type of jig is required for mounting the pellet on the block and placing the block on the stem, which can reduce costs. Moreover, the manufacturing process can be simplified.
また、同図（ａ）に示すブロック１０６Ａ〜１０６Ｆの
平面形状を、例えば第４図（ａ）に示すような五角形で
あるとする。これを、第４図（ｂ）のように裏返すと、
５つの角のうち、直角以外の２つの角θ１、θ２の間に
位置する辺１６０の向きが、１８０度反転する。It is also assumed that the planar shape of the blocks 106A to 106F shown in FIG. 4(a) is, for example, a pentagon as shown in FIG. 4(a). When this is turned over as shown in Figure 4(b),
Among the five angles, the direction of the side 160 located between two angles θ1 and θ2 other than the right angle is reversed by 180 degrees.
すなわち、このようなブロックの平面形状は、第１図に
示すブロック１０６Ａ、１０６Ｂおよび１０６Ｄのもの
である。残りのブロック１０６Ｃ。That is, the planar shape of such blocks is that of blocks 106A, 106B and 106D shown in FIG. The remaining block 106C.
１０６Ｅおよび１０６Ｆの平面形状は、言うまでもなく
同図（ａ）のものである。Needless to say, the planar shapes of 106E and 106F are those shown in FIG.
キャップ１００の内壁に隣接するブロック１０６Ａ、１
０６Ｃ，１０６Ｄおよび１０６Ｆは、その辺１６０を、
キャップ１００の内壁に対向するようにして配置する。Blocks 106A, 1 adjacent to the inner wall of the cap 100
06C, 106D and 106F have the side 160 as
It is arranged so as to face the inner wall of the cap 100.
これにより、キャップ１００とステム１０２とから構成
される外囲器内に、ペレットとともにブロックを高密度
に実装できる。Thereby, the blocks can be packed together with the pellets in a high density in the envelope composed of the cap 100 and the stem 102.
なお、このように裏返したブロックを配置する場合には
、導電膜１５２のメタライズを、基体１５０の両面に行
なうことが望ましい。なぜならば、両面に導電膜１５２
が形成されていれば、ブロック自体を裏返しても、その
裏返した面に導電膜１５２が存在するためである。Note that when arranging a block turned over in this way, it is desirable to metallize the conductive film 152 on both sides of the base 150. This is because there are conductive films 152 on both sides.
This is because if the block is formed, even if the block itself is turned over, the conductive film 152 is present on the turned-over surface.
また、第３図（ａ）に示すブロック１０６八〜１０６Ｆ
の平面形状が、第５図（ａ）に示すように直角以外の角
θ１、θ２の角度が互いに等しい場合、例えば時計回り
方向に９０度回転させれば、これらの間に位置する辺１
６０のが１８０度反転したことになる。したがって、第
１図に示すブロック１０６Ａ、１０６Ｂおよび１０６Ｄ
の平面形状は第５図（ｂ）に示すものに対応し、残りの
ブロック１０６Ｃ，１０６Ｅおよび１０６Ｆの・１シ而
形状は同図（ａ）に示すものに対応する。In addition, blocks 1068 to 106F shown in FIG. 3(a)
If the angles θ1 and θ2 other than right angles are equal to each other as shown in FIG.
60 is reversed 180 degrees. Therefore, blocks 106A, 106B and 106D shown in FIG.
The planar shape of the block corresponds to that shown in FIG. 5(b), and the planar shape of the remaining blocks 106C, 106E and 106F corresponds to that shown in FIG. 5(a).
この場合には、基体１５０の片面にだけ導電膜１５２の
メタライスを施すだけで済むので、最も同品にブロック
を製作できるようになる。In this case, it is sufficient to apply the metallization of the conductive film 152 to only one side of the base 150, so that it is possible to manufacture blocks that are most identical.
第６図は、一実施例に係わる気密封止モジュールの変形
例である。第６図において、第１図と同一の部分につい
ては同一の参照符号を付し、異なる部分についてのみ説
明する。FIG. 6 is a modification of the hermetically sealed module according to one embodiment. In FIG. 6, the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and only the different parts will be explained.
すなわち、この変形例は、第６図に示すように半導体ペ
レット１０８八〜１０８Ｈを搭載したトランジスタ・ブ
ロック１０６Ａ〜１０６Ｈが、配線基板１０３の四つの
辺に対向してステム１０２上に配置されるものである。That is, in this modification, as shown in FIG. 6, transistor blocks 106A to 106H mounted with semiconductor pellets 1088 to 108H are arranged on the stem 102 facing the four sides of the wiring board 103. It is.
具体的には、ブロック１０６Ｇおよびブロック１０６Ｈ
の２つが新たに配線基板１０３の周囲に配置され、これ
により、配線基板１０３の全ての辺に対向してブロック
１０６Ａ〜１０６Ｈが配置されるものである。Specifically, block 106G and block 106H
These two blocks are newly placed around the wiring board 103, and thereby blocks 106A to 106H are placed facing all sides of the wiring board 103.
このような場合でも、ブロック１０６Ａ〜１０６Ｈの形
状を上述のような五角形とし、かつ全てのブロック１０
６Ａ〜１０６Ｈで形状を統一する。Even in such a case, the shapes of the blocks 106A to 106H are made pentagonal as described above, and all the blocks 10
Unify the shape from 6A to 106H.
これにより、この変形例も一実施例と同様な効果を奏す
ることができる。また、同時に、この発明が如何なるブ
ロックの配置の仕方であっても適用やきることが理解で
きる。Thereby, this modification can also produce the same effects as the one embodiment. Moreover, at the same time, it can be understood that the present invention can be applied to any method of arranging blocks.
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によれば、同品に製造で
き、安価で高密度実装が可能な気密封止モジュールを提
供することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to provide a hermetically sealed module that can be manufactured in the same product and that can be mounted at high density at low cost.
第１図はこの発明の一実施例に係わる気密封止モジュー
ルの外囲器内部の縮約な断面図、第２図は第１図中の２
−２線に沿う断面図、第３図（ａ）はこの発明に係わる
気密封止モジュールに配置するトランジスタ・ブロック
の拡大図、
第３図（ｂ）は第３図（ａ）に示すブロックの半導体ペ
レット装着時を示す図、
第４図（ａ）、（ｂ）および第５図（ａ）、（ｂ）はそ
れぞれブロックの平面形状を説明するための図、
第６図はこの発明の変形例に係わる気密封止モジュール
の外囲器内部の縮約な断面図、第７図および第８図はそ
れぞれ気密封止モジュールの外形を示す斜視図、
第９図は従来の気密封止モジュールの外囲器内部の縮約
な断面図、
第１０図および第１１図は従来の気密封止モジュールが
配置するブロックの平面図である。
１００・・・キャップ、１０２・・・ステム、１０３・
・・配線基板、１０６Ａ〜１０６Ｈ・・・トランジスタ
・ブロック、１６０・・・両端を直角以外の角θ１、θ
２に接する辺。FIG. 1 is a reduced sectional view of the inside of an envelope of a hermetically sealed module according to an embodiment of the present invention, and FIG.
3(a) is an enlarged view of a transistor block arranged in a hermetically sealed module according to the present invention, and FIG. 3(b) is a sectional view taken along line 2. FIG. 4(a), (b) and FIG. 5(a), (b) are diagrams for explaining the planar shape of the block, respectively. FIG. 6 is a modification of the present invention. FIGS. 7 and 8 are perspective views showing the external shape of the hermetically sealed module, respectively. FIG. A reduced cross-sectional view of the inside of the envelope, and FIGS. 10 and 11 are plan views of blocks arranged in a conventional hermetically sealed module. 100...Cap, 102...Stem, 103.
...Wiring board, 106A to 106H...Transistor block, 160...Both ends at angles θ1 and θ other than right angles
The side that touches 2.
Claims (1)
を有し、前記外囲器が内壁に曲部を有するキャップと前
記キャップに接合されるステムとで構成される気密封止
モジュールにおいて、複数の前記半導体ペレットは、ト
ランジスタ・ブロック上に各々搭載されており、 前記ブロックは、各々五角形の形状をなし、前記五角形
の形状は、５つの角のうち、３つの角が直角であり、 前記キャップの内壁に隣接する前記ブロックは、前記５
つの角のうち、直角以外の２つの角の間に位置する辺を
、前記キャップの内壁に対向させることを特徴とする気
密封止モジュール。[Claims] The invention has an envelope that hermetically seals and accommodates a plurality of semiconductor pellets, and the envelope is composed of a cap having a curved portion on an inner wall and a stem joined to the cap. In the hermetically sealed module, the plurality of semiconductor pellets are each mounted on a transistor block, and each of the blocks has a pentagonal shape, and the pentagonal shape includes three of the five corners. is a right angle, and the block adjacent to the inner wall of the cap is
A hermetically sealed module characterized in that a side located between two corners other than right angles is opposed to an inner wall of the cap.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084649A JPH03283650A (en) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Airtightly sealed module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084649A JPH03283650A (en) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Airtightly sealed module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283650A true JPH03283650A (en) | 1991-12-13 |
Family
ID=13836557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2084649A Pending JPH03283650A (en) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Airtightly sealed module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283650A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8818559B2 (en) | 2009-03-11 | 2014-08-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Robot apparatus and control method therefor |
| DE102015005213A1 (en) | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Fanuc Corporation | Control device for a flexible robot controller |
| US10854537B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and power module |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2084649A patent/JPH03283650A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8818559B2 (en) | 2009-03-11 | 2014-08-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Robot apparatus and control method therefor |
| DE102015005213A1 (en) | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Fanuc Corporation | Control device for a flexible robot controller |
| DE102015005213B4 (en) * | 2014-04-30 | 2016-08-11 | Fanuc Corporation | Control device for a flexible robot controller |
| US10854537B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and power module |
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