JPH03265216A - Semiconductor element output circuit - Google Patents

Semiconductor element output circuit

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JPH03265216A
JPH03265216A JP2063393A JP6339390A JPH03265216A JP H03265216 A JPH03265216 A JP H03265216A JP 2063393 A JP2063393 A JP 2063393A JP 6339390 A JP6339390 A JP 6339390A JP H03265216 A JPH03265216 A JP H03265216A
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JP
Japan
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output
buffer
transistor
semiconductor element
circuit
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Application number
JP2063393A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Yoshino
吉野 健司
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To allow the circuit to cope with even a heavy load by interposing 1st and 2nd output buffers to an output line through which an output of a semiconductor element is fed to an output terminal in parallel and providing a delay means to an input of a 2nd buffer. CONSTITUTION:When a heavy load exists at an output terminal, an output control terminal 14 connects to the position of ground GND to turn on an NMOS transistor(TRs) N3 and a PMOS TR P3 thereby connecting an output line and an output buffer 12. Since the output buffers 11, 12 are connected in parallel, one large output buffer is provided. However, the TRs N3, P3 are interposed between the line 2 and the input of the buffer 12 the TRs N3, P3 act line a resistor and a capacitor at the time of rising and falling of a semiconductor element, then the data of the line 2 is reach the buffer 12 later than the buffer 11. Thus, since the circuit drives a comparatively small buffer 11 only just after the time of rising and falling of the semiconductor element, the circuit copes with a heavy load.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子の出力回路に関し、特に、M 
OS (Metal 0xide Sem1condu
ctor)メモリやMOSロジックデバイスにおいて、
回路動作の高速化に伴って生じる出力波形のリンギング
を回避できるようにしたものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an output circuit of a semiconductor device, and in particular, to an output circuit of a semiconductor device.
OS (Metal Oxide Sem1condu
ctor) In memory and MOS logic devices,
This makes it possible to avoid ringing in the output waveform that occurs as circuit operation speeds up.

〔従来の技術] MOSメモリ等に用いられる従来の出力回路としては、
例えば第4図(a)又は(b)に示すようなものがある
[Prior art] Conventional output circuits used in MOS memories, etc.
For example, there is one shown in FIG. 4(a) or (b).

第4図(a)は、CM OS (Complement
ary MOS)出力回路であって、電源V。、及び接
地GNIlrjIにPMO3(PチャネルMO3)l−
ランジスタP 10とNMO3(NチャネルMO3) 
 トランジスタN1oとを並列状態に設けたCMOSイ
ンバータからなる出力バッファ1が、図示しない半導体
素子の出力ライン2と出力端子3との間に介装されてい
て、さらに、出力バッファ1の入力側にインバータ4を
設けている。
Figure 4(a) shows the CM OS (Complement
ary MOS) output circuit, and the power supply V. , and PMO3 (P-channel MO3) l- to ground GNIlrjI
Transistor P10 and NMO3 (N-channel MO3)
An output buffer 1 consisting of a CMOS inverter with a transistor N1o arranged in parallel is interposed between an output line 2 of a semiconductor element (not shown) and an output terminal 3, and an inverter is connected to the input side of the output buffer 1. There are 4.

従って、出力ライン2がHレベルであれば、PMOSト
ランジスタP1゜がオンとなり且っNMOSトランジス
タNIOがオフとなって出力端子3が電aVtlDに接
続されるから、出力はHレベルとなる。逆に、出力ライ
ン2がLレベルであれば、PMOSトランジスタPl+
1がオフとなり且っNMOSトランジスタN、。がオン
となって出力端子3が接地GNDに接続されるから、出
力はLレベルとなる。
Therefore, when the output line 2 is at H level, the PMOS transistor P1° is turned on and the NMOS transistor NIO is turned off, and the output terminal 3 is connected to the voltage aVtlD, so that the output becomes H level. Conversely, if output line 2 is at L level, PMOS transistor Pl+
1 is turned off and the NMOS transistor N,. is turned on and the output terminal 3 is connected to the ground GND, so the output becomes L level.

第4図(ハ)は、NMO3出力回路であって、電源VD
D及び接地G、lD間に二つのNMO3)ランジスタN
、及びN1□を直列状態に設けた出力バッファ1を備え
るとともに、電源Vllll側のNMOS)ランジスタ
N、のゲートは、一つのインバータ4aを介して出力ラ
イン2に接続され、接地GND側のNMOS)ランジス
タN1□のゲートは、二つのインバータ4b、4cを介
して出力ライン2に接続されている。
FIG. 4(c) shows the NMO3 output circuit, in which the power supply VD
Two NMO3) transistors N between D and ground G, ID
, and N1□ in series, and the gate of the NMOS transistor N on the power supply Vllll side is connected to the output line 2 via one inverter 4a, and the NMOS transistor N1 on the ground GND side. The gate of transistor N1□ is connected to output line 2 via two inverters 4b and 4c.

従って、二〇NMO3出力回路であっても、出力ライン
2がHレベルであれば、NMOSトランジスタN 11
がオンとなり且つNMOSトランジスタN12がオフと
なって出力端子3が電’Iti v a。に接続される
から、出力はHレベルとなるし、また、出力ライン2が
Lレベルであれば、NMO5I−ランジスタN11がオ
フとなり且つNMOS)ランジスタN、□がオンとなっ
て出力端子3が接地G、lDに接続されるから、出力は
Lレベルとなる。
Therefore, even if it is a 20NMO3 output circuit, if the output line 2 is at H level, the NMOS transistor N11
is turned on and the NMOS transistor N12 is turned off, so that the output terminal 3 becomes a voltage. Since it is connected to Since it is connected to G and ID, the output becomes L level.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

このように、第4図(a)及びい)に示す従来の出力回
路であっても、所望の動作は得られるが、現実には下記
のような不具合がある。
In this way, the conventional output circuits shown in FIGS. 4(a) and 4(a) can provide the desired operation, but in reality they have the following problems.

即ち、第4図(a)及び(b)の何れの回路であっても
、出力バッファ1を構成する各トランジスタの大きさは
、出力端子3に接続される負荷の大きさに応して設定す
る必要があり、通常は、負荷が大きい程、大きなトラン
ジスタを使用する。
That is, in either of the circuits shown in FIGS. 4(a) and 4(b), the size of each transistor constituting the output buffer 1 is set depending on the size of the load connected to the output terminal 3. Usually, the larger the load, the larger the transistor.

そして、これら出力回路の出力波形は、例えば第5図に
示すように、HレベルからLレベルに立ち下がる場合(
LレベルからHレベルに立ち上がる場合も同様である。
For example, as shown in FIG. 5, when the output waveforms of these output circuits fall from the H level to the L level (
The same applies when rising from L level to H level.

)には、ある程度の整定時間を経た後、接地電圧に落ち
着くのであるが、出力バッファ1を構成するトランジス
タが大きく、且つ、回路動作が高速となる(出力回路の
立ち下がりスピードが速い)と、接地電圧を挟んだアン
ダーシュート及びオーバーシュートの振幅が大きくなる
), it settles down to the ground voltage after a certain amount of settling time, but if the transistors that make up the output buffer 1 are large and the circuit operates at high speed (the fall speed of the output circuit is fast), The amplitude of undershoot and overshoot across the ground voltage increases.

このため、第5図に示すように、T、において−度しき
い値電圧V5Mを下回ってLレベルとなった出力波形が
、オーバーシュートが大きいので再度しきい値電圧VS
Hを上回ってHレベルとなるいわゆるリンギングが発生
してしまい、その結果、出力回路の実際のアクセスタイ
ムは、能力上可能なT、ではなく、T2となってしまう
For this reason, as shown in FIG. 5, the output waveform that has fallen below the -degree threshold voltage V5M and reached the L level at T has a large overshoot, so the output waveform reaches the threshold voltage V5M again.
So-called ringing, which exceeds H level and becomes H level, occurs, and as a result, the actual access time of the output circuit becomes T2, rather than T, which is possible due to its ability.

さらに、オーバーシュートやアンダーシュートが大きい
と、電源ライン等にもノイズが発生して内部回路を誤動
作させる恐れもある。
Furthermore, if the overshoot or undershoot is large, noise may be generated in the power supply line, etc., and the internal circuit may malfunction.

このような問題点は、出力バッファ1のトランジスタを
小さくするか、或いは、回路動作を遅くすれば解決され
るが、トランジスタの大きさは接続される負荷で略決ま
ってしまうし、回路動作を遅くすることは製品価値を下
げる結果となるので得策ではない。
These problems can be solved by making the transistor of the output buffer 1 smaller or by slowing down the circuit operation, but the size of the transistor is approximately determined by the connected load, and by slowing down the circuit operation. Doing so is not a good idea as it will result in lowering the product value.

本発明は、このような従来の技術が有する未解決の課題
に着目してなされたものであり、接続される負荷が大き
くても対応でき、且つ、リンギングを回避することがで
きる半導体素子の出力回路を提供することを目的として
いる。
The present invention has been made by focusing on the unresolved problems of the conventional technology, and provides an output of a semiconductor device that can handle even a large connected load and can avoid ringing. The purpose is to provide circuits.

〔課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明の半導体素子出力回
路は、半導体素子の出力を出力端子に供給する出力ライ
ンに、第1及び第2の出力バッファを並列状態に介装す
るとともに、前記第2の出力へソファの入力側に遅延手
段を設けた。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the semiconductor element output circuit of the present invention connects first and second output buffers in parallel to the output line that supplies the output of the semiconductor element to the output terminal. In addition, a delay means is provided on the input side of the sofa to the second output.

〔作用〕[Effect]

本発明にあっては、半導体素子の出力は、出力ラインか
ら、並列状態の第1及び第2の出力バッファを介して出
力端子に供給される。
In the present invention, the output of the semiconductor element is supplied from the output line to the output terminal via the first and second output buffers in parallel.

しかし、第2の出力バッファの入力側には遅延手段を設
けているので、半導体素子の出力は、先ず、第1の出力
バッファのみを介して出力端子に供給され、次いで、若
干遅れて第2の出力バッファが作動するから、第1及び
第2の出力バッファを介して出力端子に供給される。
However, since a delay means is provided on the input side of the second output buffer, the output of the semiconductor element is first supplied to the output terminal via only the first output buffer, and then, after a slight delay, the output of the semiconductor element is supplied to the output terminal via only the first output buffer. Since the output buffer is activated, the signal is supplied to the output terminal via the first and second output buffers.

従って、半導体素子の出力が第1の出力バッファのみを
介して出力端子に供給されている状態では、小さな出力
バッファを備えた出力回路と等価となるから、出力波形
のオーバーシュートやアンダーシュートは小さくなるし
、半導体素子の出力が第1及び第2の出力バッファを介
して出力端子に供給されている状態では、大きな出力バ
ッファを備えた出力回路と等価となるから、出力端子に
接続された負荷が大きくても充分対応できる。
Therefore, when the output of the semiconductor element is supplied to the output terminal via only the first output buffer, it is equivalent to an output circuit equipped with a small output buffer, so the overshoot and undershoot of the output waveform are small. Therefore, when the output of the semiconductor element is supplied to the output terminal via the first and second output buffers, the load connected to the output terminal is equivalent to an output circuit with a large output buffer. Even if the size is large, it can be handled satisfactorily.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の構成を示す回路図である
。なお、上記従来の技術で説明した第4図(a)、 (
b)と同等の構成には、同じ符号を付し、その重複する
説明は省略する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. Note that FIG. 4(a) and (
Components equivalent to those in b) are given the same reference numerals, and redundant explanation thereof will be omitted.

先ず、構成を説明する。First, the configuration will be explained.

即ち、出力端子3に半導体素子(図示せず)の出力を供
給する出力ライン2には、2MO3)ランジスタP、及
びNMOSトランジスタN1を直列に接続したCMOS
インバータからなる第1の出力バッファとしての出力バ
ッファ11と、PMOSMOSトランジスタPNMO3
I−ランジスタN2を直列に接続したCMOSインバー
タからなる第2の出力バッファとしての出力バンファ1
2とが、並列状態に介装されている。
That is, the output line 2 that supplies the output of a semiconductor element (not shown) to the output terminal 3 has a CMOS transistor in which a 2MO3) transistor P and an NMOS transistor N1 are connected in series.
Output buffer 11 as a first output buffer consisting of an inverter and PMOSMOS transistor PNMO3
Output buffer 1 as a second output buffer consisting of a CMOS inverter connected in series with an I-transistor N2
2 are interposed in parallel.

そして、PMOSMOSトランジスタP−トとインバー
タ4との間には遅延手段としてのNMOSトランジスタ
N3が設けられ、且つ、NMOSトランジスタN2のゲ
ートとインバータ4との間には遅延手段としての2MO
3l−ランジスタP。
An NMOS transistor N3 as a delay means is provided between the PMOS transistor P-to and the inverter 4, and a 2MOS transistor N3 as a delay means is provided between the gate of the NMOS transistor N2 and the inverter 4.
3l-transistor P.

が設けられ、NMO3)ランジスタN3のゲートは、イ
ンバータ13の出力側に接続され、PMOSトランジス
タP、のゲートはインバータ15を介してインバータ1
3の出力側に接続され、さらに、インバータ13の入力
側は、電源V、。又は接地GNDの何れか一方に接続さ
れる出力制御端子14に接続されている。
is provided, the gate of NMO3) transistor N3 is connected to the output side of inverter 13, and the gate of PMOS transistor P is connected to inverter 1 via inverter 15.
Further, the input side of the inverter 13 is connected to the power supply V,. It is connected to the output control terminal 14 which is connected to either the ground GND or the ground GND.

また、インバータ13の出力は、電源Vlllと2MO
3)ランジスタP2のゲートとの間に介在する2MO3
)ランジスタP4のゲートにも接続され、且つ、インバ
ータ15の出力は、NMOSトランジスタN2のゲート
と接地CrNDとの間に介在するNMO3)ランジスク
N4のゲートにも接続されている。
In addition, the output of the inverter 13 is the power supply Vllll and 2MO
3) 2MO3 interposed between the gate of transistor P2
) is also connected to the gate of transistor P4, and the output of inverter 15 is also connected to the gate of NMOS transistor N4 interposed between the gate of NMOS transistor N2 and ground CrND.

従って、出力制御端子14を電源VDII側に接続する
と、インバータ13の出力はLレベルとなるから、NM
O3)ランジスタN、はオフ、PMOSMOSトランジ
スタPンとなり、pMOSl−ランジスタP2のゲート
には電1fi V o oが接続されたことになって、
PMOSMOSトランジスタPフとなるし、インバータ
15の出力はHレヘルとなるから、PMOSMOSトラ
ンジスタPフ、NMOSトランジスタN4はオンとなり
、NMOSトランジスタN2のゲートは接地GNDに接
続されたことになって、NMO3I−ランジスタN2は
オフとなるため、出力ハッファ12は、出力ライン2か
ら切り離された状態になる。
Therefore, when the output control terminal 14 is connected to the power supply VDII side, the output of the inverter 13 becomes L level, so NM
O3) The transistor N is off, and the PMOS transistor P is connected to the gate of the pMOS transistor P2.
Since the PMOS transistor P is turned off and the output of the inverter 15 becomes H level, the PMOS transistor P is turned off and the NMOS transistor N4 is turned on, and the gate of the NMOS transistor N2 is connected to the ground GND, so that the NMOS transistor N2 is connected to the ground GND. Since the transistor N2 is turned off, the output huffer 12 is disconnected from the output line 2.

逆に、出力制御端子14を接地GHD側に接続すると、
インバータ13の出力がHレヘルとなるから、NMO3
)ランジスタN、はオン、P M OSトランジスタP
4はオフとなり、2MO3)ランジスタP2のゲートに
はインバータ4の出力が供給されることになるし、イン
バータ15の出力はLレヘルとなるから、PMOSMO
SトランジスタPン、NMO3)ランジスタN2はオフ
となり、NMO3)ランジスタN2のゲートにはインバ
ータ4の出力が供給されることになるため、出力バノフ
ァ12は、出カバソファ11と並列に出力ライン2に接
続された状態になる。
Conversely, if the output control terminal 14 is connected to the ground GHD side,
Since the output of the inverter 13 becomes H level, NMO3
) transistor N is on, P M OS transistor P
4 is turned off, the output of inverter 4 is supplied to the gate of transistor P2, and the output of inverter 15 becomes L level, so PMOSMO
Since the S transistor P and the NMO3) transistor N2 are turned off, and the output of the inverter 4 is supplied to the gate of the NMO3) transistor N2, the output vanofer 12 is connected to the output line 2 in parallel with the output vanofer 11. become in a state of being

そして、第2図(a)及び(b)は、出力端子3に接続
される負荷の構成例であって、第2図(a)は比較的大
きな負荷の一例であり、第2図(b)は比較的小さな負
荷の一例である。
FIGS. 2(a) and 2(b) are configuration examples of loads connected to the output terminal 3, with FIG. 2(a) being an example of a relatively large load, and FIG. 2(b) being an example of a relatively large load. ) is an example of a relatively small load.

ここで、出力ハッファ11及び12を構成する各トラン
ジスタP、、N、、Pt及びN2の大きさは、ゲート幅
/チャネル長の比で表せば、それぞれ、300μm/I
μm、150μm/1μm7 Q Oam/l am、
  450 ttm/1t1mとしている。
Here, the size of each of the transistors P, , N, , Pt, and N2 constituting the output huffers 11 and 12 is 300 μm/I, respectively, expressed as a gate width/channel length ratio.
μm, 150μm/1μm7 Q Oam/l am,
450 ttm/1t1m.

つまり、本実施例では、出力ハッファ11を出力ハッフ
ァ12よりも小さくし、且つ、後述するように、それら
出力ハッファ11及び12の両方を駆動状態とした場合
には、第2図(a)に示す比較的大きな負荷に対応し、
出力ハッファ11のみを駆動状態とした場合には、第2
図(b)に示す比較的小さな負荷に対応した出力回路と
なる。
In other words, in this embodiment, when the output huffer 11 is made smaller than the output huffer 12, and when both of the output huffers 11 and 12 are set to the driving state as described later, the result shown in FIG. 2(a) is as follows. Corresponds to relatively large loads shown,
When only the output huffer 11 is in the driving state, the second
The output circuit corresponds to a relatively small load as shown in Figure (b).

次に、本実施例の動作を説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

即ち、出力端子3に接続される負荷が第2図(b)に示
すような比較的大きな負荷である場合には、出力側m端
子14を接地GNIll側に接続することにより、NM
O3)ランジスタN3及びPMO5I−ランジスタP、
をオンとして出力ライン2と出力バッファ12とを接続
状態とする。
That is, when the load connected to the output terminal 3 is a relatively large load as shown in FIG. 2(b), by connecting the output side m terminal 14 to the ground GNIll side,
O3) transistor N3 and PMO5I-transistor P,
is turned on to connect the output line 2 and the output buffer 12.

すると、出力バッファ11及び12は並列関係にあるた
め、一つの大きな出力バッファを設けたことと等価とな
る。
Then, since the output buffers 11 and 12 are in a parallel relationship, this is equivalent to providing one large output buffer.

しかし、出力ライン2と出力バッファ12の入力側との
間には、NMO3トランジスタN3及びPMO3)ラン
ジスタP、が介在しており、半導体素子の出力の立ち上
がり時及び立ち下がり時にNMOSトランジスタN3及
びPMO5I−ランジスタP、が抵抗及び容量として働
くため、出力バッファ12には、出力バッファ11より
も遅れて出力ライン2のデータが届くことになる。
However, between the output line 2 and the input side of the output buffer 12, an NMOS transistor N3 and a PMO3 transistor P are interposed, and when the output of the semiconductor element rises and falls, the NMOS transistor N3 and the PMO5I- Since the transistor P acts as a resistor and a capacitor, the data on the output line 2 reaches the output buffer 12 later than the output buffer 11.

その結果、半導体素子の出力の立ち上がり及び立ち下が
りの直後には、比較的小さな出力バッファ11のみが駆
動するから、出力波形のオーバーシュートやアンダーシ
ュートが小さくなるし、出力バッファ12が駆動状態と
なった後は、一つの大きな出力バッファが駆動したこと
と等価となるから、大きな負荷にも充分対応できる。
As a result, only the relatively small output buffer 11 is driven immediately after the rise and fall of the output of the semiconductor element, so overshoot and undershoot of the output waveform are reduced, and the output buffer 12 is in the driven state. After that, it is equivalent to driving one large output buffer, so it can sufficiently handle large loads.

つまり、この場合の出力波形は、第3図中Aで示すよう
に、最初から大きな出カバソファを駆動させた場合の波
形であるCに比べて滑らかに変化するが、オーバーシュ
ートやアンダーシュートが極小さくなるので、リンギン
グの恐れがほとんどなく、結果としてアクセスタイムは
短くなる。
In other words, as shown by A in Figure 3, the output waveform in this case changes more smoothly than C, which is the waveform when a large output sofa is driven from the beginning, but overshoot and undershoot are extremely large. Since it is small, there is almost no fear of ringing, and as a result, access time is shortened.

一方、出力端子3に接続される負荷が第2図(b)に示
すような比較的小さな負荷である場合には、出力制御端
子14を電源VDD側に接続することにより、NMO3
)ランジスタN3及びPMOSトランジスタP3をオフ
とし、且つ、PMO3)ランジスタP4及びNMO3)
ランジスタN4をオンとして、出力バッファ12の入力
側及び出力側の両方を、出力ライン2から切り離す。
On the other hand, when the load connected to the output terminal 3 is a relatively small load as shown in FIG. 2(b), by connecting the output control terminal 14 to the power supply VDD side, the NMO3
) transistor N3 and PMOS transistor P3 are turned off, and PMO3) transistor P4 and NMO3) are turned off.
Turn on transistor N4 to disconnect both the input and output sides of output buffer 12 from output line 2.

すると、比較的小さな出力バッファ11のみが駆動可能
となるから、出力波形は、第3図中Bで示すように、C
よりもさらに素早く変化するし、オーバーシュートやア
ンダーシュートも小さくて済むので、アクセスタイムは
短くなる。
Then, since only the relatively small output buffer 11 can be driven, the output waveform becomes C as shown by B in FIG.
It changes even more quickly than before, and there is less overshoot and undershoot, so the access time is shorter.

このように、本実施例の構成であれば、出力制御端子1
4の接続状態によって、大負荷用又は小負荷用の出力回
路とすることができるから、例えば、ユーザーが出力制
御端子14を電源VDD又は接地GN11の何れかに接
続するようにすれば、プログラム可能な出力回路となる
In this way, with the configuration of this embodiment, the output control terminal 1
4 can be used as an output circuit for large loads or small loads depending on the connection state of 4. For example, if the user connects the output control terminal 14 to either the power supply VDD or the ground GN11, the output circuit can be programmed. It becomes an output circuit.

しかも、大負荷用及び小負荷用の何れの場合であっても
高性能の出力回路となる。
Moreover, the output circuit has high performance whether it is for a large load or a small load.

特に、大負荷用の出力回路とした場合には、上述したよ
うに、リンギングが回避されて、回路動作の高速化が図
られるとともに、大きな負荷であっても充分対応できる
という優れた効果を発揮する。
In particular, when used as an output circuit for large loads, as mentioned above, ringing is avoided, speeding up the circuit operation, and the excellent effect of being able to sufficiently handle even large loads. do.

なお、上記実施例では、出力バッファ11及び12とし
てCMOSインバータを用いた場合について説明したが
、これに限定されるものではなく、例えば、第4図(ロ
)に示したようなNMO3出力回路であっても適用する
ことができる。
In the above embodiment, a case was explained in which CMOS inverters were used as the output buffers 11 and 12, but the invention is not limited to this. For example, an NMO3 output circuit as shown in FIG. 4(b) may be used. It can be applied even if

また、上記実施例では、遅延手段として、NMOSトラ
ンジスタN3及びPMO3I−ランジスタP3を用いた
場合について説明したが、これに限定されるものではな
い。即ち、大負荷専用の出力回路であれば、NMOSト
ランジスタN3及びPMO3I−ランジスタP3のよう
なスイッチとして働く素子は不要であり、要は、出力バ
ッファ12に、出力バッファ11よりも遅れて半導体素
子の出力が届くような素子であればよい。
Further, in the above embodiment, a case has been described in which the NMOS transistor N3 and the PMO3I-transistor P3 are used as the delay means, but the present invention is not limited to this. In other words, if the output circuit is dedicated to a large load, elements that act as switches such as the NMOS transistor N3 and the PMO3I-transistor P3 are unnecessary. Any element that can receive the output will suffice.

さらに、出力バッファ11及び12を構成する各トラン
ジスタP、、N、、P2及びN2の大きさは、上述した
値に限定されるものではなく、接続される負荷の大きさ
等に応して任意である。
Furthermore, the size of each transistor P, N, P2, and N2 constituting the output buffers 11 and 12 is not limited to the above-mentioned value, but can be set arbitrarily depending on the size of the connected load, etc. It is.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、二つの出力バッ
ファを設けるとともに、一方の出力バッファを他方の出
力バッファに遅れて駆動するようにしたため、出力波形
のオーバーシュートやアンダーシュートが小さくなるか
ら、リンギングが回避されて回路動作の高速化が図られ
るとともに、大きな負荷であっても充分対応できるとい
う効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, two output buffers are provided and one output buffer is driven with a delay from the other output buffer, so overshoot and undershoot of the output waveform are reduced. , ringing is avoided, speeding up the circuit operation is achieved, and even a large load can be satisfactorily handled.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示す回路図、第2図
(a)は大きな負荷の一例を示す回路図、第2図い)は
小さな負荷の一例を示す回路図、第3図は本実施例の作
用を説明する出力波形図であって、同図中、Aは端子1
4を接地GNDに接続した時の出力波形、Bは端子工4
を電源vDDに接続した時の出力波形、Cは比較例とし
ての従来回路の出力波形である。第4図(a)及び(b
)は従来の出力回路の例を示す回路図、第5図は従来の
出力回路を用いた場合の出力波形図である。 2・・・出力ライン、3・・・出力端子、11.12・
・・出力バッファ、14・・・出力制御端子、N3・・
・NM○Sトランジスタ(遅延手段)、P、・−・PM
OSトランジスタ(遅延手段) 第 2 図 (0) (b) 第 図 ND 第 (0) (b) ND
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2(a) is a circuit diagram showing an example of a large load, FIG. 2(a) is a circuit diagram showing an example of a small load, and FIG. The figure is an output waveform diagram explaining the operation of this embodiment, in which A is the terminal 1.
Output waveform when 4 is connected to ground GND, B is terminal 4
C is the output waveform when C is connected to the power supply vDD, and C is the output waveform of a conventional circuit as a comparative example. Figure 4(a) and (b)
) is a circuit diagram showing an example of a conventional output circuit, and FIG. 5 is an output waveform diagram when the conventional output circuit is used. 2... Output line, 3... Output terminal, 11.12.
...Output buffer, 14...Output control terminal, N3...
・NM○S transistor (delay means), P, ---PM
OS transistor (delay means) Fig. 2 (0) (b) Fig. ND Fig. (0) (b) ND

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体素子の出力を出力端子に供給する出力ライ
ンに、第1及び第2の出力バッファを並列状態に介装す
るとともに、前記第2の出力バッファの入力側に遅延手
段を設けたことを特徴とする半導体素子出力回路。
(1) First and second output buffers are interposed in parallel on the output line that supplies the output of the semiconductor element to the output terminal, and a delay means is provided on the input side of the second output buffer. A semiconductor element output circuit characterized by:
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