JPH03258787A - 1,2-bissilylethylene derivative, 1,2-bissilylethane derivative and 1,1-bissilylethane derivative and production thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はヒドロシラン類とアセチレン類を反応させるこ
とによる1、2−ビスシリルエチレン誘導体及び/また
は1,2−ビスシリルエタン誘導体及び/または1,1
−ビスシリルエタン誘導体の製造方法に関するものであ
る。1,2−ビスシリルエチレン誘導体及び1,2−ビ
スシリルエタン誘導体及び1,1−ビスシリルエタン誘
導体は医農薬等ファインケミカルズの合成中間体として
有用なものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to the production of 1,2-bissilylethylene derivatives and/or 1,2-bissilylethane derivatives and/or 1,2-bissilylethane derivatives by reacting hydrosilanes with acetylenes. ,1
- A method for producing a bissilylethane derivative. 1,2-bissilylethane derivatives, 1,2-bissilylethane derivatives, and 1,1-bissilylethane derivatives are useful as synthetic intermediates for fine chemicals such as medicines and agricultural chemicals.
[従来技#!]
一般式R1R”5i−RsC=CR”−5iR’R’−
Y (但し式中、R1,R”、 R3,R’、 R’、
R’及びYはそれぞれ前述のとおり)で表される1、
2−ビスシリルエチレン誘導体及び/または
中、R″* R”、R3t R’、R’、 R’及びY
はそれぞ九前述のとおり)で表される1、2−ビスシリ
ルエタン誘導体及び/または
一般式R1R25i−R’C(CH2R”)−5iR3
R’−Y(但し式中、R1,R”、 R’、 R’、
R’、 R”及びYはそれぞれ前述のとおり)で表され
る1、1−ビスシリルエタン誘導体の製造方法としては
一般には環状ジシランとアセチレンの反応(ダブルシリ
ル化反応)が知られているが1合成例の知られている環
状ジシランは限られており、しかも一般には高価である
ため工業的に有利な方法とは考えられない。別の方法と
してはシリレンとアセチレン類の反応による1、4−ジ
シラー2,5−シクロヘキサジエン誘導体の生成も知ら
れているが、シリレンの生成には一般には紫外光の照射
または300’C付近の高温という厳しい条件が必要で
あり副生成物としてシラシクロペンタジェンが生成する
ことが多く、工業的に満足できるものではない。別の方
法としては5i−H結合を有するケイ素原子を含む有機
基をケイ素上の置換基として有するシリルアセチレンの
分子内ヒドロシリル化反応も知られているが(Topi
cs of Current Chemistry。[Conventional technique #! ] General formula R1R"5i-RsC=CR"-5iR'R'-
Y (wherein, R1, R'', R3, R', R',
1, R' and Y are each represented by (as described above);
2-bissilylethylene derivative and/or inside, R''*R'', R3t R', R', R' and Y
are as described above) and/or a 1,2-bissilylethane derivative represented by the general formula R1R25i-R'C(CH2R'')-5iR3
R'-Y (wherein, R1, R'', R', R',
The reaction of cyclic disilane and acetylene (double silylation reaction) is generally known as a method for producing 1,1-bissilylethane derivatives (R', R'' and Y are as described above). 1 Synthesis example of cyclic disilanes is limited, and it is generally expensive, so it is not considered to be an industrially advantageous method.Another method is the reaction of silylene and acetylene. -Disilar The production of 2,5-cyclohexadiene derivatives is also known, but the production of silylene generally requires harsh conditions such as irradiation with ultraviolet light or high temperatures around 300'C, and the by-product silacyclopentane is produced. This is not an industrially satisfactory method as it often produces Zhen.Another method is an intramolecular hydrosilylation reaction of silylacetylene having an organic group containing a silicon atom having a 5i-H bond as a substituent on silicon. Although it is also known (Topi
cs of Current Chemistry.
50 (1974) 44) 、原料物質である上記シ
リルアセチレンを製造する工程が複雑であり、満足でき
る方法ではない。50 (1974) 44), the process for producing the above-mentioned silylacetylene, which is a raw material, is complicated and is not a satisfactory method.
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は、安価かつ大量に入手可能な原料を用い温和な
条件で、1,2−ビスシリルエチレン誘導体及び/また
は1,2−ビスシリルエタン誘導体及び/または1,1
−ビスシリルエタン誘導体を工業的に有利に製造しうる
方法を提供することをその課題とする。[Problems to be Solved by the Invention] The present invention is directed to producing 1,2-bissilylethylene derivatives and/or 1,2-bissilylethane derivatives and/or 1,2-bissilylethane derivatives under mild conditions using raw materials that are inexpensive and available in large quantities. or 1,1
The object of the present invention is to provide a method for producing -bissilylethane derivatives industrially and advantageously.
またそれによって得られる新規な1,2−ビスシリルエ
チレン誘導体及び1,2−ビスシリルエタン誘導体及び
1,1−ビスシリルエタン誘導体を提供することをその
課題とする。Another object of the present invention is to provide novel 1,2-bissilylethane derivatives, 1,2-bissilylethane derivatives, and 1,1-bissilylethane derivatives obtained thereby.
[問題点を解決するための手段]
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結
果、
(a)一般式 HRlR”5i−Y−5iR3R’H(
但し式中、R1,R2、R3、R4及びYはそれぞれ前
述のとおり)で表されるヒドロシラン類と
(b) 一般式RsC:CR” (但シ式中、Rs及ヒ
R’はそれぞれ前述のとおり)で表されるアセチレン類
が、
(e)白金、パラジウム、ニッケル、ルテニウム、鉄、
イリジウム、ロジウム、コバルトの中から選ばれる遷移
金属錯体の存在下に、温和な条件下に迅速に反応し1,
2−ビスシリルエチレン誘導体及び/または1,2−ビ
スシリルエタン誘導体及び/または1,1−ビスシリル
エタン誘導体を与えるという新規な事実を発見し、これ
に基づき本発明を完成するに至った。[Means for Solving the Problems] As a result of intensive research by the present inventors to solve the above problems, (a) General formula HRlR"5i-Y-5iR3R'H (
However, in the formula, R1, R2, R3, R4 and Y are each as described above) and (b) hydrosilanes represented by the general formula RsC:CR'' (However, in the formula, Rs and R' are each as described above). (e) Platinum, palladium, nickel, ruthenium, iron,
It reacts rapidly under mild conditions in the presence of a transition metal complex selected from iridium, rhodium, and cobalt.
We have discovered a novel fact that provides a 2-bissilylethane derivative and/or a 1,2-bissilylethane derivative and/or a 1,1-bissilylethane derivative, and have completed the present invention based on this discovery.
すなわち本発明によれば
一般式 R”R”5i−R”C=CR’−5iR3R’
−Y (但し式中、R1,R”、 R3,R’、 R’
、 R“及びYはそれぞれ前述のとおり)で表される1
、2−ビスシリルエチレン誘導体及び/または
(但し式中、R1,R”、R’、R’、R’、R’及び
Yはそれぞれ前述のとおり)で表される1、2−ビスシ
リルエタン誘導体及び/または
(但し式中、R1,R2,R2,R4,RK、 RK及
びYはそれぞれ前記のとおりである。)で表される1、
1−ビスシリルエタン誘導体の製造方法が提供される。That is, according to the present invention, the general formula R"R"5i-R"C=CR'-5iR3R'
-Y (wherein, R1, R", R3, R', R'
, R" and Y are respectively as described above) 1
, 2-bissilyl ethylene derivative and/or 1,2-bissilylethane represented by (wherein R1, R'', R', R', R', R' and Y are each as described above) Derivatives and/or 1 represented by (wherein R1, R2, R2, R4, RK, RK and Y are each as described above),
A method for producing a 1-bissilylethane derivative is provided.
本発明の方法は1次式で示される反応によって進行する
。The method of the present invention proceeds by a reaction represented by a linear equation.
HRlR”5i−Y−5iR3R’H+ R’CECR
’ →)IRlR”5i−Y−5iR3R’H+ R’
CECR’ →1(RLR2Si−Y−SiR’R’)
l + R’″CミCR’ →R1R”5i−RsC
(CH,R’ )−5iR’R’−Y(但シ式中、R1
,R”、 R’、 R’、 R”、 R’及ヒYはそれ
ぞれ前述のとおり)
本発明で用いる(a)のヒドロシラン類は一般式 HR
lR” 5i−Y−5iR3R’ H(但し式中、R″
、 R”、 R3,R’及びYはそれぞれ前述のとおり
)で表される。 R’、 R”、 R”及びR4として
は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロ
キシ基、アシロキシ基、ビス(ヒドロカルビル)アミノ
基、ハロゲン原子、水素原子等があげられ、互いに同一
であっても、相異なっていてもよい、一般式中、Yは2
価の有機基、酸素原子、窒素原子、硫黄原子であり、2
価の有機基として具体的には
(A)芳香環構造を有する2価の有機基(T3) アル
キレン基
(C)へテロ原子として典型元素を含む2価の有機基
(D)へテロ原子として遷移金属を含む2価の有機基
等があげられる。HRlR"5i-Y-5iR3R'H+ R'CECR
'→)IRlR"5i-Y-5iR3R'H+R'
CECR' → 1 (RLR2Si-Y-SiR'R')
l + R'"CmiCR'→R1R"5i-RsC
(CH,R')-5iR'R'-Y (wherein R1
, R'', R', R', R'', R' and HY are each as described above) The hydrosilane (a) used in the present invention has the general formula HR
lR"5i-Y-5iR3R' H (wherein, R"
, R", R3, R' and Y are each represented by Examples include (hydrocarbyl) amino group, halogen atom, hydrogen atom, etc., which may be the same or different from each other. In the general formula, Y is 2
A valent organic group, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and 2
Specifically, as a valent organic group, (A) a divalent organic group having an aromatic ring structure (T3) an alkylene group (C) a divalent organic group containing a typical element as a hetero atom (D) as a hetero atom Examples include divalent organic groups containing transition metals.
(A)としては、例えば。As (A), for example.
等があげられ5
(B)としては、例えば、
−CH,−、−CH2CH,−、−CH2CH,CH,
−、−HC=CH−。etc.5 (B) is, for example, -CH,-, -CH2CH,-, -CH2CH,CH,
-, -HC=CH-.
等があげられ。etc. are listed.
(C)としては、例えば、
−0−CI(、−、−CH2−0−CH2−、−CH,
−N(CL)−CB、−。(C) is, for example, -0-CI(,-, -CH2-0-CH2-, -CH,
-N(CL)-CB,-.
等があげられ、 (D)としては、例えば、 等があげられる。etc. are mentioned, As (D), for example, etc. can be mentioned.
また、前記の2価の有機基の炭素原子上に置換基として
各種置換基を含むことができる。このような置換基の具
体例としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシロ
キシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ビス(ヒ
ドロカルビル)アミノ基、ハロゲン原子、水素原子等が
あげられる。Moreover, various substituents can be included as substituents on the carbon atoms of the divalent organic group. Specific examples of such substituents include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, alkoxycarbonyl groups, acyl groups, bis(hydrocarbyl)amino groups, halogen atoms, and hydrogen atoms.
更に具体的に本発明で用いるヒドロシラン類を例示する
と、0−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン、0−ビス(
ジフェニルシリル)ベンゼン、0−ビス(ジメトキシシ
リル)ベンゼン、0−ビス(ジフェノキシシリル)ベン
ゼン、0−(ビス(ジメチルアミノ)シリル)(ジメチ
ルシリル)zc
江フでン、0−ビス(ジクロロシリル)ベンゼン、3.
4−ビス(ジメチルシリル)ピリジン、2゜3−ビス(
ジメチルシリル)チオフェン、2,3−ビス(ジメチル
シリル)フラン、1,2−ビス(ジメチルシリル)ナフ
タレン、1,2−ビス(ジメチルシリル)アントラセン
、1,2−ビス(ジメチルシリル)−4−メトキシベン
ゼン、3゜4−ビス(ジメチルシリル)フェニルエチル
エーテル、1,2−ビス(ジメチルシリル)−4−クロ
ロベンゼン、1,2−ビス(ジメチルシリル)エタン、
1,1,3.3−テトラメチルジシロキサン、l、1,
3,3−テトラメチルジシラザン、ビス−η1−((ジ
メチルシリル)シクロペンタジェニル)鉄、ビス−η5
−((ジメチルシリル)シクロペンタジェニル)ルテニ
ウム等があげられる。More specific examples of hydrosilanes used in the present invention include 0-bis(dimethylsilyl)benzene, 0-bis(
Diphenylsilyl)benzene, 0-bis(dimethoxysilyl)benzene, 0-bis(diphenoxysilyl)benzene, 0-(bis(dimethylamino)silyl)(dimethylsilyl)zc Efuden, 0-bis(dichlorosilyl) ) Benzene, 3.
4-bis(dimethylsilyl)pyridine, 2゜3-bis(
dimethylsilyl)thiophene, 2,3-bis(dimethylsilyl)furan, 1,2-bis(dimethylsilyl)naphthalene, 1,2-bis(dimethylsilyl)anthracene, 1,2-bis(dimethylsilyl)-4- Methoxybenzene, 3゜4-bis(dimethylsilyl)phenylethyl ether, 1,2-bis(dimethylsilyl)-4-chlorobenzene, 1,2-bis(dimethylsilyl)ethane,
1,1,3.3-tetramethyldisiloxane, l,1,
3,3-tetramethyldisilazane, bis-η1-((dimethylsilyl)cyclopentagenyl)iron, bis-η5
-((dimethylsilyl)cyclopentagenyl)ruthenium and the like.
本発明で用いる(b)のアセチレン類は一般式R” C
E CR’
(但し式中、R5及びR1はそれぞれ前述のとおり)で
表される。Rs及びR@とじては、アルキル基、アリー
ル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシロキシ基、
アルコキシカルボニル基、アルコキシメチル基、アリー
ロキシメチル基、ビス(ヒドロカルビル)アミノ基、ハ
ロゲン原子、水素原子等があげられる。The acetylenes (b) used in the present invention have the general formula R''C
E CR' (wherein R5 and R1 are each as described above). Rs and R@ are an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group,
Examples include an alkoxycarbonyl group, an alkoxymethyl group, an aryloxymethyl group, a bis(hydrocarbyl)amino group, a halogen atom, and a hydrogen atom.
更に具体的に本発明で用いるアセチレン類を例示すると
、無置換アセチレン、1−プロピン、1−ブチン、2−
ブチン、1−ペンチン、2−ペンチン、3−ヘキシン、
1−デシン、4−デシン、シクロノニン、シクロドデシ
ン、フェニルアセチレン、o−1m−1またはp−トリ
ルアセチレン、0−1m−1またはp−クロロフェニル
アセチレン、1−フェニル−1−プロピン、1−フェニ
ル−2−プロピン、4−フェニル−1−ブチン、ジフェ
ニルアセチレン、1−フェニル−2−シクロヘキシルア
セチレン、エチルエチニルエーテル、フェニルエチニル
エーテル、プロピオール酸メチル、酢酸エチニル、安息
香酸プロピニル、クロロアセチレン、1,4−ジアセト
キシ−2−ブチン、2−アセトキシ−2−メチル−3−
ブチン、1−、ψα=
ア1r下−キシー2−プロピン、アセチレンジカルボン
酸ジメチル等があげられる。More specific examples of acetylenes used in the present invention include unsubstituted acetylene, 1-propyne, 1-butyne, 2-
Butyne, 1-pentyne, 2-pentyne, 3-hexyne,
1-decyne, 4-decyne, cyclononine, cyclododecyne, phenylacetylene, o-1m-1 or p-tolylacetylene, 0-1m-1 or p-chlorophenylacetylene, 1-phenyl-1-propyne, 1-phenyl-2 -Propyne, 4-phenyl-1-butyne, diphenylacetylene, 1-phenyl-2-cyclohexylacetylene, ethyl ethynyl ether, phenylethynyl ether, methyl propiolate, ethynyl acetate, propynyl benzoate, chloroacetylene, 1,4-diacetoxy -2-butyne, 2-acetoxy-2-methyl-3-
Examples include butyne, 1-, ψα=1r-x-2-propyne, dimethyl acetylene dicarboxylate, and the like.
ヒドロシラン類とアセチレン類の量関係は通常ヒドロシ
ラン類とアセチレン類のモル比で1/100〜100の
範囲で実施され、好ましくは1/10〜10の範囲であ
るが、無置換アセチレンのようにガス状の原料を用いる
場合はこの範囲を越えて使用しても差し支えなく、また
該ガス状原料を反応系中にバブルする方法も本発明の有
利な態様と考えるべきである。The molar ratio of hydrosilanes and acetylenes is usually in the range of 1/100 to 100, preferably in the range of 1/10 to 10. When a gaseous raw material is used, there is no problem in using the gaseous raw material beyond this range, and a method of bubbling the gaseous raw material into the reaction system should also be considered as an advantageous embodiment of the present invention.
本発明によりば、次の一般式で表される新規な1.2−
ビスシリルエチレン誘導体(1)及び/または1,2−
ビスシリルエタン誘導体(n)及び/または1.1−ビ
スシリルエタン誘導体(III)が提供される。According to the present invention, a novel 1.2-
Bissilylethylene derivative (1) and/or 1,2-
A bissilylethane derivative (n) and/or a 1,1-bissilylethane derivative (III) is provided.
(す
(II)
(Ill)
kuI
−酊I式中、R’、 R”、 R’、 Rlo、 R”
及びR”はアルキル基、アリール基、アルコキシ基。(Su(II) (Ill) kuI-醊I Formula, R', R", R', Rlo, R"
and R'' is an alkyl group, an aryl group, or an alkoxy group.
アリーロキシ基、アシロキシ基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、ビス(ヒドロカルビル)アミノ基、ハロ
ゲン原子、水素原子等を示す。R11R”、R”及びR
14はアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリー
ロキシ基、アシロキシ基、ビス(ヒドロカルビル)アミ
ノ基、ハロゲン原子、水素原子等を示す、前記のアルキ
ル基、アルコキシ基、及びアシル基としては、炭素数1
〜10の低級アルキル基、アルコキシ基、及びアシル基
があげられ、アリール基、及びアリーロキシ基としては
炭素数6〜15の例えばフェニル基、トリル基、フェノ
キシ基等を示す、アシロキシ基、アルコキシカルボニル
基、ビス(ヒドロカルビル)アミノ基としては、炭素数
1〜10のアシロキシ基。Indicates an aryloxy group, an acyloxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a bis(hydrocarbyl)amino group, a halogen atom, a hydrogen atom, etc. R11R”, R” and R
14 represents an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, a bis(hydrocarbyl)amino group, a halogen atom, a hydrogen atom, etc. The alkyl group, alkoxy group, and acyl group have a carbon number of 1.
-10 lower alkyl groups, alkoxy groups, and acyl groups, examples of aryl groups and aryloxy groups include acyloxy groups and alkoxycarbonyl groups having 6 to 15 carbon atoms, such as phenyl groups, tolyl groups, phenoxy groups, etc. , as the bis(hydrocarbyl)amino group, an acyloxy group having 1 to 10 carbon atoms.
アルコキシカルボニル基、ビス(ヒドロカルビル)アミ
ノ基があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素原子があげられる。Examples include an alkoxycarbonyl group and a bis(hydrocarbyl)amino group. Examples of halogen atoms include fluorine, chlorine, bromine, and iodine atoms.
本発明で用いる(C)の遷移金属錯体触媒にお((−−
uN7.その遷移金属成分としては、白金、ルテニウム
、ロジウム、パラジウム、ニッケル、鉄、コバルト、及
びイリジウムがあげられるが、特に白金、ルテニウム、
ロジウム、及びパラジウムの使用が好適である。遷移金
属錯体としては、従来公知の各種のものを使用すること
ができるが、反応系に少なくとも一部は可溶の化合物を
用いるのが反応速度的には好ましい、これらの化合物と
しては有機配位子あるいは一酸化炭素を含む錯体が特に
好ましく用いられる。これらの具体例を示すと。The transition metal complex catalyst (C) used in the present invention includes ((-- uN7. Its transition metal components include platinum, ruthenium, rhodium, palladium, nickel, iron, cobalt, and iridium, but especially platinum). ,ruthenium,
The use of rhodium and palladium is preferred. Various conventionally known transition metal complexes can be used, but from the viewpoint of reaction rate it is preferable to use compounds that are at least partially soluble in the reaction system. Complexes containing carbon monoxide or carbon monoxide are particularly preferably used. Here are some specific examples of these.
(η−エチレン)ビス(トリフェニルホスフィン)白金
、テトラキス(ジフェニルメチルホスフィン)白金、ジ
クロロビス(フエニルジメチルホスフィン)白金、クロ
ロヒドリドビス(トリブチルホスフィン)白金、ジクロ
ロ(テトラメチルエチレンジアミン)白金、ジブロモビ
ス(トリエチルホスファイト)白金、ジクロロビス(ベ
ンゾニトリル)白金、ビス(η−1,5−シクロオクタ
ジエン)白金、ジクロロ(η−1,5−シクロオクタジ
エン)白金、ジカルボニルビス(トリブチルホスフ、W
白金、カルボナトビス(トリシクロヘキシルホスフィン
)白金、ビス(ジベンジリデンアセトン)ビス(トリフ
ェニルホスフィン)白金、(η−エチレン)ビス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウム、テトラキス(ジフェ
ニルメチルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(フ
エニルジメチルホスフィン)パラジウム、トリス(ジベ
ンジリデンアセトン)ニパラジウム、ジクロロ(η−1
,5−シクロオクタジエン)パラジウム、ビス(η−ア
リル)パラジウム、(η−エチレン)ビス(トリフェニ
ルホスフィン)ニッケル、トリカルボニル(ジフェニル
メチルホスフィン)ニッケル、ジブロモビス(トリエチ
ルホスフィン)ニッケル、テトラキス(フエニルジメチ
ルホスフィン)ニッケル、ブロモトリス(トリブチルホ
スフィン)ニッケル、ビス(η5−シクロペンタジェニ
ル)ニッケル、ビス(アセチルアセトナト)ニッケル。(η-ethylene)bis(triphenylphosphine)platinum, tetrakis(diphenylmethylphosphine)platinum, dichlorobis(phenyldimethylphosphine)platinum, chlorohydridobis(tributylphosphine)platinum, dichloro(tetramethylethylenediamine)platinum, dibromobis(triethyl) phosphite) platinum, dichlorobis(benzonitrile)platinum, bis(η-1,5-cyclooctadiene)platinum, dichloro(η-1,5-cyclooctadiene)platinum, dicarbonylbis(tributylphosph, W
Platinum, carbonatobis(tricyclohexylphosphine)platinum, bis(dibenzylideneacetone)bis(triphenylphosphine)platinum, (η-ethylene)bis(triphenylphosphine)palladium, tetrakis(diphenylmethylphosphine)palladium, dichlorobis(phenyldimethyl) phosphine)palladium, tris(dibenzylideneacetone)nipalladium, dichloro(η-1
,5-cyclooctadiene)palladium, bis(η-allyl)palladium, (η-ethylene)bis(triphenylphosphine)nickel, tricarbonyl(diphenylmethylphosphine)nickel, dibromobis(triethylphosphine)nickel, tetrakis(phenyl) dimethylphosphine) nickel, bromotris(tributylphosphine) nickel, bis(η5-cyclopentagenyl) nickel, bis(acetylacetonato) nickel.
クロロトリス(トリフェフェニルホスフィン)ロジウム
、クロロ(カルボニル)トリス(トリブチルホスフィン
)ロジウム、ドデカカルボニル四口二ロジウム、ビス(
η−エチレン) (η−シクロペンタジェニル)ロジウ
ム、クロロトリス(トリフェフェニルホスフィン)イリ
ジウム、クロロ(カルボニル)トリス(トリブチルホス
フィン)イリジウム、クロロトリス(トリフェニルホス
フィン)コバルト、クロロ(カルボニル)トリス(トリ
ブチルホスフィン)コバルト、ドデカカルボニル三ルテ
ニウム、(η−1,5−シクロオクタジエン)(η−シ
クロオクタトリエン)ルテニウム、トリカルボニルビス
(トリブチルホスフィン)鉄、テトラカルボニル(ジフ
ェニルメチルホスフィン)鉄、ペンタカルボニル鉄等が
あげられるが、これに制限されるものではない、またこ
れらの遷移金属化合物を単独でなく、2種以上を共存さ
せて実施してもよく、さらに遷移金属化合物と共に該遷
移金属化合物にふくまれるものと同一もしくは異なる有
機配位子を添加して実施することも本発明の有利な態様
に含まれる。このような有機配位子を例示すると、ホス
フィン、ホスホナイト、ホスケトン、アミン、ニトリル
等があげられる。これらを例示すると、トリメチルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、トリ(p−トリル)ホスフィン、トリ(p−ア
ニシル)ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フ
エニルジメチルホスフィン等の鎖状ホスフィン、p−メ
チルホスホール、p−メチルホスホール、9−メチル−
9−ホスファビシクロ[4,2,11ノナン等の環状ホ
スフィン、1゜2−ビス(ジメチルホスフィノ)エタン
、1,3−ビス(ジメチルホスフィノ)プロパン、1,
4−ビス(ジメチルホスフィノ)ブタン、1.2−ビス
(ジフェニルホスフィノ)エタン、1.3−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)プロパン、1.4−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ブタン、1,1′−ビス(ジメチルホス
フィノ)フェロセン、1゜1′−ビス(ジフェニルホス
フィノ)フェロセン、α、α′−ビス(ジメチルホスフ
ィノ)−〇−キシレン、1,2−ビス(ジメチルホスフ
ィノ)ベンゼン等のビスホスフィン、ジメチルメチルホ
スホナイト、ジメチルフェニルホスホナイト等のホスホ
ナイト、メチルジメチルホスフィナイト、ジフェニルホ
スフィナイト等のホスフィナイト、およびトリエチルホ
スファイト、トリフェニルホスファイト、トリメチロー
ルプロパンホスファイト等のホスファイト、エチレン、
プロペン、シクロオクテン、1,5−へキサジエン、1
,5−シクロオクタジエン、1,3−シクロペンタジェ
ン。Chlorotris (triphenylphosphine) rhodium, chloro(carbonyl) tris (tributylphosphine) rhodium, dodecacarbonyl four-mouth dirhodium, bis(
η-ethylene) (η-cyclopentagenyl) rhodium, chlorotris(triphenylphosphine)iridium, chloro(carbonyl)tris(tributylphosphine)iridium, chlorotris(triphenylphosphine)cobalt, chloro(carbonyl)tris(tributylphosphine) Cobalt, dodecacarbonyltriruthenium, (η-1,5-cyclooctadiene)(η-cyclooctatriene)ruthenium, tricarbonylbis(tributylphosphine)iron, tetracarbonyl(diphenylmethylphosphine)iron, pentacarbonyliron, etc. However, the present invention is not limited to these, and these transition metal compounds may be used not only alone, but also in combination of two or more, and those included in the transition metal compound together with the transition metal compound. An advantageous embodiment of the present invention also includes the addition of an organic ligand that is the same as or different from the above. Examples of such organic ligands include phosphine, phosphonite, phosketone, amine, and nitrile. Examples of these chains include trimethylphosphine, tributylphosphine, trioctylphosphine, tricyclohexylphosphine, triphenylphosphine, tri(p-tolyl)phosphine, tri(p-anisyl)phosphine, diphenylmethylphosphine, phenyldimethylphosphine, etc. phosphine, p-methylphosphole, p-methylphosphole, 9-methyl-
Cyclic phosphines such as 9-phosphabicyclo[4,2,11 nonane, 1゜2-bis(dimethylphosphino)ethane, 1,3-bis(dimethylphosphino)propane, 1,
4-bis(dimethylphosphino)butane, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane, 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,1' -bis(dimethylphosphino)ferrocene, 1゜1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene, α,α'-bis(dimethylphosphino)-〇-xylene, 1,2-bis(dimethylphosphino)benzene, etc. bisphosphine, phosphonites such as dimethylmethylphosphonite and dimethylphenylphosphonite, phosphinites such as methyldimethylphosphinite and diphenylphosphinite, and phosphites such as triethylphosphite, triphenylphosphite and trimethylolpropane phosphite. ,ethylene,
Propene, cyclooctene, 1,5-hexadiene, 1
, 5-cyclooctadiene, 1,3-cyclopentadiene.
ノルボルナジェン、l、3,5.7−シクロオクタテト
ラエン等のオレフィン、アセチルアセトン等のβ−ジケ
トン、エチレンジアミン、2.2′−ビピリジル等のア
ミン、ベンゾニトリル等のニトリルがあげられる。Examples include olefins such as norbornadiene, l,3,5.7-cyclooctatetraene, β-diketones such as acetylacetone, amines such as ethylenediamine and 2,2'-bipyridyl, and nitrites such as benzonitrile.
遷移金属錯体触媒の使用量はいわゆる触媒量でよく、ヒ
ドロシランに対するモル比で、0.00001〜0.5
の範囲で使用される。The amount of transition metal complex catalyst used may be a so-called catalytic amount, and the molar ratio to hydrosilane is 0.00001 to 0.5.
used within the range.
本発明の反応は特に溶媒を使用する事なく、反応に供す
べきヒドロシラン類とアセチレン類の混−(−一
合1用いる事により容易に実施される。しかし、溶媒を
用いることは本反応の生起にとって障害となるものでな
く、必要に応じ溶媒中で実施される。The reaction of the present invention can be easily carried out without using any particular solvent by using a mixture of hydrosilanes and acetylenes to be subjected to the reaction. It is not a hindrance to the process and can be carried out in a solvent if necessary.
これらの溶媒の選択は反応させるべきヒドロシラン類の
反応性や沸点、及びアセチレン類の沸点等を考慮して一
般に用いられる溶媒1例えば炭化水素系、またはエーテ
ル系の溶媒の中から選ぶのが好ましい。These solvents are preferably selected from commonly used solvents, such as hydrocarbon-based or ether-based solvents, taking into consideration the reactivity and boiling point of the hydrosilanes to be reacted, the boiling point of the acetylenes, etc.
本発明の反応は0℃以下でも進行するが、好ましい速度
を達するためには250℃までの温度に加熱することも
できる。原料物質の構造にもよるが、−船釣に好ましい
温度領域は0〜150℃である。Although the reaction of the present invention will proceed below 0°C, it can be heated to temperatures up to 250°C to achieve preferred rates. Although it depends on the structure of the raw material, the preferred temperature range for boat fishing is 0 to 150°C.
反応後の生成物の分離は未反応原料等を蒸留等で分離後
、精留、再結晶、クロマトグラフィー等に付すことで容
易に実施される。Separation of the product after the reaction is easily carried out by separating unreacted raw materials by distillation or the like, and then subjecting the product to rectification, recrystallization, chromatography, or the like.
[発明の効果]
本発明によれば、ヒドロシラン類とアセチレン類から容
易に1,2−ビスシリルエチレン誘導体及び/または1
.2−ビスシリルエタン誘導体及式ζ・旨よ1,1−e
ゎ1,7゜工5.□オヵ、うられ、その産業的意義は多
大である。[Effects of the Invention] According to the present invention, 1,2-bissilylethylene derivatives and/or 1,2-bissilylethylene derivatives can be easily obtained from hydrosilanes and acetylenes.
.. 2-bissilylethane derivative and formula ζ・Umyo 1,1-e
ゎ1,7゜engineering 5. □Oka, urare, and their industrial significance are enormous.
[実施例] 次に、本発明を実施例によって更に詳細に説明する。[Example] Next, the present invention will be explained in more detail by way of examples.
実施例I
Pt(CH2=CHi)(PPhz)aを、0.005
mモル及び0−ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.
25mモル含むベンゼン溶液2 m Qに30℃にて、
フェニルアセチレンを0.25mモル含むベンゼン溶液
2 m Qを加え、30℃にて攪拌し1反応させた。1
9時間反応させた後濃縮し、蒸留すると1゜1.4,4
−テトラメチル−2−フェニル−1゜4−ペンゾジシラ
ー2,5−シクロヘキサジエン及び1,1,3,3−テ
トラメチル−2−ベンジル−1,3−ペンゾジシラー4
−シクロペンテンの混合物がそれぞれ収率68%及び1
0%で得られた。その生成比はガスクロマトグラフィー
により求めた。本化合物はいずれも文献に未収載の新規
化合物であり、その物性値、スペクトルデータは以下の
通りであった。Example I Pt(CH2=CHi)(PPhz)a, 0.005
mmol and 0-bis(dimethylsilyl)benzene.
2 m Q of benzene solution containing 25 mmol at 30°C.
2 mQ of a benzene solution containing 0.25 mmol of phenylacetylene was added, and the mixture was stirred at 30°C to perform one reaction. 1
After reacting for 9 hours, it was concentrated and distilled to give 1°1.4,4
-Tetramethyl-2-phenyl-1゜4-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene and 1,1,3,3-tetramethyl-2-benzyl-1,3-penzodisilar 4
- a mixture of cyclopentenes with yields of 68% and 1, respectively
Obtained at 0%. The production ratio was determined by gas chromatography. All of the present compounds are new compounds that have not been described in any literature, and their physical property values and spectral data were as follows.
1.1,4.4−テトラメチル−2−フェニル−1,4
−ペンゾジシラー2,5−シクロへキサジエン沸点=1
10℃/1mmHg(クーゲルロール)1H−NMR(
CDCI、) : δ 7.65−7.58 (4H,
m)。1.1,4.4-tetramethyl-2-phenyl-1,4
-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene boiling point = 1
10℃/1mmHg (Kugerrohr) 1H-NMR (
CDCI, ): δ 7.65-7.58 (4H,
m).
7.45−7.20 (7H,m)、 6.85 (
LH,s)。7.45-7.20 (7H, m), 6.85 (
LH,s).
0.37 (6H、s )、 0.36 (6H、s
)GC−MS (EI、70eV) ; 294
(M”、47)、 279 (100)IR(第1図)
元素分析値:実測値C73,86%、H7,63%理論
値C73,40%、H7,53%
1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3
−ペンゾジシラー4−シクロペンテン1H−NMR(C
DCl2) : δ 7.6−7.2 (9H,m)。0.37 (6H, s), 0.36 (6H, s
) GC-MS (EI, 70eV); 294
(M”, 47), 279 (100) IR (Figure 1) Elemental analysis values: Actual value C73,86%, H7,63% Theoretical value C73,40%, H7,53% 1,1,3,3 -tetramethyl-2-benzyl-1,3
-Penzodisilar 4-cyclopentene 1H-NMR (C
DCl2): δ 7.6-7.2 (9H, m).
2.93 (2H,d J =8.5Hz )tO,
74(LH,t 、 J =8.5Hz )。2.93 (2H, d J =8.5Hz)tO,
74 (LH,t, J = 8.5Hz).
0.21 (6H,s )、0.15 (6H,s )
GC−MS : 296 (M”、 2)、 281
(100)実施例2〜7
触媒を変えて80℃にて7時間、実施例1と同様に反応
を行った結果を第1表に示す。0.21 (6H,s), 0.15 (6H,s)
GC-MS: 296 (M”, 2), 281
(100) Examples 2 to 7 Table 1 shows the results of a reaction conducted in the same manner as in Example 1 at 80° C. for 7 hours with different catalysts.
第1表
P t (CHa ”CH2) (P P hi )
2Ru、 (co)zz
PtCjz(PPhWz
RhC1(PPh3)。Table 1 P t (CHa ”CH2) (P P hi )
2Ru, (co)zz PtCjz(PPhWz RhC1(PPh3).
Pd(DBA)+2PPh。Pd(DBA)+2PPh.
PdCgz (PPhi )2
50 14
20 20
23 6
0
1
0
H刊1,4.4−テトラメチル−2−フェニル−1゜4
−ペンゾジシラー2,5−シクロへキサジエン、Bは1
,1,3.3−テトラメチル−2−ベンジル−1゜3−
ペンゾジシラー4−シクロペンテンを示す。PdCgz (PPhi)2 50 14 20 20 23 6 0 1 0 H 1,4.4-tetramethyl-2-phenyl-1゜4
-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene, B is 1
,1,3.3-tetramethyl-2-benzyl-1゜3-
Shows penzodisilar 4-cyclopentene.
また、収率はガスクロマトグラフィーで分析した値であ
る。Moreover, the yield is a value analyzed by gas chromatography.
実施例8〜11
アセチレン、反応温度、反応時間を変えて実施例1と同
様に反応を行った結果を第2表に示す。Examples 8 to 11 Table 2 shows the results of reactions carried out in the same manner as in Example 1 while changing acetylene, reaction temperature, and reaction time.
以下の生成物は全て文献に未収載の新規化合物である。All of the following products are new compounds that have not been described in the literature.
実施例12
pt (CH,=CH,) (pph、 )2を0.0
05mモル及び〇−ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを
0.25mモル含むベンゼン溶液4mlをアセチレンガ
ス雰囲気下(風船使用)30℃で攪拌し19時間反応さ
せた。濃縮し蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル
−1,4−ペンフジシラー2,5−シクロヘキサジエン
及び1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ペンフジ
シラー5−シクロヘキセン
の混合物がそれぞれ46%及び23%の収率で得られた
、その生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。Example 12 pt (CH,=CH,) (pph, )2 to 0.0
4 ml of a benzene solution containing 0.25 mmol of 0.05 mmol and 0.25 mmol of 0-bis(dimethylsilyl)benzene was stirred at 30° C. under an acetylene gas atmosphere (using a balloon) and reacted for 19 hours. When concentrated and distilled, a mixture of 1,1,4,4-tetramethyl-1,4-penfudisilar 2,5-cyclohexadiene and 1,1,4,4-tetramethyl-1,4-penfudisilar 5-cyclohexene is obtained, respectively. Yields of 46% and 23% were obtained, and the production ratios were determined by gas chromatography.
本化合物はいづれも文献に未収載の新規化合物であり、
そのスペクトルデータは以下の通りであった。All of these compounds are new compounds that have not been described in the literature.
The spectral data were as follows.
1.1,4,4−テトラメチル−1,4−ペンゾジシラ
−2,5−シクロヘキサジエン
沸点:95℃/20mmHg (クーゲルロール)1H
−NMR、δ 7.7−7.2 (4H,m)。1.1,4,4-tetramethyl-1,4-penzodisila-2,5-cyclohexadiene Boiling point: 95°C/20mmHg (Kugerrohr) 1H
-NMR, δ 7.7-7.2 (4H, m).
7.1 (2H,s)、 0.29 (12H,s)
GC−MS ; 21g (M”、46)、 203
(100)IR(第6図)
1.1,4.4−テトラメチル−1,4−ペンフジシラ
ー5−シクロヘキセン
1H−NMR: δ 7.7−7.2 (4H,m)
。7.1 (2H,s), 0.29 (12H,s)
GC-MS; 21g (M”, 46), 203
(100) IR (Figure 6) 1.1,4.4-tetramethyl-1,4-penfudisilar 5-cyclohexene 1H-NMR: δ 7.7-7.2 (4H, m)
.
1.02 (4H,sL O,23(12H,s)G
C−MS : 220 (M”、22)、 205
(100)実施例13
Pt (CH2=CH2) (PPh、 )zを0.0
05mモル及び1゜2−ビス(ジメチルシリル)エタン
を0.25mモル含むベンゼン溶液2 m Qに、4−
オクチンを0.25mモル含むベンゼン溶液2 m Q
を80’Cにて滴下し、80℃にて24時間反応を行な
った。1.02 (4H,sL O,23(12H,s)G
C-MS: 220 (M”, 22), 205
(100) Example 13 Pt (CH2=CH2) (PPh, )z is 0.0
To 2 m Q of a benzene solution containing 0.5 mmol of 0.05 mmol and 0.25 mmol of 1゜2-bis(dimethylsilyl)ethane, 4-
Benzene solution containing 0.25 mmol of octyne 2 m Q
was added dropwise at 80°C, and the reaction was carried out at 80°C for 24 hours.
濃縮後蒸留し、1,1,4,4−テトラメチル−2,3
−ジプロピル−1,4−ジシラー2−シクロヘキセンを
60%の収率で得た。After concentration, distillation is performed to obtain 1,1,4,4-tetramethyl-2,3
-Dipropyl-1,4-disilar 2-cyclohexene was obtained with a yield of 60%.
1H−NMR(CDC13): δ 2.1−1.9
(4H,m)。1H-NMR (CDC13): δ 2.1-1.9
(4H, m).
1.4−11 (4H,m)、 0.86 (6H,t
、J=7Hz)。1.4-11 (4H, m), 0.86 (6H, t
, J=7Hz).
0.71 (4H,s)、 0.02 (12H,s)
。0.71 (4H, s), 0.02 (12H, s)
.
GC−MS ; 254 (M“、24)、 5
9 (100)IR(第8図)
実施例14
1.2−ビス(ジメチルシリル)エタンの代わりに1,
3−ビス(ジメチルシリル)プロパン0.25mモル用
い、4−オクチン0.25mモル用いて実施例13と同
様に、2時間反応を行なった0反応後濃縮し蒸留して、
1,1,4,4−テトラメチル−2,3−ジプロピル−
1,4−ジシラー2−シクロペンテンを11%の収率で
得た。GC-MS; 254 (M", 24), 5
9 (100) IR (Figure 8) Example 14 1, instead of 1,2-bis(dimethylsilyl)ethane
A reaction was carried out for 2 hours in the same manner as in Example 13 using 0.25 mmol of 3-bis(dimethylsilyl)propane and 0.25 mmol of 4-octyne. After the reaction, the mixture was concentrated and distilled.
1,1,4,4-tetramethyl-2,3-dipropyl-
1,4-disilated 2-cyclopentene was obtained with a yield of 11%.
1.3,3−テトラメチルジシロキサンを0.5mモル
含むベンゼン溶液2mflに4−オクチンを0.125
mモル含むベンゼン溶液2m+2を滴下し、70℃にて
7時間反応を行なった6濃縮後蒸留し、4−オクチン基
準の収率で2,2,5,5−テトラメチル−3,4−ジ
プロピル−1−オキサ−2,5−ジシラー3−シクロペ
ンテンが8%の収率で得られた。1. Add 0.125 4-octyne to 2 mfl of benzene solution containing 0.5 mmol of 3,3-tetramethyldisiloxane.
2m+2 of a benzene solution containing mmol was added dropwise and the reaction was carried out at 70°C for 7 hours. After concentration, distillation was performed to obtain 2,2,5,5-tetramethyl-3,4-dipropyl with a yield based on 4-octyne. -1-oxa-2,5-disilar-3-cyclopentene was obtained in a yield of 8%.
同時に1,1,3,3−テトラメチル−1−(1−プロ
ピル−1−ペンテニル)−1,3−ジシロキサンが86
%
GC−にS ; 268 (M”、20)、 22
5 (52)、 59 (100)実施例15
及び1,3−ビス((1−プロピル−1−ペンテニル)
ジメチル)−1,3−ジシロキサンが18%得られた。At the same time, 1,1,3,3-tetramethyl-1-(1-propyl-1-pentenyl)-1,3-disiloxane
% GC-S; 268 (M”, 20), 22
5 (52), 59 (100) Example 15 and 1,3-bis((1-propyl-1-pentenyl)
18% of dimethyl)-1,3-disiloxane was obtained.
これらの生成比はガスクロマトグラフィーにより分析し
て求めた。These production ratios were determined by analysis using gas chromatography.
2.2,5.5−テトラメチル−3,4−ジプロピル−
1−オキサ−2,5−ジシラー3−シクロペンテンGC
−MS ; 242 (M”、19)、 227 (1
00)、 171 (12)。2.2,5.5-tetramethyl-3,4-dipropyl-
1-Oxa-2,5-disylar 3-cyclopentene GC
-MS; 242 (M”, 19), 227 (1
00), 171 (12).
157 (15)、 133 (86)、 119 (
35)。157 (15), 133 (86), 119 (
35).
117 (24)、 73 (33)
1.1,3,3−テトラメチル−1(1−プロピル−1
−ペンテニル)−1,3−ジシロキサン
沸点:110℃150mmHg (クーゲルロール)1
H−NMR(CDC13): 65.9−5.7 (
IH,m)。117 (24), 73 (33) 1.1,3,3-tetramethyl-1(1-propyl-1
-pentenyl)-1,3-disiloxane Boiling point: 110°C 150mmHg (Kugerrohr) 1
H-NMR (CDC13): 65.9-5.7 (
IH, m).
4.8−4.7 (LH,m)、 2.05 (4H,
q、J=7Hz)tl、7−1.2 (4H,m)、
0.9 (6H,t、J=7Hz)。4.8-4.7 (LH, m), 2.05 (4H,
q, J=7Hz) tl, 7-1.2 (4H, m),
0.9 (6H, t, J=7Hz).
0.1 (12H,S)
GC−MS ; 244 (M”、 2)、 229
(3)、 133 (100)1.3−ビス((1−プ
ロピル−1−ペンテニル)ジメチル)−1,3−ジシロ
キサン
”H−NMR(cocn、): δ 5.8 (2H
,t、 J=7Hz)。0.1 (12H,S) GC-MS; 244 (M”, 2), 229
(3), 133 (100) 1,3-bis((1-propyl-1-pentenyl)dimethyl)-1,3-disiloxane"H-NMR (cocn, ): δ 5.8 (2H
, t, J=7Hz).
2.05 (8H,q、J=7Hz)、 1.6−1.
1 (8H,m)。2.05 (8H, q, J=7Hz), 1.6-1.
1 (8H, m).
0.9 (12H,t、J==7Hz)、 0.1 (
12H,s)GC−MS ; 354 (M”、 4)
、 339 (11)、 242 (33)。0.9 (12H, t, J==7Hz), 0.1 (
12H,s) GC-MS; 354 (M”, 4)
, 339 (11), 242 (33).
133 (100) IR(第8図)133 (100) IR (Figure 8)
第1図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−2−フェニル−1゜4−ペンゾジシ
ラー2,5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル
を、液膜法で測定したもので、縦軸は透過率(%)であ
り、横軸は(all−1)である。
第2図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−2,3−ジフェニル−1,4−ペン
ゾジシラー2,5−シクロへキサジエンの赤外吸収スペ
クトルを、ヌジョール法で測定したもので、縦軸は透過
率(%)であり、横軸は(aa−1)である。
第3図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ペン
ゾジシラー2,5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペ
クトルを、液膜法で測定したもので、縦軸は透過率(%
)であり、横軸は(ロー1)である。
第4図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−2−へキシル−1゜4−ペンゾジシ
ラー2,5−シクロへキサジエンの赤外吸収スペクトル
を、液膜法で測定したもので、縦軸は透過率(%)であ
り、横軸は(c++−1)である。
第5図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−2,3−ビス(メトキシカルボニル
)−1,4−ペンゾジシラ−2゜5−シクロへキサジエ
ンの赤外吸収スペクトルを、液膜法で測定したもので、
縦軸は透過率(%)であり、横軸は(口″″1)である
。
第6図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−1,4−ペンゾジシラー2,5−シ
クロへキサジエンと1.1,4゜4−テトラメチル−1
,4−ペンフジシラー5−シクロヘキセンの混合物の赤
外吸収スペクトルを、液膜法で測定したもので、縦軸は
透過率(%)であり、横軸は(e11″″1)である。
第7図は、本発明の実施例により合成した1゜1.4,
4−テトラメチル−2,3−ジプロビル−1,4−ジシ
ラー2−シクロヘキセンの赤外吸収スペクトルを、液膜
法で測定したもので、縦軸は透過率(%)であり、横軸
は(al−1)である。
第8図は、本発明の実施例により合成した1゜1.3,
3−テトラメチル−1−(1−プロピル−1−ペンテニ
ル)−1,3−ジシロキサンの赤外吸収スペクトルを、
液膜法で測定したもので、縦軸は透過率(%)であり、
横軸は(cm−1)である。
第9図は、本発明の実施例により合成した1゜3−ビス
((1−プロピル−1−ペンテニル)ジメチル))−1
,3−ジシロキサンの赤外吸収スペクトルを、液膜法で
測定したもので、縦軸は透過率(%)であり、横軸は(
am’″1)である。
手禾充′P甫正書(自発)
1.事件の表示
平成2年特許願第57273号
2、発明の名称
1.2−ビスシリルエチレン誘導体、l、2−ビスシリ
ルエタン誘導体及びl、1−ビスシリルエタン誘導体の
製造方法及び1.2−ビスシリルエチレン誘導体(補正
後の名称)
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代日区霞が関1丁目3番1号名称 (1
14)工業技術院長 杉 浦 賢4、指定代理人
明細書の「発明の名称」の欄、「特許請求の範囲Jの欄
、「発明の詳細な説明」の欄、「図面の簡単な説明」の
欄及び図面
載を加入する。
「沸点 90℃/2mmHg (クーゲルロール)H
−NMR(CDCIm) : δ 2.20−2.00
(4H,a+)。
1.41−1.15 (6H,m)
0.97−0.77 (IOH,m)。
0.06 (12H,s) J(6
)同書同頁下から第2行の次に改行してrIR(第10
図)」を加入する。
(7)同書第29頁第11行の次に改行して下記の記載
を加入する。
「沸点 100℃/ 30mmHg (クーゲルロール
)’H−NMR(CDC1,) : δ 2.2 (4
H,m)。
1.35 (4H,6重線、 J=7.5Hz)。
0.9 (6H,t、 J=7.5Hz)。
0.2 (12H,s) J(8)
同書同頁下から第9行の次に改行してrIR(液膜法)
1248 cm−’ Jを加入する。
(9)同書第30頁第9行の次に改行して下記の記載を
加入する。
7、補正の内容
(1)明細書第1頁第3〜S行の
「l、2−ビスシリルエチレン誘導体及び1.2−ビス
シリルエタン誘導体及び1.1−ビスシリルエタン誘導
体及びその製造方法」を
「1.2−ビスシリルエチレン誘導体、l、2−ビスシ
リルエタン誘導体及びl、1−ビスシリルエタン誘導体
の製造方法及び1.2−ビスシリルエチレン誘導体」
に補正する。
(2)同書の「特許請求の範囲」を別紙の通り補正する
。
(3)同書第6頁第5〜6行の「及び1.2−・・・1
.1−ビスシリルエタン誘導体」を削除する。
(4)同書第27頁第6行の次に改行して下記の記載を
加入する。
「元素分析値:実測値 C66,10%、811.94
%理論値 C66,06%、H11,H% 」(5)同
書同頁第14行の次に改行して下記の記r実施例16
Pt(CHa=C)lx) (PPhx) zを0.0
05mモル及び、1.2−ビス(ジメチルシリル)エタ
ンを0.25mモル含むベンゼン溶液2mlに、ジフェ
ニルアセチレンを0.25mモル含むベンゼン溶液2m
1を80℃にて滴下し、80’Cにて1時間反応を行っ
た。濃縮後蒸留し、1,1,4.4−テトラメチル−2
,3−ジフェニル−1,4−ジシラー2−シクロヘキセ
ンを83%の収率で得た。
沸点 115℃/ 25+nmHg (クーゲルロール
)融点 114−115℃
’H−NMR(CDCM : δ 7.2−6.7 (
108,n+)。
1.04 (4に、 s)、 0.07 (12H,s
)GC−MS : 322(M”、 100)’、 3
07(62)IR第11図
元素分析値:実測値 C74,64%、H8,13%理
論値 C66,06%、H8,12% 」(10)回書
第31頁(第2表)全頁を次の通り補正する。
(11)同書第34頁第14行の次に改行して下記の記
載を加入する。
「第10図は、本発明の実施例=より合成した1、1,
4.4−テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−
ジシラー2−シクロペンテンの赤外線吸収スペクトルを
液膜法で測定したものであり、縦軸は透過率(%)であ
り、横軸(ま波数(cm−’)である。
第11図は、本発明の実施例により合成した1、l、4
.4−テトラメチル−2,3−ジフェニル−1,4−ジ
シラー2−シクロヘキセンの赤外線吸収スペクトルをヌ
ジョール法で測定したものであり、縦軸は透過率(%)
であり、横軸【±波数(cm−’)である、」
(12)図面として別紙の通り第10図及び第11図を
追加する。
(以上)
特許請求の範囲
(1)(a)−数式 HR’R”5i−Y”SiR’R
’H(但し式中、Yは2価の有機基、酸素原子。
窒素原子、硫黄原子を表し、R”、R”、R’及びR4
は1価の有機基、またはハロゲン原子、または水素原子
を表す)で表されるヒドロシラン類と
(b)−数式 R’ C=CR”
(但し式中 aM及びR1は互いに同一、または相異な
る1価の有機基、水素原子、及びハロゲン原子を表す)
で表されるアセチレン類を、
(c)白金、パラジウム、ニッケル、ルテニウム、鉄、
イリジウム、ロジウム、コバルトの中から選ばれる遷移
金属錯体の存在下に、反応させることを特徴とする。
一般式R1R”5i−R”C=CR”−5iR3R’−
Y(但し式中 R1、 R”、R3,R4,R$R′及
びYはそれぞれ前述のとおり)で表される1、2
ビスシリルエチレン誘導体
及び/または
(但し式中、R″ R2、R3、R4、RSR6及びY
はそれぞれ前述のとおり)で表される1、2−ビスシリ
ルエタン誘導体及び/または
R”、 R13,R14,R”及びR”は、炭素数1〜
15の有機基、水素原子、ハロゲン原子の中から選ぶこ
とができる)で表される1、2−ビスシリルエチレン誘
導体(I)。
(但シ式中、R’、R’、R3,R’、RsR′及びY
はそれぞれ前述のとおり)で表される1、1−ビスシリ
ルエタン誘導体の製造方法。
(2)一般式
()Figure 1 shows 1°1.4,
The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2-phenyl-1゜4-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene was measured using the liquid film method, where the vertical axis is the transmittance (%) and the horizontal axis is the transmittance (%). (all-1). Figure 2 shows 1°1.4,
The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2,3-diphenyl-1,4-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene was measured by the Nujol method, where the vertical axis is the transmittance (%) and the horizontal axis is the transmittance (%). The axis is (aa-1). Figure 3 shows the 1°1.4,
The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2,3-dipropyl-1,4-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene was measured using the liquid film method, and the vertical axis is the transmittance (%).
), and the horizontal axis is (low 1). FIG. 4 shows the 1°1.4,
The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2-hexyl-1゜4-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene was measured using the liquid film method, and the vertical axis is the transmittance (%) and the horizontal axis is the transmittance (%). The axis is (c++-1). FIG. 5 shows the 1°1.4,
The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2,3-bis(methoxycarbonyl)-1,4-penzodisila-2°5-cyclohexadiene was measured using a liquid film method.
The vertical axis is transmittance (%), and the horizontal axis is (portion ``1''). FIG. 6 shows the 1°1.4,
4-Tetramethyl-1,4-penzodisilar 2,5-cyclohexadiene and 1.1,4゜4-tetramethyl-1
The infrared absorption spectrum of a mixture of , 4-penfudisilar and 5-cyclohexene was measured by a liquid film method, where the vertical axis is transmittance (%) and the horizontal axis is (e11''1). FIG. 7 shows the 1°1.4,
The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2,3-diprobyl-1,4-disilar-2-cyclohexene was measured by the liquid film method, where the vertical axis is transmittance (%) and the horizontal axis is ( al-1). FIG. 8 shows the 1°1.3,
The infrared absorption spectrum of 3-tetramethyl-1-(1-propyl-1-pentenyl)-1,3-disiloxane is
It was measured using the liquid film method, and the vertical axis is transmittance (%).
The horizontal axis is (cm-1). Figure 9 shows 1゜3-bis((1-propyl-1-pentenyl)dimethyl))-1 synthesized according to an example of the present invention.
, 3-disiloxane, measured using the liquid film method, the vertical axis is transmittance (%), and the horizontal axis is (
am'''1) Tehe Mitsuru'P Fu Seisho (spontaneous) 1. Description of the case 1990 Patent Application No. 57273 2, Title of the invention 1. 2-Bissilylethylene derivative, l, 2- Process for producing bissilylethane derivatives and l,1-bissilylethane derivatives, and 1.2-bissilylethane derivatives (name after amendment) 3. Relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant address Chiyohi-ku, Tokyo Kasumigaseki 1-3-1 Name (1
14) Director of the Agency of Industrial Science and Technology Ken Sugiura 4, “Title of the invention” column, “Claims J” column, “Detailed explanation of the invention” column, “Brief explanation of the drawings” in the designated representative specification Add the column and drawings. "Boiling point 90℃/2mmHg (Kugerrohr) H
-NMR (CDCIm): δ 2.20-2.00
(4H, a+). 1.41-1.15 (6H, m) 0.97-0.77 (IOH, m). 0.06 (12H,s) J(6
) Next to the second line from the bottom of the same page in the same book, enter rIR (10th line).
Figure)” is added. (7) On page 29 of the same book, line 11, add the following statement on a new line. "Boiling point 100℃/30mmHg (Kugerrohr)'H-NMR (CDC1,): δ 2.2 (4
H, m). 1.35 (4H, sextet, J=7.5Hz). 0.9 (6H, t, J=7.5Hz). 0.2 (12H,s) J(8)
After the 9th line from the bottom of the same page in the same book, start a new line and use rIR (liquid film method)
Add 1248 cm-' J. (9) Add the following statement on a new line after the 9th line of page 30 of the same book. 7. Contents of amendment (1) "l,2-bissilylethane derivatives, 1,2-bissilylethane derivatives, and 1,1-bissilylethane derivatives and their manufacturing method" on page 1, lines 3 to S of the specification " has been amended to "1,2-bissilylethane derivative, l,2-bissilylethane derivative, method for producing l,1-bissilylethane derivative, and 1,2-bissilylethane derivative." (2) Amend the "Claims" of the same book as shown in the attached sheet. (3) "And 1.2-...1" on page 6, lines 5-6 of the same book.
.. 1-bissilylethane derivative" is deleted. (4) Add the following statement on a new line after line 6 on page 27 of the same book. "Elemental analysis value: Actual value C66, 10%, 811.94
% theoretical value C66,06%, H11,H%” (5) Next to the 14th line of the same page in the same book, enter the following and write the following example 16 Pt(CHa=C)lx) (PPhx) z is 0. 0
0.5 mmol of benzene solution containing 0.25 mmol of 1.2-bis(dimethylsilyl)ethane and 2 ml of a benzene solution containing 0.25 mmol of diphenylacetylene.
1 was added dropwise at 80°C, and the reaction was carried out at 80'C for 1 hour. After concentration and distillation, 1,1,4.4-tetramethyl-2
, 3-diphenyl-1,4-disylar-2-cyclohexene was obtained in a yield of 83%. Boiling point 115℃/25+nmHg (Kugerrohr) Melting point 114-115℃ 'H-NMR (CDCM: δ 7.2-6.7 (
108, n+). 1.04 (4, s), 0.07 (12H, s
) GC-MS: 322(M", 100)', 3
07 (62) IR Figure 11 Elemental analysis values: Actual values C74,64%, H8,13% Theoretical values C66,06%, H8,12%” (10) Circular page 31 (Table 2) All pages Correct as follows. (11) Add the following statement on page 34, line 14 of the same book, on a new line. "Figure 10 shows examples of the present invention = 1, 1, synthesized from
4.4-tetramethyl-2,3-dipropyl-1,4-
The infrared absorption spectrum of disylar 2-cyclopentene was measured by the liquid film method, where the vertical axis is transmittance (%) and the horizontal axis (wave number (cm-')). 1, l, 4 synthesized according to the example of
.. The infrared absorption spectrum of 4-tetramethyl-2,3-diphenyl-1,4-disilar-2-cyclohexene was measured by the Nujol method, and the vertical axis is the transmittance (%).
, and the horizontal axis is [± wave number (cm-').'' (12) Figures 10 and 11 are added as attached drawings. (above) Claim (1) (a) - Formula HR'R"5i-Y"SiR'R
'H (wherein, Y represents a divalent organic group, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, R'', R'', R' and R4
represents a monovalent organic group, a halogen atom, or a hydrogen atom) and (b) - formula R'C=CR" (wherein aM and R1 are the same or different 1 (represents a valent organic group, hydrogen atom, and halogen atom)
(c) Platinum, palladium, nickel, ruthenium, iron,
It is characterized by carrying out the reaction in the presence of a transition metal complex selected from iridium, rhodium, and cobalt. General formula R1R"5i-R"C=CR"-5iR3R'-
1, 2 bissilyl ethylene derivatives represented by Y (wherein R1, R'', R3, R4, R$R' and Y are each as described above) and/or (wherein R'' R2, R3 , R4, RSR6 and Y
are as described above) and/or R'', R13, R14, R'' and R'' have 1 to 1 carbon atoms.
1,2-bissilylethylene derivative (I) represented by 15 organic groups, hydrogen atoms, and halogen atoms. (However, in the formula, R', R', R3, R', RsR' and Y
are as described above). (2) General formula ()
Claims (2)
3R^4H(但し式中、Yは2価の有機基、酸素原子、
窒素原子、硫黄原子を表し、R^1、R^2、R^3及
びR^4は1価の有機基、またはハロゲン原子、または
水素原子を表す)で表されるヒドロシラン類と (b)一般式R^5C≡CR^6 (但し式中、R^5及びR^6は互いに同一、または相
異なる1価の有機基、水素原子、及びハロゲン原子を表
す)で表されるアセチレン類を、 (c)白金、パラジウム、ニッケル、ルテニウム、鉄、
イリジウム、ロジウム、コバルトの中から選ばれる遷移
金属錯体の存在下に、反応させることを特徴とする、 一般式R^1R^2Si−R^5C=CR^6−SiR
^3R^4−Y(但し式中、R^1、R^2、R^3、
R^4、R^5、R^6及びYはそれぞれ前述のとおり
)で表される1,2−ビスシリルエチレン誘導体及び/
または 一般式R^1R^2Si−R^5CH−CHR^6−S
iR^3R^4−Y(但し式中、R^1、R^2、R^
3、R^4、R^5、R^6及びYはそれぞれ前述のと
おり)で表される1,2−ビスシリルエタン誘導体及び
/または 一般式R^1R^2Si−R^5C(CH_2R^6)
−SiR^3R^4−Y(但し式中、R^1、R^2、
R^3、R^4、R^5、R^6及びYはそれぞれ前述
のとおり)で表される1,1−ビスシリルエタン誘導体
の製造方法。(1) (a) General formula HR^1R^2Si-Y-SiR^
3R^4H (wherein, Y is a divalent organic group, an oxygen atom,
Hydrosilanes represented by a nitrogen atom, a sulfur atom, and R^1, R^2, R^3, and R^4 represent a monovalent organic group, a halogen atom, or a hydrogen atom; and (b) Acetylenes represented by the general formula R^5C≡CR^6 (wherein R^5 and R^6 represent the same or different monovalent organic groups, hydrogen atoms, and halogen atoms) , (c) platinum, palladium, nickel, ruthenium, iron,
General formula R^1R^2Si-R^5C=CR^6-SiR, characterized by reacting in the presence of a transition metal complex selected from iridium, rhodium, and cobalt.
^3R^4-Y (However, in the formula, R^1, R^2, R^3,
R^4, R^5, R^6 and Y are each as described above) 1,2-bissilylethylene derivative and/
Or general formula R^1R^2Si-R^5CH-CHR^6-S
iR^3R^4-Y (however, in the formula, R^1, R^2, R^
3, R^4, R^5, R^6 and Y are each as described above) and/or a 1,2-bissilylethane derivative represented by the general formula R^1R^2Si-R^5C (CH_2R^ 6)
-SiR^3R^4-Y (wherein, R^1, R^2,
R^3, R^4, R^5, R^6 and Y are each as described above).
等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ( I )(II)(III) (但し式中、R^7、R^8、R^9、R^1^0、R
^1^1、R^1^2、R^1^3、R^1^4、R^
1^5及びR^1^6は、炭素数1〜15の有機基、水
素原子、ハロゲン原子の中から選ぶことができる)で表
される1,2−ビスシリルエチレン誘導体( I )及び
1,2−ビスシリルエタン誘導体(II)及び1,1−ビ
スシリルエタン誘導体(III)。(2) General formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (I) (II) (III) (However, in the formula, R ^7, R^8, R^9, R^1^0, R
^1^1, R^1^2, R^1^3, R^1^4, R^
1^5 and R^1^6 can be selected from organic groups having 1 to 15 carbon atoms, hydrogen atoms, and halogen atoms) and 1,2-bissilylethylene derivatives (I) and 1 , 2-bissilylethane derivative (II) and 1,1-bissilylethane derivative (III).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2057273A JP2676001B2 (en) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | Method for producing 1,2-bissilylethylene derivative |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03258787A true JPH03258787A (en) | 1991-11-19 |
JP2676001B2 JP2676001B2 (en) | 1997-11-12 |
Family
ID=13050925
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2057273A Expired - Lifetime JP2676001B2 (en) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | Method for producing 1,2-bissilylethylene derivative |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2676001B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970074785A (en) * | 1996-05-11 | 1997-12-10 | 페터스 우베, 슈베르트페거 한스-요아힘 | Method for preparing vinylated organosilicon compound |
JP2000351786A (en) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Dow Corning Corp | Method for producing organic silicon compound and organic silicon compound produced by the method |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2057273A patent/JP2676001B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970074785A (en) * | 1996-05-11 | 1997-12-10 | 페터스 우베, 슈베르트페거 한스-요아힘 | Method for preparing vinylated organosilicon compound |
JP2000351786A (en) * | 1999-05-17 | 2000-12-19 | Dow Corning Corp | Method for producing organic silicon compound and organic silicon compound produced by the method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2676001B2 (en) | 1997-11-12 |
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