JPH03264664A - Method for forming film by sputtering - Google Patents
Method for forming film by sputteringInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、たとえばコンピュータシステムの外部記憶
装置である磁気ディスク装置に組み込まれる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法などで使用されるスパックリングによる
被膜形成の改善方法に関し、スパッタリングによる被膜
の段階的な成膜状態いわゆるステップカバレッジおよび
被膜応力を改善することを目的とし、
前工程によって基板に形成した被膜の上に、スパッタリ
ングによって次工程の被膜を形成する場合に、前工程に
よって形成する被膜の角を曲面あるいは斜面に形成して
スパッタリングを行うようにしたことを特徴とするもの
である。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a method for improving film formation by spuckling used in a method for manufacturing a thin film magnetic head incorporated in a magnetic disk device, which is an external storage device of a computer system, for example. In order to improve the so-called step coverage and film stress of a film formed by sputtering, when a film is formed in the next process by sputtering on a film formed on a substrate in a previous process, This method is characterized in that sputtering is performed with the corners of the coating formed as curved or inclined surfaces.
この発明は、たとえばコンピユークシステムの外部記憶
装置である磁気ディスク装置に組み込まれる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法などで使用されるスパッタリングによる
被膜形成の改善方法に関するものである。The present invention relates to a method for improving film formation by sputtering, which is used, for example, in a method for manufacturing a thin film magnetic head incorporated in a magnetic disk device, which is an external storage device of a computer system.
第５図は従来一般の磁気ディスク装置で使用される薄膜
磁気ヘッドの組立体の斜視図であり、■は薄膜磁気ヘッ
ドで、弾性を有するジンバル２の先端部２ａに取付けら
れており、このジンバル２の基端部２ｂは図示しないキ
ャリッジアームに取付けられるようになっている。３は
薄膜磁気ヘッド１の電磁変換素子部１ａを形成した、後
述するコイルに連設した端子部１ｂに接続されたリード
線である。FIG. 5 is a perspective view of an assembly of a thin film magnetic head conventionally used in a general magnetic disk drive. The base end portion 2b of 2 is adapted to be attached to a carriage arm (not shown). Reference numeral 3 denotes a lead wire connected to a terminal portion 1b connected to a coil, which will be described later, forming an electromagnetic transducer portion 1a of the thin-film magnetic head 1.
第６図はこの薄膜磁気ヘッド１の拡大斜視図で、その大
きさは、たとえば幅Ａが２．５ｍｍ程度、奥行きＢが３
ｍｍ程度、厚さＣが０．６ｍｍ程度の小さなものであり
、前記端子部１ｂは、コイルと磁性膜とリード・ライト
ギャップなどからなる電磁変換素子部１ａを形成するコ
イルに連設されいる。FIG. 6 is an enlarged perspective view of this thin-film magnetic head 1, and its size is, for example, about 2.5 mm in width A and 3 mm in depth B.
The terminal portion 1b is connected to a coil forming an electromagnetic transducer portion 1a consisting of a coil, a magnetic film, a read/write gap, etc.
電磁変換素子部１ａおよび端子部１ｂは二個形成されて
いるが、そのうちの−個を選択して使用するようにして
いる。Although two electromagnetic conversion element portions 1a and two terminal portions 1b are formed, one of them is selected and used.
第７図は第６図の■−■線における断面図であり、フォ
トリソグラフィ技術、電気めっき技術、真空蒸着技術（
スパッタリング）などの薄膜形成技術を組み合わせるこ
とにとり、セラミックの基板ＩＣの上に下地のアルミナ
膜１ｄを形成し、この下地のアルミナ膜１ｄの上に下部
磁性膜１ｅを形成し、この下部磁性膜１ｅおよびアルミ
ナ膜１ｄの上に絶縁層を介してコイル１ｇを形成し、こ
のコイル１ｇの上にリート・ライトギャップ１ｆを設け
て上部磁性膜１０′を形成するとともに、コイル１ｇに
連設された端子形成部１１゜１１′に端子部１ｂを形成
し、この端子部１ｂおよび上部磁性膜１ｅ′の上にアル
ミナ保護膜１ｈを形成し、このアルミナ保護膜１ｈの上
面およびリード・ライトギャップ１ｆの先端部を研磨し
て薄膜磁気ヘッド１が完成する。Figure 7 is a cross-sectional view taken along the line ■-■ in Figure 6, and shows photolithography technology, electroplating technology, vacuum evaporation technology (
By combining thin film forming techniques such as sputtering), an alumina film 1d as a base is formed on a ceramic substrate IC, a lower magnetic film 1e is formed on the alumina film 1d as a base, and a lower magnetic film 1e is formed on the base alumina film 1d. A coil 1g is formed on the alumina film 1d via an insulating layer, and a read-write gap 1f is provided on the coil 1g to form an upper magnetic film 10', and a terminal connected to the coil 1g is formed. A terminal portion 1b is formed in the forming portion 11°11', an alumina protective film 1h is formed on the terminal portion 1b and the upper magnetic film 1e', and the upper surface of the alumina protective film 1h and the tip of the read/write gap 1f are formed. The thin film magnetic head 1 is completed by polishing the portion.
なお、前記端子形成部１ｉ、Ｉｉ’は紙面に対して垂直
方向の前後にずれており、互いに非接触状態にある。Note that the terminal forming portions 1i and Ii' are shifted back and forth in the direction perpendicular to the plane of the paper and are in a non-contact state with each other.
前記コイル１ｇの形成を、第８図にしたがって説明する
。この第８図は各製造工程およびその工程におけるレジ
ストや被膜の状態を示したものである。The formation of the coil 1g will be explained with reference to FIG. FIG. 8 shows each manufacturing process and the state of the resist and coating in each process.
すなわち、（１）は露光によるバターニング工程である
。この工程においては、前記下部磁性膜１ｅおよびアル
ミナ膜１ｄなどの基板４の上に導電性のめつきベース５
を介してレジスト６を塗布し、このレジスト６にマスク
７を介して光（紫外線）を当てると、その光りが当たっ
たレジスト７がその後の処理によって除去されてコイル
のバターニングが行われる。このパターン８は溝の底に
行くにしたがって間隔が狭く形成される。このように光
りが当たったレジストを除去してパターン８を形成する
ものをポジ型パターンと呼んでいる。That is, (1) is a patterning process by exposure. In this step, a conductive plating base 5 is placed on the substrate 4 such as the lower magnetic film 1e and the alumina film 1d.
When a resist 6 is applied through a mask 7 and light (ultraviolet rays) is applied to the resist 6 through a mask 7, the resist 7 that is irradiated with the light is removed in a subsequent process to pattern the coil. This pattern 8 is formed with narrower intervals toward the bottom of the groove. The pattern 8 formed by removing the resist exposed to light in this manner is called a positive pattern.
（２）はレジスト６に形成されたパターン８にめっきに
よってコイルを形成する銅被膜９を成膜する工程である
。(2) is a step of forming a copper coating 9 to form a coil on the pattern 8 formed on the resist 6 by plating.
（３）はレジスト６および導電性のめっきベース５を除
去する工程である。この除去はエツチング手段などによ
って行われる。(3) is a step of removing the resist 6 and the conductive plating base 5. This removal is performed by etching means or the like.
（４）はコイルを形成する銅被膜９の上に周知のスパッ
タリングによって絶縁被膜１０を被覆する工程である。(4) is a step of coating the insulating film 10 on the copper film 9 forming the coil by well-known sputtering.
しかしながら、前記従来の銅被膜９の形状は、第９図の
（Ａ）に示すような逆台形、または第９図の（Ｂ）に示
すような矩形で、その両側端縁９′に角を有するもので
あった。このような銅被膜９の上に、スパッタリングに
よって絶縁被膜１０を被覆する場合、その絶縁被膜１０
は、第１０図に示すように、銅被膜９の両側端縁の近傍
あるいはその下方は、スパッタリングによる被膜物質の
飛来方向に対して影となり、そこには絶縁被膜１０が被
着しない、いわゆる巣１０′が生じたりしてステップカ
バレッジが悪くなる問題があった。However, the shape of the conventional copper coating 9 is an inverted trapezoid as shown in FIG. 9(A), or a rectangular shape as shown in FIG. It was something that I had. When coating the insulating film 10 on such a copper film 9 by sputtering, the insulating film 10
As shown in FIG. 10, the area near or below both edges of the copper coating 9 becomes a shadow with respect to the direction in which the coating material is sputtered, and the insulating coating 10 does not adhere there, which is a so-called nest. 10' may occur, resulting in poor step coverage.
このようなステップカバレッジの悪化をなくすために、
銅被膜９に（＝）バイアス電圧を印加してスパッタリン
グを行うと、ステップカバレッジは改善される。これは
適度のエネルギーのアルゴンＡｒの（＋）イオンの衝撃
を、銅被膜９に段階的に被着した絶縁被膜に加えながら
スパッタリングを行うことにより、絶縁被膜の表面に順
次弱く被着した絶縁被膜を選択的に空間に叩き出すこと
により、ステップカバレッジを改善することができる。In order to eliminate this deterioration of step coverage,
When sputtering is performed by applying a (=) bias voltage to the copper film 9, the step coverage is improved. This is done by performing sputtering while applying a bombardment of (+) ions of argon with moderate energy to the insulating film that has been deposited on the copper film 9 in stages. Step coverage can be improved by selectively hitting the ball into space.
しかし、銅被膜９に印加する（−）バイアス電圧が高く
なるにしたがって、第１１図に示すように被膜の応力が
高くなり膜質が悪くなるという悪い結果が得られるとい
う問題があった。However, as the (-) bias voltage applied to the copper coating 9 increases, the stress of the coating increases and the quality of the coating deteriorates, as shown in FIG. 11, resulting in poor results.
この発明は、このような従来の課題を解消するためにな
された発明であって、スパッタリングによる被膜の段階
的な成膜状態いわゆるステップカバレッジおよび被膜応
力を改善することを目的としたものである。The present invention was made to solve these conventional problems, and its purpose is to improve the step coverage of a film formed by sputtering, that is, the step coverage, and the stress of the film.
この発明は、前記のような課題を解決するため、第１図
の（Ａ）、 （Ｂ）に示すように、前工程によって基
板１１に形成した被膜１２の上に、スパッタリングによ
って次工程の被膜１３を形成する場合に、前工程によっ
て形成する被膜１２の角を曲面あるいは斜面に形成して
スパッタリングを行うようにしたことを特徴とするスパ
ッタリングによる被膜形成の改善方法としたものである
。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention, as shown in FIG. This is an improved method for film formation by sputtering, characterized in that when forming the film 13, the corners of the film 12 formed in the previous step are formed into curved or inclined surfaces and then sputtering is performed.
この発明のようにすると、すなわち、スパッタリングに
より前工程によって形成した被膜１２の上に、次工程の
被膜１３を形成する場合に、前工程によって形成する被
膜１２の角を曲面あるいは斜面に形成してスパッタリン
グを行うようにすると、前工程の被膜１２の角の近傍あ
るいはその下方が、スパッタリングによる被膜物質の飛
来方向に対して影とならないので、前工程の被膜１２に
高い（−）バイアス電圧を印加しなくても、この被膜１
２の角の近傍あるいはその下方にスパッタリングによる
次工程の被膜１３が被着しない、いわゆる巣が生じたり
しなくなり、いわゆるステップカバレッジおよび被膜応
力を改善することができる。According to this invention, when the coating 13 of the next step is formed by sputtering on the coating 12 formed in the previous step, the corners of the coating 12 formed in the previous step are formed into curved or inclined surfaces. When sputtering is performed, the vicinity of or below the corner of the coating 12 in the previous process does not form a shadow with respect to the direction in which the coating material due to sputtering comes, so a high (-) bias voltage is applied to the coating 12 in the previous process. Even if you don't do it, this coating 1
The coating 13 of the next step by sputtering is not deposited near or below the corners of 2, and so-called cavities do not occur, so that so-called step coverage and coating stress can be improved.
以下、この発明のスパッタリングによる被膜形成の改善
方法の実施例を第２図乃至第４図に基づいて詳細に説明
する。Hereinafter, an embodiment of the method for improving film formation by sputtering of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.
第２図はこの発明の第１の実施例を説明するための各製
造工程およびその工程におけるレジストや被膜の状態を
示したものであり、前工程による被膜１２の角を曲面に
形成してスパッタリングを行うようにしたものである。FIG. 2 shows each manufacturing process and the state of the resist and coating in each process for explaining the first embodiment of the present invention. It was designed to do this.
すなわち、（１）は露光によるバターニング工程である
。この工程においては、基板１１の上に導電性のめっき
ベース１４を介してレジスト１５を塗布し、このレジス
ト１５にマスク１６を介して紫外線などの光りを当てる
と、その光りが当たったレジスト１５がその後の処理に
よって除去されてコイルのパターニングが行われる。こ
のように光りが当たったレジストを除去してパターン１
７を形成するものをポジ型パターンと呼んでいる。That is, (1) is a patterning process by exposure. In this step, a resist 15 is applied onto the substrate 11 through a conductive plating base 14, and when light such as ultraviolet light is applied to this resist 15 through a mask 16, the resist 15 that has been hit by the light is It is removed by subsequent processing and patterned into a coil. Remove the resist that has been exposed to light in this way and create pattern 1.
7 is called a positive pattern.
（２）はレジスト１５に形成されたパターン１７にめっ
きによって前工程による被膜１２を成膜する工程である
。(2) is a step of forming the coating 12 from the previous step on the pattern 17 formed on the resist 15 by plating.
（３）はレジスト１５および導電性のめっきベース１４
を除去する工程である。この除去はエツチング手段など
によって行われる。(3) resist 15 and conductive plating base 14
This is the process of removing. This removal is performed by etching means or the like.
（４）は前工程による被膜１２の角取り工程である。(4) is a step of cutting corners of the coating 12 in the previous step.
この角取りは、たとえば周知のイオンミーリングなどに
よって行う。This cornering is performed, for example, by well-known ion milling.
（５）は前工程による被膜１２の上にスパッタリングに
よって絶縁被膜（アルミナＡ１２０３）などの次工程の
被膜１３を被覆する工程である。(5) is a step in which a coating 13 for the next process, such as an insulating coating (alumina A1203), is coated on the coating 12 from the previous process by sputtering.
第３図はこの発明の第２の実施例を説明するための各製
造工程およびその工程におけるレジストや被膜の状態を
示したものである。FIG. 3 shows each manufacturing process and the state of the resist and coating in each process to explain the second embodiment of the present invention.
すなわち、（１）は第２図と同様の露光によるバタニン
グ工程である。That is, (1) is a patterning process using exposure similar to that shown in FIG.
（２）はレジスト１５に形成されたパターン１７にめっ
きによって前工程による被膜１２を成膜する工程である
。このめっきにおいては、めっき液の中にポリマー系の
デキストリンと有機化合物系のチオ尿素などを添加して
行う。そうすると、被膜１２の両側端縁の角が取れた状
態になる。(2) is a step of forming the coating 12 from the previous step on the pattern 17 formed on the resist 15 by plating. In this plating, polymer-based dextrin and organic compound-based thiourea are added to the plating solution. This results in a state in which the edges of both sides of the coating 12 are rounded.
（３）は第２図と同様のレジスト１５および導電性のめ
っきベース１４を除去する工程である。(3) is a step of removing the resist 15 and the conductive plating base 14, similar to that shown in FIG.
（４）は第２図と同様の前工程による被膜１２の−ヒに
スパッタリングによって絶縁被膜（アルミナＡｆｆｉｚ
ｏ：＋）などの次工程の被膜１３を被覆する工程である
。(4) is an insulating coating (alumina Afiz
This is a step of coating the film 13 of the next step such as o:+).
第４図はこの発明の第３の実施例を説明するための各製
造工程およびその工程におけるレジストや被膜の状態を
示したものであり、前工程による被膜１２の角部が傾斜
した台形状に形成してスパッタリングを行うようにした
ものである。FIG. 4 shows each manufacturing process and the state of the resist and coating in each process for explaining the third embodiment of the present invention. It is designed to be formed and then sputtered.
すなわち、（１）は露光によるパターニング工程である
。この工程においては、基板１１の上に導電性のめっき
ベース１４を介してレジスト１５を塗布し、このレジス
ト１５にマスク１６を介して光りを当てると、その光り
が当たらないレジスト１５がその後の処理によって除去
されてコイルのパターニングが行われる。このようにし
て形成されたパターン１７は台形状になる。このように
光りが当たらないレジストを除去してパターン１７を形
成するものをネガ型パターンと呼んでいる。That is, (1) is a patterning process by exposure. In this step, a resist 15 is coated on the substrate 11 through a conductive plating base 14, and when light is applied to this resist 15 through a mask 16, the resist 15 that is not exposed to the light is used for subsequent processing. The patterning of the coil is performed by removing the wafer. The pattern 17 thus formed has a trapezoidal shape. The pattern 17 formed by removing the resist that is not exposed to light in this way is called a negative pattern.
（２）はレジスト１５に形成された台形状のパターン１
７にめっきによって前工程による被膜１２を成膜する工
程である。この被膜１２はその角部が傾斜した台形状と
なる。(2) is a trapezoidal pattern 1 formed on the resist 15.
7 is a step of forming a film 12 by plating in the previous step. This coating 12 has a trapezoidal shape with inclined corners.
（３）は第３図に示す実施例と同様に、レジスト１５お
よび導電性のめっきベース１４を除去する工程である。(3) is a step of removing the resist 15 and the conductive plating base 14, similar to the embodiment shown in FIG.
（４）は第３図に示す実施例と同様に、前工程による被
膜１２の上にスパッタリングによって絶縁被膜（アルミ
ナＡｊ２ｚＯ３）などの次工程の被膜１３を被覆する工
程である。Similar to the embodiment shown in FIG. 3, step (4) is a step of coating the coating 12 of the previous step with a coating 13 of the next step such as an insulating coating (alumina Aj2zO3) by sputtering.
なお、以上説明した実施例は、たとえば薄膜コイルを形
成する前工程による被膜１２の上に、スパッタリングに
よって絶縁被膜（アルミナＡＩ！２０３）などの次工程
の被膜１３を被覆する場合について説明したが、この発
明はこれに限らず、この絶縁被膜の上に、第７図に示す
ように、スパッタリングによって上部磁性膜１ｅ′を被
覆する場合、あるいはこの上部磁性膜１ｅ’の上に、ス
パッタリングによってアルミナ保護膜１ｈを被覆する場
合にもこの発明の技術を応用することができる。In the embodiments described above, the coating 13 of the next process, such as an insulating coating (alumina AI! 203), is coated by sputtering on the coating 12 of the previous process of forming a thin film coil, for example. The present invention is not limited to this, but the present invention is not limited to this, and when an upper magnetic film 1e' is coated on this insulating film by sputtering, as shown in FIG. The technique of the present invention can also be applied to the case of coating the film 1h.
１
〔発明の効果〕
この発明は、以上説明したように、基板に形成した前工
程による被膜の上に、スパッタリングによって次工程の
被膜を形成する場合に、前工程による被膜の角を曲面あ
るいは斜面に形成したことを特徴とするスパッタリング
による被膜形成の改善方法としたので、前工程の被膜の
角の近傍あるいはその下方が、スパッタリングによる被
膜物質の飛来方向に対して影とならないので、前工程に
よる被膜の側端縁の近傍あるいはその下方に次工程の被
膜が被着しない、いわゆる巣が生じたりしてステップカ
バレッジが悪くなる問題がなくなり、また、前記のよう
な被膜の巣をなくすために、前工程による被膜に高い（
−）バイアス電圧を印加してスパッタリングを行う必要
もなくなり、被膜応力も改善することができる。1 [Effects of the Invention] As explained above, the present invention provides a method for forming a film formed on a substrate by sputtering in a next step on a film formed on a substrate in a previous step, by changing the corners of the film formed in the previous step into a curved or sloped surface. This method of improving film formation by sputtering is characterized by the fact that the film formed in the previous step is formed in the vicinity of the corners of the film in the previous step, or the area below it does not cast a shadow in the direction in which the film material is flown by sputtering. In order to eliminate the problem of poor step coverage due to the formation of so-called cavities where the coating in the next process does not adhere near or below the side edges of the coating, and to eliminate the coating cavities as described above, The coating from the previous process is high (
-) There is no need to apply a bias voltage to perform sputtering, and film stress can also be improved.
第１図はこの発明のスパッタリングによる被膜形成の改
善方法の説明図、第２図はこの発明の第２
１の実施例の製造工程を示す図、第３図はこの発明の第
２の実施例の製造工程を示す図、第４図はこの発明の第
３の実施例の製造工程を示す図、第５図は従来一般の磁
気ディスク装置で使用される薄膜磁気ヘッドの組立体の
斜視図、第６図はこの薄膜磁気ヘッドの拡大斜視図、第
７図は第６図の■−■線における断面図、第８図はコイ
ルの製造工程およびその工程におけるレジストや被膜の
状態を示す図、第９図の（Ａ）、（Ｂ）は従来のコイル
を形成する銅被膜の形状を示す図、第１０図はこの銅被
膜の上にスパッタリングによって絶縁被膜を被覆した図
、第１１図はスパッタリングにおいて銅被膜に印加する
（−）バイアス電圧対被膜応力の関係を示す図である。
４・・・基板
５・・・めっきベース
６・・・レジスト
７・・・マスク
８・・・パターン
９・・・銅被膜
９′・・・両側端縁
１０・・・絶縁被膜
１０′・・・巣
１１・・・基板
１２・・・前工程の被膜
１３・・・次工程の被膜
１４・・・めっきベース
１５・・・レジスト
１６・・・マスク
１７・・・パターン
５
３９５
３９８−
ＣｎＬＩ″）＼↑Fig. 1 is an explanatory diagram of the method for improving film formation by sputtering of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing the manufacturing process of the twenty-first embodiment of the invention, and Fig. 3 is a diagram of the second embodiment of the invention. FIG. 4 is a diagram showing the manufacturing process of a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a perspective view of an assembly of a thin film magnetic head conventionally used in a general magnetic disk device. FIG. 6 is an enlarged perspective view of this thin film magnetic head, FIG. 7 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. Figures 9 (A) and (B) are diagrams showing the shape of the copper coating that forms a conventional coil, Figure 10 is a diagram showing the copper coating coated with an insulating coating by sputtering, and Figure 11 is a diagram showing the shape of the copper coating formed by sputtering. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the (-) bias voltage applied to the copper coating and the coating stress in FIG. 4...Substrate 5...Plating base 6...Resist 7...Mask 8...Pattern 9...Copper coating 9'...Both side edges 10...Insulating coating 10'... - Cavity 11...Substrate 12...Coating 13 in previous process...Coating 14 in next process...Plating base 15...Resist 16...Mask 17...Pattern 5 395 398- CnLI'' )\↑
Claims (1)
の上に、スパッタリングによって次工程の被膜（１３）
を形成する場合に、前工程によって形成する被膜（１２
）の角を曲面あるいは斜面に形成してスパッタリングを
行うようにしたことを特徴とするスパッタリングによる
被膜形成の改善方法。Coating (12) formed on the substrate (11) in the previous process
On top of this, a coating (13) is applied in the next step by sputtering.
When forming a coating (12
) A method for improving film formation by sputtering, characterized in that the sputtering is performed by forming the corners of the curved surface into a curved surface or an inclined surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6474590A JPH03264664A (en) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | Method for forming film by sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6474590A JPH03264664A (en) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | Method for forming film by sputtering |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03264664A true JPH03264664A (en) | 1991-11-25 |
Family
ID=13267002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6474590A Pending JPH03264664A (en) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | Method for forming film by sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03264664A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106904568A (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | A kind of MEMS and preparation method thereof, electronic installation |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6474590A patent/JPH03264664A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106904568A (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | A kind of MEMS and preparation method thereof, electronic installation |
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