JPH03269939A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH03269939A JPH03269939A JP2068658A JP6865890A JPH03269939A JP H03269939 A JPH03269939 A JP H03269939A JP 2068658 A JP2068658 A JP 2068658A JP 6865890 A JP6865890 A JP 6865890A JP H03269939 A JPH03269939 A JP H03269939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- target
- ion
- control device
- implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 title abstract description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 title abstract description 23
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオンビームを電気的に走査すると共に、
ターゲットをそれと直交する方向に機械的に走査する、
いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置に
関する。
ターゲットをそれと直交する方向に機械的に走査する、
いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置に
関する。
[背景となる技術〕
第4図は、この発明の背景となるイオン注入装置の一例
を部分的に示す図である。
を部分的に示す図である。
このイオン注入装置は、イオン源から引き出され、かつ
必要に応して質量分析、加速等が行われたスポット状の
イオンビーム2を、走査手段によって、即ちこの例では
走査電源6から三角波形の走査電圧■Xが供給される一
組の走査電極4によって、X方向(例えば水平方向。以
下間し)に静電的に走査して、X方向に広がる面状のビ
ームになるようにしている。
必要に応して質量分析、加速等が行われたスポット状の
イオンビーム2を、走査手段によって、即ちこの例では
走査電源6から三角波形の走査電圧■Xが供給される一
組の走査電極4によって、X方向(例えば水平方向。以
下間し)に静電的に走査して、X方向に広がる面状のビ
ームになるようにしている。
一方、ターゲット(例えばウェーハ)8をホルダlOに
よってイオンビーム2の照射領域内に保持すると共に、
それらを駆動装置12によって前記X方向と直交するY
方向(例えば垂直方向。以下間し)に機械的に走査し、
これとイオンビーム2の前記走査との協働によって、タ
ーゲット8の全面に均一にイオン注入を行うようにして
いる。
よってイオンビーム2の照射領域内に保持すると共に、
それらを駆動装置12によって前記X方向と直交するY
方向(例えば垂直方向。以下間し)に機械的に走査し、
これとイオンビーム2の前記走査との協働によって、タ
ーゲット8の全面に均一にイオン注入を行うようにして
いる。
このようなイオン注入は、具体的には、注入制御装置1
6による制御下において所定のタイミングで行われる。
6による制御下において所定のタイミングで行われる。
そのため、イオンビーム2のX方向の走査領域の一端部
に、イオンビーム2を受けてそのビーム電流を計測する
ビーム電流計測器(例えばファラデーカップ)14を設
け、これによって計測したビーム電流Iを必要に応じて
変換器(図示省略)によってパルス信号に変換する等し
て注入制御装置16に与えるようにしている。
に、イオンビーム2を受けてそのビーム電流を計測する
ビーム電流計測器(例えばファラデーカップ)14を設
け、これによって計測したビーム電流Iを必要に応じて
変換器(図示省略)によってパルス信号に変換する等し
て注入制御装置16に与えるようにしている。
また、前記走査電源6を、外部からトリガ信号が一つ与
えられるごとにイオンビーム2の1往復走査分の走査電
圧■X(即ち三角波を一つ)出力するものとしている。
えられるごとにイオンビーム2の1往復走査分の走査電
圧■X(即ち三角波を一つ)出力するものとしている。
注入制御装置16は、基本的には、ビーム電流Iの計測
データに基づいてターゲ・ノド8の機械的走査速度を演
算してそれになるように駆動装置12を制御する。具体
的には、ビーム電流Iに比例した速度でターゲット8の
走査が行われるように制御する。
データに基づいてターゲ・ノド8の機械的走査速度を演
算してそれになるように駆動装置12を制御する。具体
的には、ビーム電流Iに比例した速度でターゲット8の
走査が行われるように制御する。
この注入制御装置16による制御は、より具体的には、
例えば第5図に示すようなタイミングで通常はディジタ
ル的に行われる。
例えば第5図に示すようなタイミングで通常はディジタ
ル的に行われる。
即ち、時刻L1において注入制御装置16からトリガ信
号TSが一つ出力され、これに応答して走査電源6は走
査電圧VXとして三角波を一つ出力し、それによってイ
オンビーム2が1往復走査される。同図中の点a、bは
、第4図中の点a、bにそれぞれ対応している。
号TSが一つ出力され、これに応答して走査電源6は走
査電圧VXとして三角波を一つ出力し、それによってイ
オンビーム2が1往復走査される。同図中の点a、bは
、第4図中の点a、bにそれぞれ対応している。
イオンビーム2のl往復走査が終わった時刻t2の後に
、注入制御装置16は、その回の(即ち時刻tl〜t2
間の)ビーム走査でターゲット8に照射されたイオンビ
ーム2の電荷量(即ち、ビーム電流0時間)をビーム電
流■の計測データに基づいて得る。
、注入制御装置16は、その回の(即ち時刻tl〜t2
間の)ビーム走査でターゲット8に照射されたイオンビ
ーム2の電荷量(即ち、ビーム電流0時間)をビーム電
流■の計測データに基づいて得る。
次いで、時刻t3において注入制御装置16から次のト
リガ信号TSを出力し、次のビーム走査を指示する。そ
れと共に、注入制御装置16は、次のビーム走査が完了
するまでの間に(即ち時刻t3〜t4間に)、上記電荷
量に基づいてターゲット8の機械的な所要の駆動量(こ
れは、ターゲット8をディジタル的に制御するためのも
ので、ターゲット8の走査速度に対応している)を演算
しつつ、駆動装置12に対して駆動信号DSを与えてタ
ーゲット8を当該駆動量だけ駆動する。
リガ信号TSを出力し、次のビーム走査を指示する。そ
れと共に、注入制御装置16は、次のビーム走査が完了
するまでの間に(即ち時刻t3〜t4間に)、上記電荷
量に基づいてターゲット8の機械的な所要の駆動量(こ
れは、ターゲット8をディジタル的に制御するためのも
ので、ターゲット8の走査速度に対応している)を演算
しつつ、駆動装置12に対して駆動信号DSを与えてタ
ーゲット8を当該駆動量だけ駆動する。
以降は、上記と同様の動作が、所要の注入量が達成され
るまで繰り返される。
るまで繰り返される。
ところが、上記イオン注入装置では、注入制御装置16
は、ビーム走査期間中に並行してターゲット8の機械的
駆動のための演算および処理を行うよう構成されている
ため、その演算処理速度が遅い場合、演算処理に要する
時間(即ち時刻tl〜t2間や時刻t3〜t4間の時間
)が長くなるため、これによる制限から、ビーム走査の
周波数を高くすることができないという問題がある。
は、ビーム走査期間中に並行してターゲット8の機械的
駆動のための演算および処理を行うよう構成されている
ため、その演算処理速度が遅い場合、演算処理に要する
時間(即ち時刻tl〜t2間や時刻t3〜t4間の時間
)が長くなるため、これによる制限から、ビーム走査の
周波数を高くすることができないという問題がある。
ちなみに、ビーム走査の周波数が低いと、注入時のイオ
ンビーム2のビーム電流等の変動の影響を受けやすくな
ってターゲット8に対する注入の均一性が低下する等の
弊害が生しる。
ンビーム2のビーム電流等の変動の影響を受けやすくな
ってターゲット8に対する注入の均一性が低下する等の
弊害が生しる。
そこでこの発明は、上記のようなイオン注入装置を更に
改良して、その注入制御装置の演算処理速度が遅い場合
でもビーム走査の周波数を高くすることができるように
することを主たる目的とする。
改良して、その注入制御装置の演算処理速度が遅い場合
でもビーム走査の周波数を高くすることができるように
することを主たる目的とする。
上記目的を達成するため、この発明のイオン注入装置は
、前記注入制御装置と前記走査電源との間に、前者から
出力されるトリガ信号を受けて、同トリガ信号を一つ受
ける度に、予め設定した複数個のトリガ信号を後者に供
給するビーム走査制御回路を設けたことを特徴とする。
、前記注入制御装置と前記走査電源との間に、前者から
出力されるトリガ信号を受けて、同トリガ信号を一つ受
ける度に、予め設定した複数個のトリガ信号を後者に供
給するビーム走査制御回路を設けたことを特徴とする。
上記構成によれば、注入制御装置からトリガ信号が一つ
出力される度に、ビーム走査制御回路から走査電源に対
して複数個のトリガ信号が与えられ、それによってイオ
ンビームは複数回往復走査されるようになる。
出力される度に、ビーム走査制御回路から走査電源に対
して複数個のトリガ信号が与えられ、それによってイオ
ンビームは複数回往復走査されるようになる。
このとき、注入制御装置は、先行例の場合と同し長さの
期間である上記複数回のビーム走査期間中に、ターゲッ
トの機械的駆動のための演算および処理を行えば良い。
期間である上記複数回のビーム走査期間中に、ターゲッ
トの機械的駆動のための演算および処理を行えば良い。
従って、注入制御装置の演算処理速度が遅い場合でも、
ビーム走査の周波数を高くすることができる。
ビーム走査の周波数を高くすることができる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す図である。第4図の例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においてはそれとの相
違点を主に説明する。
部分的に示す図である。第4図の例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においてはそれとの相
違点を主に説明する。
この実施例においては、前述したような注入制御装置1
6と走査電源6との間に、ビーム走査制御回路18を入
れている。
6と走査電源6との間に、ビーム走査制御回路18を入
れている。
このビーム走査制御回路18は、注入制御装置16から
トリガ信号TSを一つ受ける度に、予め設定した複数個
のトリガ信号TS’を走査電源6に供給する。
トリガ信号TSを一つ受ける度に、予め設定した複数個
のトリガ信号TS’を走査電源6に供給する。
この場合、所定の複数個のトリガ信号TS′の出力が完
了する度に、ビーム走査制御回路18から注入制御装置
16に対して完了信号を返送するようにしても良い。同
様に、1往復走査分の走査電圧vxの出力が完了する度
に、走査電源6からビーム走査制御回路18に対して完
了信号を返送するようにしても良い。このようにすれば
、注入制御装置16によるビーム走査制御回路18の制
御が、かつビーム走査制御回路18による走査電源6の
制御が、それぞれより確実になる。
了する度に、ビーム走査制御回路18から注入制御装置
16に対して完了信号を返送するようにしても良い。同
様に、1往復走査分の走査電圧vxの出力が完了する度
に、走査電源6からビーム走査制御回路18に対して完
了信号を返送するようにしても良い。このようにすれば
、注入制御装置16によるビーム走査制御回路18の制
御が、かつビーム走査制御回路18による走査電源6の
制御が、それぞれより確実になる。
上記構成によれば、第2図も参照して、注入制御装置1
6からトリガ信号TSが一つ出力される度に、ビーム走
査制御回路18から走査電源6に対して複数(第2図の
例では4°以下同じ)個のトリガ信号TS’が与えられ
、それに応じて走査電源6から複数回のビーム走査分の
走査電圧VXが出力され、それによってイオンビーム2
は複数回往復走査される。第2図中の点a、bは、第1
図中の点a、bにそれぞれ対応している。
6からトリガ信号TSが一つ出力される度に、ビーム走
査制御回路18から走査電源6に対して複数(第2図の
例では4°以下同じ)個のトリガ信号TS’が与えられ
、それに応じて走査電源6から複数回のビーム走査分の
走査電圧VXが出力され、それによってイオンビーム2
は複数回往復走査される。第2図中の点a、bは、第1
図中の点a、bにそれぞれ対応している。
このとき、第2図を前述した第5図と対比すれば明らか
なように、注入制御装置16から出力されるトリガ信号
TSのタイごング(即ち時刻t1、t3)およびイオン
ビーム2の一連の走査が完了するタイミング(即ちt2
、t4)は、基本的には第4図の先行例の場合と変わら
ない。
なように、注入制御装置16から出力されるトリガ信号
TSのタイごング(即ち時刻t1、t3)およびイオン
ビーム2の一連の走査が完了するタイミング(即ちt2
、t4)は、基本的には第4図の先行例の場合と変わら
ない。
従って、注入制御装置16は、先行例の場合と同し長さ
の期間である上記複数回のビーム走査期間中に(即ち時
刻11〜12間や時刻13〜14間に)、前述したター
ゲット8の機械的駆動のための演算および処理を行えば
良い。
の期間である上記複数回のビーム走査期間中に(即ち時
刻11〜12間や時刻13〜14間に)、前述したター
ゲット8の機械的駆動のための演算および処理を行えば
良い。
従って、注入制御装置16の演算処理速度が遅い場合で
も、ビーム走査の周波数を高くすることができる。より
具体的には、先行例の場合の複数倍にすることができる
。
も、ビーム走査の周波数を高くすることができる。より
具体的には、先行例の場合の複数倍にすることができる
。
なお、このようにビーム走査の周波数を高くしても、タ
ーゲット8に対するトータルの注入量は、イオンビーム
2のビーム電流等の他の条件を変えなければ、先行例の
場合と同じである。これは、一連のビーム走査における
トータルの注入時間(即ち、時刻tl−t2間や時刻1
3〜14間)は変わらないからである。
ーゲット8に対するトータルの注入量は、イオンビーム
2のビーム電流等の他の条件を変えなければ、先行例の
場合と同じである。これは、一連のビーム走査における
トータルの注入時間(即ち、時刻tl−t2間や時刻1
3〜14間)は変わらないからである。
上記のようにビーム走査の周波数を高くすることができ
れば、注入時のイオンビーム2のビーム電流等の変動を
受けにくくなり、ターゲット8に対する注入の均一性が
向上する。これは、ビームが変動しても、ビーム走査の
周波数が高いと、注入量が平均化される機会が多くなる
からである。
れば、注入時のイオンビーム2のビーム電流等の変動を
受けにくくなり、ターゲット8に対する注入の均一性が
向上する。これは、ビームが変動しても、ビーム走査の
周波数が高いと、注入量が平均化される機会が多くなる
からである。
また、注入時のイオンビーム2によるターゲット8に対
するチャージアップ(帯電)や温度上昇の低減も期待で
きる。これは、ビーム走査の周波数が高いと、1走査当
りにターゲット8に与えられる電荷およびエネルギーが
少なくなりそれらの集中が避けられるからである。
するチャージアップ(帯電)や温度上昇の低減も期待で
きる。これは、ビーム走査の周波数が高いと、1走査当
りにターゲット8に与えられる電荷およびエネルギーが
少なくなりそれらの集中が避けられるからである。
なお、上記各側では、イオンビーム2の走査手段として
走査電極4を用いているが、それの代わりに偏向マグネ
ットを用いてイオンビーム2を磁界によって前記のよう
に走査するようにしても良い。その場合は、走査電源か
ら走査出力として、前記のような三角波の走査電流を供
給するものとする。
走査電極4を用いているが、それの代わりに偏向マグネ
ットを用いてイオンビーム2を磁界によって前記のよう
に走査するようにしても良い。その場合は、走査電源か
ら走査出力として、前記のような三角波の走査電流を供
給するものとする。
また、ターゲット8をイオンビーム2の走査方向である
X方向と実質的に直交するY方向に機械的に走査する手
段としては、前述したような直線的な運動に代えて、揺
動運動により実質的に直交するように駆動しても良い。
X方向と実質的に直交するY方向に機械的に走査する手
段としては、前述したような直線的な運動に代えて、揺
動運動により実質的に直交するように駆動しても良い。
このような駆動手段としは、例えば第3図に示すような
駆動装置20がある。
駆動装置20がある。
即ちこの駆動装置20は、前記ホルダ10を支持するア
ーム24と、このアーム24を矢印のように旋回させる
可逆転式のモータ(例えばダイレクトドライブモータ)
22とを備えており、このモータ22を往復回転させる
ことによって、ホルダ10に保持したターゲット8をイ
オンビーム2に向けた状態で、円弧を描くような形で、
X方向と実質的に直交するY方向に機械的に走査するこ
とができる。
ーム24と、このアーム24を矢印のように旋回させる
可逆転式のモータ(例えばダイレクトドライブモータ)
22とを備えており、このモータ22を往復回転させる
ことによって、ホルダ10に保持したターゲット8をイ
オンビーム2に向けた状態で、円弧を描くような形で、
X方向と実質的に直交するY方向に機械的に走査するこ
とができる。
この場合、ターゲット8の上記のような走査時にその姿
勢が(例えばそのオリエンテーションフラット8aの向
きが)変わらないように、アーム24の旋回に応してホ
ルダ10を回転させる手段を更に設けても良い。例えば
、この例のようにアーム24に可逆転式のモータ(例え
ばダイレクトドライブモータ)26を取り付けてこのモ
ータ26の出力軸にホルダIOを取り付け、このモータ
26によってホルダ10をアーム24の旋回方向と逆方
向に同し角度回転させれば、ホルダ10およびターゲッ
ト8の姿勢は不変となる。
勢が(例えばそのオリエンテーションフラット8aの向
きが)変わらないように、アーム24の旋回に応してホ
ルダ10を回転させる手段を更に設けても良い。例えば
、この例のようにアーム24に可逆転式のモータ(例え
ばダイレクトドライブモータ)26を取り付けてこのモ
ータ26の出力軸にホルダIOを取り付け、このモータ
26によってホルダ10をアーム24の旋回方向と逆方
向に同し角度回転させれば、ホルダ10およびターゲッ
ト8の姿勢は不変となる。
また、この明細書においてX方向およびY方向は、直交
する2方向を表すだけであり、従って例えば、X方向を
水平方向と見ても、垂直方向と見ても、更にはそれらか
ら傾いた方向と見ても良い。
する2方向を表すだけであり、従って例えば、X方向を
水平方向と見ても、垂直方向と見ても、更にはそれらか
ら傾いた方向と見ても良い。
以上のようにこの発明によれば、上記のようなビーム走
査制御回路を設けたので、注入制御装置の演算処理速度
が遅い場合でも、ビーム走査の周波数を高くすることが
できる。
査制御回路を設けたので、注入制御装置の演算処理速度
が遅い場合でも、ビーム走査の周波数を高くすることが
できる。
その結果、ビーム変動の影響を受けにくくなりターゲッ
トに対する注入の均一性が向上する。また、ターゲット
に対するチャージアップや温度上昇の低減も期待できる
。
トに対する注入の均一性が向上する。また、ターゲット
に対するチャージアップや温度上昇の低減も期待できる
。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す図である。第2図は、第1図の装置におけ
るトリガ信号および走査電圧の波形の一例を示す図であ
る。第3図は、ターゲットの駆動装置の他の例を示す図
である。第4図は、この発明の背景となるイオン注入装
置の一例を部分的に示す図である。第5図は、第4図の
装置におけるトリガ信号および走査電圧の波形の一例を
示す図である。 2・・・イオンビーム、4・・・走査電極(走査手段)
、6.・・走査電源、8・、・ターゲット、12・・・
駆動装置、14・・・ビーム電流計測器、16・・・注
入制御装置、18・・・ビーム走査制御回路、20・・
・駆動装置。 第2図
部分的に示す図である。第2図は、第1図の装置におけ
るトリガ信号および走査電圧の波形の一例を示す図であ
る。第3図は、ターゲットの駆動装置の他の例を示す図
である。第4図は、この発明の背景となるイオン注入装
置の一例を部分的に示す図である。第5図は、第4図の
装置におけるトリガ信号および走査電圧の波形の一例を
示す図である。 2・・・イオンビーム、4・・・走査電極(走査手段)
、6.・・走査電源、8・、・ターゲット、12・・・
駆動装置、14・・・ビーム電流計測器、16・・・注
入制御装置、18・・・ビーム走査制御回路、20・・
・駆動装置。 第2図
Claims (1)
- (1)イオンビームをX方向に電気的に走査する走査手
段と、外部からトリガ信号が一つ与えられるごとにイオ
ンビームの1往復走査分の走査出力を前記走査手段に供
給する走査電源と、ターゲットをX方向と実質的に直交
するY方向に機械的に走査する駆動装置と、イオンビー
ムの走査領域の一端部に設けられていてイオンビームの
ビーム電流を計測するビーム電流計測器と、前記走査電
源に対して所定のタイミングでトリガ信号を出力する機
能および前記ビーム電流計測器で計測したビーム電流値
に基づいて次のビーム走査期間中にターゲットの走査速
度を演算すると共にそれになるように前記駆動装置を制
御する機能を有する注入制御装置とを備えるイオン注入
装置において、前記注入制御装置と前記走査電源との間
に、前者から出力されるトリガ信号を受けて、同トリガ
信号を一つ受ける度に、予め設定した複数個のトリガ信
号を後者に供給するビーム走査制御回路を設けたことを
特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2068658A JPH03269939A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2068658A JPH03269939A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03269939A true JPH03269939A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13380023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2068658A Pending JPH03269939A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03269939A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8378317B1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-02-19 | Gtat Corporation | Ion implant apparatus and method of ion implantation |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2068658A patent/JPH03269939A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8378317B1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-02-19 | Gtat Corporation | Ion implant apparatus and method of ion implantation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930005735B1 (ko) | 이온주입장치 | |
JP3374857B2 (ja) | イオン注入装置における高効率走査のための方法及び装置 | |
JP3567749B2 (ja) | 荷電粒子ビームの分布測定方法およびそれに関連する方法 | |
US4736107A (en) | Ion beam implanter scan control system | |
US6580083B2 (en) | High efficiency scanning in ion implanters | |
JP3153784B2 (ja) | イオンビーム走査方法および装置 | |
US4761559A (en) | Ion beam implantation display method and apparatus | |
US5046148A (en) | Ion implantation apparatus | |
US7498590B2 (en) | Scan pattern for an ion implanter | |
US4433247A (en) | Beam sharing method and apparatus for ion implantation | |
JP2001185072A (ja) | イオン注入装置およびそれに用いるビームストップ | |
JPH03269939A (ja) | イオン注入装置 | |
KR20040005988A (ko) | 가변 공간 주파수 주사선으로 이온 주입하는 방법 및 장치 | |
JP3407468B2 (ja) | イオンビームの平行化調整方法 | |
JP2004301973A (ja) | 光走査装置及びその光ビーム発射タイミング調整方法 | |
KR930005736B1 (ko) | 이온주입장치 | |
JP2959102B2 (ja) | 走査波形の作成方法 | |
JP2959101B2 (ja) | 走査波形の作成方法 | |
JP2540306B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JPH04319241A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH0738299B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JPS63128540A (ja) | イオン注入装置 | |
JP2959100B2 (ja) | 走査波形の作成方法 | |
JPH0992197A (ja) | ビーム走査制御方法 | |
JPH10283973A (ja) | ウエハメカニカルスキャン方法及びイオン注入装置 |